Dispositivos Semiconductores en Electronica de

Potencia
Alejandro Zabala Camacho; azabalac@unal.edu.co
Uber Florez Quiroga; uflorezq@unal.edu.co
Wilder Fitzgerald Guzman Patino; wfguzmanp@unal.edu.co
Electronica de Potencia, Departamento de Ingeniera Electrica y Electronica.

ResumenEn el presente documento se recolecta las ideas

basicas sobre los dispositivos electronicos que se utilizan
en electronica de potencia. Se muestran las diferencias mas
significativas entre los diferentes tipos de diodos (proposito
general (GP), recuperacion rapida (FR), carburo de silicio
(SiC)). Tambien se resume el funcionamiento basico de los
diferentes tipos de tiristores. Ademas se detallan algunos drivers

de disparo en los tiristores, BJT, Mosfet e IGBT. Por ultimo,

se describen los circuitos llamados snubbers, con su respectivo

diseno.
Palabras clave: Tiristor, Reles de Estado Solido, Modulos
inteligentes, Snubbers, Transistores.

ENTRE LOS D IODOS DE PROP OSITO

C OMPARACI ON
R APIDA

GENERAL , D IODOS DE RECUPERACI ON

Y D IODOS
I.

DE CARBURO DE SILICIO

Un diodo es un dispositivo semiconductor que, a manera

general, se comporta como un corto-circuito cuando por e l
circula una corriente que fluye de a nodo a catodo, y que
actua como un circuito abierto en caso contrario. Sin embargo,
aquel proceso basico de cambios de estados posee ciertas
caractersticas tpicas de un elemento real, construido a partir
de un proceso industrial. Es por ello que se consideraron 7
apartados especficos para realizar la comparacion:
Tiempo de recuperacion en inversa.
Tension inversa de ruptura y corriente maxima de operacion.
Cada de tension con polarizacion directa.
Proceso de fabricacion y costos.
Aplicaciones.
Conductividad termica y capacidad de disipar calor.
Perdidas de potencia.
I-A. Tiempo de recuperacion en inversa
Los diodos de proposito general (GP) poseen tiempos
tpicos de recuperacion de entre 20 y 30 s; por su parte,
los tiempos de los diodos de recuperacion rapida (FR) estan
entre 25 y 200 ns y los diodos de carburo de silicio (SiC)
estan cercanos a los 17 ns [1].
I-B. Tension inversa de ruptura y corriente maxima de operacion
Los diodos de GP pueden usarse en aplicaciones que van
desde 1A/50 V hasta 5 kA/10 kV. Por su parte, los diodos de

FR posee un rango de operacion menor que va desde 1A/50 V

hasta 1 kA/3 kV [2]. Los diodos de SiC pueden operar entre
600 V y 1200 V con corrientes entre 6 y 15 A a 20 C [3].
I-C.

Cada de tension en polarizacion directa

Un diodo de GP presenta cadas de voltaje de 0,6-0,7 V. Un

diodo de FR entre 0,8 y 1,7 V y un diodo de SiC entre 1 y

2 V. Este
u ltimo aspecto es desfavorable para los diodos de
SiC debido principalmente al tamano de la banda de energa
de valencia (1.1 eV para Si y 3 eV para SiC) [4].
I-D.

Proceso de fabricacion y costos

Los diodos de proposito general se fabrican a partir de un

fino dopado tipo p o n en un lado del dispositivo y un fuerte
dopado tipo n o p al lado opuesto. Lo anterior garantiza unos
costos de produccion bajos, ergo, un precio al consumidor
reducido. Los diodos de recuperacion rapida se fabrican por
difusion, de manera similar al los diodos de GP, pero de
manera mas meticulosa, lo que desemboca en costos mas altos
comparados con la ya mencionados. Por u ltimo, los diodos de
carburo de silicio se encuentran en una etapa de fabricacion
aun en desarrollo por lo que los pocos diodos de carburo que
se desarrollan en masa son diodos Schottky.
I-E.

Aplicaciones

Los diodos de GP se usan principalmente para convertidores

conmutados por lnea, rectificadores y convertidores en baja
frecuencia (max. 1 kHz). Los diodos de FR se usan fundamentalmente en la conversion electrica de potencia, convertidores
ac-dc y dc-ac, UPS y convertidores resonantes. Los diodos de
SiC poseen capacidades termicas excepcionales lo que permite
trabajar en sistemas de alto voltaje y alta temperatura en
donde la cada de tension del elemento es despreciable con
las magnitudes del sistema.
I-F.

Conductividad termica y capacidad de disipar calor

Uno de los aspectos mas importantes de los diodos de SiC es

su gran capacidad para conducir el calor. Esto

provoca que el
artefacto semiconductor disipe calor al no actua como batera
termica. As pues, los dispositivos hechos a partir de silicio
tienen una conductividad termica de entre 1,3 y 1,6 W/cmK
mientras que los de SiC rondan los 4,8 W/cm K [4].

I-G.

Perdidas de potencia

La referencia citada como [1] realiza una comparacion de

las perdidas por prendido y apagado de los diodos. Sin embargo, este procedimiento esta realizado sobre unas referencias de
diodos especficas, por lo que los datos son concluyentes para
un cierto numero de dispositivos. Aun as, se puede hacer una
idea general de las mejores que presentan los diodos de SiC
frente a los diodos de Si1 .

Diode
Losses

DUT Tj=25 C
Fast Si
UltraSiC
Diode
Fast Si
Diode
Diode
344
86 J
8 J
J

VBO y aplicar un voltaje positivo entre la compuerta y el

catodo, en ese momento al estar polarizadas directamente las
uniones J1 y J3 se da un flujo libre de portadores a traves de
las tres uniones as se da una gran corriente anodica directa,
se da una cada de potencial por la presencia de las tres
uniones semiconductoras normalmente de 1 V, al igual que un
diodo cuando conduce se tiene una resistencia de conduccion
conocida como RL figura 2.

DUT Tj=150 C
Fast Si
UltraSiC
Diode
Fast Si
Diode
Diode
704
268
26 J
J
J

Tabla I
R ESUMEN DE P E RDIDAS EN UN LOS DISTINTOS TIPOS DE DIODOS DEBIDO
EN INVERSO .
A LA RECUPERACI ON

II.

T IRISTORES : SCR, TRIAC, DIAC, GTO, MCT

Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de potencia de los mas antiguos (1957, laboratorios
de investigacion de General Electric)[5], tambien conocidos
como SCR (semiconducter-controlled rectifiers) que se usan
mucho en circuitos electronicos de potencia. Funcionan como
interruptores biestables, pasan de un estado no conductor a
uno conductor[6]. La transicion del estado no conductor al
estado conductor se realiza a traves de una compuerta. Los
tiristores convencionales se disenan sin la funcion de apagado
controlado por dicha compuerta pero existen cierto tipo que
se disenan para tener funciones controladas de encendido y
apagado (GTO, gate turn-off). Se caracterizan en parte por
tener menores perdidas y mayor capacidad de potencia en
estado encendido respecto a los transistores pero estos u ltimos
tienen mejores caractersticas en conmutacion y por lo tanto
menores perdidas de e sta clase [6].
II-A.

Para mantener el dispositivo en estado de conduccion justo

despues de activarlo y retirar la senal de la compuerta, es
necesario una corriente anodica de retencion IL . En la figura
2 se ve una caracterstica V-I tpica de un tiristor[6].

Caractersticas de los tiristores

Un tiristor tiene tres terminales: a nodo, catodo y compuerta;

su estructura interna se compone de tres uniones pn, es decir
cuatro capas figura 1. El funcionamiento del tiristor se da
de la siguiente manera: cuando el voltaje a nodo catodo es
positivo las uniones J3 y J3 se polarizan de forma directa
al igual que un diodo, pero la union J2 queda en inversa
y pasa una pequena corriente de fuga de a nodo a catodo
la cual se conoce como corriente en estado apagado ID
y se dice que el dispositivo esta en condicion de bloqueo
directo. Ahora bien, si el voltaje a nodo catodo se aumenta
demasiado el tiristor se enciende pero dicho proceso puede
danar de forma permanente la union J2 y por consiguiente
el dispositivo, a esto se le llama ruptura por avalancha y
el voltaje correspondiente se conoce como VBO (voltaje de
avalancha directo). La forma correcta de encender el tiristor
consiste en mantener la tension anoto catodo por debajo de
1 La

Figura 1. Smbolo tiristor y sus tres uniones pn [6].

tabla 1 fue tomada del artculo citado como [1]. Se hace especial
mencion debido a que fue tomada tal cual aparece en dicho documento.

Figura 2. caracterstica v-i tristor[6].

Existe otra corriente de retencion IH que es la corriente

mnima de a nodo para mantener al tiristor en estado
encendido. Se denota que IH < IL . Una vez encendido el
tiristor por una tension positiva compuerta-catodo y con una
corriente de retencion IH , el dispositivo continua en estado
activo por retroalimentacion positiva, aun cuando se retire la
senal de la compuerta, por esto el tiristor es un dispositivo de
retencion[6].
II-B.

Modelo del tiristor empleando dos transistores

EL modelo de un tiristor se puede construir a partir de

dos transistores complementarios es decir un transistor npn
y uno pnp, que se muestra en la figura 3. Este modelo

permite entender el proceso de retencion que se da por la

realimentacion positiva de la cual se hablo en la seccion
anterior. Un BJT en la zona activa se describe, con frecuencias
bajas, por medio de la ecuacion de Ebers-Moll [5]:

donde Cj2 y Vj2 son la capacitancia y el voltaje de la union

J2 [6]. Cuando i2 aumenta da como resultado el aumento de
las corrientes de fuga ICO1 y ICO2, este incremento puede
activar el tiristor de manera indeseada o incluso puede danar
el dispositivo.

