Circuitos Electricos - Calderon

ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
CIRCUITOS
ELECTRNICOS
DIEGO CARRERA
CARLOS CONTRERAS
MARCO JARA
Profesor
Ing. Antonio Caldern
Octubre 2006 - Marzo 2007
CIRCUITOS ELECTRNICOS
TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION: EL TRANSISTOR BIPOLAR
Configuraciones del Transistor
4
6
DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ

Diseo de Amplificador en Emisor Comn
Diseo de Amplificador en Base Comn
Diseo de Amplificador en Colector Comn
8
9
18
24
CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA

Circuitos de Autoelevacin
Emisor Comn con Autoelevacin
Colector Comn con Autoelevacin
Circuito Darlington
31
31
31
36
39
AMPLIFICADORES EN CASCADA
Tipos De Acoplamiento
Acoplamiento Capacitivo
Acoplamiento Directo
Amplificador Cascode
Amplificador Diferencial
Acoplamiento directo
45
46
46
62
62
68
73
RESPUESTA DE FRECUENCIA
Introduccin
Respuesta de frecuencia en amplificadores
Respuesta de frecuencia en alta frecuencia
75
75
85
97
REALIMENTACIN
Realimentacin Negativa
Formas de Realimentacin
Realimentacin Positiva (Circuitos Osciladores)
Tipos de osciladores
Oscilador RC
Oscilador de puente de Wien
101
104
116
123
123
126
134
FUENTES REGULADAS
Fuente ms sencilla
Fuente con Transistor
Fuente con Transistores en configuracin Darlington
Fuente con Realimentacin
Fuente con Realimentacin y Fuente de Corriente
Circuitos De Proteccin
Proteccin con Diodos
Proteccin con Diodos Zener
Proteccin con transistor (limitador de corriente)
Proteccin con SCR
Fuente regulada con voltaje de salida variable
138
138
141
144
147
151
154
154
154
155
156
159
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Clasificacin de los Amplificadores
Clase A
Clase AB
Clase B
Clase C
Amplificador Clase A
Amplificador Clase B con salida con simetra complementaria
161
161
162
163
166
167
170
173
BIBLIOGRAFA
ANEXOS
181
182
INTRODUCCION
EL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento intervienen
corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Los terminales
del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que est
unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el
distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuacin se encuentra el
colector y por ltimo el emisor.
Estudio de las corrientes
El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP.
Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no existen
corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la
corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la corriente de colector, IC. En la
figura siguiente estn dibujadas estas corrientes segn convenio, positivas hacia adentro:
De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como
fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la
corriente de colector.
Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relacin: IE = IB + IC
Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para
continua, , y la ganancia de corriente beta, .
El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca
ser superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales estas corrientes.
= IC / IE
El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de
colector y la de base.
= IC / IB
4
Curvas caractersticas
Un transistor en rgimen esttico se encuentra, solamente, bajo la accin de las voltajes
continuos que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es
utilizar las curvas caractersticas del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes.
Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuracin del transistor, pero
independientemente de sta, se distinguen dos tipos de curvas: la caracterstica de entrada y la
caracterstica de salida.
a) Caractersticas de entrada
La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso
de la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de base en funcin de la tensin
base-emisor, para distintos valores de tensin colector- emisor. La corriente de base y la
tensin base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una
magnitud de salida.
Si se tiene una configuracin en base comn, su caracterstica de entrada relacionar la
corriente del emisor con la tensin emisor-base, utilizando la tensin colector-base como
parmetro. La corriente de emisor y la tensin emisor-base con las magnitudes de entrada.
La figura muestra las diferentes caractersticas de entrada de dos transistores NPN de
germanio y silicio respectivamente en funcin del voltaje base-emisor para dos valores del
voltaje colector-emisor.
b) Caractersticas de salida
La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida.
Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensin emisor-colector son
caractersticas de salida en configuracin emisor-comn, mientras que las que relacionan la
corriente de emisor, la de colector y la tensin colector-base son las curvas correspondientes a
una configuracin en base comn.
Regiones de trabajo
Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la
polarizacin que tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas zonas se pueden
observar en la familia de curvas caractersticas de salida de un transistor como se muestra en
la figura.
Regin de corte. Para un transistor de silicio, VBE es inferior a 0,6 V ( para germanio 0,2 V),
ambas uniones estn polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se
pueden considerar despreciables. En otras palabras, el voltaje de base no es lo suficientemente
alto para que circule corriente por la juntura base emisor, por lo que la corriente de colector es
igualmente despreciable.
Regin Activa Normal. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo ( VBE > 0,6
V) y la unin colectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unin
de colector es veces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es
muy importante, puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar
seales.
Regin de saturacin. Ambas junturas, base-emisor y base-colector, estn polarizadas en
sentido directo. La corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de colector lo
es igualmente grande. Se dice que ha entrado en saturacin si el voltaje del colector es inferior
al voltaje base-emisor.
CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR
Configuracin en emisor comn
OUT
IN
Q1
NPN
Terminal de Entrada: Base

Terminal de Salida: Colector
Terminal Comn:
Emisor
Configuracin en colector comn

OUT
Terminal de Entrada: Base

Terminal de Salida: Emisor
Terminal Comn:
Colector
Q1
NPN
IN
Configuracin en base comn

Q1
NPN
IN
OUT
Terminal de Entrada: Emisor

Terminal de Salida: Colector
Terminal Comn:
Base
DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ

Consideraciones iniciales de diseo de amplificadores
Los datos necesarios para el diseo que nosotros debemos proponernos puesto que si el diseo
es orientado a un cliente, este no nos va a proporcionar, sino nicamente nos va a decir hacia
que aplicacin esta orientado el circuito, a partir de esto nosotros debemos plantearnos los
datos o indagar al mismo cliente para de alguna manera obtenerlos
Entonces los datos necesarios para empezar con nuestro diseo son:
Ganancia (A): Se refiere a la amplificacin que se desea a la salida a partir de una seal de
entrada.
A=
Vo
Vin
Son valores bajos y para el caso de diseo de una etapa de amplificacin se considera como
valor mximo una ganancia de 50 puesto que cuando mayor es la ganancia la probabilidad de
inestabilidad es mayo (1 Etapa).
Voltaje de salida (Vo): voltaje que deseamos obtener a la salida
Para amplificadores de seal se manejan bajos voltajes (mV), es poco usual tener voltajes en
el orden de decenas e incluso centenas de voltios para una sola etapa.
Impedancia de entrada (Rin): Es la impedancia del amplificador que va a observar el
generador (por ejemplo un micrfono). Esta impedancia debe ser mayor o igual a ms o
menos diez veces la resistencia interna del generador para obtener todo el valor de la seal a
las terminales de entrada del circuito ya que se desea amplificar toda la seal de entrada mas
no obtener mxima transferencia de potencia.
Carga (RL): Es lo que se va a conectar al amplificador a su salida. Este posee una resistencia
cuyo valor usualmente esta en las decenas de ohmios o unidades de kilo-ohmios.
: Valor caracterstico del transistor a ser utilizado obtenido en manuales del fabricante. El
valor de para TBJ de seal es alto, por ejemplo utilizamos 100 que es el valor tpico del
transistor 2N3904.
Frecuencia de trabajo (f): valor de frecuencia a la cual va a estar operando el circuito
amplificador.
DISEO DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN

Circuito
En el circuito amplificador en emisor comn podemos observar que la seal ingresa por la
Terminal de base y la salida esta en e Terminal de colector. Adems debemos mencionar que
la seal de salida esta desfasada 180 con respecto a la seal de entrada
La regla general para obtener la ganancia en un circuito de emisor comn es: Todo lo que
est en colector para seal divido para todo lo que est en emisor para seal.
Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:
A=
RC || RL
re + RE1
Dado que la seal ingresa en el Terminal de la base se obtiene la expresin de la impedancia

de entrada:
Rin = R1 || R2 || RinT
Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta
en emisor para seal, por lo tanto:
RinT = ( + 1)(re + RE1 )
R1 y R2 estn en paralelo puesto que para seal Vcc es tierra. A este paralelo le podemos
representar como RB.
Obteniendo la expresin final de la impedancia de entrada:
Rin = RB || [( + 1)(re + RE1 )]
Para el diseo de un circuito en emisor comn es necesario tener muy en cuenta que se
cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:
Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para

que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuacin de RinT
obtenemos
RinT Rin
( + 1)(re + RE1 ) Rin (1)
De la expresin de ganancia :
A=
RC || RL
re + RE1
sea Req = RC || RL
A=
Req
re + RE1
re + RE1 =
Req
A
(2)
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1

R
( + 1) eq Rin
A
De la que obtenemos la expresin :
Req
A
Rin
( + 1)
De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RC que nos ayudar a empezar con
nuestro diseo
Dentro del diseo tambin hay condiciones para evitar recortes en la seal de salida las cuales
se especifican a continuacin:
Con la ayuda de las curvas caractersticas del transistor
Obtenemos la inecuacin que nos evita distorsiones en la seal de salida. En la inecuacin el

subndice p indica el valor pico de la onda.
10
I C io p
VRC Vop
RC
Req
VRC
RC
Vop
Req
La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes
altas y viceversa
De la expresin de VRC podemos deducir:
Si RC << RL
VRC vop
Si RC = RL
VRC 2.vop
Si RC >> RL
( RC = 10 RL )
VRC 10.vop
Procedemos a graficar el eje vertical de voltajes
Esta grfica nos permite observar lo que nos expresa en la inecuacin y como podemos
observar el vop se refiere al del ciclo positivo
El eje vertical de voltajes nos va a ayudar a la explicacin de otras condiciones para que no
exista distorsin. Por ejemplo, para asumir el voltaje emisor se puede observar en el eje que
debe ser mayor a vinp pero adems se debe sumar 1 V que es por motivo de estabilidad trmica
en el circuito.
Por lo tanto se obtiene:
VE 1V + vinp
11
Para el caso del voltaje colector emisor en la grafica podemos observar que debe ser mayor
a la suma de vinp y vop , pero adems se debe aumentar 2 V (vact) para garantizar que el
transistor trabaje en la regin activa como se observa en la curva caracterstica del TBJ.
VCE vop + vact + vinp

A continuacin se realizar un ejercicio en el que se explicar con ms detalle el
procedimiento de diseo para un amplificador en emisor comn y se aclarar otros aspectos
muy importantes a considerar para el correcto funcionamiento del circuito.
Nos planteamos los siguientes datos:
A = 50
vop = 10 V
Rin 3 k
RL = 2 k
f= 1 kHz
= 90
Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.
A
Rin
( + 1)
50
RC || RL
* 3k
90 + 1
RC || RL 1.64 k
Req
RC 9.37 k
Asumo Rc = 12 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener
un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos, tambin el valor de corriente que
me generaria
Req = RC || RL = 12k || 2k = 1.714 k
Ya que las resistencias poseen una tolerancia los valores de las mismas van a oscilar; esto
puede ocasionar que se produzca recortes en la seal de salida por lo que se multiplica los
valores de VRC y VE por un factor de seguridad que va a depender de la tolerancia, en la
siguiente tabla se muestra el factor de seguridad junto con la tolerancia:
12
Tolerancia Factor de seguridad

10 %
1.2
20 %
1.3
30 %
1.4
En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

VRC
VRC
RC
vop
Req
12k
10V VRC 70V
1.714k
VRC 84V
a este valor final le multiplicamos el factor de seguridad
Asumimos VRC = 84V

