CINCIA DOS MATERIAIS

Propriedades eltricas
CURSO: ENGENHARIA MECNICA
ANO: 1
SEMESTRE: 1

CONDUO ELTRICA
Reviso de conceitos

Esquema de montagem para medio de resistividade eltrica.

2

CONDUO ELTRICA
Reviso de conceitos

V =R I

Lei de Ohm, que relaciona a corrente eltrica I que

passa atravs de um material de resistncia R,
quando aplicada uma diferena de potencial V.

RA
=

A resistividade independente da geometria da

amostra, mas pode ser relacionada com R.
A a rea da seco reta perpendicular direo
da passagem de corrente e a distncia entre
os pontos onde medida a diferena de potencial.

1
=

O inverso da resistividade a condutividade

eltrica .

CONDUO ELTRICA
Reviso de conceitos

J= E

Lei de Ohm, expressa atravs da densidade de

corrente J (corrente por unidade de rea da amostra,
I/A) e da intensidade de campo eltrico E.

V
E=

O campo eltrico E a razo entre a diferena de

potencial entre dois pontos e a distncia entre eles.

CONDUO ELTRICA
Grandeza

Smbolo

Unidades SI

Diferena de potencial

Resistncia eltrica

Corrente eltrica

Resistividade eltrica

Condutividade eltrica

(m)-1

Densidade de corrente

A/m2

Campo eltrico

V/m

CONDUO ELTRICA

Do ponto de vista da condutividade eltrica definem-se trs

categorias de materiais:

Condutividade
Isoladores .........................................10-14 - 10-5 (m)-1
Semicondutores ................................10-5 - 103 (m)-1
Condutores ........................................103 - 108 (m)-1

MATERIAL

CONDUTIVIDADE (m)-1

Cobre

6x107

Alumnio

3x107

Ao inox

106

Carboneto de silcio

10

xido de zinco

102

Carboneto de boro
Vidro de vidraa
Baquelite

2x102
10-5 10-6
10-11

Porcelana para baixa tenso

10-10 10-12

Mica

10-11 10-15

CONDUO ELETRNICA E INICA

Conduo eletrnica corrente eltrica gerada pelo movimento de

eletres nos materiais slidos.

Conduo inica corrente eltrica gerada pelo movimento de

ies nos materiais inicos.

CONDUO ELETRNICA
Estrutura de bandas nos slidos

Em todos os materiais condutores, semicondutores e nalguns

isoladores existe apenas a conduo eletrnica e a condutividade
eltrica dependente do n de eletres disponveis para participar no
processo.
Esses eletres so influenciados pela proximidade de outros
formando bandas energticas eletrnicas. A sobreposio (ou no)
de

bandas

depende

da

distncia

interatmica

afeta

(essencialmente) os eletres mais externos dos tomos.

9

ESTRUTURA DE BANDAS NOS SLIDOS

Bandas energticas

Hiato energtico
Eg

Estado energtico discreto

Formao de bandas em situao de equilbrio interatmico.

Podem existir espaamentos entre bandas (hiatos) que, normalmente, no
esto disponveis para eletres.

10

ESTRUTURA DE BANDAS NOS SLIDOS

Diversas possibilidades de estrutura de bandas em slidos a 0 K.

(No 2 caso h sobreposio de bandas)

Ef energia de Fermi energia correspondente ao estado mais elevado

completo

11

ESTRUTURA DE BANDAS NOS SLIDOS

Banda vazia
Banda vazia
Espaamento
entre bandas
Estados
vazios
Estados
preenchidos

Banda de
conduo
vazia
Espaamento
entre bandas

Estados
preenchidos

(a)
(b)
Materiais condutores

Banda de
valncia
preenchida

(c)
Semicondutores

Banda de
conduo
vazia

Espaamento
entre bandas

Banda de
valncia
preenchida

(d)
Isolantes

12

ESTRUTURA DE BANDAS NOS SLIDOS

4 tipos diferentes de estruturas de bandas para uma temperatura de 0 K:
(a) Uma banda mais externa est apenas parcialmente preenchida com eletres. Esta
estrutura de bandas de energia caracterstica de alguns metais, em particular,
daqueles que possuem um nico eletro de valncia, como por exemplo, o cobre.
(b) Estrutura de bandas tambm apresentada por metais. Existe uma sobreposio de
uma banda vazia com uma banda preenchida. Exemplo: magnsio.