IC1 = 1 IE1 + ICO1

(1)

IC2 = 2 IE2 + ICO2

(2)

di
Otra caracterstica importante en el transitorio es el dt
. El
tiristor requiere un tiempo para dispersar la conduccion de
manera uniforme a traves de las uniones, pero si dicha tasa
de cambio es muy alta respecto al proceso de dispersion mencionado, aparecera un punto de calentamiento que envejece
prematuramente el dispositivo o lo puede destruir [6].

donde ICO corresponde a la corriente de fuga de la union

colector-base y se define como la ganancia de corriente
base comun ' IC /IE [6]. Si se observa que IA = IE1 y
IK = IE2 = IA + IG y que IE1 + IC1 = IC2 se llega

IA =

2 IG + ICO1 + ICO2
1 (1 + 2

(3)

La ecuacion anterior permite ver que la suma de 1 + 2

influye de una forma directamente proporcional a IA , as, en
estado de bloqueo dicha suma es mucho menor que la unidad
[5]. La ganancia de corriente 1 vara con la corriente IA y
2 vara con IK = IA +IG , de modo que al incrementar IG la
corriente de a nodo aumentara inmediatamente incrementado
as 1 y 2 y el aumento de e stos incrementara aun mas IA .
Es as como se da el efecto de realimentacion positiva, si
(1 + 2 ) tiende a la unidad, el denominador de la ecuacion
3 se acerca a 0, con lo cual se tendra un valor grande
de corriente de a nodo, es decir una pequena corriente de
compuerta basta para activar el dispositivo y luego el proceso
de retroalimentacion lo mantendra activo [6].
Figura 4. Modelo transitorio de un tiristor

II-C.

Figura 3. Circuito equivalente de dos transistores de un tiristor [5].

Bajo condiciones transitorias, las capacitancias de las uniones pn (figura 4) influyen en las caractersticas del dispositivo
semiconductor [6]. Si el tiristor esta en estado de bloqueo, un
dv
grande hara que ij2 sea grande pues
dt
i2 = Vj2

dCj2
dVj2
+ Cj2
dt
dt

(4)

Activacion de tiristor

Un tiristor de activa incrementando la corriente del a nodo.

Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes
formas:
II-C1. Termica: Si la temperatura de un tiristor es alta,
habra un aumento en el numero de pares electron-hueco, lo
que aumentara las corrientes de fuga. Este aumento en las
corrientes hara que (1 + 2 ) tienda a la unidad y as el
dispositivo se active, dicho proceso puede causar una fuga
termica que por lo general se evita [6].
II-C2. Luz: Si se permite que la luz llegue a las uniones
de un tiristor, aumentaran los pares electron-hueco pudiendose
activar el tiristor. Este proceso se logra al permitir que la luz
llegue a los discos de silicio [6].
II-C3. Alto voltaje: Si el voltaje a nodo catodo es mayor
que el voltaje de ruptura directo VO B, fluira una corriente de
fuga suficiente para iniciar una activacion regenerativa. Este
proceso se debe evitar pues envejece o destruye el dispositivo
[6].
II-C4. dv
on 4 se observa que si la tasa
dt : En la ecuaci
dVAK
es alta, la corriente de carga de las uniones capacidt
tivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor
alto de dicha corriente puede danar el transistor, por esta

razon existen circuitos con configuraciones especiales para

proteger el dispositivo contra un dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt maximo permisible para el dispositivo
semiconductor[6].
II-C5. Corriente de compuerta: Esta es la forma de la
cual ya se ha hablado en secciones anteriores es la forma
mas comun y adecuada de activar el tiristor, en esta seccion
se presenta la existencia de un retraso conocido como tiempo
de activacion tON el cual se puede observar en la figura 5,
tON se define como el tiempo entre el 10 % de la corriente
de regimen permanente IG y el 90 % de la corriente activa
del tiristor en estado estable.

Figura 5. caracterstica de activacion

Se debe tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseno

de un circuito con control de compuerta:
La senal de la compuerta debe eliminarse despues de
activarse el tiristor. Una senal continua de compuerta
aumentara la perdida de potencia en la union de la
compuerta [6].
Mientras el tiristor este con polarizacion inversa, no debe
haber senal de compuerta, de lo contrario el tiristor puede
fallar debido a una corriente de fuga incrementada [6].
El ancho del pulso de la compuerta IG debe ser mayor
que el tiempo requerido para que la corriente del a nodo
se eleve al valor de la corriente de mantenimiento IH .
En la practica, el ancho del pulso IG por lo general se
disena mayor que le tiempo de activacion tON del tiristor
[6].
II-D.

Tipos de tiristores

Dependiendo de la construccion fsica y del comportamiento

de activacion y de desactivacion en general los tiristores se
pueden clasificar en las siguientes categoras:
Tiristores
Tiristores
Tiristores
Tiristores
Tiristores

de
de
de
de
de

control de fase (SCR)

conmutacion rapida (SCR)
desactivacion por compuerta (GTO)
triodo bidireccional (TRIAC)
conmutacion inversa (RCT)

Tiristores de induccion estatica (SITH)

Rectificadores controlados por silicio activado por luz
(LASCR)
Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Tiristores controlados por MOS (MCT)
Diodo para Corriente Alterna (DIAC)
A continuacion se especifica sobre algunas de la dichas
clasificaciones.
II-D1. SCR:
Tiristores de control de fase Este tipo de tiristores por
lo general opera a la frecuencia de linea, y se desactiva
por conmutacion natural. El tiempo de desactivacion
es del orden de 50 a 100 s.Esto es muy adecuado
en especial para las aplicaciones de conmutacion a
baja velocidad. Tambien se les conoce como tiristores
convertidores. Dado que un tiristor es basicamente un
dispositivo controlado y fabricado de silicio se le conoce
como rectificador controlado de silicio (SCR)[6]. El
voltaje en estado activo, VT , por lo comun vara desde
aproximadamente 1,15 V para 600 V, hasta 2.5 V para
dispositivos de 4000 V, y para tiristor de 5, 5 kA 1200 V
es tpicamente 1.25 V. Los tiristores modernos utilizan
una compuerta amplificadora, en la que se dispara un
tiristor auxiliar TA mediante una senal de compuerta, y
de all la salida amplificadora de TA se aplica como senal
de compuerta al tiristor principal TM esto se muestra
en la figura 6. La compuerta amplificadora permite
caractersticas altamente dinamicas con dv/dt tpicas de
1000v/s y di/dt de 500A/s, simplificando el diseno
para proteger el circuito contra altas tasas de de di/dt y
dv/dt[6].

Figura 6. Tiristor de compuerta amplificadora [6].

Tiristores de conmutacion rapida Estos se utilizan

en aplicaciones de conmutacion de alta velocidad con
conmutacion forzada (por ejemplo, en pulsadores e
inversores). Tienen un tiempo corto de desactivacion,
por lo general de 5 a 50 s dependiendo del rango
de voltaje. La cada directa en estado activo vara
aproximadamente en funcion inversa del tiempo de
desactivacion tq . Este tipo de tiristor tambien se conoce
como tiristor inversor. Estos tiristores tienen un dv/dt
alto, tpicamente de 1000v/s, y un di/dt de 1000

A/s. La desactivacion rapida y el di/dt altos son muy

importantes para reducir el tamano y el peso de los
componentes de conmutacion o reactivos del circuito. El
voltaje en estado activo de un tiristor de 2200 A/1800
V es por lo comun de 1.7 V. Los tiristores inversores
con una muy limitada capacidad de bloqueo inverso,
tpicamente de 10 V, y un tiempo de desactivacion muy
corto, entre 3 y 5 s y se conocen comunmente como
tiristores asimetricos (ASCR)[6].
II-D2. TRIAC: Un TRIAC puede conducir en ambas
direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase
de corriente alterna (por ejemplo, controladores de voltaje de
ca). Se puede considerar como si fueran dos SCR conectados
en antiparalelo, con una conexion de compuerta comun,
como se muestra en la figura 7. Las caractersticas V-I
aparecen en la figura 8. Dado que el TRIAC es un dispositivo
bidireccional, no es posible identificar sus terminales como
a nodo y catodo. Si la terminal M T2 es positiva con respecto
a la terminal M T1 , el TRIAC se puede activar aplicando
una senal de compuerta positiva entre la compuerta G y la
terminal M T1 . Si la terminal M T2 es negativa con respecto
a la terminal M T1 , se activara al aplicar una senal negativa
a la compuerta, entre la compuerta G y la terminal M T1 .
No es necesario que esten presentes ambas polaridades en
las senales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado
con una sola senal positiva o negativa de compuerta. En
la practica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el
TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I + (voltaje
y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III
(voltaje y corriente de compuerta negativos)[6].

II-D3. DIAC: El DIAC es basicamente una combinacion

inversa en paralelo de dos terminales de capas semiconductoras que permite la activacion o disparo en cualquier direccion.
Las caractersticas del dispositivo presentadas en la figura 9
demuestran con claridad que hay un voltaje de conduccion
en cualquiera de las dos direcciones. Se puede aprovechar al
maximo la condicion de encendido en cualquiera de las dos
direcciones en aplicaciones de ca.

Figura 9. [8].

Figura 10.

