Materiales Tipo N y Tipo P

Los semiconductores son materiales cuya conductividad vara con la temperatura,

pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Resulta que se desean
variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables
elctricamente por el hombre.
Cuando al silicio puro se lo contamina con tomos de impureza trivalentes (Boro,
Aluminio, Galio) o pentavalente (Fosforo, Arsnico, Antimonio y Bismuto) se obtiene
un semiconductor extrnseco capaz de conducir la electricidad, pues hay gran
cantidad de electrones y lagunas.

Cuando la contaminacin es con impurezas pentavalente (Fosforo "P") se forma el

semiconductor tipo N y da origen a un electrn libre o carga negativa.

Cuando la contaminacin es con impurezas trivalente (Boro "B") se forma el

semiconductor tipo P y da origen a un hueco, laguna o carga positiva.

Tipos de Diodos
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y
mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia
depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un
conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es insignificante.
El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes
factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y cantidad de
impurezas presentes en la sustancia. Los diodos, en general se identifican mediante
una referencia. En el sistema americano, la referencia consta del prefijo 1N
seguido del nmero de serie, por ejemplo: 1N4004. La N significa que se trata de
un semiconductor, el 1 indica el nmero de uniones PN y el 4004 las
caractersticas o especificaciones exactas del dispositivo. En el sistema europeo o
continental se emplea el prefijo de dos letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la
B indica el material (silicio) y la Y el tipo (rectificador). Sin embargo muchos
fabricantes emplean sus propias referencias, por ejemplo: ECG581.

DIODO DETECTOR O DE BAJA SEAL

Los diodos detectores tambin denominados diodos de seal o de contacto puntual,
estn hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unin PN muy diminuta.
Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con seales pequeas. Se emplea

por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta frecuencia

(portadora) de la componente de baja frecuencia (informacin audible). Esta
operacin se denomina deteccin.

DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no
conducen. Estas caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar
una seal. Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el
voltaje inverso que pueden soportar.

DIODO ZNER
Un diodo zener es un semiconductor que se distingue por su capacidad de mantener
un voltaje constante en sus terminales cuando se encuentran polarizados
inversamente, y por ello se emplean como elementos de control, se les encuentra
con capacidad de watt hasta 50 watt y para tensiones de 2.4 voltios hasta 200
voltios. El diodo zener polarizado directamente se comporta como un diodo normal,
su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.
Los diodos zener se identifican por una
referencia, como por ejemplo: 1N3828
BZX85, y se especifican principalmente por su
voltaje zener nominal (VZ) y la potencia
mxima que pueden absorber en forma segura
sin destruirse (PZ)

DIODO VARACTOR
El diodo varactor tambin conocido como diodo varicap o diodo de sintona. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actan como

condensadores variables controlados por voltaje. Esta caracterstica los hace muy
tiles como elementos de sintona en receptores de radio y televisin. Son tambin
muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de FM
y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos
SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

DIODO EMISOR DE LUZ (LEDs)

Es un diodo que entrega luz al aplicrsele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinacin de huecos y electrones cerca de la unin NP; si
este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, mbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composicin.

DIODO LSER
Los diodos lser, tambin conocidos como lseres de inyeccin o ILDs. Son LEDs
que emiten una luz monocromtica, generalmente roja o infrarroja, fuertemente
concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras
y sistemas de audio y video para leer discos
compactos (CDs) que contienen datos, msica,
pelculas, etc., as como en sistemas de
comunicaciones para enviar informacin a travs de
cables de fibra ptica. Tambin se emplean en
marcadores luminosos, lectores de cdigos de barras
y otras muchas aplicaciones.

DIODO ESTABILIZADOR

Est formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una cada de
tensin correspondiente a su tensin umbral.
Trabajan en polarizacin directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a
lo que hacen los diodos Zner.

DIODO TNEL
Los diodos tnel, tambin conocidos como diodos Esaki. Se caracterizan por poseer
una zona de agotamiento extremadamente delgada y tener en su curva una regin
de resistencia negativa donde la corriente disminuye a medida que aumenta el
voltaje. Esta ltima propiedad los hace muy tiles como detectores, amplificadores,
osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de alta frecuencia.

DIODO PIN
Su nombre deriva de su formacin P(material P), I(zona intrnseca)y N(material N)
Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje
y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. Tambin se disponen de diodos
TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a
frecuencias muy elevadas, donde la capacidad de
respuesta de los diodos comunes est limitada por
su tiempo de trnsito, es decir el tiempo que tardan
los portadores de carga en atravesar la unin PN.
Los ms conocidos son los diodos Gunn, PIN e
IMPATT.

DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarizacin inversa una zona de
resistencia negativa similar a las de los diodos tnel

DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de
portadores calientes, estn hechos de silicio y se caracterizan por poseer una cada
de voltaje directa muy pequea, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy rpidos.
Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.

FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente
inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que
pasa por la ventana e incide sobre la unin PN. A mayor cantidad de luz incidente,
mayor es la corriente inversa producida por que
se genera un mayor nmero de portadores
minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados
como sensores de luz en fotografa, sistemas de
iluminacin, contadores de objetos, sistemas de
seguridad, receptores de comunicaciones
pticas y otras aplicaciones.

Tipos de Transistores

Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificacin ms aceptada

consiste en dividirlos en transistores bipolares o BJT (Bipolar Junction Transistor) y
transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor). La familia de los
transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando los JFET,
MOSFET, MISFET, etc...
La diferencia bsica entre ambos tipos de transistor radica en la forma en que se
controla el flujo de corriente. En los transistores bipolares, que poseen una baja
impedancia de entrada, el control se ejerce inyectando una baja corriente (corriente
de base), mientras que en el caso de los transistores de efecto de campo, que
poseen una alta impedancia, es mediante voltaje (tensin de compuerta).
TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores bipolares surgen de la unin de tres cristales de semiconductor con
dopajes diferentes e intercambiados. Se puede tener por tanto transistores PNP o
NPN. Tecnolgicamente se desarrollaron antes que los de efecto de campo o FET.
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales denominadas puerta (o gate) a la equivalente a la base del
BJT, y que regula el paso de corriente por las otras dos terminales, llamadas drenaje
(drain) y fuente (source).
Presentan diferencias de comportamiento respecto a los BJT. Una diferencia
significativa es que, en los MOSFET, la puerta no absorbe intensidad en absoluto,
frente a los BJT, donde la intensidad que atraviesa la base es pequea en
comparacin con la que circula por las otras terminales, pero no siempre puede ser
despreciada.
As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de
campo o FET poseen tambin dos tipos. Aquellos en los cuales la aplicacin del
voltaje de gate o puerta produce un aumento de la resistencia al paso de la corriente,
y aquellos en que dicha tensin la disminuye.
TRANSISTORES DE POTENCIA
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente
los transistores son empleados en convertidores estticos de potencia,
principalmente Inversores.

TIPOS DE TIRISTORES

El tiristor (gr.: puerta) es un componente electrnico constituido por elementos

semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una conmutacin.
Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque solamente
transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente para el control
de potencia elctrica.
El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo PNPN
entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores tpicos PNP y
NPN, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con tensin realimentada. Se
crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta
est conectado a la unin J2 (unin NP).
SCR

(Silicon Controlled Rectifier). Interruptor unidireccional

El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres

terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR.
Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de
uso ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para
cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que
van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A.
Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO Tiene un voltaje de
ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente iG, presente en el
SCR Se desactiva cuando la corriente iD que fluye por l cae por debajo de IH
Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje
mximo inverso.
GTO

(Gate Turn-off) Interruptor unidireccional. Apagado por puerta

Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por
compuerta (GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una
pulsacin suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente
iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido usando desde 1960,
solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al final
de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las
unidades de control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de
componentes externos para apagar los SCR en circuitos de CC. Un tiristor GTO
requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn.
Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del
orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente
negativa de entre 20 y 30m s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente
negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato.
TRIAC

(Triode AC) Interruptor bidireccional

Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin,

con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el
momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra
en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la
corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia
que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su
compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente
cae por debajo de IH.

Es un tipo de tiristor bidireccional

Se puede considerar como dos tiristores SCR

Tiene tres terminales T1, T2 y G (puerta)

Se activa con pulso negativo o positivo

Tiene parmetros anlogos al SCR

DIAC

(Diode AC) Interruptor bidireccional (Control de tiristores)

Dispositivo bidireccional

Curva caracterstica similar a la del TRIAC

Para que est activo se debe superar la tensin de ruptura directa VBO

Permanece en estado de baja impedancia siempre que la corriente no

descienda de la de mantenimiento

Se suele utilizar como circuito de disparo del TRIAC

(RTC) Tiristores de conduccin inversa.

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a
travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a
una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de
conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2v por debajo
de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones
transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido
en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.
Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del
circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado,
tal y como se muestra en la figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor
asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000v y la
especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es
tpicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida

la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del

diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.
(SITH) Tiristores de induccin esttica.
Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta,
como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su
compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como
consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una
baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y
corriente ms altas.
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de
dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin
de voltaje puede alcanzar hasta 2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este
dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que
pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de
importancia en sus caractersticas.
(LASCR) Rectificadores controlados de silicio activados por luz.
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio
provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin
producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La
estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad
para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para
cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt).
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo,
transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva
esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento
elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos
de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como
4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt
tpico es 250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.

(FET-CTH) Tiristores controlados por FET.

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como

se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un
voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo
para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se
puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en
las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento
elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del
convertidor de potencia.
(MCT) Tiristores controlados por MOS.
Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor
regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito
equivalente se muestra en la figura siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la
(a). La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un
transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un
MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2.