Practica # 2

Transistores-SCR
Electronica de Potencia
1.- Mencionar todas las caractersticas sobresalientes de los transistores Bipolares y los
MOSFETs.
BJT
Constitucin:
Esta constituido por tres capas de materiales semiconductores extrnsecos.
Dos uniones PN o junturas.
Tres patas metlicas llamadas Emisor, Base y Colector
Funcionalidad:
Por medio de las tres patas, cada semiconductor se conecta al circuito exterior.
Los electrones atraviesan las junturas pasando desde el emisor al colector. Solo el 1%
de los electrones se combinan con los huecos de la base.
Regulando la tensin de Vee se regula la cantidad de electrones que atraviesan la primer
juntura.
MOSFET
Constitucin:
Est formado por un semiconductor extrnseco tipo P con dos islas tipo N muy
fuertemente dopadas.
Tres patas metlicas llamadas Source (isla tipo N), Gate (material tipo P), Draw (isla
tipo N)
Funcionalidad:
La corriente a travs del dispositivo, es controlada por un campo elctrico asociado a un
voltaje aplicado al contacto de entrada.
Si se aplica una tensin positiva en el Gate, se forma un canal negativo que une las islas
del material tipo P son repelidos y alejados de la zona superior. La conductividad de
este canal aumenta con el voltaje aplicado.
Se atrae a los portadores negativos y se cierra el circuito.
Si se corta la tensin en el Gate, el canal desaparece y no circula corriente entre el
Source y Draw.
2.- Investigar sobre la importancia de conocer el Trr del diodo de potencia.

La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un
tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a
un valor despreciable mientras van desaparecido el exceso de portadores.

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta
que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en
inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr :

A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.

3.- Explicar el proceso de ENCENDIDO un transistor MOSFET. Qu requisitos se deben

cumplir para el que MOSFET conduzca?
En electrnica de potencia el MOSFET trabaja como llave, pasando de estado de bloqueo o
corte a estado de conduccin en la zona activa o resistiva. En las transiciones pasa por la zona
de saturacin, siguiendo distintas curvas segn el circuito externo.
Los mecanismos son los mismos que para el MOSFET de seal, la diferencia radica en los
valores de la tensin de bloqueo y de resistencia de conduccin (RDSon).
En el estado de conduccin, o llave prendida (figura 1.11 (b)), el dispositivo se comporta como
una resistencia aproximadamente constante en el rango de corrientes de trabajo, que depende
del rea total del chip. Para esto es necesario aplicar y mantener una tensin adecuada de gate.
La. ID es la mxima corriente que el dispositivo puede conducir en forma permanente. IDM es
la mxima corriente absoluta que puede conducir en forma transitoria. El MOSFET puede
trabajar en forma permanente con corrientes menores que ID y en forma transitoria con
corrientes con valores entre ID e IDM.
Al aplicar la tensin de encendido UGS se acumulan electrones en la zona del canal segn el
mecanismo ya descrito. Debido a la tensin aplicada y a las dimensiones de la zona del canal la
zona de inversin que se forma corresponde a un MOSFET de canal \corto". Esa zona del
cuerpo p pasa entonces a comportarse como un material con dopaje n. Tambin se acumulan
electrones en la zona n del drain que queda enfrentada a la placa del gate. En el chip se forma
entonces un camino de conduccin entre los terminales de source y drain formado por el
material n+ del source, el canal con comportamiento n, la zona de acumulacin de portadores n
en el material n, la capa n y la capa n+ de contacto con el metal del drain. En definitiva es un
camino de conduccin n en el que se mueven electrones como portadores. Es un dispositivo de
portadores mayoritarios y el mecanismo de conduccin es de tipo drif t, es decir, de portadores
impulsados por un campo elctrico. Por lo tanto el dispositivo se comporta como una
resistencia. La movilidad de los portadores disminuye con la temperatura, ya que aumentan las
colisiones con tomos de la misma forma que en un metal, por lo tanto el coeficiente de
temperatura de esa resistencia es positivo.
Por este motivo no se producen focalizaciones de corriente y puntos calientes en el chip, y el
MOSFET, a diferencia del BJT, no presenta el fenmeno de \Segundo Breakdown". Su zona de
operacin segura queda limitada solamente por la temperatura de juntura, que depende de la
disipacin trmica.
4.- En el clculo de potencia en un ciclo de trabajo de un transistor BJT, cules son las
potencias ms sobresalientes y por qu?.
La potencia que consume la carga, la potencia que entrega la fuente