Figura 7. Equivalente del TRIAC [6].

Figura 8. Caractersticas v-i [6].

[8].

La disposicion basica de las capas semiconductoras del

diac se muestra en la figura 10 junto con su smbolo grafico.
Observese que ninguna de las terminales se designa como
catodo. En cambio, hay un a nodo 1 (o electrodo 1) y un
a nodo (o electrodo 2). Cuando el a nodo 1 es positivo con
respecto al a nodo 2, las capas semiconductoras de interes
particular son p1 n2 p2 y n3 . Para el a nodo 2 positivo con
respecto al a nodo 1, las capas aplicables son p2 n2 p1 y n1 [8].
Las tensiones de ruptura VBR1 y VBR2 son muy similares
entre si son de aproximadamente 30 V.
II-D4. GTO: Un tiristor de apagado por compuerta
(GTO), al igual que un SCR, puede activarse mediante
la aplicacion de una senal positiva de compuerta. Sin
embargo, se puede desactivar mediante una senal negativa
de compuerta. Un GTO, es un dispositivo de enganche y se
puede construir con especificaciones de corriente y voltaje
similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando

a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva

mediante un pulso negativo corto. Los GTOs tienen varias
ventajas sobre los SCR las cuales se describen a continuacion:
La eliminacion de los componentes auxiliares en la conmutacion forzada, que da como resultado una reduccion
en costo, peso y volumen.
La reduccion del ruido acustico y electromagnetico debido a la eliminacion de bobinas de induccion en la
conmutacion.
Una desactivacion mas rapida, que permite frecuencias
de conmutacion mas altas.
Una eficiencia mejorada de los convertidores.
En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes
ventajas sobre los transistores bipolares:
Una mas alta capacidad de voltaje de bloqueo.
Una relacion alta de corriente de pico controlable a
corriente promedio.
Una relacion alta de corriente de pulsacion pico a corriente promedio, tpicamente de 10:1.
Una ganancia alta en estado activo (corriente del a nodo
dividida entre la corriente de la compuerta) tpicamente
600.
Una senal de compuerta pulsada de corta duracion. Bajo
condiciones de pulsacion de carga, un GTO pasa a una
saturacion mas profunda. Por otra parte, un transistor
bipolar tiende a salirse de saturacion
Un GTO tiene una baja ganancia durante el proceso de
desactivacion, tpicamente de 6, y para desactivarse requiere
de un pulso de corriente negativa relativamente alto.Tiene
un voltaje en estado activo mas alto que el de los SCR. El
voltaje en estado activo de un GTO tpico de 550 A 1200 V
es de 3-4 V[6].
II-E.

Figura 11. Esquema u circuito equivalente ara MCT de canal P [6].

corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacion debe

ser mayor. Ademas, durante la desactivacion, la compuerta
utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo
inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de
compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado
a fin de evitar ambiguedad en el estado. Las caractersticas mas
sobresalientes de un MCT son:
Tiene una baja cada de voltaje directo durante la conduccion.
Un tiempo de activado rapido, tpicamente 0,4s, y un
tiempo de desactivado rapido, tpicamente 1,25s, para
un MCT de 300 A, 500 V.
Bajas perdidas de conmutacion.
Una baja capacidad de bloqueo de voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que
simplifica mucho los circuitos de excitacion [6]

MCT

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una
estructura de compuerta MOS. En la figura 11 aparece el
circuito equivalente y el smbolo del MCT. La estructura npnp
se puede representar por un transistor npn Q1 y un transistor
pnp Q2 . La estructura de compuerta MOS se puede representar
por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n
M2 . Debido a que se trata de una estructura npnp, en vez de
la estructura pnpn de un SCR normal, el a nodo sirve como la
terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas
las senales de compuerta.
El MCT se puede operar como dispositivo controlado
por compuerta, si su corriente es menor que la corriente
controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes
mayores que su corriente controlable pico de especificacion,
puede provocar la destruccion del dispositivo. Para valores
mas altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como
un SCR estandar. Los anchos de pulso de la compuerta no
son crticos para dispositivos de corrientes pequenas. Para

III.

R EL E S DE ESTADO S OLIDO
Y M ODULOS

INTELIGENTES BASADOS EN TIRISTORES (SSR,

T HYRISTOR I NTELLIGENT M ODULES )

III-A.

Reles de estado solido

Un Rele de Estado Solido (SSR) desarrolla la misma

funcion que un rele electromecanico, pero sin partes moviles
dispositivo es un interrupsensibles al desgaste mecanico. Este
tor electronico que permite o bloquea el paso de la electricidad
de acuerdo a la senal de control. Un SSR esta disenado a
partir de un fotocelda tipo MOSFET y un diodo tipo LED
que es usado para operar el elemento. Este artefacto presenta
diferencias claras frente a un rele convencional [7]:
Mayor velocidad de conmutacion al usar solo partes
electronicas.
No-generacion de arcos electricos por lo que permite ser
usados en ambientes inflamables.
Menor tamano.
Mayor vida u til al no tener partes moviles.
Pero tambien presenta algunas desventajas:

Cuando actua como circuito abierto, la resistencia equivalente vista desde la terminales de salida es baja comparada con la de un rele electromecanico.
Cuando actua como circuito cerrado, la resistencia es alta
por lo tanto las perdidas tambien.
Son menos robustos, son mas sensibles a corrientes de
retorno o la polaridad en sus terminales de salida.
III-B.

entre las dos bases RBB y sus valores estan entre 4.7 y 9.1
k. En la figura 14 se muestran las caractersticas estaticas de
un UJT.[6]

Modulos inteligentes basados en tiristores

Los modulos inteligentes (mas adelante se dedica una seccion exclusiva a este tem) son, en lo que respecta a desarrollo
de la electronica de potencia, la cuspide de la integracion
de elementos. Un modulo inteligente integra los elementos
conmutadores junto con sus respectivas protecciones a picos
de corrientes y/o tension, temperatura altas y estres electrico
en general.
IV.

D RIVERS PARA DISPARO DE TIRISTORES : ACOPLE

DIRECTO

En la seccion de tiristores se hablo de la forma de activar

un SCR que corresponde con un proceso de control y se
puede clasificar en dos tipos de control: disparo y bloqueo.
Para el control bloqueo se puede dar natural o forzado. Para
el control de disparo se puede tener disparos no deseados
(por exceso de tension, por derivada de tension, por radiacion
electromagnetica) y disparos deseados los cuales se dan por
un impulso en la compuerta de dispositivo (Gate). Para este
u ltimo tipo de control existen drivers o circuitos que manejan
diferentes tipos de acoplamiento: directo, magnetico y o ptico.
El driver o circuito de acoplamiento directo se muestra en
la figura 12 u til si el catodo del SCR va a masa (comparte
referencia con el control).

Figura 13. Circuito UJT.

Figura 14. Caractersticas estaticas UJT.

Figura 12. Circuito de acoplamiento directo [9]

V.

D RIVERS PARA DISPARO DE TIRISTORES : TRANSISTOR

MONOJUNTURA UJT

El transistor monounion (UJT) se usa en forma comun

para generar senales de disparo para SCR. En la figura 13
se muestra un circuito de disparo con UJT. Un UJT tiene
tres terminales, llamadas emisor(E), base uno (B1 ) y base dos
(B2 ). Entre B1 y B2 la monounion tiene las caractersticas
de una resistencia ordinaria. Esta resistencia es la resistencia

Cuando se aplica el voltaje Vs de alimentacion, se carga el

capacitor C a traves del resistor R, porque el circuito de emisor
del UJT esta abierto. La constante de tiempo del circuito de
carga es 1 = RC . Cuando el voltaje del emisor(VE ) es igual
al voltaje del capacitor, vc , el UJT se enciende y el capacitor C
se descarga a traves de RBl con una rapidez determinada por
la constante de tiempo 2 = RBl . Esta constante 2 es mucho
menor que 1 . Cuando el voltaje de emisor VE disminuye hasta
el punto de valle Vv , el emisor deja de conducir, el UJT se
apaga y se vuelve a repetir el ciclo de carga. En la figura
15 se ven las formas de onda de los voltajes de emisor y de
disparo.[6]
El valor del resistor R se limita entre 3 k Y 3 M. El
lmite superior de R lo establece el requisito de que la lnea
de carga que forman R y Vs cruce a las curvas caractersticas
del dispositivo a la derecha del pico, pero a la izquierda del
valle. Si la lnea de carga no pasa a la derecha del pico, el UJT

Figura 16. Aislador de foto-SCR acoplado.

Figura 15. Formas de Onda.

no se puede encender. Por lo tanto tiene que cumplir estas dos

condiciones:
R<

Vs Vp
Ip

Vs Vv
Iv
El ancho tg del pulso de disparo es:
R>

tg = RB1 C

pulsante, que se aplica en las terminales de compuerta y

de catodo del tiristor. Cuando el pulso se elimina de la
base del transistor Q1 , el transistor se apaga y se induce
un voltaje de polaridad contraria a traves del primario, y
asi llevando a conduccion el diodo Dm . La corriente debida
a la energa magnetica disminuye hasta cero a traves del
diodo Dm . Durante esta disminucion transitoria, se induce el
correspondiente voltaje inverso en el secundario. [6]

(5)
(6)

(7)

En general, el valor de RB1 se limita a menos de 1 k,

aunque en algunas aplicaciones son posibles los valores hasta
de 3 k . En general, se conecta un resistor RB2 en serie con
la base dos, para compensar la disminucion de Vp debida al
aumento de temperatura, y para proteger al UJT de una posible
avalancha termica.[6]
VI.

