Ejemplo 49.

Calcule la funcin de transferencia del circuito y grafique la respuesta de la magnitud y la

fase contra la frecuencia.

v gs =

ZS
v Z S=
Z S +RS i n

R1R 2
SC S
R1R2 +

1
SC S

R1R2

SC S ( R1R 2) +1

R1R 2
SC S ( R1R2 ) +1
R1R 2
v gs =
v i n v gs=
v
R1R 2
SC S RS ( R1R2 ) +RS + ( R1R 2) i n
+R
SC S ( R 1R2 ) +1 S
v gs =

v gs =

R1R 2
1

v i n
RS +R1R 2 SC S R S ( R1R 2)
+1
R S +R1R2
R1R 2
1

v
RS + R1R 2 SC S ( R SR1R2 )+ 1 i n

v out =g M Z D v gs Z D =R Dr O

v out =

g M ( R Dr O )( R1R 2)
R S + ( R 1R2 )

1
Z D=
SC L

R Dr O
SC L
R Dr O +

1
SC L

R Dr O

SC L ( R Dr o ) +1

g M ( R Dr O )( R1R 2)
1
1

AV =

SC L ( R Dr O ) +1 SC S ( RSR 1R2 ) +1
R S + ( R1R2 )

v out
AV
=
v i n [ SC S ( RSR1R2 )+ 1 ][ SC L ( R Dr O ) +1 ]

De los ejemplos anteriores se puede concluir que si el condensador esta conectado a tierra y hace parte
de la trayectoria de seal, entonces aporta un polo a la funcin de transferencia. Este polo se calcula al
encontrar la resistencia equivalente vista por el condensador cuando sus terminales se abren. Este
proceso se muestra en la figura 190.

Figura 190. Clculo de las resistencias equivalentes de los condensadores conectados a tierra y en la
trayectoria de la seal.
En el circuito de la figura 190 la resistencia equivalente R 1 es igual a RS y la resistencia equivalente R2
es igual a R Dr O . La ganancia de banda media se calcula en este caso teniendo en cuenta que el
circuito se comporta como un surtidor comn. Con estos valores se aplican las reglas de bode que se
mencionan a continuacin:
1. Cada vez que la frecuencia pasa por un polo de la funcin de transferencia la pendiente de la
dB
magnitud cae 20
.
dec
2. Cada vez que la frecuencia pasa por un cero de la funcin de transferencia la pendiente de la
dB
magnitud aumenta 20
.
dec

La funcin de transferencia del circuito de la figura 190 se muestra en la figura 191.

Figura 191. Funcin de transferencia del circuito de la figura 190.

Si hay un condensador que no tiene terminales conectadas a tierra pero conectadas a nodos que hacen
parte de la trayectoria de seal, entonces se aplica el teorema de Miller de la siguiente forma (ver figura
192).

Figura 192. Transformacin de Miller.

v 1v 2 v 1
ZF
ZF
v2
= Z 1=
=
A=
ZF
Z1
v 2 1 A
v1
1
v1

v 1v 2
v
Z
Z
= 2 Z 2= F = F
ZF
Z2
v
1
1 1 1
A
v2

Al aplicar las frmulas para Z2 y Z1 a una impedancia capacitiva se obtiene el circuito de la figura 193:

Figura 193. Circuito con capacitancia entre nodos de la trayectoria de un amplificador y su

transformacin equivalente Miller.
1
j CF
1
1
=
C 2 =C F 1
j C2
1
A
1
A
Se debe notar que el condensador C 1 sufre de la multiplicacin de efecto Miller, es decir, el ancho de
banda del circuito se reduce. No se puede decir lo mismo de C 2 ya que el factor multiplicativo no es tan
grande como el del caso anterior.
1
j CF
1
=
C 1=C F ( 1 A )
j C 1 1 A

( )

Ejemplo 50. Calcule los polos del circuito identificando la trayectoria de seal y los polos con
capacitancia a tierra.

Identificar la etapa de amplificacin que en este caso corresponde a un surtidor comn.

Con el circuito de la figura anterior y las ecuaciones de transformacin de Miller se calculan las
capacitancias CIN y COUT de la siguiente manera:
A= g M R D C i n=C F (1[ g M R D ] ) C i n =C F ( 1+ g M R D )

A= g M R D C out =C F 1

1
g M R D

C out =C F 1+

1
gM RD

Despus de realizar la transformacin de Miller, se calcula la resistencia con respecto a tierra que ve
cada una de estas capacitancias:

R i n = R S i n =

1
C F R S ( 1+ g M R D )

R out =R Dr O out =

C F ( R Dr O ) 1+

1
g M RD

g M RD
C F ( R Dr O )( 1+ g M R D )

De manera repetida los circuitos de amplificacin requieren condensadores conectados en serie con una
seal y con una resistencia en serie para eliminar o separar las seales de polarizacin de las seales
pequeas. Esta configuracin disminuye la ganancia del circuito para frecuencias bajas la figura 194.