IC =
VRC
84V
=
= 7 mA
RC 12k
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula

re =
25mV
IE
Dado que el es alto podemos realizar la aproximacin de I E = I C por lo tanto

re =
25mV 25mV
=
= 3.57
7mA
IC
el valor de re varia con la temperatura por lo que se pone R E1 para que el circuito sea estable
termicamente
A partir de la frmula de ganancia y despejando re + RE1
Req
1.714k
A
50
re + RE1 = 34.28
re + RE1 =
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que
es estable termicamente.
RE1 = 34.28 re = 34.28 3.57 = 30.71 se puede seleccionar dos valores de resistencia estadar
(33 y 27)
Seleccionamos la resistencia de 33 seleccionamos la resistencia ya que ayuda a aumentar Rin e
incluso con la estabilidad del circuito.
RE1 = 33
Antes de continuar con el diseo se recomienda terminar primero con el lado de salida y despus con
lado de entrada
13
10V
= 0.2V
50
A
vop + vact + vinp ; VCE 10V + 2V + 0.2V VCE 12.2V
vinp =
VCE
vop
Este valor es opcional que se multiplique por el factor de seguridad. Ya que si se aumenta el valor
de Vcc el sobrante se envia a VCE y ya se cumple el valor mnimo que especifica la condicin.
Hay que observar el valor caracterstico del transistor de VCE , ya que si en el calculo supera a
este puede causar daos en el dispositivo. La solucin es seleccionar otro transistor de mayor VCE
En este ejercicio no se asume el valor de VE con la inecuacin que se dedujo ya que la condicin
de Rin no se va a cumplir ya que hay una estrecha relacion de lo que hay en el emisor y lo que hay
en la base (R 1 y R 2 ) que son variables que estan dentro de la ecuacin de Rin
Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin
I
7mA
= 77 A
IB = C =
90
Sea I1 la corriente que circula por R 1 y I 2 la corriente que circula por R 2
I1 = I B + I 2
Como podemos observar, si I B es comparable con I 2 las variaciones de I B producir cambios
de I 2 haciendo que el voltaje de la base sea variable variando todas las caractersticas del lado
de salida hecho que no nos combiene por lo tanto se hace :
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.777mA
I1 = I B + I 2 = 77 A + 0.777mA = 0.85mA
VR1 = VRC + VCE VJBE = 84V + 12.2V 0.6V = 95.6V
R1 =
95.6V
VR1
=
= 112.47k
I1 0.85mA
120 k
100 k
La seleccin depende de que si el valor de la resistencia calculada esta dentro de la toleracia

de la resistencia escogida y ademas tengamos en cuenta la corriente que produce esto ya que
puede afectar la estabilidad polarizacin .
R 1 = 120 K
Debemos obsevar si esta resistencia cumple con impedancia de entrada, ya que si da menor a Rin
no vamos a lograr la condicin pedida, en nuestro caso da mayor por lo tanto si va a satisfacer para
lograr la condicin de impedancia. Si es el caso de que no se cumpla, se asume un nuevo R 1 y se pro cede a calcular :
VR1 = I1.R1
Y se calcula el nuevo valor de VCE
VCE = VR1 VRC + VJBE

14
RinT = ( + 1)(re + RE1 ) = (91)(3.57 + 33) = 3.33 k

De la condicin inicial Rin 3k
R1 || R2 || RinT 3K
obtengo R2 40.48k
con el valor mnimo de R 2 calculo VBmin
VB min = I 2 .R2 = 0.77mA * 40.48k = 31.45V
VEmin = VB min VJBE = 31.45V 0.6V = 30.85V
Asumo VE
VE 1V + vinp
VE 1V + 0.2V
VE 1.2V
multiplicando por factor de seguridad VE 1.44V
V ' E min = 1.44V ( Necesario)

Como podemos observar VEmin cumple con el V ' E min necesario por lo tanto se procede a elegir
el valor de R 2 inmediato superior para cumplir con Rin.
Si no se cumple los VEmin se parte el anlisis desde VE necesario (VE 1V + vinp )
De la condicin R2 40.48k
Elegimos R2 = 47k
VB = I 2 .R2 = 0.77mA * 47k = 36.52V
VE = VB VJBE = 36.52V 0.6V = 35.92V
RET =
VE 35.92V
=
= 5.13k
IE
7mA
RE 2 = RET RE1 = 5.13k 33 = 5.09k
5.6 k
4.7 k
RE 2 = 4.7k
Vcc = VE + VCE + VRC = 35.92V + 12.2V + 84V = 132.12V
Elijo Vcc = 135V el exceso envio a VCE
Rin = R1 || R2 || RinT = 120k || 47k || 3.3k = 3.01k
La razn por la que da Vcc excesivamente alto es que los valores de Rc son mayores a RL.
Calculo de Capacitores
El objetivo de los capacitores es controlar el flujo y rechazo de voltajes alternos y voltajes continuos
respectivamente (capacitor acopla seal y desacopla continua). Esta deduccin de las frmulas se
aplica a cualquier configuracin
Capacitor de Base (capacitor de entrada)
CB
Vo
Vo =
+
-
Vin
Rin
Rin
Vin
Rin + X B
Si X B << Rin C B >>
1
2. . f min Rin
Vo = Vin
15
En el ejemplo
C B >>
1
2. . f min Rin
1
2. .1kHz * 3.01k
C B >> 52.87nF
C B >>
C B = 1F
La deduccin de la expresin de los capacitores se la puede realizar con la frmula de la ganancia o
con la de impedancia tomando en cuenta en la expresin la reactancia capacitiva
Capacitor de Colector (capacitor de salida)
A=
RC || ( X C + RL )
re + RE1
Si X C << RL A =
CC >>
RC || RL
re + RE1
1
2. . f min RL
En el ejemplo
CC >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 2k
C B >> 79.6nF
C B >>
C B = 1F
Capacitor de Emisor
A=
R eq
re + R E 1 + ( X E || R E 2 )
Si X E << R E 2 A =
R eq
re + R E 1 + X E
Si X E << re + R E 1 A =
C E >>
1
2 . . f min R E 2
R eq
re + R E 1
C E >>
1
2 . . f min (re + R E 1 )
En el ejemplo
16
C E >>
1
2. . f min RE 2
C E >>
1
2. . f min (re + RE1 )
1
1
C E >>
2. .1kHz * 4.7k
2. .1kHz (3.57 + 33 )
C E >> 33.86nF C E >> 4.35F
C E >>
C E = 47 F
17
DISEO DE AMPLIFICADOR EN BASE COMN

Circuito
En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la
Terminal de emisor y la salida esta en el Terminal de colector. La caracterstica de este
circuito es que la seal de salida esta en fase a la seal de entrada.
La regla general para obtener la ganancia en un circuito en base comn es: Todo lo que est
en colector para seal divido para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia
emisor para seal.
RC || RL
re + RE1
Como el capacitor CB es cortocircuito para seal las resistencias R1 y R2 no estn en la
frmula de la ganancia
A=
Dado que la seal ingresa por el emisor se obtiene la expresin de la impedancia de entrada:
Rin = RE 2 || (re + RE1 )
En el diseo de un amplificador en base comn la impedancia de entrada no es un dato ya que
es muy baja en estos circuitos y es difcil alcanzar altos niveles de este parmetro.
18
Ejercicio
En el siguiente circuito obtenga la ecuacin de la ganancia e impedancia de entrada.
Recordemos la regla para obtener la ganancia Todo lo que est en colector para seal divido
para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia emisor para seal
Lo que esta en colector para seal: RC||RL
Lo que esta desde el punto de ingreso hacia emisor para seal: re+[(R1||R2)/(+1)], el factor
1/(+1) esta presente cuando se toma valores de la base vistos desde el emisor
Por lo tanto la ganancia es igual a:
A=
RC || RL
R || R
re + 1 2
+1
Para el caso de la impedancia de entrada observamos el circuito y obtenemos que:
R || R
Rin = RE || re + 1 2
+1
Condiciones de diseo
Siguiendo con el procedimiento de diseo para esta configuracin, se inicia asumiendo la
resistencia RC y asumiendo el valor de VRC con la misma condicin demostrada en el diseo
de emisor comn para evitar distorsiones en la seal de salida.
VRC
RC
vop
Req
siendo Req = RC || RL
La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes
altas y viceversa
19
Con la ayuda del eje vertical de voltajes para esta configuracin, obtenemos las condiciones
para asumir VRE2 que es el voltaje de ingreso en este circuito y el VCE.
Por lo tanto
VE 1V + vinp
VCE vop + vact
La presencia de 1V y vact en VE y VCE respectivamente son por las mismas razones expuestas
en el circuito de emisor comn
Las condiciones a cumplir referentes a estabilidad trmica y de polarizacin son las mismas.
En el siguiente ejercicio se explicar el procedimiento de diseo para un amplificador en base
comn con las siguientes condiciones.
A = 10
vo = 5 V
RL = 5.6 k
f = 20 Hz 20 kHz
min = 80
El circuito a disear es el mostrado al inicio de este tema ya que ofrece mayor estabilidad que
el mostrado en el ejercicio de ganancias e impedancias porque no depende de dos parmetros
propios del transistor
20
Como el diseo no contiene Rin el proceso es ms sencillo.

Asumo Rc = 2.2 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc
muy alto y R L
Req = RC || RL = 2.2k || 5.6k = 1.58 k
Asumimos resistencias de tolerancia 20 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.3

VRC
RC
vop
Req
2.2k
5V VRC 6.96V
1.58k
Asumimos VRC = 9.5V
VRC
IC =
multiplicado por el factor de seguridad
VRC 9.05V
VRC
9.5V
=
= 4.3 mA
RC
2.2k
I C = I E xq es alto
re =
25mV 25mV
=
= 5.81
IC
4.3mA
re + RE1 =
Req
A
re + RE1 = 158
1.58k
10
RE1 = 158 re = 158 5.81 = 152.19

RE1 = 150
21
vop
5V
= 0.5V
A 10
vop + vact ; VCE 5V + 2V VCE 7V
vinp =
VCE
VRE2 1V + vinp VRE2 1V + 0.5V VRE2 1.5V por el factor de seguridad VRE2 1.95V
VRE 2 = 2V
RE 2 =
VRE 2
2V
=
= 465.12
IE
4.3mA
RE 2 = 470
VE = I E (RE1 + RE 2 ) = 4.3mA(150 + 470 ) = 2.66V

Vcc = VE + VCE + VRC = 2.66V + 7V + 9.5V = 19.16V
Vcc = 20V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa
IB =
IC
I 2 >> I B
4.3mA
= 53.75A
80
Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.5375mA
I1 = I B + I 2 = 53.75A + 0.5375mA = 0.59mA
R2 =
VB VE + VJBE 2.66V + 0.6V

=
=
= 6k
I2
I2
0.537 mA
6.8 k
5.6 k
R2 = 5.6k
R1 =
Vcc VB 20V 3.26V

=
= 28.4k
I2
0.59mA
33 k
27 k
R1 = 27 k
Los criterios de eleccin de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas
ofrece mayor estabilidad al circuito.
Rin = RE 2 || (re + RE1 ) = 470 || (5.81 + 150 ) = 117
Son las mismas condiciones para el caso de los capacitores de entrada y salida para el de base se
realizar el respectivo anlisis. Al inicio del ejercicio da un rango de frecuencia. La frecuencia
utilizada para el calculo es la frecuencia de trabajo fijada en nuestro ejemplo como 1 kHz
Capacitor de Emisor (capacitor de entrada)
X E << Rin C E >>
1
2. . f min Rin
22
En el ejemplo
C E >>
1
2. . f min Rin
1
2. .1kHz *117
C E >> 1.36 F
C E >>
C E = 18F
Capacitor de Colector (capacitor de salida)
X C << RL
CC >>
1
2. . f min RL
En el ejemplo
CC >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 5.6k
C B >> 28.42nF
C B >>
C B = 0.47 F
Capacitor de Base
Para obtener la condicin de este capacitor vamos a emplear la formula de impedancia considerando
XB
R || X B
Rin = RE 2 || RE1 + re + B
RB = R1 || R2
+ 1
X
Si X B << RB Rin = RE 2 || RE1 + re + B
+1
XB
<< re + RE1 Rin = RE 2 || (RE1 + re )
+1
1
1
C B >>
CB >>
2. . f min RB
2. . f min (re + RE1 )( + 1)
Si
En el ejemplo
C B >>
1
1
C B >>
2. . f min RB
2. . f min (re + RE1 )( + 1)
1
1
C B >>
2. .1kHz * (27 k || 5.6k )
2. .1kHz * 81 * (5.81 + 150 )
C B >> 34.31nF C B >> 12.61nF
C B >>
C B = 0.47 F
23
DISEO DE AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMN

Circuito
En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la base
y la salida esta en el emisor. Este circuito tambin es conocido como seguidor emisor. La
caracterstica de este circuito es que la ganancia no es mayor que 1.
La regla general para obtener la ganancia en un circuito en colector comn es: Todo lo que
est en emisor desde el punto de salida a tierra dividido para todo lo que est en emisor.
A=
Req
RE || RL
=
re + RE || RL re + Req
Ejemplo de obtencin de la ganancia: en la grfica aparece solo la parte del circuito que
corresponde al emisor.
24
La frmula de la ganancia entonces es:

A=
RE 2 || RL
re + RE1 + RE 2 || RL
Continuando con el diseo en colector comn. Dado que la seal ingresa por la base se
obtiene la expresin de la impedancia de entrada similar a la configuracin en emisor comn.
Rin = R1 || R2 || RinT
Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta
en emisor para seal, por lo tanto:
RinT = ( + 1)(re + RE || RL )
El paralelo entre R1 y R2 denominamos RB y el paralelo entre RE y RL denominamos Req
Obteniendo la expresin final de la impedancia de entrada:
Rin = RB || ( + 1)(re + Req )
Para el diseo de un circuito en colector comn es necesario tener muy en cuenta que se
cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:
Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para
que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuacin de RinT
obtenemos
25
RinT Rin
( + 1)(re + Req ) Rin
(1)
De la expresin de ganancia :
A=
Req
re + Req
donde Req = RE || RL
re + Req =
Req
( 2)
A
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1
( + 1)
Req
Rin
A
De la que obtenemos la expresin :
A
Rin
( + 1)
La peor condicin es que A = 1 por lo tanto
Req
Req
Rin
( + 1)
De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RE que nos ayudar a empezar con
nuestro diseo
Al igual que con la configuracin en emisor comn hay que evitar recortes de la seal,
Como en la configuracin en emisor comn a partir de las curvas caractersticas del transistor
obtenemos lo siguiente:
I E io p
VRE Vop
RE Req
VRE = VE
VE
RE
Vop
Req
Del eje vertical de voltajes obtenemos el VCE.
VCE vop + vact
26
A continuacin se realizar un ejercicio en el que se explicar con ms detalle el

procedimiento de diseo para un amplificador en colector comn.
Nos planteamos los siguientes datos:
vop = 3V
Rin 6 k
RL = 3.9 k
f= 1 kHz
= 100
Rin
( + 1)
6k
RE || RL
100 + 1
RE || RL 60
Req
RE 60.94
Asumo RE = 390 ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida y teniendo en
cuenta que si selecciono el mnimo R B y por lo tanto Vcc pero tam bin si nos alejamos mucho Vcc sube
Req = RE || RL = 390 || 3.9k = 354.5
En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

VRE
RE
vop
Req
390
3V VE 3.3V
354.5
Asumimos VRE = 4V
VE
IE =
por factor de seguridad VRE 3.96V
4V
VRE
=
= 10.25 mA
RE 390
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula

re =
25mV
25mV
=
= 2.44
10.25mA
IE
Para comprobar que hay estabilidad trmica comparamos R eq >> re lo cual si cumple en el
presente ejercicio
Del no cumplir la estabilidad trmica asumimos nuevo re tal que cumpla y recalculamos IE y
VRE igual procedimiento se realiza en las anteriores configuraciones pero con IC y VRC
27
IE
10.25mA
=
= 101.49 A
101
+1
I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
IB =
I 2 = 1mA
I1 = I B + I 2 = 101.49 A + 1mA = 1.1mA
R2 =
VB VE + VJBE 4V + 0.6V
=
=
= 4.6k
I2
I2
1mA
Pero tenemos que observar que las resistencias de la base cumplan con Rin por lo tanto
RinT = ( + 1)(re + Req ) = 101 * (2.44 + 354.5) = 36.05k
Rin 6k
RB || RinT 6k
RB = R1 || R2
RB 7.2k multiplicando este valor por el punto mximo de tolerancia por seguridad
RB 7.92k
Asumiendo que R 1 y R 2 son iguales y a partir de R B concluyo que
R1 = R2 = 2 * RB = 15.84k
18 k
15 k
R1 = R2 = 18k
VB = I 2 * R2 = 1mA * 18k = 18V
VR1 = I1 * R1 = 1.1mA * 18k = 19.8V
Vcc = VB + VR1 = 18V + 19.8V = 37.8V
Vcc = 38V
Con el cambio realizado de los valores de R1 y R2 calculo el nuevo valor de VE
VE = VB VJBE = 18V 0.6V = 17.4V
RET =
VE
17.4V
=
= 1.69k
I E 10.25mA
Para no volver a hacer los recalculos y dejar el mismo valor de R E calculado inicialmente
la solucin es aumentar al circuito original una resistencia en serie a R E y en paralelo
conectamos un capacitor puesto las dos resistencias en serie solo funcionaran para DC y
para AC solo la resistencia que consta en la frmula de ganancia
El cambio realizado es:
28
El valor de R E2 ser
RET = RE1 + RE 2 RE 2 = RET RE1 = 1.69k 390 = 1.3k
RE 2 = 1.2k
A=
RE1 || RL
354.5
=
= 0.993
re + RE1 || RL 2.44 + 354.5
VCE vop + vact
VCE 3V + 2V
VCE 5V Necesario
VCE = Vcc VE = 38V 17.4V = 20.6V Tengo Cumplo con VCE necesario
Rin = R1 || R2 || RinT = 18k || 18k || 36.05k = 7.2k
Capacitor de Base (capacitor de entrada)
X B << Rin C B >>
1
2. . f min Rin
En el ejemplo
C B >>
1
2. . f min Rin
1
2. .1kHz * 7.2k
C B >> 22.1nF
C B >>
C B = 0.47 F
Capacitor de Emisor (1) (capacitor de salida)
X E1 << RL
C E1 >>
1
2. . f min RL
En el ejemplo
C E1 >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 3.9k
C B >> 40.8nF
C B >>
C B = 0.47 F
29
Capacitor de Emisor (2)
A=
RL || (RE1 + (RE 2 || X E 2 ))
re + RE1 || RL
Si X E 2 << RE 2 A =
RL || (RE1 + X E 2 )
re + RE1 || RL
Si X E 2 << RE1 A =
RL || RE1
re + RE1 || RL
C E 2 >>
1
2. . f min RE 2
C E 2 >>
1
2. . f min RE1
En el ejemplo
C E >>
1
2. . f min RE 2
C E >>
1
2. . f min RE1
1
1
C E >>
2. .1kHz *1.2k
2. .1kHz * 390
C E >> 132.63nF C E >> 408.08nF
C E >>
C E = 4.7 F
30
CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA
Se crea la necesidad de tener circuitos que proporcionen una alta impedancia de entrada para
poder ser conectados a generadores y que toda la seal sea amplificada.
Entre los dispositivos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn:
FETs (Rin = idealmente)

Amplificador Operacional (Rin = idealmente)
Tubos de vaco
TBJ (dependiendo de la configuracin)
Entre los circuitos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn:
Emisor y Colector comn

Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn)
Circuitos Darlington
En este tema vamos a estudiar los Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn) y
Circuitos Darlington
CIRCUITOS DE AUTOELEVACIN
Emisor Comn con Autoelevacin
Circuito
Vcc
+V
R1
RC
CC
+
CB
+
Q1
2
C
+
Vin
RL
RE1
R2
RE2
CE
Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:
31
Rin = ( R + R1 R 2 RE1 ) RinT = ( R + RB RE1 ) RinT

RinT = ( + 1)(re + RE1 R1 R2 ) = ( + 1)(re + RE1 R B )
Para el anlisis en sea l vamos a analizar el voltaje en los puntos 1, 2 y 3 del la grfica
v1 = vin
C B cortocircuito
v2 = v1
Seguidor emisor
v3 = v2
C cortocircuito
v1 = v3
Entonces para seal tenemos que :
iR = 0
R=
Rin = RinT
En este circuito, como caracterstica importante es que la impedancia de entrada ya no

depende de RB subiendo los niveles de Rin.
Una gran ventaja es que los voltajes Vcc son ms bajos.
Desde el punto de vista terico se puede asumir el valor mnimo de RC.
Resulta ms sencillo el diseo ya que se puede asumir VE y no va influir en la impedancia de
entrada. A continuacin se presenta un ejemplo de diseo.
Ejercicio
A = 20
vop = 1V
RL = 2.7 k
Rin 10k
f = 1 kHz
= 100
Vcc
+V
R1
RC
CC
+
CB
+
Q1
+
C
+
Vin
RL
RE1
R2
RE2
CE
32
Req
A
Rin
( + 1)
20
*10k
101
RC || RL 1.98 k
RC || RL
RC 7.43 k
Asumo Rc = 8.2 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener
un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos.
Req = RC || RL = 8.2k || 2.7k = 2.03 k
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %
VRC
RC
vop
Req
VRC
8.2k
1V VRC 4.03V
2.03k
por factor de seguridad
VRC 4.84V
Asumimos VRC = 5V
IC =
VRC
5V
=
= 0.609 mA
RC 8.2k
re =
25mV
25mV
=
= 41
IE
0.609mA
A=
Req
re + (RE1 || RB )
re + (RE1 || RB ) =
donde RB = R1 || R2
Req
A
2.03k
= 101.5
20
33
Comparando este ltimo valor con re , observamos que no es mucho mayor por lo que no es
estable termicamente, para corregir asumimos nuevo re
re = 10
IC =
25mV 25mV
=
= 2.5mA
10
re
VRC = I C * RC = 2.5mA * 8.2 K = 20.5V

RE1 || RB = 101.5 re = 101.5 10 = 91.5
vop
1V
= 0.05V
A 20
Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte
vinp =
nuestro valor de Rin.

VE 1V + vinp VE 1V + 0.05V VE 1.05V por el factor de seguridad VE 1.26V
VE = 2V
RET =
2V
VE
=
= 800
I E 2.5mA
VCE vop + vact + vinp ;
VCE 1V + 2V + 0.05 VCE 3.05V
Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 3.05V + 20.5V = 25.55V

I
2.5mA
= 0.025mA
IB = C =
100
I 2 >> I B
I 2 = 0.25mA
I1 = I B + I 2 = 0.025mA + 0.25mA = 0.275mA
Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el
emisor constantes y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente
condicin
VR << VJBE
VR = 0.06V
Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R,
R=
VR
0.06V
=
= 2.4k
I B 0.05mA
2.7 k
2.2 k
R = 2.2k se selecciona el menor para que VR sea aun mucho menor que VJBE
34
R2 =
VB VE + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V

=
=
= 10.64k
I2
I2
0.25mA
R2 = 10k
R1 =
Vcc VB 26V 2.66V

=
= 84.87 k
I1
0.275mA
91k
82 k
R1 = 82k
RB = R1 || R2 = 82k || 10k = 8.91k
RE1 || RB = 91.5
RE1 = 92.44
RE1 = 91
RE 2 = RET RE1 = 800 91 = 709
750
680
RE 2 = 680
Rin = RinT
Autoelevacin
Rin = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(10 + 91 || 8.91k) = 10.1k

