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PATO BRANCO
2014
Fonte CC;
Multmetro Digital;
JFET BF245B;
Protoboard;
Fios condutores;
Resistores;
4. Fundamentao Terica
A Figura 1 mostra um circuito com polarizao por divisor de tenso. Este processo
consiste em usar a autopolarizao com VGS constante.
A tenso VG em RG2 e a tenso em RS, impem VGS na porta do JFET, sendo que VG deve
ser menor que VRS para garantir a polarizao reversa entre porta e fonte (MARQUES).
Quando a tenso na porta for maior ela pode encobrir as variaes de VGS de um JFET para
o prximo. Idealmente, a corrente no dreno igual a tenso na porta dividida pela resistncia da
fonte. Como resultado, a corrente no dreno quase constante para qualquer JFET (MALVINO,
2007).
Quanto maior VG, mais horizontal a linha de polarizao, porm a um limite para o valor
mximo de VG a ser atingido. Portanto, embora seja uma grande melhora, a polarizao por divisor
de tenso menos eficiente com os JFETs do que com os bipolares (MALVINO, 1986).
Como a corrente no dreno praticamente zero, so vlidas as seguintes equaes:
V G=
RG2
V
(RG1+RG2 ) DD
RS =
R D=
(V G V GSQ )
I DQ
(V DDV DSQ )
RS
I DQ
5. Procedimentos
Adotando o RG2 = 10K, VG = 0,5V, VDD = 25V, VDDSQ = 15V, VGSQ = -1V o resistor
RG1 pode ser calculado como:
RG1=RG2
(V DDV G )
VG
RG1()
RG2()*
RS ()
RD ()
Calculado
490K
10K
1K5
8K5
Adotado
470K
10K
1K5
8K2
A Figura 2 ilustra o circuito fsico pronto, no qual foram efetuadas as medidas de corrente e
tenso. Estes valores tambm foram simulados no Multisim. A Tabela 2 apresenta ambos os valores
encontrados:
Valores
VSG (mV)
VDS (mV)
VDG (mV)
ID (mA)
IS (mA)
IG (mA)
Medido
5,4
784,5
780,0
2,571
2,221
0,294
Simulado
852,186
157,812
693,375
1,251
1,252
0,0
Os valores simulados e medidos apresentam uma divergncia grande. Nota-se que ao incio
da prtica, foram calculados os valores para o JFET BF245A, porm ao implementar o circuito, no
estava disponvel nenhum deste modelo, sendo substituido pelo JFET BF245B. A Figura 3 mostra
as curvas de transferncia de ambos os dispositivos:
7. Concluso
Ao fim deste relatrio, foi possvel verificar o funcionamento de um circuito polarizador por
divisor de tenso para um JFET da famlia BF245, bem como a importncia de dimensionar
corretamente os resistores, uma vez que neste tipo de circuito uma pequena variao na corrente de
dreno, provoca grandes variaes no ponto quiescente.
8. Referncias
MARQUES, Angelo B.; CRUZ, Eduardo A.; CHOUERI JNIOR, Salomo.
Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use. 12 ed. So
Paulo: rica. 408 p.
MALVINO, Albert Paul. Eletrnica, Volume 1- McGrall-Hill. So Paulo, 1986.
MALVINO, Albert.; BATES, David J. Eletrnica: Volume 1 7. ed. - Porto
Alegre: AMGH, 2007.
NXP Semiconductors. Product specification.
3. Material Utilizado
4. Fundamentao Terica
Embora o MOSFET-E possa ser polarizado na regio ativa, isso quase no feito, pois ele
preliminarmente um dispositivo de chaveamento. A tenso tpica de entrada baixa ou alta. Uma
tenso baixa de 0 V e uma tenso alta de V GS(lig), um valor especificado pelas folhas de dados
(MALVINO, 2007).
Se VE=VGS=0 V, o transistor corta, pois VGS<VT e, portanto VS=VDS=VDD. Se
V=VGS=VDD, para um valor adequado de RD, o transistor satura e, portanto, VS=VD(sat)=0 V
(MARQUES).
5. Procedimentos
A resistncia do rel pode ser medida utilizando um multmetro. Sabe-se que sero
necessrios 6 Volts para alimentar o circuito, desta forma possvel determinar a corrente de dreno.
Alm disso pode-se adotar uma resistncia qualquer, desde que seja suficientemente grande para
que a corrente sobre ela seja praticamente nula. O diodo serve como proteo de corrente reversa,
uma vez que no existem valores significativos de corrente e tenso, pode se optar pelo 1N4007.
Aps determinar o materiais a serem utilizados, devem ser realizados os testes de
funcionamento de cada item. Por seguir o circuito pode ser simulado, e ento ter sua montagem
fsica realizada. J com o circuito em funcionamento, verifica-se a corrente de dreno, como ilustra a
Figura 1.
6. Resultado e discusses
Aps os testes em simulao e realizada a montagem do circuito fsico, foi verificado o
funcionamento de ambos os circuitos. O MOSFET IRF 510 operou como esperado, acionando o
rel quando a chave est aberta. Alm disso a corrente de dreno medida I Dmed =71,40 mA est
prxima da simulada I Dsim =75,01 mA .
7. Concluses
Ao fim deste relatrio foi possvel compreender como funciona um IRF 510 operando como
chave. Alm disso, tambm foi possvel verificar como funciona um rel, bem como compreender a
importncia destes dispositivos para as mais diversas aplicaes.
8. Referncias
MARQUES, Angelo B.; CRUZ, Eduardo A.; CHOUERI JNIOR, Salomo.
Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores - Estude e Use. 12 ed. So
Paulo: rica. 408 p.
MALVINO, Albert.; BATES, David J. Eletrnica: Volume 1 7. ed. - Porto
Alegre: AMGH, 2007.
Small-Signal Field Transistor. Philips: Book SC07, 1994.
Power Products Data Book. USA: Texas Instruments, 1990.