UNIDAD I : DIODOS

SEMICONDUCTORES

CONDUCTORES
Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el calor
y la electricidad.
Son buenos conductores los metales y aislante el vidrio, la madera, la lana y el
aire.
.

El conductor mas comn es

el cobre.
Este material tiene valencia
1, o sea posee un electrn
libre en su rbita exterior.

Se define la unidad de
carga +1 como +1,610-19
(C). As un electrn tiene
una carga -1 equivalente
a -1,610-19 (C).
Estructura atmica del cobre

El cobre tiene un nmero

atmico de 29 (NA = 29).
Esto significa que en el
ncleo hay 29 protones, o
sea el ncleo tiene una carga
+29.

4 3 2 1

Girando alrededor del ncleo

hay 29 electrones girando en
diferentes rbitas.

En cada rbita caben 2n2 electrones

, con n = 1,2,3.

1ra rbita (n= 1) caben 212 = 2 electrones

2da rbita (n= 2) caben 222 = 8 electrones
3ra rbita (n= 3) caben 232 = 18 electrones
En las tres primera orbitas se tiene 28 electrones, o sea con una carga de -28
4ta rbita (n= 4) caben 242 = 32 electrones, pero posee slo un 1 electrn.

En electrnica es importante estudiar la rbita de valencia. Por esto se

separar la estructura atmica entre rbita de valencia y una parte
interna (ncleo y las rbitas internas).

En el tomo de cobre la parte interna

esta conformada por: el ncleo (+29) y
las tres primeras rbitas (-28), con lo que
nos queda la parte interna con una carga
neta de +1.

Como el electrn de valencia es atrado muy dbilmente por la parte interna, una
fuerza externa puede liberarlo fcilmente, por eso es un buen Conductor. Nos
referiremos a ese electrn de valencia, como un electrn libre.

Lo que define a un buen conductor es el hecho de tener un solo electrn en la

rbita de valencia (valencia 1).

SEMICONDUCTORES

Son elementos que a temperaturas bajas son aislantes. Pero a medida que se la
temperatura se eleva o bien por la adicin de determinadas impurezas resulta
posible su conduccin.
Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores,
circuitos integrados, microprocesadores, computadores, etc
Los semiconductores que se analizarn son Germanio y Silicio, estos tiene 4
electrones de valencia.

Un tomo de Silicio aislado tiene:

14 protones ,10 electrones en los primeros orbitales y 4 electrones en la
orbita de valencia.
Es decir su parte interna con carga +4 y 4 electrones de valencia.

CRISTALES DE SILICIO
Para formar un slido, los tomos de Silicio se combinan formando una estructura
ordenada llamada Cristal.
Las uniones entre tomos que comparten electrones adyacentes, se llaman
Enlaces Covalentes, estos enlaces crean un equilibrio de fuerzas que mantiene
unidos los tomos de Silicio.
Cada tomo de silicio comparte sus 4
electrones de valencia con los
tomos vecinos, de tal forma que
tiene 8 electrones en la rbita de
valencia.

Cristal de Silicio

La fuerza del enlace covalente es tan

grande porque son 8 los electrones
que
quedan
(aunque
sean
compartidos) con cada tomo, gracias
a esta caracterstica los enlaces
covalentes son de una gran solidez.
Se conocen como electrones ligados

Debido a los electrones ligados un cristal de silicio a temperatura ambiente

(25C aproximadamente) es casi un aislante perfecto.
La temperatura ambiente es la temperatura del aire circundante. Si esta
temperatura es mayor que el cero absoluto (-273C) la energa trmica del aire
provoca que los tomos dentro del cristal de Silicio vibren.
Mayor Temperatura ==> Ms Electrones Libres

A veces las vibraciones provocan que se

desligue un electrn del orbital de valencia.
Este obtiene energa suficiente para
situarse en un orbital de mayor nivel
energtico, pasando a ser un electrn
libre.
La salida del electrn deja un vaco en el
orbital de valencia que se comporta como
una carga positiva, llamndose hueco.
En un cristal de Silicio, debido a la energa trmica se crean igual nmero de
electrones libres y de huecos, dicho electrones se mueven al azar dentro del cristal.
En ocasiones un electrn libre ser atrado por un hueco y caer hacia a l, esta
unin de un electrn libre y un hueco se llama recombinacin.
El tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina tiempo
de vida.

En resumen, en todo instante dentro de un cristal en todo momento ocurre

esto:
Por la energa trmica se estn creando electrones libres y huecos.
Se recombinan otros electrones libres y huecos.

Quedan algunos electrones libres y huecos en un estado intermedio, en el

que han sido creados y todava no se han recombinado.

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Corresponde aquellos que se encuentran en estado puro. A temperatura
ambiente se comporta ms o menos como un aislante ya que slo tiene unos
pocos electrones libre y huecos.
Este tipo de semiconductor tiene la misma cantidad de electrones libres que
de huecos.
Si aplica una voltaje se forzar a los
electrones libres a circular hacia la
derecha (del terminal negativo de la pila al
positivo) y a los huecos hacia la izquierda.
La corriente en un semiconductor se
considerar como un flujo combinado de
electrones libres y huecos ,que se mueven
en direcciones opuestas.
Los electrones libres y huecos reciben el nombre de portadores ya que
transportan la carga elctrica de un lugar otro.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Son los semiconductores que estn dopados, es cuando se aaden tomos de
impurezas en l. Para modificar su conductividad elctrica.
Hay dos tipos dependiendo de que tipo de impurezas que posean:
semiconductores tipo n y semiconductores tipo p
Semiconductor Tipo n : Dopados con exceso de electrones libres, debido a
esto los electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los
portadores minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones
libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. En la
figura, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con
los electrones libres del circuito externo.