(c) e (d) apresentam estruturas eletrnicas semelhantes. Uma banda de valncia est
completamente preenchida com eletres e est separada de uma banda de
conduo vazia atravs de um espaamento entre bandas (hiato).
A diferena entre as duas estruturas de bandas est na magnitude do espaamento
entre as bandas de energia. Nos materiais semicondutores (c) o espaamento
entre as bandas de energia relativamente estreito, enquanto nos materiais
isolantes (d) esse espaamento entre as bandas amplo (Eg > 2 eV).
13

CONDUO EM TERMOS DE BANDAS

Conceitos importantes
Apenas os eletres com energia superior energia de Fermi
podem ser excitados pela aplicao de um campo eltrico e
participar no processo de conduo. Chamam-se eletres livres.
Os buracos eletrnicos (lacunas) so entidades eletrnicas com
carga, encontrados nos semicondutores e isoladores, e que
participam tambm na conduo eletrnica. Tm energia inferior a
Ef.
A condutividade eltrica uma funo direta do nmero de eletres
e buracos eletrnicos.
A diferena entre condutores e no condutores (isoladores e
semicondutores) est no nmero de transportadores de carga.

14

CONDUO EM TERMOS DE BANDAS

Metais

Ocupao dos estados eletrnicos num metal:

(a) antes da excitao;
(b) aps excitao.

15

CONDUO EM TERMOS DE BANDAS

Isoladores e semicondutores

Ocupao dos estados eletrnicos em isoladores e semicondutores:

(a) antes da excitao;
(b) aps excitao onde so criados um eletro livre e um buraco eletrnico.

16

CONDUO EM TERMOS DE BANDAS

Isoladores e semicondutores

A energia para excitar estes eletres tem que ser superior ao valor
de Eg (energia do hiato eletrnico) e, normalmente, fornecida
por uma fonte luminosa ou de calor.
O n de eletres excitados termicamente depende de Eg mas
tambm da temperatura.
Um aumento da temperatura resulta num aumento de energia
trmica para excitar os eletres.

17

CONDUO EM TERMOS DE BANDAS

Isoladores e semicondutores

Do ponto de vista dos modelos de ligao atmica, os isoladores

tm ligaes inicas e/ou fortemente covalentes, ou seja, os
eletres de valncia esto ligados ou compartilhados, no estando
livres para se movimentarem.

Os semicondutores tm ligaes predominantemente covalentes,

relativamente fracas, sendo mais fcil a excitao trmica dos
eletres de valncia.
18

MOBILIDADE ELETRNICA
A velocidade de deriva com que um eletro se movimenta
quando sujeito aplicao de um campo eltrico E proporcional a
este campo. A constante de proporcionalidade chama-se
mobilidade do eletro, , e tem como unidades SI: metro
quadrado por volt-metro (m2/V.m).

= E
A condutividade da maioria dos materiais pode ser expressa por:

=ne
onde:
n nmero de eletres livres por unidade de volume
e valor absoluto da carga do eletro (1,6 x 10-19 C)
19

Resistividade eltrica dos metais

A resistividade eltrica de um metal pode ser descrita como a soma
de dois termos: uma componente trmica T e uma componente
residual r

total = T + r

A componente trmica resulta das vibraes dos tomos em torno

da sua posio de equilbrio na rede cristalina do material.
medida que a temperatura aumenta a resistividade eltrica dos
metais puros aumenta.
A componente residual da resistividade eltrica dos metais puros
pequena e devida a imperfeies estruturais tais como
deslocaes, limites de gro e tomos de impurezas, as quais
dispersam os eletres.