Figura 194. Filtro pasa altas para el acoplamiento de seales AC con la polarizacin del amplificador.
El funcionamiento de la red pasa altas se describe mediante la funcin de transferencia que se calcula a
continuacin:
v out =

R vi n
v
SCR
out =
1
vi n SCR+1
R+
SC

rad
y un polo en
seg
La magnitud y el ngulo de este circuito se muestran en la figura 195.
La funcin de transferencia tiene un cero en la frecuencia de 0

[ ]

1 rad
CR seg

Figura 195. Magnitud y ngulo de la funcin de transferencia contra la frecuencia en un circuito pasa
altas.

Ejemplo 51. En el amplificador drenador comn de la figura se necesita que el ancho de banda del
1
=200 y R1 = 100K ,
mismo se encuentre limitado desde los 20Hz hasta los 20Khz. Si
gM
entonces calcule el valor de las capacitancias C1 y C2.

Los condensadores C1 y C2 se encuentran en la trayectoria de la seal, por lo tanto controlan la

respuesta en frecuencia del circuito drenador comn. C 1 es un condensador que se comporta como
pasa-altas.

R 1=100K 1=

R2=

1
1
=40 C 1=
=79.57nF
3
10010 C 1
40 100103

1
1
1
2=
=40103 C 2=
=39.78nF
3
gM
200 C 2
4010 200

El modelo de seal pequea del transistor MOSFET visto hasta el momento no ha contemplado el
efecto capacitivo de una unin PN polarizada inversa o directamente. El modelo del transistor para
pequeas seales considerando las capacitancias internas se muestra en la figura 195.

Figura 195. Transistor Mosfet con uniones PN entre surtidor-cuerpo y drenador-cuerpo.

Como el canal del transistor no es realmente un metal o una placa conductora, la capacitancia que se
forma entre la puerta y el canal se divide en dos condensadores: uno entre puerta y surtidor C GS y el
otro entre puerta y drenador CGD. Las uniones polarizadas inversamente en pequea seal se modelan
utilizando una capacitancia. Teniendo en cuenta los efectos capacitivos mencionados anteriormente se
construye un modelo del transistor MOSFET para altas frecuencias (ver figura 196).

Figura 196. Circuito equivalente de pequea seal y altas frecuencias para los transistores MOSFET y
BJT.
La frecuencia de transicin de un transistor MOSFET es un factor de mrito que define la rapidez con
la cual un solo transistor puede responder a los cambios en una seal de entrada. Se define como la
frecuencia a la cual la ganancia de corriente del transistor es igual a la unidad. En este punto el
dispositivo pierde toda capacidad para amplificar seales. Para calcular este factor del transistor se
cortocircuita la salida y se energiza la entrada con una fuente de corriente. A continuacin se obtiene la
funcin de transferencia que relaciona la seal de entrada i in con la seal de salida iout. Despus la
magnitud de la funcin de transferencia se iguala a uno y se despeja la frecuencia de transicin T (ver
figura 197).

Figura 197. Circuito para calcular la frecuencia de transicin de un MOSFET.

v gs
v
ii n
+ gs i i n =0 [ SC GS + SC GD ] v gs=i i n v gs=

1
1
SC GS + SC GD
SC GS SC GD
iout =

g M ii n
i
gM
out =
S= j
SC GS +SC GD i i n SC GS +SC GD

iout
gM
i
gM
gM
=
out =1=
T =
ii n j C GS + j C GD i i n
C GS +C GD
T ( C GS +C GD )

Ejemplo 52. Para el circuito que se muestra en la figura, obtenga el mdelo de seal pequea para
frecuencias altas.

La solucin del ejemplo 52 se muestra a continuacin:

PROCEDIMIENTO
AMPLIFICADOR.