Los electrones libres de la figura circulan

hacia el extremo izquierdo del cristal,
donde entran al conductor y fluyen hacia
el positivo de la batera

Semiconductor Tipo p : Dopados con exceso de huecos, debido a esto los

electrones libres son los portadores minoritarios y los huecos son los
portadores mayoritarios.

Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y

los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al
extremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del
circuito externo. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del
cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

En el circuito hay tambin un flujo de

portadores minoritarios. Los electrones
libres dentro del semiconductor
circulan de derecha a izquierda. Como
hay
muy
pocos
portadores
minoritarios, su efecto es casi
despreciable en este circuito.

DIODO NO POLARIZADO
Barrera de potencial
Si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de
tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas
forman los "Diodos".
El tomo en un cristal de silicio (Si) que produce un electrn libre y se
puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un
punto relleno (que sera el electrn) al lado.
El tomo en un cristal de silicio (Si) con signo "-" encerrado en un
circulo y con un punto sin rellenar al lado, simbolizara un hueco.
La representacin de un semiconductor tipo n
Electrones libres: Portadores Mayoritarios
Huecos: Portadores Minoritarios

La representacin de un semiconductor tipo p

Electrones libres: Portadores Minoritarios
Huecos: Portadores Mayoritarios

La unin de las regiones p y n ser:

Juntando las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin pn".

Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en

el lado n con carga positiva y en el p con carga negativa
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman Dipolos, al aumentar los
dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la
llamada "Zona de deplexin".

BARRERA DE POTENCIAL
Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y
al entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico
trata de devolverlos a la zona n.

La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza
hasta llegar al equilibrio.
El campo elctrico acabar por detener la difusin de electrones a travs de
la unin.

El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de

potencial o voltaje llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:
0,3 V para diodos de Ge.
0,7 V para diodos de Si.

Se debe tener en cuenta:

Polarizar: Aplicar un voltaje, por ejemplo: conectar una pila.
No polarizado: No aplicar un voltaje, por ejemplo: Un circuito abierto
z.c.e.: Zona de carga espacial o zona de deplexin (W).

POLARIZACION DIRECTA
Es cuando el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y
el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n.

V>W

I >>

Aplicando un voltaje V mayor que la barrera de potencial W, provoca que

los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Apareciendo una
corriente muy grande.

Los electrones libres abandonan el terminal negativo de la fuente entran

en el extremo derecho del cristal. Viajan por la regin n hasta que
alcanzan la unin.
En un cristal de Silicio tenemos una tensin V mayor que W = 0,7 V, los
electrn libres tienen la suficiente energa para atravesar la zona de
deplexin.
En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de
valencia desplazndose a travs de la zona p. Tras abandonar el extremo
izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

POLARIZACION INVERSA
Es cuando se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se
polariza en inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el
positivo al n.

La zona deplexin (z.c.e.) se ensancha, ya que el terminal negativo de la

batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones libres.

El voltaje aplicado V es proporcional a la anchura de la zona de deplexin W.

A medida que los electrones libre y los huecos se alejan de la unin, los iones
recin creados hacen que aumente la diferencia de potencial a travs de la
zona de deplexin.

La zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es

igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan
de alejarse de la unin.
Debido al aumento de la anchura de la zona deplexin la corriente que circula
es aproximadamente cero.

En polarizacin inversa circula una pequea corriente por el circuito,

debido a que la energa trmica empuja a los electrones hacia la derecha y
el hueco a la izquierda del cristal.
Esto crea continuamente pares de electrones libres y huecos, estos se
recombinan en la zona de deplexin pueden vivir lo suficiente para cruzar la
unin.
Esta corriente se conoce como Corriente Inversa de Saturacin (IS) que
depende de la temperatura.

T => IS

Muchas veces, esta corriente es tan pequea que pasa inadvertida

Tambin existe otra corriente, conocida como Corriente Superficial de

Fugas (If) causada por las impurezas del cristal y las imperfecciones en su
estructura interna.
Esta corriente depende del voltaje aplicado por la fuente (V VP).

V => If

I = Is + If
----

----

I = Is + If

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

I = Is + If

RUPTURA
Existen un lmite mximo del voltaje aplicado en inversa con que se puede
polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo.
EFECTO AVALANCHA
Es cuando la tensin aplicada es muy grande provocando un aumento en la
zona de deplexin. Esto origina una corriente de ruptura muy grande que
destruir al diodo
La corriente inversa es muy grande debido
que
en
este
efecto
se
liberan
sucesivamente muchos electrones libres.

A medida que la tensin aplicada aumenta

los portadores minoritarios se mueven muy
rpido chocando con los tomos del cristal
golpeando a los electrones libres
liberndolos

La tensin de ruptura de un diodo depende de su nivel de dopaje. Con

diodos mas comunes (rectificadores), la tensin de ruptura suele ser
mayor de 50 V.
Generalmente los diodos no deben operar en la zona de ruptura,
excepcin es el diodo Zener que poseen una zona deplexin muy
pequea en donde estn muy juntos los tomos de impurezas teniendo
as ms carga en menos espacio.

BIBLIOGRAFA

Malvino A.
Principios de Electrnica,
Editorial Mc GRAW HILL, 6ta edicin, ISBN: 8448125681

2000

Andrs Aranzabal Olea

ELECTRNICA BSICA
Curso de Electrnica Bsica en Internet
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/TEMA2.htm