Capacitor de entrada)
Capacitor de salida
X B << Rin
C B >>
X C << RL
1
2. . f min Rin
CC >>
1
2. .1kHz *10.1k
C B >> 15.75nF
C B >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 2.7k
C B >> 58.94nF
C B >>
C B = 0.47 F
C B = 1F
Capacitor de Emisor
X E << RE 2 X E << re + RE1
C E >>
1
2. . f min RE 2
C E >>
1
2. . f min (re + RE1 )
1
1
C E >>
2. .1kHz * 680
2. .1kHz(10 + 91 )
C E >> 234nF C E >> 1.58F
C E >>
C E = 22 F
Capacitor de autoelevacin (C)
Req
A=
re + (RE1 || ( X + RB ))
Si X << RB A =
C >>
Req
re + (RE1 || RB )
1
2 . f min .RB
35
En el ejemplo
X << RB
C >>
1
2. . f min RB
1
2. .1kHz * 8.91k
C B >> 17.86nF
C B >>
C B = 0.22F
Colector Comn con Autoelevacin
Circuito
Vcc
+V
R1
CB
+
Q1
1
+
CE
+
+
Vin
R2
-
RE
RL
Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:
Rin = ( R + R1 R 2 RE RL ) RinT = ( R + RB Req ) RinT
RinT = ( + 1)(re + RE R L RB )
Para el anlisis en seal vamos a analizar el voltaje en los puntos 1, 2 y 3 de la grfica
v1 = vin
C B cortocircuito
v2 = v1
Seguidor emisor
v3 = v2
C cortocircuito
v1 = v3
Entonces para seal tenemos que :
iR = 0
R=
Rin = RinT
Tenemos entonces las mismas caractersticas que en el circuito emisor comn con
autoelevacin pero en este caso la ganancia de este circuito es menor o igual a 1. Entonces
este circuito lo podemos emplear como acoplador de impedancias.
36
Ejercicio
vop = 1V
RL = 4.7 k
Rin 10k
f = 1 kHz
= 100
Vcc
+V
R1
CB
+
Q1
CE
+
+
C
+
Vin
R2
RE
RL
Rin
( + 1)
10k
R 'eq
101
RE || RL || RB 99
R 'eq
Si RB >> ( RL || RE )
R'eq Req ;
Req = RL || RE
Req 99k
RE 101.13
Asumo RE = 390
Req = RE || RL = 390 || 4.7k = 360.11
R
VRE E vop
Req
390
1V VRC 1.08V
360.11
Asumimos VRE = VE = 2V
VRC
IE =
2V
VE
=
= 5.13 mA
RE 390
re =
25mV
25mV
=
= 4.875
5.13mA
IE
VRC 1.29V
re + Req = 4.875 + 360.11 = 394.99

Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo que es estable
termicamente
VCE vop + vact ;
VCE 1V + 2V VCE 3V
Vcc = VCE + VE = 2V + 3V = 5V
37
5.13mA
I
IB = E =
= 0.051mA
+1
101
I 2 >> I B
I 2 = 0.51mA
I1 = I B + I 2 = 0.051mA + 0.51mA = 0.561mA
Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el
emisor constante y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente
condicin
VR << VJBE
VR = 0.06V
R=
VR
0.06V
=
= 1.18k
I B 0.051mA
R = 1.2k
V + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V
V
=
= 5.2k
R2 = B = E
0.51mA
I2
I2
R2 = 5.6k
R1 =
Vcc VB 6V 2.66V
=
= 5.65k
0.561mA
I1
R1 = 5.6k
RB = R1 || R2 = 5.6k || 5.6k = 2.8k
Rin = RinT
Autoelevacin
Rin = ( + 1)(re + Req || RB ) = 101(4.875 + 360.11 || 2.8k) = 32.7 k

Capacitor de entrada)
X B << Rin
C B >>
1
2. . f min Rin
Capacitor de salida
X C << RL
CC >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 32.7 k
C B >> 4.86nF
1
2. .1kHz * 4.7k
C B >> 33.86nF
C B = 0.1F
C B = 0.47 F
C B >>
C B >>
38

X << RB
C >>
1
2. . f min RB
1
2. .1kHz * 2.8k
C B >> 56.84nF
C B >>
C B = 0.68F
CIRCUITO DARLINGTON
Una conexin muy popular de dos TBJ para operar como un transistor con superbeta es la
conexin Darlington, mostrada en la siguiente figura.
C
C
Q1
NPN
QD
NPN
Q2
NPN
E
La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto acta

como una unidad simple con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de los transistores individuales.
La conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que cuenta con una ganancia
de corriente muy grande, por lo general en el orden de los miles
Existen transistores Darlington encapsulados en el mercado en los cuales internamente ya esta
realizada la conexin de los dos transistores. Como por ejemplo el ECG268 (NPN) y el
ECG269 (PNP)
Frmulas importantes para transistores Darlington
C
IB1
B
Q1
NPN
Q2
NPN
IE1=IB2
IE2
E
39
Sea D la beta del transistor Darlington y 1 y 2 las de cada transistor
D =
D =
I E 2 ( 2 + 1)I B 2
=
;
I B1
I B1
I B 2 = I E1
( 2 + 1)I E1 = ( 2 + 1)(1 + 1)I B1

I B1
I B1
D = (1 + 1)( 2 + 1)
Desde el punto de vista prctico
D = 1. 2
El transistor Darlington va a poseer un reD y va ser igual a :
reD = re 2 +
re1
2 + 1
reD = re 2 +
25mV
; I E1 = I B 2
I E1 ( 2 + 1)
reD = re 2 +
25mV
I B 2 ( 2 + 1)
reD = re 2 +
25mV
IE2
reD = re 2 + re 2
reD = 2.re 2
reD =
50mV 50mV
=
IE2
IE
En el caso de transistores PNP la conexin es como muestra la siguiente figura:

E
E
IE2
IE1=IB2
Q2
PNP
IB1
B
Q1
PNP
Q3
PNP
Ejercicio
Realizar un circuito amplificador que cumpla con las siguientes condiciones
A = 12
vop = 5V
RL = 2.7 k
Rin 50k
f = 1 kHz
= 100
40
Planificacin
Diagrama de bloques
A
Rin
( + 1)
12
* 50k
Req
101
RC || RL 6k con RL = 2.7k no se puede implementar el circuito
Req
Utilizo Darlington
A
Req
Rin
12
* 50k
100 * 100
RC || RL 60 con RL = 2.7 k Ahora si se puede implementar el circuito
Req
RC 61.36
Por facilidad en el diseo tambin hago con autoelevacin que incluso me ayudar a tener
Vcc ms bajos
Vcc
+V
RC
R1
CC
+
CB
R3
Q1
Q2
+
C
R2
R4
RE2
Vin
RL
RE1
CE
La resistencia R4 es para descargar la juntura base emisor de Q2 ya que hay capacidades en

las junturas y hay que realizar la descarga para que no haya distorsin de la seal dentro del
procedimiento de diseo se va a indicar la forma de calcular esta resistencia
41
Observando el v op y R L asumo R C
RC = 270
Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45
RC
vop
Req
VRC
270
5V VRC 5.5V
245.45
Asumimos VRC = 7.5V
VRC
IC =
VRC
7.5V
=
= 27.8 mA
RC 270
reD =
50mV
50mV
=
= 1.8
IC
27.8mA
Req
VRC 7.145V
245.45
= 20.45
A
12
Comparando este ltimo valor con reD , observamos que es mucho mayor por lo que es estable
reD + (RE1 || RB ) =
termicamente.
RE1 || RB = 20.45 re = 20.45 1.8 = 18.65
vop
5V
= 0.417V
A 12
Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte
vinp =
nuestro valor de Rin. En la inecuacin de VE ahora colocamos 2V para Darlington por la presen cia de dos junturas
VE = 3.5V
RET =
VE
3.5V
=
= 125.9
I E 27.8mA
Para el caso de VCE ponemos al menos 3V para v sat

VCE vop + vactD + vinp ;
VCE 5V + 3V + 0.417V VCE 8.42V
Vcc = VE + VCE + VRC = 3.5V + 8.42V + 7.5V = 19.42V

Vcc = 20V El exceso es enviado a VCE
IB =
IC
I 2 >> I B
27.8mA
= 2.78A
10000
I 2 = 27.8A
42
I1 = I B + I 2 = 2.78A + 27.8A = 30.58A

VR3 << VJBED
VJBED = 1.2V
por la presencia de dos junturas
VR 3 = 0.1V
Entonces con los datos I B y VR3 obtengo el valor de R,
V
0.1V
R3 = R3 =
= 35.97 k
IB
2.78A
33 k
39 k
R3 = 33k se selecciona el menor para que VR sea an mucho menor que VJBE
R2 =
VB VE + VJBE + VR 3.5V + 1.2V + 0.1V

=
=
= 172.7 k
27.8A
I2
I2
R2 = 180k
R1 =
Vcc VB 20V 4.8V

=
= 497 k
30.58A
I1
470 k
560 k
R1 = 470k
RB = R1 || R2 = 470k || 180k = 130.15k
RE1 || RB = 18.65
RE1 = 18.65
RE1 = 18
RE 2 = RET RE1 = 125.9 18 = 107.9
100
120
RE 2 = 100
Rin = RinTD
Autoelevacin
Rin = ( D)(reD + RE1 || RB ) = 10000(1.8 + 18 || 130.15k) = 197.97k

Para la resistencia R 4 hacemos que la corriente que va por esta sea muy pequea para que no
haya desvi de corriente y cambie el valor de I B variando todos los valores y afectando al diseo
i 4 << ib 2
R4 >> RinT 2
reD 1.8
=
= 0.9
2
2
= (101)(0.9 + 18 || 130.15k ) = 1.91k
RinT 2 = ( 2 + 1)(re 2 + RE1 || RB )

RinT 2
re 2 =
R4 >> 1.91k
R4 = 19.1k
18 k
22 k
al escoger el menor el tiempo de descarga va a disminuir
R4 = 18k
43
Capacitor de entrada
Capacitor de salida
X C << RL
X B << Rin
C B >>
1
2. . f min Rin
CC >>
1
2. .1kHz *197.97k
C B >> 803.9 pF
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 2.7k
C B >> 58.94nF
C B >>
C B >>
C B = 10nF
C B = 1F
Capacitor de Emisor
X E << RE 2 X E << re + RE1
C E >>
1
2. . f min RE 2
C E >>
1
2. . f min (reD + RE1 )
1
1
C E >>
2. .1kHz *100
2. .1kHz (1.8 + 18 )
C E >> 1.59 F C E >> 8.04F
C E >>
C E = 100F
X << RB
C >>
1
2. . f min RB
1
2. .1kHz *130.15k
C B >> 1.22nF
C B >>
C B = 47nF
44
AMPLIFICADORES EN CASCADA
El presente tema nos introduce a la necesidad de emplear dos o mas amplificadores

conectados en cascada con el propsito de que nuestro sistema amplificador pueda reunir las
caractersticas que con el empleo de un solo amplificador (con un solo elemento activo) no se
podran obtener: por ejemplo si el problema de diseo consiste en construir un amplificador
que tenga una impedancia de entrada muy alta (por ejemplo 1 M) y que a su vez nos
proporcione una ganancia de voltaje considerable (por ejemplo 80) entonces podemos
percatamos que ningn amplificador de una sola etapa resolvera el problema. Sin embargo,
para este caso, si conectamos varias etapas de amplificacin, entonces el propsito de diseo
podra cumplirse.
El siguiente grfico muestra la forma esquemtica de una conexin en cascada:
Para analizar la ganancia total de un amplificador en cascada vamos a hacerlo con dos etapas,
este anlisis sirva para n etapas.
Sea el siguiente diagrama de bloques
A=
vo
vin
A=
A2 vin 2
;
vin
A=
A2 vo1
vin
A=
A2 . A1vin
vin
vin 2 = vo1
A = A1. A2
A = A1 * A2 * A3 * .......... * An para n etapas conectadas en cascada
45
TIPOS DE ACOPLAMIENTO
En cuanto al dispositivo que utilicemos para interconectar las etapas, nos permitir definir el
tipo de acoplamiento a utilizar. Los dispositivos usuales de acoplamiento son: Cable,
condensador, y transformador.
Acoplamiento Capacitivo
Permite desacoplar los efectos de polarizacin entre las etapas. Permite dar una mayor
libertad al diseo. Pues, la polarizacin de una etapa no afectar a la otra.
Acoplamiento Directo
Consiste bsicamente en interconectar directamente cada etapa mediante un cable. Presenta
buena respuesta a baja frecuencia. Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor
comn con otras de seguidor de emisor.
Acoplamiento Inductivo
Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias (RF). Seleccionando la razn de vueltas en
el transformador permite lograr incrementos de tensin o de corriente.
ACOPLAMIENTO CAPACITIVO
El diseo de amplificadores se inicia desde las ltimas etapas hacia la primera. Se debe
colocar las mayores ganancias al principio y las menores en las ltimas etapas para disminuir
la distorsin no lineal o distorsin de amplitud. La distorsin no lineal es cuando el ciclo
positivo de la seal no es igual al ciclo negativo.
Hay que tener en cuenta que en el diseo la resistencia de carga que observa una etapa es la
impedancia de entrada de la siguiente y as sucesivamente hasta llegar a la carga.
El Vcc de la primera etapa que se disea debe abastecer a todas las etapas subsiguientes. En
realidad se puede hacer varias fuentes Vcc para cada etapa pero implica un gasto innecesario.
Si el Vcc inicialmente calculado es muy grande para las otras etapas se recomienda enviar el
exceso de voltaje a VCE y si es muy grande aun para las caractersticas del TBJ se puede
implementar la siguiente conexin y enviar el exceso de voltaje DC a la resistencia que en la
46
grfica es rotulada como RC3 y conectada con capacitor en paralelo para que su
funcionamiento solo sea para la parte de polarizacin (DC) del TBJ
Vcc
+V
RC3
RC2
CC
Q1
NPN
A continua se presenta un ejemplo de diseo de un amplificador en cascada con acoplamiento

capacitivo con las siguientes condiciones.
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
= 100
Como observamos en los datos tenemos una ganancia muy alta que debe realizarse con varias
etapas. Para iniciar con el diseo procedemos a realizar la planificacin en la que consta el
nmero de etapas y en que configuracin est cada una.
Vamos a realizar un diseo de dos etapas; la primera en emisor comn de ganancia de 12 y la
segunda etapa en base comn de ganancia 10. Graficamos el diagrama de bloques del circuito.
Realizamos el circuito a disear:
47
Diseo de la segunda etapa (configuracin base comn)