20

Resistividade eltrica dos metais

Para a maioria dos metais acima de -200C, a resistividade eltrica
varia ap. de forma linear com a temperatura:

T = 0 C (1 + T T)
0C resistividade eltrica a 0C
T coeficiente de temperatura da resistividade, C-1
T temperatura do metal, C

21

SEMICONDUTIVIDADE
A condutividade eltrica de semicondutores no to elevada
como a dos metais. As propriedades eltricas destes materiais so
muito sensveis presena de pequenas quantidades de
impurezas.

Chamam-se semicondutores intrnsecos aqueles materiais cujo

comportamento eltrico inerente sua estrutura eletrnica.

Chamam-se semicondutores extrnsecos aos materiais que

apresentam caractersticas eltricas derivadas da introduo de
impurezas.

22

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Os dois semicondutores intrnsecos elementares so o silcio (Si) e
o germnio (Ge), que tm Eg aproximado de 1,1 eV e 0,7 eV,
respetivamente.
Tanto os eletres como os
buracos

atuam

transportadores
quando

como

de carga,

aplicado

um

campo eltrico.
23

SEMICONDUTORES INTRNSECOS

Os eletres de conduo, tm
carga negativa e so atrados
para o terminal positivo de um
circuito eltrico, enquanto que
os buracos comportam-se como
cargas positivas e so atrados
para o terminal negativo do
circuito.

24

SEMICONDUTORES INTRNSECOS

Antes da excitao

Aps excitao
25

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Descrevendo atravs dos diagramas de bandas de energia:

Quando um eletro excitado atravs do

hiato de energia para a banda de
conduo

so

criados

dois

transportadores de carga:
um eletro carregado negativamente
um buraco carregado positivamente.

Usam-se os smbolos n e p para indicar as mobilidades

dos eletres e dos buracos, respetivamente.

26

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Como existem dois tipos de transportadores de carga (eletres e
buracos), a expresso para a condutividade eltrica de um
semicondutor inclui um termo correspondente contribuio dos
buracos:

= n e n + p e p
Que tambm pode ser escrita na forma:

= n q n + p q p
onde:
n = nmero de eletres condutores por unidade de volume
p = nmero de buracos condutores por unidade de volume
q = valor absoluto da carga dos eletres ou buracos (1,60x10-19 C)
n e p = mobilidade dos eletres e dos buracos, respetivamente

27

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Nos semicondutores intrnsecos elementares os eletres e os
buracos so criados aos pares, pelo que:

n = p = ni
= ni q (n + p )
em que ni = concentrao de transportadores intrnsecos

28

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Efeito da temperatura
A 0 K a banda de valncia dos semicondutores intrnsecos (como Si
e Ge) est completamente cheia e a banda de conduo est
completamente vazia.
A temperaturas acima de 0 K alguns eletres so termicamente
excitados atravs do hiato de energia at banda de conduo.
A concentrao ni de eletres com energia trmica suficiente para
passar banda de conduo:

ni e

Eg Emed kT

Eg = hiato de energia
Emed = energia mdia atravs do hiato
k = constante de Boltzmann (8,62x10-5 eV/K ou 1,38x10-23 J/K)
T = temperatura, K

29

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Efeito da temperatura
Nos semicondutores intrnsecos puros (como Si e Ge) Emed situa-se
a meio do hiato, ou seja, Emed = Eg/2.

ni e

Eg 2kT

e a condutividade eltrica:

= 0 e

Eg 2kT

ln = ln 0

Eg
2kT

0 uma constante que depende das mobilidades dos eletres e

dos buracos

30

SEMICONDUTORES INTRNSECOS
grupo

material

Eg
eV

s
m2/(V.s)

p
m2/(V.s)

