UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA

CIRCUITOS ANALOGICOS I- LABORATORIO

Docente:
MORALES GONZAGA Oscar Andrs

Tema:
Resistencias Semiconductoras

Alumnos:
BOCANEGRA SALDAA Diego
CRUZ DAVILA Willy
PEREZ VALLE Marcelo

Ciclo:
2015 II

Trujillo Per
2015

LABORATORIO N 1: RESISTENCIAS
SEMICONDUCTORAS
I. OBJETIVOS:
Estudiar las caractersticas no lineales
de las resistencias
semiconductoras.
Analizar y construir las curvas caractersticas de estos elementos.
II. MARCO TERICO:
1. Semiconductor:
Para (BOYLESTAD, 2009) los semiconductores son una clase especial de
elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y
la de un aislante.
En general los materiales semiconductores caen dentro de una de dos
clases: de un solo cristal y compuesto. Los semiconductores de un solo
cristal como el germanio(Ge) y el silicio(Si) tienen una estructura cristalina
repetitiva, en tanto que compuestos como el arseniuro de galio(GaAs), el
sulfuro de cadmio(CdS), el nitruro de galio(GaN) y el fsforo de galio y
arsnico(GaAsp) se componen de dos o ms materiales semiconductores de
diferentes estructuras atmicas.
Los tres semiconductores ms frecuentes utilizados en la
construccin de dispositivos electrnicos son Ge, Si, GaAS.
Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo
cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos
forman una red cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro
electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces
covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energa calorfica para librarse del enlace covalente y
moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en electrones libres. Si
a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al
potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Diagrama de un semiconductor

Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en

la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene
efectos similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen
la misma carga que el electrn pero con signo positivo.
El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los
siguientes fenmenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el
polo positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado,
siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del
cristal de silicio.
- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el
conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente
elctrica.
1.1. Diodo semiconductor:
Es un dispositivo que se crea uniendo un
material tipo n a un material tipo p, es decir,
es producto de la combinacin de un material
con un portador mayoritario de electrones a
uno con un portador mayoritario de huecos.
1.2. Termistor:
Un termistor es un sensor resistivo de temperatura. Su funcionamiento
se
basa
en
la
variacin
de
la resistividad que
presenta
un semiconductor con la temperatura. El trmino termistor proviene de
Thermally Sensitive Resistor. Existen dos tipos de
termistor:
NTC (Negative
Temperature
Coefficient)
coeficiente de temperatura negativo
PTC (Positive
Temperature
Coefficient)
coeficiente de temperatura positivo

Cuando la temperatura aumenta, los tipo PTC

aumentan su resistencia y los NTC la disminuyen.

Termistor Tipo Disco

1.3.

Fotorresistencia:

Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya

resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz
incidente. Es un componente electrnico cuya resistencia
disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente.
Puede tambin ser llamado fotorresistor, fotoconductor,
clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas
siglas, LDR, se originan de su nombre en ingls lightdependent resistor. Su cuerpo est formado por una clula
o celda y dos patillas.
III.

MATERIALES Y EQUIPOS:

LDR

IV.

Fuente doble DC
- 1 foco de 120 mA 12v (o equivalente)
1 Multmetro
- 1 Termistor NTC 470
1 Protoboard
- 1 Fotorresistencia LDR
Cables de conexin
Resistencias : 100(2W), 1K,
470, 5K, 10K, 270K
PROCEDIMIENTO:
a) Curva caracterstica de un foco de filamento.
Primero se arm el circuito de la figura, verificando la correcta
conexin y el valor de la resistencia del foco, que deba ser del
mismo rango que la resistencia serie:

Luego se vari la tensin de la fuente V1 y se midi los valores de

Vf y VR, para luego llenar la tabla adjunta:

V1
(v)

Vf (v)

0,190

VR
(v)

1,808

I
(mA)
Rf
(Ohm
s)

0,583

1,565

3,412

4,445

0,018
1

0,034
1

0,044
5

10,50
88

17,08
67

35,20
81

10

12

3,54

4,61

2,53

5,196
0,051
96
48,69
13

6,05
0,060
5
58,51
24

6,85
0,0685
67,299
3

14

16

5,69

6,83

7,52

8,41

0,0752

0,0841

75,664
9

81,212
8

Fig.3. LDR

 La curva caracterstica de un foco de filamento es:

Rf vs Vf

b) Curva caracterstica de un termistor NTC

Primeramente se arm el circuito de la siguiente figura:

 Adems se verific que la resistencia serie R1 sea del mismo rango

que el termistor y que en ningn caso se exceda de 20 mA de
corriente de polarizacin.
Finalmente se vari la tensin V1 y se tomaron las lecturas de VR y
VT en el termistor.
V (v)
VR(v)
VT (v)
I (mA)
RT
(Ohms)

10

2,726

2,897

2,897

3,055

3,289

3,494

2,49

2,180

1,89

1,7

1,59

1,48

0,0058

0,006163
83

0,006163
83

0,0065

0,0069

0,0074

429,31
03

353,6762

306,6275

261,53
85

227,21
19

199,08
41

12
3,747

1,38

0,0079
173,09
85

La curva caracterstica de un foco de un termistor NTC es:

RT vs V

 Explicacin de la dependencia:
Este termistor tipo NTC (coeficiente de temperatura Negativo)
es un resistor variable a la temperatura. Por la estructura misma que
este tiene de ser un semiconductor, cuando hacemos circular una
corriente, en este caso un voltaje estable de 5v, al exponerlo al calor
utilizando un foco de regular potencia, este varia su resistencia
interna por lo tanto el voltaje que inicialmente circulaba va
disminuyendo y por ende la intensidad de corriente tambin
disminuye.
La potencia del foco se vari, aumentando la entrada de voltaje
sucesivamente en rangos de 2v hasta llegar a 16v, de acuerdo a
estas intensidades de calor que el termistor reciba su
resistencia disminuye, ya que es inversamente proporcional a la
temperatura. Debido a que el voltaje se aument por rangos y no
continuamente se obtuvo la curva caracterstica del comportamiento
de este elemento electrnico, pero no muy definida.

c) Curva caracterstica de una fotorresistencia LDR

Primeramente se coloc una LDR en el lugar del termistor.
Luego se coloc en serie una resistencia de 270K.

Finalmente se vari la tensin V1 y se tomaron las lecturas de VR y

VL en el LDR:

V (v)
VR(v)

0 2

6
2,75

8
3,518

10
3,975

12

4,241

0,06

1,375

VL (v)

5,013

3,697

2,326

1,548

1,063

0,808

I
(mA)

0,000127
66

0,002925
532

0,005851
064

0,007485
106

0,008457
447

0,0090234

RT
(Ohm
s)

39268,5

1263,701
818

397,5345
455

206,8106
879

125,6880
503

89,544918
7

RLD vs V

Anlisis de la dependencia:

Como se puede observar en la figura el LDR es una resistencia no lineal, ya

que es un semiconductor pasivo que vara su resistencia de acuerdo a la
intensidad de luz que recibe. As, cuando estn en oscuridad su resistencia
es alta y cuando reciben luz su resistencia disminuye considerablemente.
Cabe resaltar que la luminosidad del ambiente donde desarrollamos la
prctica y el voltaje tomado por rangos y no de manera continua influye
mucho, por lo cual la curva caracterstica del comportamiento de este
elemento no sali muy bien definida.
V. CUESTIONARIO:

1. Explicar la variacin de la resistencia del filamento conductor en

el foquito incandescente
Como se puede apreciar en la figura 7 referente al valor de la resistencia
elctrica del filamento de un foco, vemos como no resulta ser constante
con la tensin, como sera de esperar. Ello se debe a que al aumentar la
tensin aumenta su temperatura y con ella su resistencia, como
consecuencia de que el tungsteno tiene un coeficiente positivo de
temperatura relativamente grande. Cabe decir tambin en este caso que
la intensidad de corriente que circula por el filamento est en relacin a la
cantidad de voltaje que ingresa para emitir ms luz; adems de ello que
cada bombilla tiene un estndar o sea un lmite de potencia lo cual es
muy importante para los datos experimentales.
2. Enumerar las resistencias semiconductoras y sus aplicaciones en
electrnica.
LDR: Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de
cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado
automtico del alumbrado pblico en las calles de las ciudades,
cuando disminuye la luz solar.
Diodo de rectificacin (1N4004): operan a bajas frecuencias y una
de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las
fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente
alterna en otra de corriente directa.
LED: es un dispositivo semiconductor que emite luz incoherente de
espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN en
la cual circula por l una corriente elctrica. Se utiliza bsicamente
como un dispositivo de sealizacin o para indicar el buen
funcionamiento de algn equipo.
Diodo Lser (DL): es un dispositivo semiconductor similar a un led
pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. Se aplica
para comunicaciones de datos por fibra ptica, para lectores CD,
DVD, Blu-rays, HD DVD. Asimismo destaca en aplicaciones como
sensores y en interconexiones pticas entre circuitos integrados.

 Termistores: es un sensor resistivo de temperatura, destaca por sus

aplicaciones en termmetros diferenciales, para controlar la corriente
en un led y como un medidor de compensacin.
3. Dibujar las curvas de cada elemento y explicar la dependencia.
Utilizar el eje horizontal con el voltaje del foco, para todos los
casos, y poder comparar las variaciones considerando la tensin
V1 proporcional a la temperatura y a la luz.
La explicacin de la dependencia se realiz en el procedimiento, ah
mismo se le adjunto las grficas.
4. Dar algunas apreciaciones y conclusiones de la experiencia
realizada.
CONCLUSIONES:
Al finalizar la prctica se pudo observar que el comportamiento
de estos dispositivos semiconductores es no lineal.
Al concluir la prctica se pudo comprender el modo o el
fundamento de la conduccin en un semiconductor.
Finalmente debemos mencionar no se logr que las grficas del
comportamiento de estos elementos electrnicos estn bien
definidas, debido a que se sometieron a voltajes por rangos y
no de manera continua.
VI.

BIBLIOGRAFA:

BOYLESTAD, R. L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y

Dispositivos Electrnicos. Mexico: Pearson.