Se la realiza normalmente como si fuese una sola etapa y considerando los voltajes de entrada
y salida del bloque segn el diagrama, por lo tanto
Asumo Rc2 = 1 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto
y RL
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.2 para ambas etapas
Req = RC 2 || RL = 1k || 1k = 500
VRC 2
RC 2
vop
Req
1k
3V VRC 2 6V
500
Asumimos VRC 2 = 7.5V
VRC 2
IC 2 =
multiplicado por el factor de seguridad
VRC 2 7.2V
VRC 2 7.5V
=
= 7.5 mA
RC 2 1k
I C 2 = I E 2 xq es alto
re =
25mV 25mV
=
= 3.3
7.5mA
IC 2
re + RE 3 =
Req
A2
500
10
re + RE 3 = 50
48
RE 3 = 50 re = 50 3.3 = 46.66
RE 3 = 47
VCE 2 vop + vact ; VCE 2 3V + 2V VCE 2 5V
VRE4 1V + vinp VRE2 1V + 0.3V VRE4 1.3V por el factor de seguridad VRE2 1.56V
VRE 4 = 1.56V
RE 4 =
VRE 4 1.56V
=
= 208 Al escoger el inmediato superior aseguro estab. trmica
IE2
7.5mA
RE 2 = 220
VE 2 = I E 2 (RE 3 + RE 4 ) = 7.5mA(47 + 220 ) = 2.002V

Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5V + 7.5V = 14.5V
Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa
I B2 =
IC2
I 4 >> I B2
7.5mA
= 0.075mA
100
I 4 = 0.75mA
I 3 = I B 2 + I 4 = 0.075mA + 0.75mA = 0.825mA
R4 =
VB 2 VE 2 + VJBE 2V + 0.6V
=
=
= 3.47 k
I4
I2
0.75mA
3.3 k
4.7 k
R4 = 3.3k
R3 =
Vcc VB1 15V 2.6V

=
= 15.03k
I3
0.825mA
R1 = 15k
Los criterios de eleccin de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas
ofrece mayor estabilidad al circuito.
Rin2 = RE 4 || (re + RE 3 ) = 220 || (47 + 3.33 ) = 40.96
Diseo de la Primera etapa

Para este diseo tengo como datos Rin2 que es el RL para esta etapa y Vcc
Este ejemplo tiene como propsito el practicar. Pero en realidad no se debe hacer as ya que
no es recomendable conectar la primera etapa en emisor comn y la segunda en base comn
ya que el emisor comn ve una impedancia muy baja generada por la etapa en base comn.
Como conclusin podemos decir que toca hacer un anlisis profundo si se desea hacer las
etapas con distintas configuraciones y tener en cuenta las caractersticas de cada
configuracin como es el caso del colector comn que tiene alta impedancia de entrada pero
no amplifica la seal o en el caso del de base comn que ofrece una ganancia pero su
impedancia de entrada es muy baja; y finalmente el emisor comn que ofrece ganancia y una
49
alta impedancia de entrada. A ms de esto podemos aadir los circuitos de alta impedancia en
una o varias etapas
Asumo RC1 = 390
Req1 = RC1 || Rin 2 = 390 || 40.96 = 37.06
VRC1
RC1
vop
Req1
390
0.3V VRC1 3.16V
37.06
Asumimos VRC1 = 4V
VRC1
I C1 =
re =
VRC 3.78V
4V
VRC1
=
= 10.25 mA
RC1 390
25mV
25mV
=
= 2.44
10.25mA
I E1
re + RE1 =
Req1
A1
37.06k
= 3.09
12
El circuito no es estable termicamente, corregimos

Asumo re = 0.25
25mV
= 100mA
0.25
VRC1 = I C1 * RC1 = 100mA * 390 = 39V
I C1 =
RE1 = 3.09 re = 3.09 0.25 = 2.84

RE1 = 2.7
VCE vop + vact + vinp ; VCE 0.3V + 2V + 25mV VCE 2.325V
VE 1V + vinp VE 1V + 25mV VE 1.025V por el factor de seguridad VE 1.23V
VE = 2V
RET =
2V
VE
=
= 20
I E 100mA
RE 2 = RET RE1 = 20 2.7 = 17.3

RE 2 = 18
Vcc = VE1 + VCE1 + VRC1 = 2V + 2.325V + 39V = 43.325V
I B1 =
I C1
100mA
= 1mA
100
I 2 >> I B
I 2 = 10mA
I1 = I B + I 2 = 10mA + 1mA = 11mA
50
R2 =
VB1 VE1 + VJBE 2V + 0.6V

=
=
= 260
I2
I2
10mA
R2 = 270
R1 =
Vcc VB 45V 2.6V

=
= 3.85k
I1
11mA
R1 = 3.9k
RB = R1 || R2 = 3.9k || 270 = 252.5
Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 252.5 || (101(0.25 + 2.7 )) = 136.6
Para que la fuente de 45V abastezca los 15V de la segunda etapa se recalcula R 3 y el resto
no cambia ya que la diferencia de voltaje sa va a VCE2
R3 =
Vcc VB 45V 2.6V

=
= 51.39k
0.825mA
I3
47 k
56 k
R3 = 56k
VCE 2 = Vcc VRC 2 VE 2 = 45V 7.5V 2V = 35.5V
Hay que tener encuenta este voltaje ya que puede daar al transistor seleccionado.
O se puede hacer lo que se indico anteriormente cuando se tiene mucho voltaje en VCE
Si es el caso de que Rin depende de RB2 es necesario poner la nueva R3 con un capacitor en
paralelo.
Clculo de capacitores
X 5 << RL
C5 >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz *1k
C5 >> 159.15nF
C5 >>
C5 = 2.2F
C4 >>
1
2. . f min RB 2
C3 >>
1
2. . f min (RE1 + re )
1
1
C3 >>
2. .1kHz * (2.7 + 0.25 )
2. .1kHz * (56k || 3.3k )
C3 >> 53.9F
C4 >> 51.07 nF
C4 >>
C4 = 0.68F
X 2 << Rin2
C2 >>
X 3 << RE1 + re
X 4 << RB 2
C3 = 1000F
X 1 << Rin1
1
2. . f min Rin2
C1 >>
1
2. . f min Rin1
1
1
C1 >>
2. .1kHz * 40.96
2. .1kHz *136.6
C2 >> 3.88F
C1 >> 1.165F
C2 >>
C2 = 47 F
C1 = 18F
51
Como observamos en el ejercicio anterior hay valores exagerados de Vcc y de algunas

resistencias, esto se debe a la incompatibilidad que existe al conectar la primera etapa en
emisor comn y la segunda en colector comn.
Ahora vamos a hacer un ejercicio en que las dos etapas son en emisor comn para observar la
mejora. Los datos son los mismos que el ejercicio anterior pero aadimos una condicin de
impedancia de entrada.
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
Rin 10k
= 100
Planificacin
Haciendo la primera etapa con ganancia de 12 y la segunda con ganancia de 10
Req1
A1
Rin;
( + 1)
Req1
12
* 10k
100
Req1 1.2k
RC1 || Rin2 1.2k
Rin2 1.2k peor condicin
Req 2
A2
Rin2 ;
( + 1)
Req 2
10
*1.2k
100
Req 2 120
RC 2 || RL 120
RC 2 136.36
Haciendo la segunda etapa con autoelevacin.

Vcc
+V
R1
RC1
R3
RC
C2
C4
+
+
C1
R5
Q2
Q1
+
RE1
C5
+
R2
RL
RE3
R4
RE2
C3
RE4
Vin1
C6
Diseo de la segunda etapa

52
Asumo RC 2 = 1k ;
Req = RC || RL = 1k || 1k = 500
VRC 2
RC2
vop
Req
1k
1V VRC 2 5V
500
Asumimos VRC = 7.5V
VRC 2
IC 2 =
VRC 2 7.5V
=
= 7.5 mA
RC 2 1k
re 2 =
25mV 25mV
=
= 3.33
IE2
7.5mA
VRC 6V
RB 2 = R3 || R4
re 2 + (RE 3 || RB 2 ) =
Req
A2
500
= 50 Estable termicamente
10
RE 3 || RB = 50 re 2 = 50 3.3 = 46.66
VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 3V + 2V + 0.3 VCE 2 5.3V
VE2 1V + vinp VE2 1V + 0.3V VE2 1.3V por el factor de seguridad VE2 1.56V
VE 2 = 2V
RET =
VE 2
2V
=
= 266.67
I E 2 7.5mA
Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5.3V + 7.5V = 14.8V

I B2 =
IC 2
7.5mA
= 0.075mA
100
I 4 >> I B2
I 4 = 0.75mA
I 3 = I B 2 + I 4 = 0.075mA + 0.75mA = 0.825mA
VR5 << VJBE
VR 5 = 0.06V
R5 =
VR5
0.06V
=
= 800
I B 2 0.075mA
R = 820
53
R4 =
VB 2 VE 2 + VJBE + VR 5 2V + 0.6V + 0.06V

=
=
= 3.54k
I4
I4
0.75mA
R4 = 3.3k
R3 =
Vcc VB 2 15V 2.66V

=
= 14.95k
0.825mA
I3
R3 = 15k
RB 2 = R3 || R4 = 15k || 3.3k = 2.705k
RE 3 || RB 2 = 46.67
RE 3 = 47.5
RE 3 = 47
RE 4 = RET RE 3 = 266.67 47 = 219.67
RE 4 = 220
Rin2 = RinT
Autoelevacin
Rin2 = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(3.33 + 47 || 2.705k) = 5k
Diseo de la primera etapa

Req1 1.2k
RC1 || Rin2 1.2k

RC1 1.58k
Asumo RC1 = 4.7 k ;

Req1 = RC1 || Rin2 = 4.7k || 5k = 2.42 k
VRC1
RC1
vop
Req1
4.7k
0.3V VRC1 0.582V por factor de seguridad
2.42k
Asumimos VRC = 1V
VRC1
I C1 =
VRC1
1V
=
= 0.213 mA
RC1 4.7k
re1 =
25mV
25mV
=
= 117.5
I C1
0.213mA
Req1
VRC1 0.699V
2.42k
12
A
re1 + RE1 = 201.89
re1 + RE1 =
Por lo tanto no es estable termicamente

Entonces asumo re1 = 20
I C1 =
25mV 25mV
=
= 1.25mA
re1
20
VRC1 = I C1 * RC1 = 1.25mA * 4.7 k = 5.875V
54
RE1 = 201.89 re 2 = 201.89 20 = 181.89