PARA CALCULAR

LA RESPUESTA

EN

FRECUENCIA

DE

UN

Determinar los capacitores del circuito que influencian la respuesta del circuito para bajas
frecuencias. Generalmente son los capacitores que se emplean para separar la polarizacin de
las seales en el circuito de amplificacin. No se tienen en cuenta las capacitancias internas de
los transistores.
Calcule la ganancia de banda media. Los capacitores incluidos anteriormente en baja frecuencia
se cortocircuitan y los capacitores de los transistores no se toman en cuenta.
Identifique las capacitancias que influencian la respuesta del circuito en altas frecuencias. Esta
zona est fuertemente influenciada por las capacitancias internas de los transistores y por
capacitores externos cuyo valor sea muy pequeo.
Graficar la respuesta en frecuencia empleando las reglas de Bode.

Ejemplo 53. Graficar la respuesta en frecuencia del circuito amplificador surtidor comn que se
observa en la figura.

Los capacitores que se utilizan para aislar la polarizacin de las seales son C G y CS. Por lo tanto el
circuito de bajas frecuencias se muestra en la siguiente figura.

La capacitancia CG forma una red pasa altas con v in y el paralelo de las resistencias R G1 y RG2 (no hay
corriente en la puerta del transistor M1). Por lo tanto:
P1=

1
C G ( RG1R G2 )

Z1=0

La capacitancia CS no se encuentra en la trayectoria de la seal por lo tanto no se puede asociar a

ninguno de los esquemas vistos con anterioridad. Se calcula una relacin entre la entrada v in y la salida
vout donde solamente se involucre la capacitancia C S. Para este caso la otra capacitancia C G se considera
en cortocircuito ver la siguiente figura:

RS
g R
SC S
RS
v out = M D Z S =
=

g M Z S +1
1
SC S R S +1
+ RS
SC S
v out =

P2 =

g M R D ( SC S R S +1 )
gM RD
g R
SC S R S +1
=
= M D
g M RS
SC S R S +1+ g M R S
g M R S +1
SC S R S
+1
+1
SC S R S +1
g M R S +1

g M R S +1
C S RS

Z2=

1
C S RS

Para hallar el comportamiento del circuito en la zona de frecuencia media, se cortocircuitan las
capacitancias de la zona de baja frecuencia y no se tienen en cuenta las de alta frecuencia tal y como se
muestra en la siguiente figura.

v out
= g M ( R Dr O )
vi n

En el circuito de alta frecuencia las capacitancias del transistor influencian grandemente la respuesta en
frecuencia del circuito amplificador y las capacitancias de baja frecuencia siguen presentando una
impedancia muy baja, por lo tanto no son consideradas en el circuito de alta frecuencia de la siguiente
figura:

El circuito anterior tiene el cuerpo (Body) conectado a tierra. Las capacitancias C SB, CGS estn en
cortocircuito. La capacitancia CGD se convierte en una conectada en el drenador empleando el teorema
Miller. El circuito de alta frecuencia aplicando el teorema de Miller se muestra en la siguente figura:

P3=

C DB +C GD 1+

1
gM RD

)]

RD

La siguiente figura muestra la respuesta en frecuencia del amplificador:

Ejemplo 54. Graficar la respuesta en frecuencia del circuito amplificador puerta comn que se observa
en la figura.

En este caso la respuesta de baja frecuencia es una banda plana ya que no existen capacitancias de
valores pequeos. Por lo tanto las zonas de baja y media frecuencia se convierten en una sola. La
magnitud de la ganancia de voltaje se calcula con el circuito que se muestra en la siguiente figura:

1
g M1
v
1
1
v i n1=
v i n out =g M1
r O2 v out = g M1
r v
1
v i n1
g M2
g M2 O2 i n1
+ RS
g M1

1
1
g M1
r
r O2
g M2 O2
g M2
v out
v out =
vi n
=
1
vi n
g M1 R S +1
+ RS
g M1

El circuito de alta frecuencia se construye con base en las capacitancias parsitas de los transistores M 1
y M2 tal y como se muestra en la siguiente figura:

En este circuito se observa que las capacitancias C GD2 y CSB2 no hacen parte de ningn polo que afecte
la respuesta en frecuencia porque ambos estn cortocircuitados. Por lo tanto el circuito de alta
frecuencia se transforma en el de la siguiente figura:

En este circuito se puede ver que se producen dos polos debidos a dos capacitancias conectadas a tierra
en nodos del circuito que hacen parte de la trayectoria de seal. Por lo tanto:
R EQ1= R S

1
P1 =
g M1

R EQ2=r O2

1
P2 =
g M2

R S

1
(C SB1+C GS1
g M1

[ ]
)
rad
seg

r O2

1
(C DB2 +C GS2 +C DB1 +C GD1
g M2

[ ]
)
rad
seg

En la siguiente figura se muestra la funcin de transferencia en trminos de la frecuencia para el

circuito del ejemplo 54.