D RIVERS AISLADOS PARA DISPARO DE TIRISTORES :

TRANSFORMADORES DE PULSO , Y OPTICOS

( OPTO - TRIACS )
En los circuitos de potencia, en los que se emplean tiristores;
en la entrada esta sujeto a un alto voltaje, por lo general
mayor que 120V o 240V y el circuito que se localiza en la
compuerta se mantiene a un voltaje mucho mas bajo, de 12 a
30 V. Se requiere un circuito de aislamiento entre un tiristor
individual y su circuito generador de pulsos de compuerta. El
aislamiento (Figura16)se puede lograr mediante transformadores de pulsos o con opto-acopladores (fototransistor, fotoSCR,
opto-TRIAC). [6]
Un pulso corto a la entrada de un ILED D1 , activa al fotoSRC T1 , lo que lleva a que se dispare el tiristor de potencia TL .
Este tipo de aislamiento requiere una fuente de alimentacion
separada Vcc , aumentando el costo y el peso del diseno final.
Una configuracion de aislamiento con transformadores de
pulso, se ve en la figura 17. Cuando se aplica un pulso de
voltaje determinado a la base del transistor de conmutacion
Q1 , el transistor se encontrara en la zona de saturacion,
produciendo un voltaje continuo (Vcc ), atreves del primario
del transformador, induciendo en el secundario un voltaje

Figura 17. Transformador de pulsos cortos.

Se puede alargar el ancho de pulso conectando un capacitor

con un valor determinado C en paralelo con el resistor R, como
se ve en la figura 18. El transformador conduce corriente unidireccional, y el nucleo magnetico se puede saturar, limitando
as el ancho de pulso. Esta clase de aislamiento de pulso es
adecuada en forma tpica para pulsos de 50 a 100 s.[6]
Aparece un agravante cuando se manejan cargas inductivas,
ya que el periodo de conduccion de un tiristor depende del
factor de potencia (FP) de la carga; por lo tanto, no esta bien
definido cuando el tiristor empezara a conducir. En este caso
es necesario disparar en forma continua a los tiristores. Sin
embargo, con un disparo continuo aumentan las perdidas en
el tiristor. En la figura 19 se ve un tren de pulsos que es
preferible aunque se obtiene con un devanado auxiliar. Cuando
se enciende el transistor Q1 , tambien se induce un voltaje en
el devanado auxiliar N3 en la base del transistor Q1 , por lo
tanto, el diodo D1 se polariza en sentido inverso y Q1 se
apaga. Entre tanto, el capacitor C1 se carga a traves de R1 y
enciende de nuevo a Q1 . Este proceso de encendido y apagado
continua mientras haya una senal de entrada V1 .[6]
En lugar de usar el devanado auxiliar como oscilador de
bloqueo, se podra generar un tren de pulsos con una com-

VII.

D RIVERS I NTEGRADOS (IC) PARA CONTROL DE

Y
TIRISTORES , FUNCIONAMIENTO , SINCRONIZACI ON
EJEMPLOS
VII-A.

Figura 18. Transformador de pulsos largos.

Mecanismo de control

La figura 21 muestra la estructura mas simple de un

rectificador controlado, la onda media rectificador. Este circuito es usado para explicar y entender el funcionamiento de
accionamiento y control de un tiristor. La topologa incluye un
tiristor Th cuyos terminales de potencia, a nodo (A) y catodo
(K), estan conectados en un circuito que incluye, ademas del
semiconductor dispositivo, una fuente de CA (vs ) y una carga.
Por simplicidad se elige una carga meramente resistiva.
Para entender el funcionamiento del convertidor, el tiristor
puede ser considerado como un interruptor unidireccional
que entra en conduccion (estado on), cuando un impulso de
corriente de corto se aplica entre la compuerta (G) y el catodo
por un bloque especializado llamada circuito de control de
puerta o circuito de disparo de puerta (GTC). Una vez en
el estado on, el tiristor mantiene su estado mientras que se
mantiene la polarizacion directa (+ en el a nodo y - en la
el catodo). El estado de bloqueo (estado off) de el tiristor
(interrupcion del flujo de corriente) no puede ser inducida a
traves de la terminal de control por el GTC.

Figura 19. Generador de tren de pulsos.

puerta logica AND, como se ve en la figura 20. En la practica,

la compuerta AND no puede encender en forma directa al
transistor Q1, y se conecta una etapa de acoplamiento.

Figura 20. Tren de pulsos con reloj y compuerta logica AND.

Figura 21. Circuito rectificador de media onda con un SCR.

Al analizar las polaridades de la fuente vs de la fig. 21

es evidente que el encendido puede lograrse solo en los
intervalos de tiempo en el que el tiristor esta polarizado en
directa, mas precisamente, durante los semiciclos positivos. Si
el tiristor se sustituye con un diodo de potencia, se produce
el encendido natural al comienzo de cada intervalo de tiempo
cuando el dispositivo es polarizado en directa. Por esta razon
los lmites izquierdos de las medias ondas positivas (puntos
P en la fig. 22) se pueden llamar puntos de conmutacion
naturales.
Para controlar el convertidor con un cierto a ngulo , el
circuito de disparo de compuerta debe ser capaz de saber
(localizar) los puntos de conmutacion definidos en el tiempo.
Por este motivo, el circuito de control de puerta incluye, entre
otras funciones, la funcion de sincronizacion. Esta funcion se
implementa utilizando usync senal sincronizada con la tension
de alimentacion vs obtenido con la ayuda de una transformador
de sincronizacion. El valor se impone por un control de

Figura 22. Comportamiento de un tiristor actuando como rectificador con

carga resistiva pura.

voltaje (Control V) aplicada a la entrada del circuito de disparo

de compuerta [10].

VII-B.

Circuitos integrados y tecnicas de control

Como un dispositivo de encendido controlado, el tiristor

no puede funcionar sin un sistema de control. Su funcion
es proporcionar pulsos de corriente entre la compuerta y los
terminales de catodo para iniciar el dispositivo de encendido
en los momentos deseados. En el caso de las estructuras de
potencia complejas, con muchos tiristores, se prefiere un solo
circuito de control para asegurar impulsos de corriente de
activacion para todos los tiristores. Este bloque distinto del
sistema electronico de potencia es, por lo general, llamado
GTC (ya nombrado anteriormente). Puesto que un triac es
equivalente a dos tiristores conectados en antiparalelo, los
principios de control para los tiristores y la circuitos que
ponen en practica estos principios pueden ser utilizado,
tambien, para los triacs.
Los GTCs se pueden construir con la ayuda de componentes
discretos de baja potencia o utilizando circuitos integrados
especializados (por ejemplo UAA145). Otro ejemplo de circuitos integrados es el TCA 785 (fig. 23). El metodo usado
para lograr el desfasaje es comparando una tension continua
que se usa como senal de control con una diente de sierra
sincronizada con la linea y cuyo periodo es igual a un
semiciclo de la onda sinusoidal. Cuando se produce el cruce
con la senal de tension DC, el comparador enva una senal al
circuito logico del circuito integrado (CI) y este produce un
pulso de salida [11].

Figura 23. Esquematico de un circuito integrado TCA 785 usado para el

disparo de tiristores.

VIII.

DE S NUBBERS , PARA
S NUBBERS Y D ISE NO
TIRISTORES

Los Snubbers son circuitos que se colocan a traves de

dispositivos semiconductores para la proteccion y para mejorar
el rendimiento. Los Snubbers pueden hacer muchas cosas:
Reducir o eliminar los picos de tension o corriente.
Limitar dI/dt o dV /dt
Mantener el dispositivo dentro del a rea de operacion
segura.
Transferencia de disipacion de energa del dispositivo a
una resistencia o una carga u til.
Reducir las perdidas totales debidas a la conmutacion.
Reducir la interferencia electromagnetica de oscilaciones
de corrientes.
Hay muchos tipos diferentes de Snubbers, pero los dos
mas comunes son las redes de amortiguamiento resistorcapacitor (RC) y el Snubber encencido-apagado resistenciacondensador-diodo (RCD).
Para el analisis de la tension de recuperacion transitoria que
aparece a traves de un dispositivo tiristor, un convertidor de
potencia por lo general se puede reducir a un circuito equivalente de la forma mostrada en la figura 24. Una tension E, que
puede suponerse constante durante todo el transitorio, se aplica
a un circuito en serie RLC. El voltaje en la resistencia y la
capacitancia en serie aparece como tension de recuperacion en
el dispositivo semiconductor. El voltaje inicial del condensador
es cero, pero existe una corriente I inicial, corresponde a
la corriente de recuperacion inversa pico en el dispositivo.
Un analisis del circuito en el dominio de Laplace permite
establecer relacion entre E1 /E (E1 corresponde al pico de
voltaje), el factor de amortiguamiento y con el factor de
corriente inicial . A continuacion se definen dichos factores:

I
E

L
C

R
=
= p
0
2 L/C

(8)
(9)

As, si (E1 /E) es el valor admisible el diseno del snubber

o ptimo se puede determinar con la figura 26 y con las
siguientes relaciones:
 
E1
0 = f uncion de
E
 0
E1
0 = f uncion de
E 0
I
C=L
E0
r
L
20 E0
R = 20
=
C
I

Figura 24. Circuito equivalente de un snubber [12].