5.- Explicar el proceso de proteccin del circuito RC en el transistor de potencia. Por qu

de la importancia de hacer un correcto clculo de los valores de R y C?
Si la disipacin de potencia no es crtica, existe un diseo rpido para el snubber RC. De
manera emprica, elija el capacitor amortiguador Csnub que es igual al doble de la suma de
la capacitancia de salida del interruptor y la capacitancia de montaje estimada.
El resistor amortiguador Rsnub se selecciona para que
. La disipacin de potencia en
Rsnub en una frecuencia de conmutacin dada se puede calcular como:

Cuando este diseo simple y emprico no limita el voltaje pico de manera suficiente, se aplicar
el procedimiento de optimizacin.
Snubber RC optimizado: En estos casos donde la disipacin de potencia es crtica, se debera
usar un mtodo de diseo mejor. Primero, mida la frecuencia de oscilacin transitoria (F ring) en
el nodo del interruptor MOSFET (SW) cuando se apague. Suelde un capacitor con ESR baja, de
100 pf y de tipo pelcula a lo largo del MOSFET. Aumente la capacitancia hasta que la
frecuencia de oscilacin transitoria sea la mitad del valor original medido. Ahora el total de
capacitancia de salida del interruptor (la capacitancia agregada ms la capacitancia parsita
original) es aumentada por un factor de cuatro, ya que la frecuencia de oscilacin es
inversamente proporcional a la raz cuadrada del producto de capacitancia de inductancia del
circuito. Por lo tanto, la capacitancia parsita C p es un tercio del valor del capacitor agregado de
manera externa. La inductancia parsita L p ahora se puede obtener al usar la siguiente ecuacin:

1.- Circuitos de control de disparo del SCR.

Introduccin. Un rectificador controlado de silicio, SCR (Silicon Controlled Rectifier) es un
dispositivo de tres terminales, usado para controlar corrientes ms bien altas para una carga. Un
SRC acta a semejanza de un interruptor. Cuando est condicionado o encendido, ON, hay una
trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un
interruptor cerrado. Cuando est apagado, OFF, no puede haber flujo de corriente el nodo al
ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Entre sus aplicaciones tenemos:
Alumbrado.
Control de velocidad de motores en DC.
Soldadura elctrica.
Calentamiento elctrico.
a) Dado el circuito mostrado en la figura, donde R2 es un resistor variable de 100 [K].
Datos: V1 = 200V pico, frecuencia 50Hz. El SCR genrico

a) Utilizando el programa PROTEUS u otro que sepan manejar armar el circuito mostrado en
la figura para realizar la simulacin.
b) Mostrar en graficas separadas las formas de onda de las tensiones en el capacitor C1,
Anodo Ctodo del SCR y la de carga de 50 [].
c) Mostrar en graficas separadas las formas de onda de las corrientes por el GATE y por la
carga R1 para distintos ngulos de disparo.
d) Comentar los resultados obtenidos.
2.- CIRCUITOS DE CONTROL DE DISPARO DEL TRIAC
Introduccin. Los triacs se comportan en general como los SCRs, excepto en que los primeros
pueden conducir corriente en ambas direcciones. Tanto los triacs como los SCRs son miembros
de la familia de los tiristores. Entre sus aplicaciones tenemos:
Control de intensidad de alumbrado.
Control de velocidad de motores en AC.
Soldadura elctrica.
Calentamiento elctrico.
Prctico: Dado el siguiente circuito (Ven = 120Vrms) R2, resistor variable, 100K, Triac
Genrico.

1. Utilizando el programa PROTEUS u otro que sepan manejar armar el circuito mostrado en
la figura para realizar la simulacin.
2. Mostrar en graficas separadas las formas de onda de las tensiones MT2 MT1 del TRIAC y
la de carga de 100 [].
3. Graficar la corriente que circula por el GATE del TRIAC para el mnimo y mximo ngulo
de disparo.
4. Graficar y medir el valor eficaz de la tensin en la carga para el mnimo y mximo valor del
ngulo de disparo.
5. Graficar y medir la potencia en la carga para el mnimo y mximo valor del ngulo de
disparo.
3.- Investigar sobre algunos mtodos de control de disparo para los SCRs y Triacs.

4.- Se tiene una fuente DC de valor Vs = 50v para alimentar una carga de valor R = 12 [].
El circuito de disparo se comporta como sigue:
a) Enva un pulso de encendido a la compuerta del SCR.
b) 6 ms despus enva un pulso de apagado del SCR (a travs de un circuito auxiliar de
apagado).
c) Se repite esta secuencia a una frecuencia de 125 [Hz].
Se pide:
a) Dibujar la forma de onda del voltaje en la carga.
b) Calcular la potencia que se entrega a la carga.
5.- En que consiste el encendido de un SCR o Triac por dv/dt.? Qu medidas se deben
tomar para evitar esto?
6.- Un Triac controla la corriente de AC suministrada a una carga. Un Reostato puede
hacer el mismo trabajo. De qu manera un Triac es superior a un restato?