Diodo Semiconductor

Sesin 2

Ing. Mara Elena Pareja V.

ELECTRONICA
ANALGICA

Seal

DIGITAL

Cualquier
valor

Seal

tiempo
Ing. M.E Pareja.

Solo
2 valores

tiempo
2

ELECTRNICA ANALGICA

SEMICONDUCTORES
COMPONENTES ELECTRONICOS
BLOQUES FUNCIONALES

Ing. M.E Pareja.

SEMICONDUCTORES
El tomo
Bandas de energa
El semiconductor
La circulacin de corriente

Unin P-N

Ing. M.E Pareja.

El tomo
Atomo, es la unidad ms pequea de un
elemento qumico que mantiene su identidad o
sus propiedades, y que no es posible dividir
mediante procesos qumicos.
A la combinacin de dos o ms tomos iguales o
diferentes se le denomina: molcula.
En el ncleo se encuentran los protones y neutrones. En la
corteza se encuentran los electrones, recorriendo trayectorias
circulares o elpticas (rbitas).
Todo tomo tiene un nmero de protones igual al nmero de
electrones.
Los electrones de la ltima orbita forman los electrones de
valencia.
Ing. M.E Pareja.

El tomo

periferia
Ne=n electrones

ncleo
Np = nprotones

Carga del tomo

Ne > Np

negativo

Ne = Np

neutro

Ne < Np

positivo

ltima = rbita de valencia

Enlaces = f(rbita de valencia)

Distribucin de electrones

Los electrones estn distribuidos en

rbitas de distinta energa
Para pasar de una a otra un
electrn ha de absorber o liberar la
siguiente energa:
E = hv
h= constante de Plank
v = frecuencia de
radiacin
Ing. M.E Pareja.

El EL
tomo
TOMO

La diferencia entre uno y otro elemento radica, bsicamente, en la

cantidad de protones y electrones que tenga el tomo en el ncleo y en
las rbitas, respectivamente.
Hidrgeno

Carbono

Cobre

1 protn

6 protones

29 protones

1 electrn

6 electrones

29 electrones

Ing. M.E Pareja.

El tomo

Ing. M.E Pareja.

ElESTRUCTURA
tomo
ATMICA
El ncleo positivo atrae a los electrones orbitales, pero
estos no caen al ncleo debido a la fuerza centrifuga
(hacia fuera) creada por su movimiento orbital y el
electrn est en equilibrio.

Ing. M.E Pareja.

El tomo

Hay orbitas:
1 K 2 electrones
2 L 8 electrones
3 M 18 electrones
4 N 32 electrones
Sodio: 11 protones, 3 orbitas (fig).

Los electrones de la ultima capa perciben menos fuerza de atraccin, se

les llama iones (+)(-).
Los tomos son Estables si tienen en su ltima capa al menos 8
electrones.
Son tomos Inestables cuando no tienen llena su orbita perifrica ni
tampoco 8 electrones, pueden convertirse en estables, desprendiendo
los electrones de valencia, o absorbiendo del exterior electrones libres
hasta completar su ultima capa.

Ing. M.E Pareja.

10

El tomo

Ing. M.E Pareja.

11

Conductores, Semiconductores y Aislantes

Conductores, ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente elctrica.

Semiconductores, en unos casos permiten la circulacin de la corriente elctrica y en otros no.
Aislantes, ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica.
A) Conductor de alambre de cobre. B) Diodos y C) transistor (dispositivos semiconductores en
ambos casos). D) Aislantes de porcelana instalados en un transformador distribuidor de
energa elctrica de bajo voltaje y E) Aislantes de vidrio soportando cables a la intemperie
montados en un poste para distribucin de energa elctrica de media tensin.
Ing. M.E Pareja.

12

Conductores

Los conductores permiten fcilmente el paso de electrones. El tomo de

Cobre que posee 29 electrones y 29 protones.
Dispone en su 4 orbita solo 1 electrn por lo tanto es inestable, y tendr
una gran tendencia a despreciarse del electrn de la ultima orbita.
Al aplicar una diferencia de potencial a un conductor de Cobre, el terminal
positivo atrae fcilmente electrones de los tomos de Cu cercanos, que
estn deseando soltarlos para hacerse estables, mientras que estos
mismos tomos al quedar cargados positivamente, absorben electrones
de los tomos conectados al terminal negativo, habiendo perdido su
electrn perifrico, lo recuperan de dicho terminal, que se los
proporciona.

Ing. M.E Pareja.