El pico normalizado de voltaje E1 /E se grafica en la

figura 25 como una funcion del factor de amortiguamiento, y
con el factor de corriente inicial como un parametro. Para
un valor dado de existe cierto el cual minimiza el radio
E1 /E. La seleccion del factor de amortiguamiento adecuado
representa el diseno o ptimo del snubber para minimizar el
pico de voltaje dado un valor de capacitancia (asumiendo
que L y el pico de corriente son predeterminados) o para
minimizar la capacitancia[12].

Figura 26. Parametros o ptimos del Snubber para mnimo voltaje pico [12].

As mismo para buscar un dv/dt se hacen uso de graficas

(figura 27) donde se normaliza dv/dt en funcion de los
factores ya nombrados y posteriormente con un parametro
seleccionado se refiere a la otra grafica (figura 28) y se
seleccionan los otros parametros [12].
VIII-A.

Figura 25. Pico de voltaje como funcion del factor de amortiguamiento y la

corriente inicial. [12].

Snubber encencido-apagado

En particular, cuando un tiristor se enciende a partir de una

tension E, ocurre una perdida de energa ( 12 CE 2 ). Debido al
tiempo de cada de tension del tiristor, parte de esta energa
se disipa en el tiristor en lugar de la resistencia del snubber,
y la descarga del condensador aumenta el di/dt inicial en
el tiristor. Cuando la descarga del Snubber resulta en perdidas
excesivas por conmutacion el el tiristor, un arreglo de Snubber
polarizado en directo debe ser considerado. Cuando la funcion
primaria del Snubber es limitar la tasa dv/dt del tiristor en
el momento de la recuperacion inversa, el esquema mostrado
en la figura 29 es usado comunmente. La resistencia R, es la
resistencia de amortiguacion eficaz durante el crecimiento de
dv/dt, mientras que R2 es una resistencia mucho mayor para
limitar la corriente de descarga del snubber cuando se dispara
el tiristor [12].
Cuando el voltaje directo se vuelve a aplicar a un tiristor
como una rampa de baja tasa dv/dt, el proposito principal
del amortiguador es limitar el pico de voltaje inverso. Aqu,

condensador C1 del snubber durante el perodo de la tension

en directo antes de que el tiristor se dispare de nuevo [12].
Observese que el snubber polarizado en directo no reducen
las perdidas del circuito, pues solo evitan las perdidas en
el tiristor. Por ejemplo, un Snubber polarizado en inverso
impide la carga positiva del condensador durante las bajas
perdidas de dv/dt, y la carga inversa bloqueada es disipada
en la resistencia de descarga [12].

Figura 27. Pico de voltaje como funcion del factor de amortiguamiento y la

corriente inicial. [12].

Figura 30. Snubber polarizado en inversa [12].

Cuando un par de tiristores estan conectados en paralelo,

como en un ciclo convertidor, el snubber debe ser eficaz
durante la recuperacion de cualquier polaridad. Por lo tanto,
una disposicion como la de la figura 31 no parece ser practica.
Sin embargo, puede ser posible reducir el tamano del snubber
mediante el empleo de reactores no lineales que son insaturados y tienen un alto valor de la inductancia en el momento de
la recuperacion cuando la corriente esta cerca de cero. Tales
reactores, que se muestran en las figuras 31 y 30 , tambien
reducen el di/dt que se da despues del proceso de encendido
[12].
Figura 28. Parametros o ptimos del Snubber para mnimo voltaje pico [12].

Figura 31. Snubber no polarizado [12].

Figura 29. Snubber polarizado en directo [12].

IX.
la disposicion de la figura 30 se puede utilizar. La resistencia
de amortiguacion R, es eficaz durante la recuperacion inversa,
mientras que la resistencia R2 de mayor valor descarga el

: BJT, MOSFET,
T RANSISTORES DE CONMUTACI ON
IBGT

Los transistores de conmutacion son elementos

semiconductores que pueden actuar como interruptores

electronicos, que actuan bajo una senal de control ingresada

en dos de sus terminales que se ve reflejada en el otro par
de ellas. As bien, la velocidad de conmutacion de estos
dispositivos es mucho mayor que la de los tiristores, pero
sus especificaciones de voltaje y corriente son mas reducidas,
lo que disminuye su campo de aplicacion a baja y media
potencia.
IX-A.

Transistores de Union Bipolar (BJT)

Un transistor de union bipolar se forma al anadir una

segunda capa p o n a un diodo np, de modo que si se adiciona
un dopado n se obtiene un transistor npn, en caso contrario
se obtiene un transistor pnp. Lo anterior genera dos uniones
np que a su vez da lugar a un dispositivo de tres terminales:
emisor, base y colector (ver figura 32). Para las aplicaciones
de potencia estos elementos se usan en la region de saturacion
de un transistor npn y es usual utilizar la configuracion de
emisor comun (el emisor se comparte entre la entrada y la
salida) para las aplicaciones de conmutacion.

Figura 32. Representacion circuital de un transistor de uniob bipolar BJT.

La necesidad de un gran capacidad de conduccion de

corriente en estado activa implica que un conductor de
potencia sea parcialmente distinto a los transistores usados
en la electronica digital, tanto las curvas de entrada y salida
como las caractersticas de conmutacion se ven ligeramente
modificadas por este requerimiento.
IX-A1. Caractersticas I-V: Las curvas tpicas de un
transistor npn se muestran en la figura 33. Notese que cada
una de las curvas all presentadas corresponde con una
corriente de base (iB ) dada. La zonas de ruptura primaria
y secundaria se deben evitar debido a la gran disipacion de
potencia que conllevan, especialmente la zona de ruptura
primaria pues all se produce la avalancha convencional de la
union C-B. De la grafica tambien se puede observar que, entre
el transistor logico versus el transistor de potencia, hay una
region que no aparece en el primero y que es conocida como
cuasisaturacion, la cual sera explicada mas adelante luego de
detallar las regiones de operacion tpicas del elemento.
IX-A2. Regiones de operacion del BJT: Del transistor
de potencia se distinguen 3 regiones basicas de operacion:
corte, activa y saturacion. En la region activa, la corriente
que entra por base no posee la magnitud suficiente para

Figura 33. Caractersticas I-V de salida de un transistor BJT en configuracion

de emisor comun: iC vs vCE [5].

prender el dispositivo, de modo que este estado no merece

mayor cuidado. En el estado activo, se tiene que la union
B-E esta en polarizacion directa y la union C-B en inversa y
actua como amplificador de corriente en donde la corriente
de colector se multiplica por una constante propia de cada
transistor . Para los transistores de potencia, las ganancias
no superan las 20 veces, as, para lograr amplificaciones de
corriente mayores se debe usar la configuracion Darglinton
mostrada en la figura 34. Por otro lado, en la region de
saturacion ambas uniones estan polarizadas en directa y la
corriente de base es lo suficientemente alta para el voltaje
colector-emisor sea bajo, y el transistor actua como interruptor.

Figura 34. Configuracion Darglinton usada en electronica de potencia para

lograr mayores.

Notese que como hay tres corrientes involucradas en el

funcionamiento de este elemento, debe haber una expresion
que la relaciones sacada del analisis de circuitos, y es la

siguiente:
iE = iC + iB

(10)

Cada transistor posee una caracterstica que se relaciona

con las corrientes iC y iB por medio de una expresion
conocida como ganancia de corriente .
=

ic
iB

De modo que, despreciando la corriente de fuga de la union

colector-base, se tiene de la ecuacion anterior
iC = iB

En la figura 36 se puede observar el comportamiento tpico

de conmutacion de un transistor de union bipolar. Conforme
el voltaje en la base (vBE ) aumenta hasta llegar a un valor V1
as como la corriente que entra por la base hasta un valor iB1 ,
existe un delay que se requiere para que la capacitancia Cbe se
cargue hasta el valor de encendido de la union (0.7 V) y se
denota en la grafica como td . All tambien se puede observar
que una vez pasado ese retraso la corriente de colector llega
hasta un valor permanente iCS pasando primero por un tiempo
tr que depende de la constante de tiempo de Cbe . El proceso
siguiente (cuando el voltaje pasa de V1 a V2 ) es similar.

(11)

De lo que se tiene que la corriente del emisor es

iE iB (1 + )
O visto de otra manera




1

iE iC 1 +
= iC

1+

(12)

La corriente se colector se puede expresar como

iC = iE
En donde se relaciona con como sigue
=

1+

(13)

IX-A3. Caractersticas de conmutacion: En un transistor

se presentan capacitancias intrnsecas debido a las diferencias
de potencial y las diferencias de densidad de carga dentro del
elemento. Una agrupacion de cargas de signo positivo junto
a una agrupacion de cargas son, en esencia, un condensador

natural. Esto
ocasiona que los cambios de estado a los que
un elemento semiconductor de este tipo es sometido no sean
inmediatos, hay tiempos de retardo. La figura 35 muestra
el modelo circuital de un transistor npn bajo condiciones
transitorias, donde Ccb y Cbe son las capacitancias efectivas
de las uniones CBJ y BEJ respectivamente. Tales valores
dependen de las construccion propia del artefacto as como de
los voltajes de las uniones. Las capacitancias ya nombradas
necesitan de un tiempo para que su placasse llenen de
carga, lo que genera un tiempo de retraso entre el envo del
pulso de control y la activacion del transistor.