14

Si

1,10

0,135

0,048

Ge

0,67

0,390

0,190

GaP

2,25

0,030

0,015

GaAs

1,47

0,720

0,020

GaSb

0,68

0,500

0,100

InP

1,27

0,460

0,010

InAs

0,36

3,300

0,045

InSb

0,17

8,000

0,045

ZnSe

2,67

0,053

0,002

ZnTe

2,26

0,053

0,090

CdSe

2,59

0,034

0,002

CdTe

1,50

0,070

0,007

13-15

12-16

31

EXERCCIO
Calcule a resistividade eltrica do silcio puro a 300K, sabendo que
ni=1,5x1016 transportadores/m3, q=1,60x10-19 C, n=0,135 m2/(V.s) e
p=0,0048 m2/(V.s)
Resoluo:

1
1
= =
ni q (n + p )
=

1
1,5x1016 x1,60x1019 (0,135 + 0,0048)

= 2,98x103 .m

32

EXERCCIO
A resistividade eltrica do silcio puro de 2,3x103 .m,
temperatura de 27C. Calcule a condutividade eltrica a 200C.
Admita que Eg = 1,1 eV e k = 8,62x10-5 eV/K
Resoluo:

473
300

Eg
0 exp

2kT
473
473

= exp(7,779)
300
Eg
0 exp

2kT
300

473 = 300 (2389) =

1
2,3x10

1
(2389)
=
1,04(

.m)
3

33

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
Nos

semicondutores

extrnsecos

comportamento

eltrico

determinado pela presena de impurezas que introduzem eletres ou

buracos

extra

(mesmo

presentes

em

pequenas

quantidades,

habitualmente entre 100 a 1000 ppm).

O processo de adicionar pequenas quantidades de impurezas
denominado dopagem e os tomos de impurezas so os dopantes.

34

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
Se um tomo de uma impureza de um
elemento do grupo 15 (por ex. o P)
substituir um tomo de silcio, haver
um eletro em excesso fracamente
ligado ao ncleo (energia de ligao
de

0,044

removido

eV),

sendo

facilmente

transformando-se

num

eletro livre.
A adio ao silcio ou ao germnio de tomos de P, As ou Sb,
origina eletres de conduo e, por isso, chamam-se tomos de
impureza doadores.
Os semicondutores formados designam-se por semicondutores
extrnsecos do tipo n (tipo negativo).

35

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
No diagrama de energias o eletro extra situa-se num nvel de
energia situado no hiato proibido, ligeiramente abaixo da banda de
conduo.
Este nvel de energia chama-se nvel doador.

36

semicondutor tipo n

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
O efeito contrrio obtm-se se se
adicionar ao silcio ou ao germnio,
tomos de impurezas do grupo 13
(Al,

ou

Ga)

os

quais

tm

deficincia de um eletro.
Essa deficincia pode ser vista como
a existncia de um buraco que vai
participar no processo de conduo.
A adio destas impurezas origina nveis aceitadores e, por isso,
chamam-se tomos aceitadores.
Os semicondutores formados designam-se por semicondutores
extrnsecos do tipo p (tipo positivo).

37

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
No diagrama de energias o tomo de impureza fornece um nvel de
energia chamado nvel aceitador, ligeiramente acima do nvel mais
alto da banda de valncia.

38

semicondutor tipo p

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS
Num semicondutor do tipo n, o nmero de eletres muito maior
que o nmero de buracos (n p), ento a condutividade ser:

n q n
Num condutor do tipo p, os buracos esto presentes em maior
concentrao que os eletres (p n), ento:

p q p

39

Influncia da temperatura na concentrao de

transportadores
A temperatura aumenta a
energia trmica necessria
para excitar os eletres para a
banda de conduo.
A concentrao de
transportadores sempre
maior para o Ge devido sua
menor banda proibida (Eg de
0,67 eV vs. 1,1 eV para o Si).
Concentrao de transportadores
intrnsecos vs. Temperatura para Si e Ge