13

Conductores, Semiconductores y Aislantes

El tomo 1 desprende su electrn

perifrico por el borde positivo de la
pila (batera), al mismo tiempo
dicho tomo queda cargado
positivamente y absorbe el electrn
del perifrico del tomo 2, este lo
absorbe al 3 y este del 4, y este
ultimo recibe el electrn del
perifrico que habindose salido del
tomo 1, la pila traslada hasta el
borne negativo.
La inestabilidad de los tomos de
Cu, de desprender sus electrones
perifricos, intercambindoselos,
constituye su buena conductibilidad.

Ing. M.E Pareja.

14

Bandas de Valencia

La ultima capa de los niveles de energa se llama Banda

de valencia donde puede ceder, atraer, o captar
electrones, que sern conductores, aislantes o
semiconductores.
Los Metales tienen en la ltima rbita o banda de
valencia entre uno y tres electrones como mximo, por
lo que su tendencia es cederlos cuando le aplicamos
un potencial por mtodos fsicos o qumicos. Las
respectivas valencias de trabajo (o nmeros de valencia)
de los metales son las siguientes: +1, +2 y +3.

Normalmente las bandas de energas se componen de: 1) una banda de valencia. 2) una
banda de conduccin y, 3) otra banda interpuesta entre las dos anteriores denominada
banda prohibida. La funcin de esta ltima es impedir o dificultar que los electrones
salten desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin
Debido a que en los metales conductores de corriente elctrica la banda de valencia o
ltima rbita del tomo posee entre uno y tres electrones solamente (de acuerdo con el
tipo de metal de que se trate), existe una gran cantidad de estados energticos vacos
que permiten excitar los electrones, bien sea por medio de una reaccin qumica, o una
reaccin fsica como la aplicacin de calor o la aplicacin de una diferencia de potencial
(corriente elctrica) que ponga en movimiento el flujo electrnico.
Ing. M.E Pareja.

15

Aislantes

Los aislantes o dielctricos como el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la

ebonita, las resinas sintticas, los plsticos, etc., ofrecen una alta
resistencia al paso de le corriente elctrica.
Los de los elementos aislantes poseen entre cinco y siete electrones
fuertemente ligados a su ltima rbita, lo que les impide cederlos. Esa
caracterstica los convierte en malos conductores de la electricidad.
En los materiales aislantes, la banda de conduccin se encuentra
prcticamente vaca de portadores de cargas elctricas o electrones,
mientras que la banda de valencia est completamente llena de estos.

Ing. M.E Pareja.

16

Cada rbita de electrones constituye una banda

energtica en la que pueden estar los electrones.
Entre las distintas rbitas hay bandas
energticas en las que no pueden estar los
electrones.

B. conduccin

Intervalo energtico donde estn aquellos electrones

que pueden moverse libremente

B. prohibida

Energa que ha de adquirir un electrn de la banda

de valencia para poder moverse libremente por el
material

B. valencia

Intervalo energtico donde estn los electrones de

la ltima rbita

B. conduccin

B. prohibida
B. valencia

B. conduccin
B. prohibida

B. Ing.
valencia
M.E Pareja.

B. conduccin
B. valencia

17

CARACTERSTICAS

Semiconductores

Ge
Histrico

Otros

Si
Principal

B. prohibida <<
4 de valencia
Enlaces covalentes

Conductor o
aislante

AsGa
Algunas
aplicaciones
especficas

Poco usados

Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican:

Semiconductores Intrnsecos
Semiconductores Extrnsecos.
Ing. M.E Pareja.

18

Semiconductores Intrnsecos
Es Intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su
estructura. Son los elementos como el Silicio y el Germanio.
La caracterstica fundamental de los cuerpos semiconductores es
la de poseer 4 electrones en su orbita de valencia. Lo cual lo hace
inestable.
Le cuesta lo mismo

desprender los 4 electrones

perifricos y quedarse sin una
orbita, que absorber otros 4
electrones para hacerse
estable al tener la orbita de
valencia con 8 electrones

Ing. M.E Pareja.

19

Semiconductores Intrnsecos
El tomo se Silicio se hace estable compartiendo sus electrones
enlace covalente (fig)
A -273C o sea 0Kelvin, la formacin de
los enlaces covalentes es perfecta y la
estructura es completamente estable.,
comportndose como un elemento
aislante.
Pero a medida que se eleva la
temperatura aumenta la agitacin
trmica rompindose el enlace covalente.
La salida de un electrn del enlace deja
en este un hueco al que se tratara como
carga positiva.
Ing. M.E Pareja.

20

Semiconductores Intrnsecos

tomo de Si

Electrn de valencia

Enlace covalente

Ing. M.E Pareja.