RE1 = 180
VCE1 vop + vact + vinp ;
VCE1 0.3V + 2V + 25mV VCE1 2.325V x fact. seg. VCE1 2.325V
VE1 = Vcc VRC VCE1 = 15V 5.875V 2.79V = 6.33V
RET =
VE1 6.33V
=
= 5.06k
I E1 1.25mA
RE 2 = RET RE1 = 5.06k 180 = 4.88k

RE 2 = 4.7 k
I C1
I B1 =
I 2 >> I B
1.25mA
= 0.0125mA
100
I 2 = 0.125mA
I1 = I B + I 2 = 0.0125mA + 0.125mA = 0.1375mA
R2 =
VB1 VE1 + VJBE 6.33V + 0.6V

=
=
= 55.4k
I2
I2
0.125mA
R2 = 56k
R1 =
Vcc VB1 15V 6.93V

=
= 58.7k
0.1375mA
I1
R1 = 56k
RB1 = R1 || R2 = 56k || 56k = 28k
Rin1 = RB1 || ( + 1)(re + RE1 ) = 28k || (101 * (20 + 180) ) = 11.73k

Despus de realizado este ejercicio se recomienda hacer ambas etapas con autoelevacin.
Si se desea hacer sin autoelevacin pero no se cumple con Rin basta aadir R y C de
autoelevacin, esto no vara los clculos en nada.
Calculo de capacitores
X 1 << Rin1
C1 >>
1
2. . f min Rin1
X 3 << RE1 + re
X 2 << Rin2
C2 >>
1
2. . f min Rin2
1
1
C2 >>
2. .1kHz *11.73k
2. .1kHz * 5k
C1 >> 13.57nF
C2 >> 31.8nF
C1 >>
C1 = 0.22F
C2 = 0.47 F
C3 >>
1
2. . f min (RE1 + re )
1
2. .1kHz * (180 + 20 )
C3 >> 795nF
C3 >>
C3 = 10F
55
X 6 << re + RE 3
X 5 << RB 2
X 4 << RL
C4 >>
1
2. . f min RL
C5 >>
1
2. .1kHz *1k
C4 >> 159.15nF
1
2. . f min RB 2
C6 >>
1
2. . f min (re + RE 3 )
1
1
C6 >>
2. .1kHz * (15k || 3.3k )
2. .1kHz * (3.33 + 47 )
C5 >> 58.8nF
C6 >> 3.16F
C4 >>
C5 >>
C4 = 2.2F
C5 = 1F
C6 = 47 F
Ejercicio
Realizar el anlisis inicial para un diseo con las siguientes condiciones:
A = 15
vop = 4V
RL = 100
Rin 100k
Ya que la ganancia es baja se puede realizar con una etapa
Req
A
Rin;
( + 1)
Req
15
* 100k
100
Req 15k
RC || RL 15k
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.

Probemos ahora con una etapa y utilizando Darlington
15
A
*100k
Req
Rin;
Req
100 *100
D
Req 150
RC || RL 150
Tampoco se puede lograr con Darlington por el valor de R L

Ahora se intenta resolver este ejercicio con 2 etapas
56
Req1
A1
Rin;
( + 1)
Req1
5
* 100k
100
Req1 5k
RC1 || Rin2 5k
Rin2 5k peor condicin
Req 2
A2
Rin2 ;
( + 1)
Req 2
3
* 5k
100
Req 2 150
RC 2 || RL 150
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada.

Probemos ahora con Darlington en la segunda etapa :
A
3
Req 2 2 Rin2 ;
Req 2
* 5k
100 2
D
Req 2 1.5
RC 2 || RL 1.5
RC 2 1.52
Lo que intentamos demostrar en este ejercicio es que tambin al hacer con multietapa se tiene
circuitos de alta impedancia de entrada. Otra opcin en el ejercicio anterior es realizarlo con
dos etapas, la primera etapa con emisor comn y una ganancia de 15 y la segunda etapa
realizar una configuracin en colector comn.
Ejercicio
A = 150
vop = 5V
RL = 1 k
Rin 100k
= 100
Planificacin
Haciendo la primera etapa con ganancia de 15 y la segunda con ganancia de 10
57
Req1
A1
Rin;
( + 1)
Req1
15
*100k
101
Req1 14.85k
RC1 || Rin2 14.85k
Rin2 14.85k peor condicin
Req 2
A2
Rin2 ;
( + 1)
Req 2
10
*14.85k
101
Req 2 1.47 k
RC 2 || RL 1.47
Con esta planificacin no se puede obtener la impedancia de entrada requerida

Hacemos la segunda etapa con Darlington :
A
10
Req 2 2 Rin2 ;
Req 2
Req 2 14.85
*14.85k
D
100 2
RC 2 || RL 14.85
RC 2 15.07
Haciendo ambas etapas con autoelevacin.

Vcc
+V
C6
+
C4
+
C1
+
R3
C2
+
Q1
NPN
R6
Q3
NPN
Vin1
RC2
R4
RC1
Q2NPN
+
C5
RE1
R2
R5
RE2
C3
RL
RE3
R7
RE4
R1
C7
Diseo de la segunda etapa
Asumo RC 2 = 100 ;
Req = RC 2 || RL = 100 || 1k = 90.9
VRC 2
RC2
vop
Req
VRC 2
100
5V VRC 2 5.5V
90.9
VRC 6.6V
58
Asumimos VRC = 7V
IC 2 =
VRC 2
7V
=
= 70 mA
RC 2 100
50mV 50mV
=
= 0.714
IE2
70mA
re 2 =
RB 2 = R4 || R5
reD + (RE 3 || RB 2 ) =
Req
A2
90.9
= 9.09 Estable termicamente
10
RE 3 || RB = 9.09 re 2 = 9.09 0.714 = 8.376

VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 5V + 3V + 0.5V VCE 2 8.5V
VE2 2V + vinp VE2 2V + 0.5V VE2 2.5V por el factor de seguridad VE2 3V
VE 2 = 3.5V
RET 2 =
VE 2 3.5V
=
= 50
I E 2 70mA
Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 3.5V + 8.5V + 3.5V = 19V

Vcc = 19V
I B2 =
IC 2
I 5 >> I B2
70mA
= 7 A
100 2
I 5 = 70A
I 4 = I B 2 + I 5 = 7 A + 70A = 77 A
VR6 << VJBED
VR 6 = 0.1V
R6 =
VR6 0.1V
=
= 14.3k
I B 2 7 A
R6 = 12k
R5 =
VB 2 VE 2 + VJBED + VR 6 3.5V + 1.2V + 0.1V

=
=
= 68.5k
70A
I5
I5
R5 = 68k
R4 =
Vcc VB 2 19V 4.8V

=
= 184.4k
77 A
I4
R4 = 180k
59
RB 2 = R4 || R5 = 180k || 68k = 49.35k

RE 3 || RB 2 = 8.376
RE 3 = 8.37
RE 3 = 8.2
RE 4 = RET RE 3 = 50 8.2 = 41.8
RE 4 = 47
R7 >> RinT 2
RinT 2 = ( + 1)(re 2 + RE 3 || RB 2 ) = 101 * (0.357 + 8.2 || 49.35k ) = 864.1

R7 = 8.64k
10 k
8.2 k
R7 = 8.2k
Rin2 = RinTD
Autoelevacin
Rin2 = ( D )(reD + RE 3 || RB 2 ) = 100 2 (0.714 + 82 || 49.35k) = 89.13k
Diseo de la primera etapa

Req1 14.85k
RC1 || Rin2 14.85k

RC1 17.81k
Asumo RC1 = 22 k ;
Req1 = RC1 || Rin2 = 22k || 89.13k = 17.64 k
VRC1
RC1
vop
Req1
22k
0.5V VRC1 0.623V por factor de seguridad
17.64k
Asumimos VRC = 1V
VRC1
I C1 =
VRC1
1V
=
= 45.45A
RC1 22k
re1 =
25mV
25mV
=
= 550
I C1
45.45A
Req1
VRC1 0.748V
17.64k
A
15
re1 + RE1 || RB = 1.17k
re1 + RE1 || RB =
Por lo tanto no es estable termicamente

Entonces asumo re1 = 100
I C1 =
25mV 25mV
=
= 250A
re1
100
VRC1 = I C1 * RC1 = 250A * 22k = 5.5V

RE1 || RB = 1.17k re1 = 1.17k 100 = 1.07k
60
VCE1 vop + vact + vinp ;

VCE1 0.5V + 2V + 0.033V VCE1 2.533V ( Necesario)
VE1 1V + vinp ; VE1 1V + 0.0333V
VE1 10333V
por fact seg VE1 1.24V ( Necesario)
Disponemos de Vcc - VRC = 19V 5.5V = 13.5V

VCE1 = 6.5V
VE1 = 7V
RET =
I B1 =
VE1
7V
=
= 28k
I E1 250A
I C1
250 A
=
= 2.5A
100
+1
I 2 >> I B
I 2 = 25A
I1 = I B + I 2 = 2.5A + 25A = 27.5A
VR3 << VJBE
VR 3 = 0.06V
R3 =
VR3 0.06V
=
= 2.4k
I B1 2.5A
R3 = 2.2k
R2 =
VB1 VE1 + VJBE + VR 3 7V + 0.6V + 0.06V

=
=
= 306.4k
I2
I2
25A
270 k
330 k
R2 = 270k
R1 =
Vcc VB1 19V 7.66V

=
= 412.36k
I1
27.5A
390 k
470 k
R1 = 390k
RB1 = R1 || R2 = 390k || 270k = 159.5k
RE1 || RB1 = 1.07 k
RE1 = 1.08k
RE1 = 1k
RE 2 = RET RE1 = 28k 1.08 = 26.92k
RE 2 = 27 k
Rin1 = RinT 1 = ( + 1)(re1 + RE1 || RB ) = 101 * (100 + 1k || 159.5k) = 110.47 k
61
X 1 << Rin1
C1 >>
1
2. . f min Rin1
1
2. .1kHz *110.47k
C1 >> 1.44nF
C1 >>
C1 = 0.1F
X 4 << Rin2
C4 >>
1
2. . f min Rin2
1
2. .1kHz * 89.13k
C4 >> 1.8nF
C4 >>
C4 = 0.1F
X 2 << RB1
C2 >>
1
2. . f min RB1
X 3 << RE1 + re
C3 >>
1
2. . f min (RE1 + re )
1
1
C3 >>
2. .1kHz * (1k + 100 )
2. .1kHz * (159.5k )
C3 >> 144.7nF
C2 >> 0.99nF
C2 >>
C2 = 10nF
C3 = 2.2F
X 5 << RB 2
X 6 << RL
C5 >>
1
2. . f min RB 2
C6 >>
1
2. . f min RL
1
1
C6 >>
2. .1kHz *1k
2. .1kHz * (49.35k )
C
>>
159
.15nF
C5 >> 3.22nF
6
C6 = 2.2F
C5 = 0.1F
C5 >>
X 7 << reD + RE 3
C7 >>
1
2. . f min (reD + RE 3 )
1
2. .1kHz * (0.714 + 8.2 )
C7 >> 17.8F
C7 >>
C7 = 220F
ACOPLAMIENTO DIRECTO
Amplificador Cascode
El amplificador cascode es un amplificador que mejora algunas caractersticas del
amplificador de Base Comn. El amplificador Base Comn es la mejor opcin en
aplicaciones de altas frecuencias, sin embargo su desventaja es su muy baja impedancia de
entrada. El amplificador cascode se encarga de aumentar la impedancia de entrada pero
manteniendo sobre todo la gran utilidad de la configuracin Base Comn, ventajoso en el
manejo de seales de alta frecuencia. Para conseguir este propsito, el amplificador cascode
tiene una entrada de Emisor Comn y una salida de Base Comn, a esta combinacin de
etapas se le conoce como configuracin cascode.
62
Circuito
Anlisis
Q1 Emisor Comn A1
A = A1 * A2
Q2 Base Comn A2
R
Req
re 2
. eq =
A = A1 * A2 =
re1 + RE1 re 2 re1 + RE1
R || RL Req
A2 = C
=
re 2
re 2
El procedimiento de diseo se reduce ahora a un diseo de una sola etapa con ganancia
Req
A=
re1 + RE1
A1 =
re 2
<1
re1 + RE1
Las pricipales caractersticas son detallas en las siguientes frmulas muy importantes en el
procedimiento de diseo
VRC
I C 2 = R
C
IC 2
I C 2 =
2
I E 2 = I C 2 + I B 2
63
I C1 = I E 2
I C1
I B1 =
1
I E1 = I C1 + I B1
Para el calculo de re solo se toma la del transistor 1
re1 =
25mV
I E1
re1 + RE1 =
Req
A
Para que no haya distorsin en la onda nos ayudamos del eje vertical de voltajes para realizar
el respectivo anlisis:
VCE 2 vop + vact
VCE1 vop1 + vact + vinp
VE1 1V + vinp
Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC
Para el calculo de corriente del lado de entrada ya que tienen que cumplir estabilidad de
polarizacin en ambos TBJ se emplea las siguientes formulas
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1
I 2 = I 3 + I B1
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2
I1 = I 2 + I B 2
VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2
VB 2 VB1 = VCE1
VB1 = VE1 + VJBE1
V
V VB1 VCE1
=
R3 = B1
R2 = B 2
I3
I2
I2
R1 =
Vcc VB 2
I1
64
Vamos a realizar un ejemplo de diseo de un amplificador Cascode. El circuito es el mismo

