Transistores Unipolares

Un transitor unipolar es un
dispositivo electronico que
manipula el paso de corriente
entre su pines fuente y
drenaje a traves de campor
electrico, a diferencia de los
transistores bipolares que
tienen dos uniones PN , el
transistor unipolar solamente tiene una union PN, en
el cual la P o la N es considerada una puerta de
drenaje entre un canal N o P, la familia de transistores
unipolares es ligeramente amplia, pero todo tiene sus
inicios el el transistor de efecto de campo o FET que
se introdujo en 1952 por Julius Edgar Lilienfeld .

Su funcionamiento es diferente segn sea el canal,

para el canal N la Gate debe tener una impedancia de
entrada en High, mientras que la fuente debe tener un
Low, es decir los canales N se utilizan para permitir el
paso de muy bajos voltajes entre su fuente y drenaje,
para el canal P la Gate debe tener una impedancia de
entrada en Low, mientras que en la fuente un High, es
decir solo se utiliza para el paso de voltaje promedio
entre su fuente y su drenaje.

Estructura y terminales

Los
transistores
unipolares
estn
estructurados solamente
por una unin PN interna,
en la cual P o N es la
Gate y la otra es el canal
(semiconductor)
por
donde
circula
la
corriente, es decir la
Gate es una puerta que drena el voltaje que circula
entre sus terminales.

Tiene dos terminales y una entrada, sus dos

terminales se llaman Fuente y Drenaje y su entrada se
llama Gate (Puerta), siendo su Puerta la parte de
drenaje, su fuente el terminal que recibe el voltaje y
es drenado por la abertura de la puerta y el voltaje
restante sale por el terminal de drenaje.

En los MOSFET se aplica otra armadura adems de la

puerta a la que se le llama sustrato que se polariza
contraria a la puerta en cada caso de Canal P o N.

Smbolos del transistor unipolar

Caractersticas elctricas
Los transistores unipolares
se caracterizan por su nica
unin PN que consiste es
una puerta y una fuente y
un drenaje y un canal, el
canal conecta internamente
la fuente y el drenaje, el
canal pude ser Positivo o Negativo, segn sea P o N en
su canal solo puede circular una corriente alta o baja,
la puerta manipula como si fuera un resistencia
variable la cantidad de corriente que ha de pasar por
tal canal mediante el voltaje que se le aplica a la
misma.

En los canales N hay flujo de corriente entre sus

terminales solamente si se aplica un voltaje High a la
puerta y si se aplica un voltaje mnimo a su fuente, es
decir que mientras se aplique ms voltaje a su fuente
hay menos conduccin de corriente a su terminal de
drenaje.

En los canales P a diferencia de los canales N hay flujo

de corriente solamente si su puerta tiene un voltaje

Low y se aplica un voltaje mximo a su fuente, es

decir que mientras se aplique menos voltaje a su
fuente hay menos conduccin de corriente a su
terminal de drenaje.

Polarizacin
La Polarizacin de los transistores unipolares es
parecida a la de los transistores bipolares que se
saturan a baja o moderada corriente.

Los unipolares se polarizan segn sean de canal N o P

y sean FET o MOSFET:

FET:
-Canal
voltaje
-Canal
voltaje

P: se polariza mediante la aplicacin de un

mnimo a su puerta y un mximo a su fuente.
N: se polariza mediante la aplicacin de un
mximo a su puerta y uno mnimo a su fuente.

MOSFET:
El transistor MOSFET se polariza de la misma manera
que el FET sea canal P o Canal N solo con una
diferencia, el MOSFET tiene una entrada con la misma
funcin que la puerta, se le llama sustrato, el sustrato

se polariza inversamente a la puerta en cada caso,

ejemplo, en un MOSFET canal P el sustrato se polariza
positivamente.

Aplicaciones
Los

transistores

unipolares
tienen
diversas
aplicaciones, entre ellas
estn las de oponerse al
paso de la corriente,
disminuir
voltaje,
disminuir corriente, tiene
en si una similitud a
aplicaciones de tiristor, y

resistencias variables.

El ms utilizado es el MOSFET del cual se basa la

mayora de circuitos integrados digitales, el FET es
usualmente
aplicado
en
amplificadores
y
multiplexores.

Comparacin entre BJT y FET

El funcionamiento del transistor

de efecto de campo es distinto
al del BJT. En los MOSFET, la
puerta no absorbe corriente en
absoluto, frente a los BJT,
donde
la
corriente
que
atraviesa la base, pese a ser
pequea en comparacin con
la que circula por las otras
terminales, no siempre puede
ser despreciada. Los MOSFET,
adems,
presentan
un
comportamiento
capacitivo
muy acusado que hay que
tener en cuenta para el anlisis y diseo de circuitos.

El FET dispone de relativamente de baja ganancia en

comparacin con un BJT. El MOSFET tiene un
inconveniente de ser muy susceptibles a las tensiones
de sobrecarga, por lo que requieren una manipulacin
especial durante la instalacin.

Comparaciones internas de la
familia FET
Transistores FET:
-Canal N: para polarizarse debe tener un voltaje
mximo en la puerta para que pueda conducir,
mientras haya un voltaje mnimo en su fuente,
mientras ms alto el voltaje de la fuente el voltaje del
drenaje disminuye.
-Canal P: para polarizarse debe tener un voltaje
mnimo en la puerta para que pueda conducir,
mientras haya un voltaje mximo en su fuente,
mientras ms bajo el voltaje de la fuente el voltaje del
drenaje disminuye.

Transistores BJT:

-NPN: se satura al aplicar un voltaje High en su base,

mientras que su conector esta polarizado
positivamente frente a su emisor.
-PNP: se satura aplicando un voltaje Low en su base,
mientras que su conector esta polarizado
negativamente frente a su emisor.

Transistores FET y MOSFET:

En la polarizacin su nica diferencia est en la
armadura extra del MOSFET que se llama sustrato y se
polariza inversamente a la puerta.

El MOSFET est ms previsto a daos electroestticos

por su fragilidad entre puerta y canal, el FET cuando
se encuentra en estado lineal la corriente puede correr
en cualquier direccin poniendo la posicin elctrica
del drenaje y base de forma arbitraria.

Transistores MOSFET:
Canal N: para polarizarse debe tener un voltaje
mximo en la puerta y uno mnimo en el sustrato para
que pueda conducir, mientras haya un voltaje mnimo

en su fuente, mientras ms alto el voltaje de la fuente

el voltaje del drenaje disminuye.
-Canal P: para polarizarse debe tener un voltaje
mnimo en la puerta y uno mximo en el sustrato
para que pueda conducir, mientras haya un voltaje
mximo en su fuente, mientras ms bajo el voltaje de
la fuente el voltaje del drenaje disminuye.