21

Semiconductores Intrnsecos
A temperatura de 17 C el
germanio tiene una
concentracin aprox. De 1013
huecos o electrones libres por
cm3. y el Silicio solo 1010 por
tener menos orbitas.

Ing. M.E Pareja.

22

Semiconductores Intrnsecos

+ energa
Trmica
Luminosa
Elctrica
Etc.

RUPTURA

Par
electrnhueco

Electrn
libre

Hueco

Nmero electrones

=
Numero de huecos

Energa

Ing. M.E Pareja.

23

Semiconductores Extrnsecos
Los semiconductores Intrnsecos dan paso a una corriente de
electrones dbil que no es til.
Para la fabricacin de los diferentes tipos de semiconductores
se utilizan los extrnsecos que son los mismos intrnsecos a los

cuales se les ha aadido Impurezas

Generalmente los tomos de las impurezas son los que
poseer tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga)
o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su
ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una
vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la
corriente elctrica.
Ing. M.E Pareja.

24

Semiconductores Extrnsecos de tipo N

El tomo de Sb despus de cumplir con los 4 enlaces covalentes le

sobra un electrn que tiende a salirse de su orbita para que el
tomo quede estable. Por cada tomo de impurezas aadido
aparece un electrn libre en la estructura.
Ing. M.E Pareja.

25

Semiconductores Extrnsecos de tipo P

Este tipo de semiconductor se forma aadiendo impurezas trivalentes (B,Al,Ga, In)

al semiconductor intrnseco.
Quedan 3 enlaces covalentes entre 4 tomos de Si Ge, dejando un hueco.
Como en este semiconductor hay mayor numero de cargas positivas, se les llama
portadores Mayoritarios a los huecos, y Portadores minoritarios a los
electrones.
Ing. M.E Pareja.

26

Tipo N

tomo con
5
electrones
de valencia

Arsnico
Antimonio
Fsforo
Etc.

Tipo P

tomo con
3
electrones
de valencia

Aluminio
Boro
Galio
Etc.

N de portadores
= N de impurezas
Ing. M.E Pareja.

27

V+

La circulacin
tiene lugar en la
banda de
conduccin
=
Los conductores

Ing. M.E Pareja.

28

V+

La circulacin
tiene lugar en la
banda de valencia

Ing. M.E Pareja.

29

V+

V+

V+

V-

V-

V-

Ing. M.E Pareja.

30

Unin del Semiconductor P con el N

Al colocar una parte del semiconductor tipo P unido a otra
parte de tipo N, debido a la ley de difusin los electrones de la
zona N tienden a dirigirse a la zona P, sucediendo lo contrario
con los hueco que tratan de dirigirse de la zona P a la N.

Ing. M.E Pareja.

31

P
minoritarios

mayoritarios

Ing. M.E Pareja.

32

Un semiconductor sometido a una campo elctrico,

se producen dos corrientes de desplazamiento, la de
electrones en la banda de conduccin y la de huecos en
la banda de valencia.
A stas hay que aadir la difusin, que es el proceso
mediante el cual las propiedades de un slido se
reparten a lo largo de su volumen hasta hacerse
uniformes en todo l.

MUCHOS
P

MUCHOS
N

Ing. M.E Pareja.

33

Al juntarse un y un
desaparecen ambos,
apareciendo la zona despoblada

Zona
despoblada

Ing. M.E Pareja.

34

Aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin,

zona que se llama barrera interna de potencial, deplexin.
Cuando progresa el proceso de difusin, la zona de carga se
incrementando y se crea un campo elctrico (E) que es una
diferencia de tensin entre las zonas p y n.
Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
P

La barrera de
potencial se
opone al
paso de
EQUILIBRIO
Fuerza de la barrera de
potencial

Impureza
con 3
electrones

Impureza
con 5
electrones

Fuerza de difusin
Ing. M.E Pareja.

35

Diodo

Ctodo
nodo

Ctodo

nodo

Diodo: Polarizacin Directa

Cuando el terminal negativo de la Fuente de corriente continua
esta conectado al material tipo N y el positivo al material tipo P.
Disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,
permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la
unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la
electricidad.
N

Los
minoritarios
NO circulan

V
Ing. M.E Pareja.

Para que circulen

los portadores
mayoritarios ha de
ser V > la tensin
de la Barrera de
37
Potencial

Diodo: Polarizacin directa

Diodo: Polarizacin Inversa

Si se invierte la polaridad, el diodo queda polarizado inversamente. El
terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo a
los electrones.
Los huecos y electrones, se alejan de la unin por tanto la zona de
deplexin se ensancha
N

Los mayoritarios
NO circulan, SE
REAGRUPAN.

Solo hay corriente

de minoritarios, o
corriente de fugas.
D = f(V)

V
Ing. M.E Pareja.