Los transistores de efecto de campo por semiconductor

de o xido metalico (metal-oxide-semiconductor field effect
transistor, MOSFET) son dispositivos electronicos controlados
por voltaje que poseen velocidades de conmutacion
sensiblemente mas altas que las ofrecidas por los BJT.
Al requerir de una pequena corriente en su entrada, y al tener
una gran capacidad de conduccion de corriente en estado
activo y buena capacidad de tension de bloqueo en estado
pasivo estan siendo usados masivamente en aplicaciones que
antes solo eran desarrolladas por BJT.

Figura 35. Modelo del transistor con ganancia de corriente .

Los MOSFET se fabrican de dos tipos: MOSFET de enriquecimiento y de agotamiento. El presente documento presta
especial atencion a estos u ltimos. Existen a su vez dos tipos de
MOSFET de agotamiento: de canal n y canal p. El primero
se forma en un substrato de silicio tipo p con dos silicios
fuertemente dopados n+ . La compuerta esta aislada del canal
mediante una delgada capa de oxido (vease la figura 37). Las
tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente.
El voltaje de compuerta a fuente (vGs ) puede ser positivo o
negativo, si es negativo, algunos de los electrones del a rea del

Figura 36. Tiempos de conmutacion del transistor bipolar.

IX-B.

MOSFET de potencia

canal n seran repelidos y se creara una region de agotamiento

por debajo de la capa de o xido, que resultara en canal efectivo
mas angosto y en un alta resistencia de drenaje a fuente
(RDS ). Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se
agotara totalmente, ofreciendo un alto valor de RDS y no
habra flujo constante de drenaje a fuente (iDS =0) [6].

entre la compuerta y el drenaje se establece una capacitancia

Cgd , entre la compuerta y la fuente Cgs y entre el drenaje y
la fuente Cds . La capacitancia de drenaje-fuente no se incluye
en el analisis porque no afecta materialmente a ninguna de
las caractersticas de conmutacion ni a las formas de onda.

Figura 37. MOSFET tipo agotamiento de canal n.

IX-B1. Regiones de operacion: En la figura 38 se muestran las caractersticas de salida del MOSFET de canal n.
Existen tres regiones de operacion: 1) region de corte, donde
vGS vT , 2) region de saturacion, donde vDS vGS vT
y 3) region lineal, donde vDS = vGS vT . En la region
lineal, la corriente de drenaje iD vara en proporcion al voltaje
drenaje-fuente, vDS . Debido a la alta corriente de drenaje
y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de potencia se
operan en la region lineal para acciones de conmutacion. En
la region de saturacion, la corriente de drenaje se conserva
practicamente constante para cualquiera incremento en el valor
de vDS , y los transistores se utilizan en esta region para la
amplificacion de voltaje. Debe hacerse notar que la saturacion
tiene el significado opuesto que en el caso de los transistores
bipolares [6].

Figura 39. Tiempos de conmutacion de un transistor tipo MOSFET.

De la figura 39, se puede ver que el tiempo td(on) es el

tiempo requerido para cargar la capacitancia de entrada hasta
el voltaje umbral vT . El tiempo tr es el retardo que tarda en
cargar esta misma capacitancia hasta el voltaje vGSP , que es el
mismo que se requiere para excitar el transistor hasta la region
lineal. El comportamiento de descarga de estos elementos
pasivos se exhibe cuando se va desde V1 hasta 0.
IX-C.

Transistores IBGT

Los transistores de compuerta aislada (Insulated Gate

Bipolar Transistor, IGBT) son elementos que poseen
caractersticas de MOSFET y BJT. Un IGBT posee una
alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas
perdidas en estado activo, como los BJT. La figura 40 muestra
la seccion transversal de un IGBT que es muy similar a la
de un MOSFET excepto por el substrato p+ . Por eso, el
funcionamiento de un IGBT es mas cercano al de un BJT
que al de un MOSFET.
En la figura 41 se observa el smbolo de un transistor IGBT,
el cual posee tres terminales: compuerta, emisor y colector. La
especificacion de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta
los 400 A/1200 V y una frecuencia maxima de conmutacion
de 20 kHz [6].
X.

Figura 38. Caractersticas de salida de un transistor tipo MOSFET.

IX-B2. Caractersticas de conmutacion: Un diodo de

efecto de campo es intrnsecamente mas rapido que un
transistor de union bipolar debido a que no tienen portadores
minoritarios excedentes que se deban introducir o sacar del
dispositivo cuando se enciende o apaga. En un MOSFET
aparecen tres capacitancias que se generan por las diferencias
de signo en las densidad de carga dentro del elemento. As,

M ODULOS
I NTELIGENTES (IGBT I NTELLIGENT
M ODULES )

Los dispositivos de potencia se consiguen como unidades

aisladas o como modulos. Con frecuencia, un convertidor de
potencia requiere dos, cuatro seis dispositivos, dependiendo
de su topologa[6]. Los modulos tienen la ventaja de
menos perdidas en estado cerrado, buenas caractersticas de
conmutacion de alto voltaje y corriente, y mayor velocidad
que las de los dispositivos convencionales[6]. Los modulos
inteligentes (IPM) integran el modulo de potencia y el circuito
periferico, este ultimo esta formado por un seccionamiento

Figura 42. Diagrama de bloques se un IPM [14].

Figura 40. Seccion transversal de un transistor tipo MOSFET.

bobinado. Bajo estas condiciones, la corriente se eleva a

una velocidad tpicamente en exceso de 100A/s . El IPM,
controla la corriente de carga , y siempre que esta corriente
supera un lmite preestablecido, el voltaje en directo que
suministra potencia a los conmutadores se apaga, tambien
se suele tener proteccion para sobretendones y temperaturas
daninas para el sistema [14].
X-A.
Figura 41. Smbolo del transistor IGBT.

de la entrada o salida respecto a la interconexion con, el

sistema de senal y de alto voltaje, un circuito de excitacion,
un circuito de proteccion y de diagnostico (contra exceso de
corriente, cortocircuito, carga abierta, sobre calentamiento
y exceso de voltaje), control por microcomputadora y una
fuente de corriente de control. Los usuarios solo deben
conectar las fuentes de poder externas (flotantes). Un modulo
inteligente se puede considerar como un sistema que conecta
la fuente de poder a cualquier carga[6].
La funcion de interconexion se realiza con circuitos logicos
semiconductores de o xido metal complementarios de alta
densidad, su funcion de deteccion y proteccion con circuitos
bipolares analogicos. En la figura 42 se muestra el diagrama
funcional de bloques de un modulo inteligente.
Los circuitos analogicos en un IPM que se utilizan para la
creacion de los sensores necesarios para la auto-proteccion
y para proporcionar un bucle de retroalimentacion rapida,
pueden poner fin a la operacion del chip sin causar dano
cuando las condiciones del sistema superan las condiciones
estables. Por ejemplo, los chips de potencia inteligentes deben
estar disenados para apagar sin dano cuando se produce un
cortocircuito a traves de una carga tal como un motor de

La u ltima generacion de IPM

La Figura 43 muestra la u ltima generacion 6G-IPM tiene

una potencia de 6in1 1200V-50A. Tiene 6xIGBTs, 6xFWDs,
6x conductor-IC y 19 pasivos. Estos IPM se utilizan principalmente en la fabrica industrial automatizacion, tales como
control de movimiento, robots y as sucesivamente. Los IPM
tiene caractersticas siguientes:
chips IGBT especiales disenados para el IPM.
En la actual chip y sensores de temperatura.
El conductor-IC para conducir / proteger IGBT y enviar
alarma.
Discreto y compacto enfocado para los controles de
movimiento
XI. D RIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT,
MOSFET, IGBT: ACOPLE DIRECTO , PUSH - PULL ,
BOOSTER , BOOTSTRAP
XI-A.

MOSFET

La compuerta consume una corriente de fuga muy pequena,

del orden de nA. El tiempo de encendido de un MOSFET
depende del tiempo de carga de la capacitancia de compuerta.
El tiempo de encendido se puede reducir conectando un
circuito RC, como se ve en la figura 44, para cargar con mayor
rapidez la capacitancia de la compuerta [6]. Cuando se conecta
un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la
capacitancia es:
IG =

VG
RS

(14)

Figura 45. Excitador de compuerta en arreglo de totem con formacion de

flanco de pulso.
Figura 43. Vista interna a la ultima generacion de 6G IGBT IPM [15].

XI-B.

Figura 44. Circuito de excitacion rapida de compuerta.

y el valor de estado permanente del voltaje de compuerta

es, donde RS es la resistencia interna de la fuente que excita
a la compuerta, es
VGS =

RG VG
RS + R1 + RG

BJT

La velocidad de conmutacion se puede aumentar reduciendo

el tiempo de activacion, encendido (ton ) y el tiempo de
desactivacion, (tof f ). Se puede reducir ton permitiendo un
pico de la corriente de base durante la activacion, dando como
resultado una forzada baja (F ) al principio. Despues de la
activacion, puede aumentar F hasta un valor suficientemente
alto como para mantener al transistor en la region de casi
saturacion. El tof f se puede reducir invirtiendo la corriente
de base y permitiendo un pico de corriente de base durante
la desactivacion. Al aumentar el valor de la corriente de base
inversa IB2 disminuye el tiempo de almacenamiento. En la
figura 46 se muestra una forma de onda tpica de la corriente
de base.[6]

(15)

Para obtener velocidades de conmutacion del orden de

100 ns o menos, el circuito que excita a la compuerta debe
tener una baja impedancia de salida, y la capacidad de
disipar y suministrar corrientes relativamente grandes. Un
arreglo en totem es capaz de suministrar y disipar corrientes
grandes (figura 45). Los transistores pnp y npn actuan como
seguidores de emisor y ofrecen baja impedancia de salida.
Esos transistores operan en la region lineal, en lugar del modo
de saturacion, y con ello minimizan el tiempo de retardo. La
senal de compuerta para el MOSFET de potencia se puede
generar con un amplificador operacional. La retroalimentacion
a traves del capacitor C regula la tasa de subida y bajada del
voltaje de compuerta, y as controlar la rapidez de aumento y
disminucion de la corriente de drenaje del MOSFET [6].
Un diodo en paralelo con el capacitor C permite que
el voltaje de compuerta cambie con rapidez solo en una
direccion.