40

Influncia da temperatura na concentrao de

transportadores
Comportamento de um
semicondutor extrnseco:
- A temperaturas abaixo de 100 K
a concentrao de eletres
baixa;
- Entre 150-450 K o material do
tipo-n e a concentrao de
eletres constante; chama-se
intervalo de exausto; nos
semicondutores tipo-p chama-se
intervalo de saturao;
- Acima de 500 K entra numa
regio intrnseca (energia
trmica suficiente para excitar
os eletres e ultrapassarem o Concentrao de eletres vs. Temperatura
para Si dopado com P com 1021
hiato).
transportadores/m3

41

Dispositivos semicondutores
Juno p-n
Um dodo um componente usado na eletrnica como retificador de
corrente (a corrente atravessa-o com muito mais facilidade num
sentido do que no inverso).
A maior parte destes dispositivos baseada nas propriedades da
fronteira de materiais do tipo p e do tipo n.

Juno p-n em equilbrio:

No h movimento de
transportadores e, por isso, no
h circulao de corrente.

42

Dispositivos semicondutores
Juno p-n
Se o material do tipo n estiver ligado ao terminal negativo de uma
bateria exterior e o material do tipo p ao terminal positivo, diz-se que
a juno p-n est em polarizao direta.
Os buracos do lado p e os eletres do lado n so atrados para a
juno, recombinam-se e anulam-se.
Por cada eletro que atravessa a juno e se recombina h outro
eletro vindo da bateria; em simultneo h um eletro que sai do
material tipo p (formando um buraco) em direo ao terminal
positivo da bateria, originando a passagem de corrente.

Juno p-n em polarizao direta

43

Dispositivos semicondutores
Juno p-n
Se o material do tipo n estiver ligado ao terminal positivo da bateria e o
material do tipo p ao terminal negativo, diz-se que a juno p-n est em
polarizao inversa.
Os eletres do lado n so atrados para o terminal positivo da bateria,
afastando-se da juno e os buracos so atrados pelo terminal
negativo, afastando-se da juno, aumentando a largura da barreira e
no havendo corrente transportada por estes transportadores.
Mas pode haver transportadores minoritrios, gerados termicamente,
que so atrados para a juno e originam uma corrente muito fraca
(corrente de fuga) da ordem de A.
Juno p-n em polarizao inversa
44

Dispositivos semicondutores
Dodos retificadores
Uma das principais utilizaes dos dodos de juno p-n a
converso de tenso alterna para tenso contnua (retificao) e os
dodos designam-se por dodos retificadores.
Quando se aplica um sinal alterno a um material p-n, o dodo s
conduz quando a regio p tiver uma tenso aplicada positiva em
relao a n.
O resultado uma retificao
de meia onda.
O sinal de sada pode ainda ser
alisado com outros
dispositivos e circuitos
eletrnicos por forma a obter-se
um sinal estacionrio.

polarizao
direta
disrupo

polarizao
inversa

45

Dispositivos semicondutores
Microeletrnica - transistores
Transistores so dispositivos semicondutores usados na
microeletrnica.

Dois dos tipos mais usados so os chamados:

transistores bipolares (ou bimodal ou de juno)

transistores de efeito de campo, chamados MOSFET (metal oxide
semiconductor field effect transistor)
46

Dispositivos semicondutores
transistores bipolares
Compostos de 2 junes p-n, formando configuraes n-p-n ou p-np. So usados como amplificadores de tenso.

47

Dispositivos semicondutores
transistores MOSFET
So criadas duas ilhas de silcio do tipo p num substrato de silcio
do tipo n.

48

Condutividade eltrica em cermicos e polmeros

Material

Condutividade
eltrica (.m)-1

Grafite

3x104 2x105
Cermicos

Beto (seco)

10-9

Vidro sodoclcico

10-10 10-11

Porcelana

10-10 10-12

Alumina

< 10-13

Slica fundida

< 10-18
Polmeros

Fenol-formaldedo

10-9 10-10

Nylon 6,6

10-12 10-13

Poliestireno

< 10-14

Polietileno

10-15 10-17

49