39

Diodo: Polarizacin inversa

Diodo: Grfica del diodo

Si se supera el
voltaje umbral o
de codo, y suele
tener un valor de
0,7 voltios para
el diodo de
germanio y de
0,3 voltios para
el de silicio el
diodo empezar
a conducir

PARMETROS CARACTERSTICOS.
VM = Voltaje mximo.
Vr = Voltaje de ruptura.
IM = Corriente mxima

Diodo: Grfica del diodo

P
I

V
V

I = I0*(exp(V/n*VT) -1)
VT = KT/q
I0 = corriente inversa de saturacin
q = carga del electrn: 1,6*10-19 culombios
K = constante de Boltzman: 1,36*10-23 J/K
T = Temperatura en grados Kelvin
n = constante emprica ( 1-germanio; 2-silicio)

Ing. M.E Pareja.

42

COMPONENTES
DIODOS

El diodo ideal
Diodos reales
El diodo de unin P-N
El diodo zener
El fotodiodo
El LED
El Optoacoplador

TRANSISTORES
La funcin transistor
El transistor bipolar
Transistores de efecto de campo

-JFET
-MOSFET

Ing. M.E Pareja.

43

Diodo Ideal
Resistencia 0 con polarizacin directa y resistencia infinita con
polarizacin inversa. Difcil que exista. Actuaria como un
interruptor.
I

POLARIZACIN DIRECTA
R = 0
Puede circular cualquier
corriente
V

Smbolo

POLARIZACIN INVERSA
V

R =
No hay corriente

I
Ing. M.E Pareja.

44

Diodo Real
El diodo de vaco es el primer procedente de la valvula electrica , que
al colocar dentro de una bombilla incandescente un electrodo algo
alejado del filamento se estableca una corriente entre el filamento y ese
electrodo.

Diodo de vaco
OTROS DIODOS
De Gas
De Selenio
De xido de cobre
De Puntas de contacto
De Unin P-N

Ing. M.E Pareja.

45

Diodos especiales: Diodo ZENER

Es un diodo que trabaja normalmente polarizado inversamente, y que
tiene la caracterstica de mantener entre sus terminales una d.d.p.
(diferencia de potencial) muy estable y propia de cada zener (voltaje de
zener).

Las principales aplicaciones se encuentran las de estabilizador, aunque

tambin se pueden utilizar como limitadores, recortadores o protectores.

Diodos especiales: Diodo ZENER

Es un diodo que trabaja normalmente polarizado inversamente, y que
tiene la caracterstica de mantener entre sus terminales una d.d.p. muy
estable y propia de cada zener (voltaje de zener).

Las principales aplicaciones se encuentran las de estabilizador, aunque

tambin se pueden utilizar como limitadores, recortadores o protectores.

Diodos especiales: Diodo ZENER

I

El diodo zener est diseado para

trabajar en la zona de ruptura,
siempre que no se sobrepase su
intensidad mxima.

VZ = Tensin de funcionamiento

VZ
V

Izm

Existen en el mercado diodos zener

con diversas tensiones de
funcionamiento.

El zener impide que la tensin en la resistencia de carga RL supere el valor

de su tensin nominal.
El zener no puede impedir que la tensin baje por debajo de su tensin
nominal.
La regulacin la consigue absorbiendo ms o menos corriente, en funcin de
las caractersticas del circuito. La diferencia de tensin entre la alimentacin y
la carga se va a RS
Ing. M.E Pareja.

48

Diodos especiales: Foto Diodo

Smbolo

Circuito tpico
con fotodiodo
RL

I
V
Luz

Luz

En polarizacin directa se comporta como un diodo normal.

En polarizacin inversa slo conduce cuando le incide luz.
Al incidir la luz se rompen muchos enlaces y por tanto se incrementa el nmero
de minoritarios que son los responsables de la corriente inversa.
Ing. M.E Pareja.

49

Diodos especiales: Diodo LED

Se encierran en una cpsula que permita que la radiacin luminosa en

forma de fotones salga al exterior.
La curva caracterstica de un diodo L.E.D. es similar a la de cualquier
diodo, a diferencia de que el voltaje de codo es mucho mayor, del orden
de 1,5 a 2,5 V con corrientes entre 10 y 50 mA

Diodos especiales: Foto Diodo

Light Emitting Diode

Circuito tpico
con LED

RL

Smbolo

I
V

Display de 7 segmentos

Ing. M.E Pareja.

51

Diodo: Aplicaciones
Corriente alterna
continua

Rectificador

Corriente

Diodos

Condensadores
Ing. M.E Pareja.

52