Figura 46. Forma de onda de corriente de excitacion de base.

Las tecnicas de uso comun para optimizar la activacion de

la base de un transistor son:
Control de Encendido: Cuando se conecta el voltaje de
entrada, la corriente de base se limita con el resistor R,
y el valor final de esa corriente es:
IB =

V1 VBE
R1 + R2

(16)

Control de Anti-saturacion
Se puede reducir el tiempo de almacenamiento operando
el transistor con una saturacion gradual, en lugar de
muy rapida. Esto se puede hacer sujetando el voltaje
de colector a emisor a un valor predeterminado, y la
corriente en el colector es, gracias a un sujetador Baker:
Figura 47. Correccion de corriente de base durante el encendido.

Vcc Vcm
(19)
RC
es el voltaje del sujetador(Figura 50).
IC =

El capacitor C1 se carga hasta un valor final, muy cercano

al voltaje sobre R2 al realizar divisores de voltaje.
La constante de tiempo de carga del capacitor es, aproximadamente:
1 =

R1 R2 C 1
R1 + R2

Donde Vcm

(17)

al descargarse:
2 = R2 C 1

(18)

Los anchos de pulsos de activacion y de apagado, deben

ser mayores a sus respectivos constantes de tiempo. La
frecuencia maxima de conmutacion es fs = 0,2(1 + 2 ).
Control de Apagado
Si se requieren caractersticas distintas de encendido y
apagado, se puede agregar un circuito de apagado al
circuito de la figura 47 (usando C2 , R3 y R4 ), como
se ve en la figura 48. El diodo D1 asla el circuito de
encendido de la base del circuito de apagado de la base
al polarizarse en sentido inverso, durante el apagado[6].

Figura 50. Circuito sujetador de colector.

La corriente de base sin sujecion, que es adecuada para

la activacion rapida del transistor, se puede determinar
con
VB Vd1 VBE
(20)
RB
Despues de incrementar la corriente del colector, el
transistor se activa y se presenta la sujecion debido a que
D2 queda con polarizacion directa y conduce. Entonces:
IB = I1 =

VCE = VBE + Vd1 Vd2

(21)

donde la corriente es:

Figura 48. Correccion de corriente de base durante el encendido y el apagado.

Control Proporcional de Base

Este tipo de control tiene ventajas sobre el circuito
anterior. Si la corriente del colector cambia, la corriente
de encendido de la base tambien cambia en proporcion
a la corriente del colector (figura 49).

Figura 49. Circuito de excitacion proporcional de base.

VCC VBE Vd1 + Vd2

RC
y la corriente de colector en la sujecion es:
IL =

(22)

(I1 + IL )
(23)
1+
Para que haya sujecion, Vd1 > Vd2 , La accion sujetadora
da como resultado una corriente reducida de colector y
la eliminacion del tiempo de almacenamiento. Al mismo
tiempo se logra una activacion rapida. Sin embargo,
debido al mayor VCE , la disipacion de potencia en estado
activo, en el transistor, aumenta, mientas que disminuye
la perdida de potencia por conmutacion.[6]
IC =

XII. D RIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT,

MOSFET, IGBT: TRANSFORMADORES DE PULSO , Y
PTICO
DRIVERS O
En forma basica hay dos maneras de aislar la senal de
control de compuerta con respecto a tierra.

XII-A.

Transformadores de pulsos

Los transformadores de pulsos solo tienen un devanado

primario, y pueden tener uno o mas devanados secundarios.
Con varios devanados secundarios se pueden tener senales
simultaneas de compuerta para transistores conectados en serie
o en paralelo. La figura 51 muestra un circuito de excitacion
de compuerta aislado por transformador. El transformador
debera tener una inductancia de fuga relativamente nula, y el
tiempo de subida del pulso de salida debera ser muy pequeno.
Con un pulso relativamente largo y con baja frecuencia de
conmutacion, el transformador se saturara y su salida se
distorsionara [6].

Figura 51. Excitador de compuerta aislado por transformador.

XII-B.

optoacopladores

En los optoacopladores se combina un diodo emisor de

luz infrarroja (ILED) y un fototransistor de silicio. La senal
de entrada se aplica al ILED y la senal de salida se toma
del fototransistor. Los tiempos de subida y bajada de los
fototransistores son muy pequenos; los valores tpicos de
tiempo de encendido tom son de 2 a 5 s y de tiempo de
apagado tof f son de 300 ns. Estos tiempos de encendido
y apagado limitan las aplicaciones en alta frecuencia. En la
figura 52 se muestra un circuito de aislamiento de compuerta
donde se usa un fototransistor. Este fototransistor podra ser
un par Darlington. Los fototransistores requieren suministro
de potencia separado, y aumentan la complejidad, el costo y
el peso de los circuitos excitadores[6].

El voltaje de compuerta debe ser de 10 a 15V mayor que

el voltaje de la fuente o el emisor. Como el excitador de
potencia se conecta al canal de voltaje principal +VS , el
voltaje de compuerta debe ser mayor que el del canal.
El voltaje de compuerta que se refiere a tierra en el
caso normal debe ser controlable desde un circuito logico
as las senales de control deben desplazar su nivel hasta
la terminal de alimentacion del dispositivo de potencia,
que en la mayor parte de las aplicaciones oscila entre los
dos canales de V +
En general, un dispositivo en el lado de baja potencia
activa el dispositivo de alta potencia que esta conectado
con el alto voltaje. As hay un dispositivo de potencia en
lado de alta potencia y uno en el de baja. La potencia
absorbida por los circuitos de activacion de compuerta
debera ser baja y no afectar en forma importante la
eficiencia general del convertidor de potencia.
Hay varias tecnicas esenciales cumplir con los requisitos
de excitacion compuerta. Cada circuito basico se puede
implementar con una gran variedad de configuraciones. Un
CI excitador de compuerta integran la mayor parte de las
funciones necesarias para excitar un dispositivo del lado
de alta potencia y uno en el lado de baja en un paquete
compacto, de alto rendimiento y con baja disipacion de
potencia. El IC Tambien debe tener algunas funciones de
proteccion para funcionar bajo condiciones de sobrecarga y
de falla.
Tres tipos de circuitos pueden efectuar las funciones de
excitacion y proteccion de compuerta. El primero es el acoplador de salida, necesario para proporcionar suficiente voltaje o
carga de compuerta al dispositivo de potencia. El segundo son
desplazadores de nivel, necesarios para interconectar entre las
senales de control a los acopladores de salida del lado de alta
potencia y al de baja. El tercero es la deteccion de condiciones
de sobrecarga en el dispositivo potencia, con las contramedidas
apropiadas que se tomen en el acoplador de salida, al igual
que la retroalimentacion de estado de falla[6].
XIII-A.

Figura 52. Aislamiento de compuerta por optoacoplador.

XIII. D RIVERS PARA DISPARO DE TRANSISTORES BJT,

MOSFET, IGBT: DRIVERS INTEGRADOS (IC),
FUNCIONAMIENTO Y EJEMPLOS

Los requisitos de excitacion de compuerta que debe satisfacer un interruptor con MOSFET o IGBT son los siguientes:

ejemplos

A continuacion se cita la presentacon de un fabricante para

sus modulos International Rectifiers MOSFET gate y IGBT
gate driver, son la solucion mas simple, mas pequena y de
mas bajo costo para manejar MOSFET o IGBT hasta 1200V
en aplicaciones de hasta 12 kW, Estos MOSFET y los controladores IGBT proporcionan compatibilidad con el controlador
completo con velocidades de conmutacion extremadamente
rapida, disenado con robustez y baja disipacion de potencia.
Generan la corriente y la tension necesaria para activar los
MOSFET o IGBT dentro y fuera de la salida logica de un
DSP (procesador digital de senales), microcontrolador u otro
dispositivo logico y puede ahorrar un 30 % en numero de
piezas y hasta la mitad del espacio en la placa del acoplador
o ptico discreto o transformador. La entrada es normalmente
una senal de nivel logico 3.3V y las corrientes de salida son
de hasta 4A[16].

y se muestra concretamente el modelo IRS10752LPBF

figura 53

Figura 53. SOT-23 High-Side Gate Driver IC [16]

DE S NUBBERS , PARA
S NUBBERS Y D ISE NO
T RANSISTORES
La definicon de un snubber ya se trato en el tem Snubbers
y Diseno de Snubbers para tiristores de modo que la funcion
de estos elementos es la misma tanto para aquel como para
este caso: proteger los elementos semiconductores del estres
electrico producido por el suicheo en altas frecuencias. Es
necesario entonces entender el porque de la necesidad de
usar snubbers para circuitos en electronica de potencia.
Hay muchos tipos diferentes de circuitos utilizados en
convertidores de potencia, unidades de motor, balastos
para lamparas y otros dispositivos. Afortunadamente todos
estos diferentes circuitos tienen una red y formas de onda
comunes asociadas con los interruptores. La fig. 54 muestra
cuatro circuitos ampliamente usados. Todos estos circuitos,
y de hecho la mayora de los circuitos de electronica de
potencia, tienen dentro de ellos la misma red de conexion
diodo-inductor que se muestra dentro de las lneas punteadas.
El comportamiento de esta red es la misma en todos estos
circuitos, lo que significa que solo se tiene que resolver el
problema de diseno de snubbers de un circuito para aplicarlo
a todos los demas.
XIV.

