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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
2 Curso de Grado en Ingeniera Elctrica
Profesor:
Fundamentos de Electrnica
El diodo de unin:
Conceptos fundamentales.
Introduccin a la fsica del estado slido: semiconductores.
La unin P-N en equilibrio.
La unin P-N polarizada directamente.
La unin P-N polarizada inversamente.
Diodo ideal y diodo real.
Modelos del diodo.
Manejo de las hojas caractersticas.
Diodos especiales.
1.2
Fundamentos de Electrnica
Conceptos fundamentales:
1.3
Fundamentos de Electrnica
Conceptos fundamentales:
Nmero de estados
ms
1/2
1S
1/2
2S
-1
0
+1
1/2
1/2
1/2
2P
1/2
3S
-1
0
+1
1/2
1/2
1/2
3P
-2
-1
0
+1
+2
1/2
1/2
1/2
1/2
1/2
Nombre de la capa
K
M
3D
10
1.4
Fundamentos de Electrnica
Conceptos fundamentales:
Fundamentos de Electrnica
Conceptos fundamentales:
Parte interna del ncleo:
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior denominado
orbital de valencia.
La parte interna del tomo se considera como el ncleo ms todos los
orbitales internos
Ejemplo cobre:
Electrn libre:
Puesto que la atraccin entre la parte interna y el electrn de valencia
es muy dbil, una energa externa puede fcilmente arrancar este
electrn del tomo de cobre.
Por eso al electrn de valencia se le denomina electrn libre.
1.6
Fundamentos de Electrnica
Conceptos fundamentales:
Material conductor:
Es aquel en el que la energa ms pequea puede hacer que los
electrones libres se muevan de un tomo al siguiente.
Poseen menos de 4 electrones de valencia
Material aislante:
Es aquel en el que se necesita una elevada energa para que los electrones
libres se muevan de un tomo al siguiente.
Poseen ms de 4 electrones de valencia.
Principales aislantes: diamante, vidrio.
No existen materiales aislantes perfectos. Presentan una resistencia
elctrica 2,5x1024 veces mayor que los conductores.
Material semiconductor:
Es aquel que presenta propiedades elctricas entre las de un conductor y
un aislante.
Poseen 4 electrones de valencia
1.7
Principales semiconductores: germanio, silicio.
Fundamentos de Electrnica
Si
Si
Si
Si
Si
Si
0K
Si: silicio
Grupo IV de la
tabla peridica
Si
Si
Si
1.8
Fundamentos de Electrnica
Si
Si
Si
Si
Si
0K
+
Si
Electrn
300K
Hueco
Si
Si
Si
1.9
Fundamentos de Electrnica
+
Si
Si
Si
+
Si
Si
Si
Si
Si
Si
+
1.10
Fundamentos de Electrnica
1.11
Fundamentos de Electrnica
1.12
Fundamentos de Electrnica
Si
Si
Si
Sb
Si
Si
+
Si
Si
Si
Impurezas del
grupo V de la
tabla peridica
Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Sb
Fundamentos de Electrnica
Fundamentos de Electrnica
Si
Si
Si
Al
Si
Si
Si
Si
Si
Impurezas del
grupo III de la
tabla peridica
Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Al
Fundamentos de Electrnica
1.16
Fundamentos de Electrnica
Semiconductor tipo P
+
+
+
+
Semiconductor tipo N
1.17
Fundamentos de Electrnica
Semiconductor tipo P
+
+
+
+
Semiconductor tipo N
+
1.18
Fundamentos de Electrnica
+
+
+
+
1.19
Fundamentos de Electrnica
Concentracin de huecos
+
+
+
+
Concentracin de electrones
Distribucin de potencial
VD
1.20
Fundamentos de Electrnica
+
+
+
+
1.21
Fundamentos de Electrnica
+
+
+
+
Distribucin de potencial
VD
1.22
Fundamentos de Electrnica
La unin P-N
Conclusiones:
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica.
