INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA: ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y

ELCTRICA
INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRONICA

ALUMNOS:

SNCHEZ MUOZ RAFAEL

QUIRINO REYES EDUARDO
GRUPO: 5CM2
PRACTICA #2 POLARIDAD Y UMBRAL DEL DIODO
NOMBRE DEL PROFESOR: ENCISO BARRON MAURO CESAR

FECHA: 1 de octubre del 2013

MARCO TERICO:

Semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se caracterizan, porque tienen un
pequeo porcentaje de impurezas, respecto a los intrnsecos; esto es,
posee elementos trivalentes o pentavalentes, o lo que es lo mismo, se
dice que el elemento est dopado.
Dependiendo de si est dopado de
pentavalentes, se diferencian dos tipos:

elementos

trivalentes,

Semiconductores extrnsecos tipo n:

Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por
ejemplo (As, P, Sb). Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que
tienen cinco electrones en la ltima capa, lo que hace que al formarse la
estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn enlace
covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como
consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares eh, se liberan los electrones que no se han unido.
Como ahora en el semiconductor existe un mayor nmero de electrones
que de huecos, se dice que los electrones son los portadores
mayoritarios, y a las impurezas se las llama donadoras.
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma
muy elevada, por ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por
cada 1000 tomos de silicio, la conductividad es 24100 veces mayor que
la del silicio puro.

Semiconductores extrnsecos de tipo p:

En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al,
B, Ga, In). El hecho de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la
estructura cristalina, dejen una vacante con un nivel energtico
ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto
electrn que lo rellenara.

Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando
huecos en la banda de valencia, y siendo los huecos portadores
mayoritarios.

Diodo semiconductor
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se
puede encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los
diodos se fabrican en versiones de silicio (la ms utilizada) y de
germanio.
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,
separados por una juntura llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de

0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el

diodo
de
silicio.

Fundamentos de la operacin del diodo

Los diodos son dispositivos semiconductores que controlan la direccin
del flujo elctrico en un circuito. Tienen un nodo cargado positivamente
y un ctodo cargado negativamente. Cuando un voltaje positivo se
conecta a los nodos, pasa corriente elctrica a travs del diodo y el
ctodo. Esta accin se llama "polarizacin". Sin embargo, cuando el
voltaje positivo se conecta al ctodo, el diodo bloquea la corriente. Esta
accin es la "polarizacin inversa". Este principio bsico de
funcionamiento del diodo los hace muy adecuados para sus usos en
rectificadores.

DESARROLLO:
Experimento 1
Armar el circuito y medir la corriente del circuito, el voltaje en la
resistencia muestreadora y la R 2, aplicando un voltaje CD constante para
resistencias mayor, menor e igual que la resistencia muestreadora.
Resistencia
muestreadora

Conectar el comn

Cambiar resistencia
R2

VR1
6.08
9.17

I
VR2
R1
=I(cto)
6.08 mA
-6.08
9.17 mA
-3

R1

R2
1K
1K

1K
330

R1= R2
R1>R2

0.54
2.15

0.54 mA
2.15 mA

-11.63
-10.4

1K
1K

22K
4.6K

R1< R2
R1< R2

Experimento 2
Armar el circuito y medir la corriente del circuito, el voltaje en la
resistencia muestreadora y la R2, aplicando un voltaje CA constante
para resistencias mayor, menor e igual que la resistencia muestreadora.
(use el generador de funciones)

Resistencia
muestreadora

Cambiar resistencia
R2

El voltaje Vpp de la fuente fue de 23[v]

VR1
Vpp
11.3
16.6
1.12
4.40

Vrms
3.88
5.73
0.352
1.39

I R1
=I(cto)
11.3 mA
16.6 mA
1.12 mA
4.40 mA

VR2
Vpp
11.3
6
21.7
19

Vrms
3.88
1.92
7.52
6.45

R1

R2

1K
1K
1K
1K

1K
330
22K
4.6K

R1= R2
R1>R2
R1< R2
R1< R2

R1= R2
R1< R2

R1>R2

Experimento 3
Cambie la resistencia R2 por un diodo de la serie 4001 o equivalente, y
mida los mismos parmetros (use el generador de funciones)

POLARIZACIN DIRECTA DEL DIODO

VR1
Vpp
Vrms
10.8
5.07

I R1
=I(cto)
10.8
mA

VD
Vpp
Vrms
12.1

5.59

R1

DIODO

1K

Polarizacin
directa del diodo

Experimento 4
Cambie la resistencia R2 por un diodo de la serie 4001 o equivalente, y
mida los mismos parmetros (use el generador de funciones), invirtiendo
la polaridad que se utilizo en el experimento 3.

POLARIZACIN INVERZA DEL DIODO

VR1
Vpp
10.3

Vrms
4.67

I R1
=I(cto)
10.3
mA

VD
Vpp
12.6

Vrms
5.98

R1

DIODO

1K

Polarizacin
inverza del diodo

Experimento 5
Finalmente mediante modo xy del osciloscopio logramos observar la grfica del
diodo de voltaje contra corriente.

Cambiando al modo
XY
En polarizacin
directa

Cambiando al modo
XY
En polarizacin
inversa

Observacin
ms
detallada
aproximadamente 0.4 [V]

del

voltaje

umbral

del

diodo

CONCLUSIN
Para esta prctica, se empleo el principio del divisor de voltaje, de
igual forma la ley de kirchoft de voltajes, teniendo que la suma de
los voltajes de R1 + R2 nos tendr que dar el voltaje con el cual
alimentamos el circuito.
Al elaborar esta prctica se fue variando el valor de la resistencia
R2 con valores R1= R2, R1>R2 y R1< R2 dejando fijo el valor
de R1.
Al alimentar el CTO. Con el generador de funciones pudimos
observar la forma de onda del voltaje presente en cada resistor,
tomando lecturas de los voltajes pico-pico y el rms, de igual forma
notamos que al sustituir por resistencias mayores, el voltaje era

proporcional, presentndose el valor ms grande cuando nuestro

resistor era de 22K y el menor cuando sustituimos un resistor de
330.
En el caso cuando sustituimos el resistor R2, por un diodo se
presenta un valor de voltaje, pero su forma de onda era rectificada,
y todo dependiendo de que forma se polarizara era como se
observa, la forma de onda en donde se eliminaban los ciclos
negativos o positivos segn fuera el caso.
Al tener el osciloscopio en la forma XY, se pudo observar la curva
caracterstica del diodo, en donde la curva se observaba el voltaje
umbral mnimo para el diodo pueda dejar circular una corriente
atraves del l.