Para un voltaje de risado lo suficientemente pequeno, se

puede considerar que la carga -compuesta por la resistencia
y la capacitancia del circuito Boost de la figura 54 se puede
aproximar a una fuente de tension. De manera analoga, se
puede aproximar la corriente en el inductor por una fuente
de corriente con una variacion despreciable. De lo anterior se
tiene lo que se muestra en la figura 55.
Al comienzo del ciclo de conmutacion, el interruptor
-transistor- esta abierto y toda la corriente (Io ) fluye a traves
del diodo en la batera. A medida que el interruptor se
enciende, la corriente se desplaza gradualmente desde el
diodo al conmutador. Sin embargo, siempre y cuando no hay
corriente en el diodo, el voltaje de interruptor permanece
en Eo . Una vez que toda la corriente ha sido transferida al
interruptor, la tension del interruptor puede empezar a caer. A
medida que el interruptor se apaga, el voltaje a traves de ella
se incrementa. La corriente en el interruptor sin embargo, no
comienza a caer hasta que la tension alcanza el interruptor

Figura 54. Circuitos ampliamente usados en electronica de potencia.

Figura 55. Circuito simplicado de una configuracion Boost junto con las
respectivas formas de onda de la corriente y el voltaje de salida.

Eo porque el diodo esta polarizado inversamente hasta ese

punto. Una vez que el diodo comienza a conducir la corriente
en el interruptor puede caer.
Este tipo de conmutacion, comunmente conocida como
conmutacion fuerte, expone el interruptor a alta tension
debido a que la tension maxima y la corriente maxima deben
estar presentes de forma simultanea. Esto tambien conduce a
que las perdidas por conmutacion sean altas [12].

Figura 56. Circuito simplicado de una configuracion Boost con las capacitancias e inductancias parasitas tpicas de este tipo de elementos.

En los circuitos practicos, el estres en el interruptor sera aun

mayor debido a la presencia inevitable de la inductancia
parasita (Lp ) y la capacitancia (Cs ) como se muestra en
la figura 56. Cp incluye la capacitancia de la union del
interruptor y la capacitancia parasita debido al diseno del
circuito y el montaje. Lp es debido al tamano finito de la
disposicion de circuito y la inductancia de plomo. Lp puede
minimizarse con una buena practica el diseno pero puede
haber alguna inductancia residual que puede causar un pico
de voltaje de timbre al desvo como se muestra en la figura
57. Notese que este comportamiento es tpico de un sistema
de orden superior, como es el caso.

Figura 58. Senal de voltaje real sobre el transistor rectificada por un snubber
tipo RC.

XIV-B.

Figura 57. Senal de voltaje real sobre el transistor.

XIV-A.

Diseno de snubbers RC

Un snubber tipo RC consta de una resistencia Rs y una

capacitancia Cs en serie que a su vez estan en paralelo con
el switch o transistor. En este documento solo se precisa
un diseno simple de snubber RC, para aquellos casos en
la que la disipacion de potencia no es crtica. Para lograr
una amortiguacion significativa se debe tener Cs Cp . Una
buena primera aproximacion es hacer Cs igual al doble de
la suma de la capacitancia de salida del interruptor y la
capacitancia de montaje estimado. Rs se selecciona de manera
que Rs = Eo /Io . Esto significa que el paso inicial de tension
debido a la corriente que fluye en Rs no es mayor que la
tension de salida fijada. La potencia disipada en Rs puede
estimarse a partir de energa pico almacenada en Cs :
Up =

Cs Eo2
2

Un snubber RCD introduce un diodo en paralelo con la resistencia de modo que esta configuracion posee dos funciones
basicas:
Dismiuir las perdidas por conmutacion.
Limitar los picos de tension en el transistor y as evitar
el desgaste temporal.
En la figura 59 se muestra la disposicion del snubber RCD
sobre el interruptor. Durante el apagado del transistor el
snubber se llevara la mayor parte de la corriente transfiriendose
una gran parte de la disipacion de potencia que tendra que
soportar el transistor sin snubber, a este ultimo. La fiabilidad
del interruptor aumenta puesto que el pico de potencia que
ha de disipar se reduce y las oscilaciones de alta frecuencia
provocadas por los elementos parasitos del circuito se ven
amortiguadas.

(24)

que es la cantidad de energa disipada en Rs cuando Cs se

carga y descarga de modo que disipacion de potencia promedio
a una frecuencia dada (fs ) es:
Pdis Cs Eo2 fs

Diseno de snubbers RCD

(25)

Con el snubber RC implementado se observa que las

oscilaciones se reducen considerablemente (fig. 58).

Figura 59. Snubber RCD.

A partir de la figura 59, se puede entender el funcionamiento

basico del circuito de ayuda a la conmutacion RCD. Cuando
el transistor se apaga, la corriente que procede de la bobina
es conducida a traves del diodo D hacia el condensador del
snubber C. La tension en dicho condensador aumentara hasta
alcanzar la tension de alimentacion del circuito, momento

en que el diodo principal D1 entrara en conduccion para

llevarse la corriente de la bobina.
Cuando el interruptor entra en conduccion el condensador
del snubber se descarga a traves de la resistencia R y del
propio interruptor. Una condicion de diseno importante es que
el condensador C se descargue totalmente durante la conduccion del transistor para poder comenzar el siguiente periodo
de conmutacion con condiciones iniciales de tension nulas.
Por lo tanto, la constante de tiempo RC en el mencionado
snubber, debe ser menor que el periodo de conmutacion ya
que se ha de dar tiempo suficiente al condensador C para
cargarse y descargarse en cada ciclo de trabajo. A la vista
de lo mencionado hasta el momento podemos concluir que el
circuito RCD interviene solo durante las conmutaciones.
Un punto a tener en cuenta en el diseno de este tipo de
circuitos ha sido ya mencionado anteriormente pero conviene
remarcar que durante la conduccion del transistor, la corriente
de descarga del condensador C se superpone a la corriente
principal que proviene de la bobina Lo. Otro factor destacable
consiste en la limitacion que el snubber provoca sobre el modo
de trabajo del convertidor donde se ha implantado dicho snubber. Si el tiempo de conduccion del transistor es demasiado
estrecho, el condensador C no tendra tiempo suficiente para
descargarse totalmente, perdiendose las condiciones iniciales
requeridas para el correcto funcionamiento de la red de ayuda
a la conmutacion. Una situacion tpica en la que podemos
encontrarnos con esta limitacion, es la presencia de una
condicion de sobrecorriente demandada por la carga.
R EFERENCIAS
[1] Ahmed Elasser, Mustansir H. Kheraluwala, Mario Ghezzo, Robert L.
Steigerwald, Nicole Andrea Evers, James Kretchmer and T. Paul Chow.
A Comparative Evaluation of New Silicon Carbide Diodes and State-ofthe-Art Silicon Diodes for Power Electronic Applications. IEEE Trans.
on industry Aplications, Vol. 39, NO. 4, July/August 2003.
[2] Dr. J. S. Chitode, U. A. Backshi. Power Devices and Machines, 1st
edition, Captulo 1: Power transistors.
[3] Hangseok Choi, System and Application Engineer, Fairchild Semiconductor. Overview of Silicon Carbide Power Devices.
[4] Rohm Semiconductor, Innovations Embedded. Silicon Carbide Schottky
Barrier Diodes. USA, 2014.
[5] Mohan-Underland-Robbins, Electronica de Potencia: convertidores, aplicaciones y diseno, 3ra edicion, Mc Graw Hill.
[6] Muhamid Rashid, Electronica de Potencia: Circuitos, Dispositivos y
aplicaciones. Prentice-Hall.
[7] National Instruments, products. Solid State Relay, overview. Septiembre, 2014.
[8] Robert L. Boylestad-Louis Nashelsky, Electronica: Teora de Circuitos
y Dispositivos Electronicos, Decima edicion, Prentice-Hall.
[9] WIKI de Electronica de Potencia, consultado en linea agosto 2015,
http://epower.wikispaces.com/file/view/Presentaci %C3 %B3n5.pdf.
[10] Ph.D.eng. Mihai Albu. Thyristors and Triacs Control Gate Trigger
Circuits.
[11] Roberto Gibbons, Convertidores de Alterna a Alterna, Circuito Integrados para Control de Tiristores. Electronica de potencia.
[12] William McMurray, Optimum Snubbers for Power Semiconductors,
IEEE Transactions on Industry Aplication, 1978.
[13] Rudy Severns, Design of Snubbers for Power Circuits.
[14] J.Baliga, Power ICs in the saddle, IEEE Spectrum, Julio 1995 pags 3439.
[15] M.Otsuki-M. Watanabe-A. Nishiura, Trends and Opportunities in Intelligent Power Modules (IPM), IEEE,May 10-14, 2015.

[16] International Rectifier, General Purpose Gate Driver ICs, consultado en

linea en Agosto 2015 http://www.irf.com/product/Motor-Control-GateDriver-Non-Isolated-Gate-Driver-ICs-and-Controllers-General-PurposeGate-Driver-ICs// N 1njcii.