indicado al inicio del tema y las condiciones a cumplir son:
A = 120
vop = 3V
RL = 1 k
Rin 10k
= 100
Asumo RC = 270 ;
Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45
VRC
RC
vop
Req
270
5V VRC 5.5V
254.45
Asumimos VRC = 7V
VRC
IC 2 =
VRC 6.6V
7V
VRC
=
= 25.92 mA
RC 270
IC 2
25.92mA
= 0.25mA
100
= I C 2 + I B 2 = 25.92mA + 0.26mA = 26.18mA
I B2 =
IE2
I C1 = I E 2
I C1
26.18mA
= 0.262mA
100
I E1 = I C1 + I B1 = 26.18mA + 0.262mA = 26.44mA

I B1 =
re1 =
IE2
25mV
25mV
=
= 0.955
26.18mA
I C1
65
Req
245.45
= 8.18
30
A
RE1 = 8.18 re1 = 8.18 0.955 = 7.23
re1 + RE1 =
RE1 = 7.5
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizaci n en Q 1
I 2 = I 3 + I B1
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizaci n en Q 2
I1 = I 2 + I B 2
V B 2 = V E 1 + VCE 1 + V JBE 2
V B 2 V B1 = VCE 1
V B1 = V E 1 + V JBE 1
V
V V B1 VCE 1
R3 = B 1
R2 = B 2
=
I3
I2
I2
VCE 2 vop + vact ; VCE 2 5V + 2V
VCE 2 7V
R1 =
Vcc V B 2
I1
VCE1 vop1 + vact + vinp

re 2 =
25mV
25mV
=
= 0.964
IC 2
25.92mA
vop1 = A1 * vinp =
re 2 .vop
0.964
5V
=
= 19mV
.
re1 + RE1 A 0.955 + 7.5 30
5V
VCE1 2.19V
;
30
VE1 1V + 0.166V VE1 1.16V
VE1 19mV + 2V +
VE1 1V + vinp
por fact. seg. VE1 1.39V
VE1 = 2V
Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC = 2V + 2.19V + 7V + 7V = 18.19V
Vcc = 20V
Vcc = 20V 18.19V = 1.81V
Vcc hay como enviar a VCE1 o VCE2 . Envio a VCE1
VCE1 = 4V
RET =
2V
VE1
=
= 75.64
I E1 26.44mA
RE 2 = RET RE1 = 75.64 7.5 = 68.14

RE 2 = 69
I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1
I 3 = 2.62mA
I 2 = I 3 + I B1 = 2.62mA + 0.262mA = 2.88mA
I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2 ;
2.88mA >> 0.26mA Cumple
I1 = I 2 + I B 2 = 2.88mA + 0.226mA = 3.14mA
66
VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2

VB 2 VB1 = VCE1
VB1 = VE1 + VJBE1
V
V VB1 VCE1
R3 = B1
R2 = B 2
=
I3
I2
I2
R3 =
VB1 2V + 0.6V
=
= 992
2.62mA
I3
R3 = 1k
R2 =
VCE1
3V
=
= 1.042k
2.88mA
I2
R2 = 1k
R1 =
Vcc VB 2 20V 2V 3V 0.6V

=
= 4.58k
3.14mA
I1
R1 =
Vcc VB 2
I1
R1 = 4.7k
Rin = R2 || R3 || ( + 1)(re1 + RE1 ) = 1k || 1K || (101)(0.955 + 7.5) = 315.4

X 1 << Rin
C1 >>
1
2. . f min Rin
1
2. .1kHz * 315.4
C1 >> 504.6nF
X 2 << re 2 ( 2 + 1)
C2 >>
1
2. . f min re 2 ( 2 + 1)
1
2. .1kHz * 0.964 *101
C2 >> 1.6F
C1 >>
C2 >>
C1 = 6.8F
C2 = 18F
X 3 << RL
X 4 << RE1 + re1
C3 >>
1
2. . f min RL
1
2. .1kHz * 2.7k
C3 >> 58.9nF
C4 >>
1
2. . f min (RE1 + re )
1
2. .1kHz * (7.5 + 0.955 )
C4 >> 18F
C3 >>
C4 >>
C3 = 0.68F
C4 = 220F
67
Amplificador Diferencial
El circuito amplificador diferencial es una conexin extremadamente comn utilizada en
circuitos integrados. Esta conexin se puede describir al considerar el amplificador diferencia
bsico que se muestra en la figura. Este circuito posee dos entradas separadas y dos salidas
separadas y los emisores estn conectados entres s. Mientras que la mayora de los circuitos
amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar utilizando
slo una de ellas.
Es posible obtener un nmero de combinaciones de seales de entrada:

Si una seal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra entrada conectada a
tierra, la operacin se denomina Terminal simple.
Si se aplican dos seales de entrada de polaridad opuesta, la operacin se denomina

Terminal doble.
Si la mismas entrada se aplica a ambas entradas, la operacin se denomina modo

comn
Anlisis del amplificador diferencial
68
Vin = Vin1 Vin2

La salida se encuentra en cualquiera de los colectores.
Vo
Q1 EC A1
A1 =
RC
re1 + re 2 || RE
pero si re 2 << RE
A1 =
RC
re1 + re 2
A1 =
RC
2 re
re1 = re 2 = re
Vo
Q1 CC A1
A = A1 A2
Q2 BC A2
A1 =
re 2 || RE
re1 + re 2 || RE
69
si re 2 << RE
A1 =
A2 =
re 2
re1 + re 2
A1 =
re1 = re 2 = re
1
2
RC RC
=
re 2
re
A = A1 A2
1 R
= C
2 re
A=
RC
2 re
Es decir, tenemos la misma seal de salida pero con fase distinta.
A=
RC
re1 + RE1 + RE 2 || ( RE1 + re 2 )
si RE 2 >> re2 + RE1
A=
A=
RC
re1 + RE1 + re2 + RE1
re1 = re 2 = re (como sucede en la prctica)
RC
2( re + RE1 )
70
Para el diseo
-
Asumimos RC
Calculamos:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
VRC
IC
re
re + RE1
VCE
VE
comprobando estabilidad con A
VCC = VRC + VCE VJBE

VE se puede asumir para tener simetra
VRE 2 = VCC VJBE VRE 1
RE 2 =
VE = VCC + VJBE
siendo VRE1 = I E RE1
VRE 2
2IE
Haciendo con simetra, es decir, VCC = VCC RE 2 NO molesta y tenemos:
Implementando la fuente de corriente
71
VCE al menos 3V Vact

VC 3 = VCC VJBE VRE1
VCE 3 3V
Primero se debe elegir un Zener tal que VZ < VCC
Asumir VZ
VRE 2 = VZ VJBE
RE 2 =
VRE 2
2IE
Calculando
VCC VZ
R =
I
I Z >> I B
I Z I ZT
I = I Z + I B
dato que da el manual de tal forma que el Zener funcione al valor deseado
Entonces, si se utiliza una sola fuente
72
Acoplamiento directo
Es un circuito conectado en cascada pero la nica diferencia es que no se utiliza capacitor

para acoplar sino simplemente un cable
V1
+V
R1
IB2
RC1
RC1
IB2
CC1
+
IC
CB
Q2
Q1
VB2
Vin
1 KHz
RL
RE4
RE1
CE
RE3
RE2
R2
CE1
VB 2 >> VC1
VC1 = VCE1 + VE1
VCE1 >> vop1 + Vact + vinp
VE1 >> 1v + vinp
VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 >> VRC1
VRC1 >>
RC1
vop1
RC1 Rin 2
I C1 >> I B 2
I RC1 = I C1 + I B 2
73
Si VB 2 < VC1
Entonces se recalcula VB 2 luego el nuevo VCC y el exceso se manda al voltaje VCE a la regin
activa.
Se realiza el diseo normalmente hasta el calculo de re + RE1 luego se calcula VC1 con lo que
calculo RET
El Q2 esta en emisor comn con lo que se realiza los clculos de Rc, VRc, Ic, re, RE2 y VE=1+
vinp
En el siguiente circuito las condiciones a cumplir son:
V
B 2 = VE + VJBE 2
VB 2 >> VRC1
RC1
VRC1
vop1
RC1 Rin 2
VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 VC1

V = V + V
CE1
E1
C1
V v + V + v
act
inp1
CE1 op1
VE1 1V + vinp1
I RC1 >> I B 2
Estas condiciones se deben verificar. En este circuito siempre se cumplen
I
I
I
=
+
RC1
B2
C1
74
RESPUESTA DE FRECUENCIA
INTRODUCCION
El anlisis hasta el momento se ha limitado a una frecuencia particular. Para el caso del
amplificador, se trata de una frecuencia que, por lo regular, permite ignorar los efectos de los
elementos capacitivos, con lo que se reduce el anlisis a uno que solamente incluye elementos
resistivos y fuentes independientes o controladas. Ahora, se revisarn los efectos de la
frecuencia presentados por los elementos capacitivos mayores de la red en bajas frecuencias y
por o elementos capacitivos menores del transistor para altas frecuencias.
Para el anlisis de frecuencia vamos a utilizar el diagrama de Bode y manejar valores en
decibeles (dB).
La respuesta de frecuencia es la curva que se obtiene a la salida, a partir de los diferentes
valores que toma la seal de salida en funcin de la frecuencia de la seal de entrada.
En la siguiente grfica vamos a observar un ejemplo de caracterstica de frecuencia sobre la
carga.
El anlisis de la seal de salida la podemos hace con la potencia, voltaje, corriente de salida
del circuito o incluso las ganancias de potencia, voltaje o corriente.
Ancho de Banda: Es un trmino muy utilizado en anlisis de frecuencia y es el rango de

frecuencias correspondiente a su utilizacin normal.
75
A continuacin haremos el anlisis de los puntos de media potencia para las opciones de la
seal de salida.
Potencia de Salida
Potencia Po
Sea Pomax el valor mximo
Los puntos de media potencia estarn localizados en :
Pomax
2
En Decibeles :
10 * log
Pomax
= 10 log Pomax 10 log 2
2
= Pomax (dB) 3dB
76
Voltaje de Salida
La relacin que existe entre el voltaje y la potencia es :
Po Vo 2
2
Puntos de media potencia
Pomax
Vo
Vo
2
max = max = (0.707 * Vomax )
2
2
2
En Decibeles :
Vo
10 * log max
2
= 20 log
Vomax
2
= 20 log Vomax 20 log 2

= Vomax (dB) 3dB
77
Ganancia de potencia
Po
Pin
Los puntos de media potencia estarn localizados en :
Pomax Gpmax
=
2 Pin
2
Se tiene la relacin de potencia : Gp =
En Decibeles :
10 * log
Gpmax
= 10 log Gpmax 10 log 2
2
= Gpmax (dB) 3dB
78
Ganancia de voltajes
Al igual que en potencia, la relacin que existe entre la ganancia voltaje y la ganancia
de potencia es :
Gp Gv 2
2
puntos de de media potencia
Gpmax
Gv
Gv
2
max = max = (0.707 * Gvmax )
2
2
2
En Decibeles :
Gv
10 * log max
2
= 20 log
Gvmax
2
= 20 log Gvmax 20 log 2