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
DIODO SEMICONDUCTOR
1.23
Fundamentos de Electrnica
+
V
Corto
(R = 0)
Abierto
(R = )
I
V
I
V
V
Batera
Resistencia
(R)
+
-
+
V
Fuente
Corriente
1.24
Fundamentos de Electrnica
DIODO IDEAL
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
El grfico V-I no es una
V lnea recta.
ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
1.25
Fundamentos de Electrnica
DIODO REAL
nodo
Smbolo:
VKDTq
Ecuacin: I D I S e 1
200
175
ruptura
150
Tensin nodo-ctodo en V
600
400
200
0
20
40
125
100
75
50
25
IS = Corriente Saturacin
Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo
60
80
100
codo
0
0
0.5
1.0
1.5
Tensin nodo-ctodo en V
120
140
Corriente diodo en mA
Corriente nodo en mA
ctodo
1.26
Fundamentos de Electrnica
i [mA]
i [mA]
30
Ge
Si
Si
Ge
V [Volt.]
-0.25
0.25
V [Volt.]
0
-4
0.5
i [A]
i [pA]
V [Volt.]
-0.5
Ge
V [Volt.]
0
-0.5
Si
-0.8
-10
1.27
Fundamentos de Electrnica
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3V
Si = 0.6V
Ideal
I
Tensin de codo y
Resistencia directa.
V
Resistencia inversa
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V
1.28
Fundamentos de Electrnica
Fundamentos de Electrnica
DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I
Tensin inversa
mxima
Lmite trmico,
seccin del conductor
Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
1.30
Fundamentos de Electrnica
1000V
1A
1V
50 nA
VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =
100V
150mA
1V
25 nA
1.31
Fundamentos de Electrnica
175
Corriente directa mA
150
125
100
RB =
75
0.875 V - 0.75 V
175 mA - 75 mA
= 1.25 W
50
25
0
0
0.5
1.0
Tensin directa en V
1.5
1.32
Fundamentos de Electrnica
175
Corriente directa mA
Resistencia DC
RF =
150
125
0.875 V
175 mA
= 5W
100
75
RF =
0.75 V
75 mA
50
= 10 W
25
0
0
0.5
1.0
1.5
La resistencia continua
disminuye al aumentar la
corriente.
1.33
Tensin directa en V
Fundamentos de Electrnica
Fundamentos de Electrnica
Solucin Grfica
200
Corriente directa en mA
175
150
1.5 V
10 W
125
100
75
Imax
1.5 V
=
10 W
50
Vcorte = 1.5 V
25
0
0
0.5
1.0
Fuente de tensin en V
1.5
Q es el punto de trabajo
Q (0.75 V, 75 mA)
1.35
Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
Tensin
Zener
(VZ)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).
Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.
Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima
1.36
Fundamentos de Electrnica
RS
Fuente de
alimentacin
VS
RL
VZ
Si el zener conduce:
VS - VZ
IS =
Este circuito regular cuando la tensin
del circuito equivalente Thevenin
sea mayor que la tensin zener.
VTH =
RL
RS + RL
VS
VZ
IL =
RS
IZ = IS - IL
RL
1.37
Fundamentos de Electrnica
VA(V)
VB(V)
VC(V)
Avera
18
10
10
Ninguna
18
18
18
Rs corto
Destruccin zener
18
14,2
14,2
Zener abierto
18
Rs abierta
Zener corto
No hay
alimentacin
RL
10V
1k
Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)
1.39
Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
i
V
0
iopt
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso
I = f(T)
V
T1
T2>T1
1.40
Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)
VCA
V
Zona
uso
iCC
Paneles de clulas
solares
1.41
Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
iS
+
UE
Alta frecuencia
Baja frecuencia
UE
iS
UE
iS
1.42
Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia
Fundamentos de Electrnica
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores de barrera
1.44