Gua de Estudio

1. Las caractersticas de un diodo ideal son exactamente las de un ____________, excepto por el
hecho importante de que un diodo ideal puede __________________________.
2. El diodo ideal es un __________ en la regin de conduccin y un _______________ en la regin de
no conduccin.
3. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad _______ la de un buen
conductor y la de un aislante.
4. _______________ de una ecuacin diferencial es la funcin que satisface a ecuacin y que contiene
una o ms constantes arbitrarias (obtenidas de las integraciones sucesivas).
5. Un enlace de tomos, reforzado por la _____________ entre tomos vecinos, se llama enlace
covalente.
6. Los
materiales
intrnsecos
son
aquellos
semiconductores
que
tienen
un
________________________ en tanto que los materiales extrnsecos son semiconductores que se
____________________________.
7. Para determinar el estado de un diodo, ______________________ y determine la polaridad del
voltaje y la direccin de la corriente convencional a travs de l. Si el voltaje que lo cruza tiene
polarizacin en directa y la ________________________________, el diodo est conduciendo.
8. La rectificacin es un proceso mediante el cual una forma de onda aplicada de ______________
cero se cambia a una que ________________. Con seales aplicadas de ms de algunos volts,
normalmente se puede aplicar la aproximacin de diodo ideal
9. Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vaco o
bulbos. Son (1) __________, (2) __________, (3) ms ___________, y (4) ms _________. Adems,
no requieren (1) ___________, (2) ni __________, y conducen (3) _________________________
10. Los transistores son _________________ de tres capas semiconductoras que tienen una base o
capa central mucho ms _________ que las otras dos. Las dos capas externas son de materiales
tipo n o p, con la capa emparedada de tipo opuesto.
11. Una unin p-n de un transistor se ______________, en tanto que la otra se _______________.
12. La corriente directa en el emisor siempre es ______________ de un transistor, en tanto que la
corriente de la base es la ___________. La corriente en el emisor siempre es la suma de las otras
dos.
13. La flecha en el smbolo del transistor define la direccin del _________________________________
y por lo cual define la direccin de las otras corrientes del dispositivo.
14. Un dispositivo de tres terminales requiere ______________________ para definir por completo sus
caractersticas.
15. En la regin activa de un transistor, la unin base-emisor se ____________________, en tanto que
la unin colector-base se __________________.
16. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base se _______________.
17. En la regin de saturacin las uniones base-emisor y colector-base se ________________.
18. En promedio, como una primera aproximacin, se puede suponer que el voltaje base a emisor de
un transistor en operacin es de ______ V.
19. Un _____________________________ es aqul en el cual una corriente define las condiciones de
operacin, en tanto que un ____________________ es aqul en el cual un voltaje particular define
sus condiciones de operacin
20. El JFET en realidad puede ser utilizado como un ______________________ por su sensibilidad
nica a la impedancia del drenaje a la fuente al voltaje de la compuerta a la fuente

21. Determine

Vo e I D para la siguiente red

Gua de Estudio

Vo
b) Vo
c) Vo
d) Vo
a)

4.3V , I D 1.955mA
4.3V , I D 1.955mA
1.3V , I D 2.955mA
3.3V , I D 3.5mA

22. Dada la informacin que aparece en la figura , determine

a. I C

Vcc
c.
d. RB
b.

4mA,Vcc 16V , 200, RB 763k

2mA,Vcc 6V , 100, RB 420k
1mA,Vcc 1V , 40, RB 220k
20mA,Vcc 6V , 20, RB 63k
23. Dado el valor medido de VD determine
a. I DQ
Ic
b. I c
c. I c
d. I c
a.

Gua de Estudio
b.

VDS

c.

VGG

a.

I DQ 2.125mA,VDS 9V , VGG 5.5V

b.

I DQ 3.125mA,VDS 9V , VGG 1.5V

c.

I DQ 4.125mA,VDS 18V , VGG 1.5V

d.

I DQ 45mA,VDS 10V , VGG 15V

24. Cul es el voltaje de salida en el circuito de la figura?

a. 8.75V
b. 18.75V
c. 24V
d. 55V
25. Determine el voltaje de salida para el circuito

Gua de Estudio

a.
b.
c.
d.

24V
12V
1.02V
4.51V