= Gvmax (dB) 3dB
79
Respuesta de frecuencia
Para determinar la caracterstica de un circuito debemos obtener la funcin de transferencia
del mismo en funcin de la frecuencia. A partir de esta expresin en funcin de la frecuencia
realizaremos el diagrama de Bode
Funcin de transferencia G =
(1 + ja1 )(1 + ja2 )................................(1 + jan )

(1 + jb1 )(1 + jb2 )................................(1 + jbm )
En decibeles:
GdB = 10 log1 + ja1 + 10 log1 + ja2 + ... + 10 log1 + jan 10 log1 + jb1 10 log1 + jb2 ... 10 log1 + jbm
Dada ya la funcin de transferencia tenemos que realizar la respectiva grfica que representa
dicha funcin (caracterstica de magnitud), para esto vamos a utilizar el modelo asinttico de
ciertos trminos que generalmente aparecen en estas funciones.
Para un trmino: 0 jk
0 jk = k 2 2 = k .
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Para:
Para 0
Bajas frecuencias
Para
Alta frecuencia
Para = 1 / k
Funcin
En dB
transferencia
G=0
G=
G =1
Por lo tanto las grficas para este trmino son:
Para un trmino:
1
=
0 jk
1
k 2 2
1
0 jk
1
k
80
Para:
Para 0
Para
Para = 1 / k
Funcin
En dB
transferencia
G=
G=0
G =1
0
1 jk = 1 + k 2 2
Para:
Para 0
Para = 1 / k
Para
Funcin
En dB
transferencia
G =1
0
3
G= 2
G=
81
Para un trmino:
1
1 jk
1
1
=
1 jk
1 + k 2 2
Funcin
En dB
transferencia
G =1
0
3
G = 1/ 2
G=0
Para:
Para 0
Para = 1 / k
Para
La pendiente de las rectas se justifica mediante:

Sea una seal de ganancia de potencias cuya funcin de transferencia sea
Gp = 1 + jk
GpdB = 10 * log 1 + jk = 10 log 1 + k 2 2 = 5 log 1 + k 2 2 ;
sea C =
1
k
>> C
2
= 5 log1 + 2 ;
= 10C
C
2
GpdB = 5 log 2 = 10 log(10) = 10 dB / dcada
C
Ahora si es una seal de ganancia de voltajes cuya funcin de transferencia sea igual a la
anterior
Gv = 1 + jk
1
GvdB = 20 * log 1 + jk = 20 log 1 + k 2 2 = 10 log 1 + k 2 2 ; sea C =
k
>> C
2
= 10 log1 + 2 ;
= 10C
C
2
GpdB = 10 log 2 = 20 log(10 ) = 20 dB / dcada
C
82
Frecuencia de corte
Se denomina as al codo que est presente en algunos diagramas de bode por ejemplo en la
grfica la frecuencia de corte est indicada como C:
La localizacin de la frecuencia de corte va depender de en que seal estemos trabajando por

lo que se demostrar para potencias y para voltajes
Sea G = Go(1 + jk )
Si G = Gp Ganancia de potencia
En decibeles :
GdB = 10 log Go + 10 * log 1 + jk
Para estar en los puntos de media potencia la expresin 10 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB
10 * log 1 + jk = 3dB
1 + jk = 10 0.3
1 + jk = 2
1 + k 2 2 = 2
1 + k 2 2 = 4
k 2 2 = 3 La frecuencia de corte es = C =
3
k
si G = Gp
Si G = Gv Ganancia de voltaje
En decibeles :
GdB = 20 log Go + 20 * log 1 + jk
Para estar en los puntos de media potencia la expresin 20 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB
20 * log 1 + jk = 3dB
1 + jk = 10 0.15
1 + jk = 2
1 + k 2 2 = 2
83
1 + k 2 2 = 2
k 2 2 = 1 La frecuencia de corte es = C =
1
k
si G = Gv
Caracterstica de Fase
Ahora vamos a observar las grficas para las caractersticas de fase de cada uno de los
trminos detallados anteriormente.
k
1 jk = arctg
1
Para:
Para 0
Para = C = 1 / k
Para
= 0
= 45
= 90
Por lo tanto la grfica para este trmino es:
Para un trmino:
1
1 jk
1
k
= arctg
1 jk
1
Para:
Para 0
Para = C = 1 / k
Para
= 0
= 45
= 90
84
k
0 jk = arctg
; = 90
0
Para un trmino:
1
0 jk
1
k
= arctg
;
0 jk
0
= 90
Respuesta de frecuencia en amplificadores

Ahora ya conocida la forma de realizar los diagramas de Bode para distintas formas de la
funcin de transferencia analizaremos la respuesta de frecuencia para los amplificadores con
TBJ.
Debemos tomar en cuenta las siguientes consideraciones:

-
En caso de que el circuito produzca desfasamiento, deber tambin aadirse la

caracterstica de desfasamiento que produce este.
85
Los elementos reactivos son los que producen la parte imaginaria de la funcin de
transferencia
de entrada
Capacitores de salida
de ajuste de ganancia
La metodologa que se utiliza para demostrar la caracterstica de frecuencia en la

configuracin de emisor comn es igual para el resto de configuraciones
Para sacar la caracterstica de frecuencia total hay que sumar la caracterstica de fase de
cada capacitor
A continuacin se va a realizar el anlisis de la caracterstica de fase de la configuracin en

emisor comn en cada uno de los capacitores.
Caracterstica de frecuencia que produce un capacitor de entrada
Se tiene el siguiente circuito equivalente de la parte de entrada del amplificador donde se ha

considerado que el generador es ideal y lo que observa este es el capacitor de base CB y la
impedancia de entrada.
CB
Vo
+
Vin
Rin
Si Vin = constante generador es ideal Rg = 0

Vo =
Rin
Vin
X B + Rin
Vo
Rin
= Gv =
Vin
X B + Rin
86
Gv en funcin de Gv =
Gv =
Rin
1
+ Rin
j.C B
j.C B .Rin
1 + j.C B Rin
Sea b la frecuencia de corte del capacitor de base
b =
1
C B .Rin
1+ j
b
j
Con nuestro conocimiento para realizar el diagrama de bode de la funcin de transferencia,

graficamos el numerador y el denominador y despus los sumamos las pendientes para
obtener la grfica total.
Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador
De la grfica total podemos concluir que a bajas frecuencias el capacitor de base es circuito
abierto mientras que a altas frecuencias a partir de la frecuencia de corte b es corto circuito.
87
Podemos concluir entonces que cuando:
= b =
=
1
C B .Rin
1
1
.Rin
X B
X B
Rin
X B = Rin
Caracterstica de frecuencia que produce un capacitor de salida
A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de salida
obtenemos:
Gv = A =
A=
RC || ( X C + RL )
re + RE1
RC .( X C + RL )
(re + RE1 )(RC + X C + RL )
+ RL
j.CC
RC
A=
.
(re + RE1 )
1
RC +
+ RL
j.CC
A=
RC
1 + j.CC .RL
.
(re + RE1 ) 1 + j.CC .(RC + RL )
Sea C1 y C2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces
C1 > C2
1
=
CC (RC + RL )
C2 =
C1
1
C C RL
RC
C2
.
A=
(re + RE1 ) 1 + j
C1
1+ j
Entonces realizamos la grafica del numerador y del denominador
88
Lo que se concluye de la grfica es que a baja frecuencia se obtiene la ganancia mxima y

hasta C2 va disminuyendo; a partir de esta frecuencia la ganancia es constante pero baja.
Baja frecuencia:
max. A max. Vo
Alta frecuencia:
A=
RC
re + RE1
Capacitor abierto
Carga en colector RC
A=
RC || RL
re + RE1
Capacitor cortocircuito
Carga en colector Req
Comprobacin
C2
RC
A=
.
(re + RE1 ) 1 + j
C1
Para 0 baja frecuencia
1+ j
A=
RC
(re + RE1 )
( LQQD)
Para alta frecuencia
RC
RC
CC .RL
RC .RL
1
A=
. C1 =
.
.
=
(re + RE1 ) C 2 (re + RE1 ) CC .(RC + RL ) (RC + RL ) (re + RE1 )
A=
RC || RL
(re + RE1 )
( LQQD)
89
Caracterstica de frecuencia sobre la carga (RL)
El anlisis anterior era en el Terminal del colector, ahora en la carga debemos tener una
caracterstica semejante a la caracterstica del capacitor de entrada para poder conectarla a una
siguiente etapa por lo tanto con las graficas anteriores hacemos un arreglo de tal manera que
me genere el siguiente grfica.
Del anlisis del capacitor de salida hecho anteriormente obtenemos que:

Cuando : = C1 =
CC .(RC + RL )
1
1
.(R + RL )
X C C
X C
(RC + RL )
X C = (RC + RL )
Cuando : = C 2 =
1
CC .RL
1
1
.RL
X C
X C
RL
X C = RL
Del grfico se observ que solo se va utilizar una frecuencia de corte (C2) y potemos decir
que esta frecuencia es el punto de divisin en el que el capacitor o est en cortocircuito (altas
frecuencias) o est en circuito abierto (bajas frecuencias)
90
Caracterstica de frecuencia del capacitor para ajuste de ganancia
En el caso de la configuracin en emisor comn es el capacitor colocado en emisor.

A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de
emisor obtenemos:
A=
A=
Req
re + RE1 + X CE || RE 2
Req
1
.R E 2
j.C E
re + RE1 +
1
+ RE 2
j.C E
Req
A=
re + RE1 +
A=
A=
RE 2
1 + j.C E RE 2
Req
re + RE1 + RE 2
Req
re + RE1 + RE 2
Req
re + RE1 + RE 2 + j.C E RE 2 (re + RE1 )
1 + j.C E RE 2
1 + j.C E RE 2
;
R (r + RE1 )
1 + j.C E E 2 e
re + RE1 + RE 2
Sea REeq =
RE 2 (re + RE1 )
= RE 2 || (re + RE1 )
re + RE1 + RE 2
1 + j.C E RE 2
1 + j.C E REeq
Sea E1 y E2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces

1
C E RE 2
> E1
1 E2
=
CC REeq
E1 =
E2
Req
E1
A=
.
re + RE1 + RE 2 1 + j
E2
1+ j
Del anlisis anterior obtenemos que:

1
Cuando : = E1 =
C E .R E 2
1
1
.R E 2
X E
X E
RE 2
X E = RE 2
91
Cuando : = E 2 =
1
C E .REeq
1
1
.R
X E Eeq
X E
REeq
X E = REeq

Graficando la funcin de transferencia y ubicando los valores de E1 y E1.
A baja frecuencia hasta E1 (capacitor circuito abierto) en el denominador de la frmula de la

ganancia se tiene re+RE1+RE2 y para al alta frecuencia (capacitor cortocircuito) a partir de E2
se tiene en el denominador re+RE1. En el intervalo desde E1 hasta E2 no hay ni circuito
abierto ni cortocircuito hay la una reactancia.
Comprobacin del comportamiento del capacitor:
Req
E1
.
A=
re + RE1 + RE 2 1 + j
E2
Para 0 baja frecuencia
1+ j
A=
Req
re + RE1 + RE 2
( LQQD)
92
Para alta frecuencia

Req
Req
Req
R (r + RE1 + RE 2 )
C .R
A=
. E2 =
. E E2 =
. E2 e
re + RE1 + RE 2 E1 re + RE1 + RE 2 C E .REeq re + RE1 + RE 2
RE 2 (re + RE1 )
A=
Req
re + RE1
( LQQD)
Cuando se vaya a resolver ejercicios que requieran cumplir con condicin de frecuencia se
recomienda graficar primero la caracterstica del emisor y ubicar sus respectivas frecuencias
de corte luego dibujar las caractersticas de base y colector haciendo que coincidan las
frecuencias de corte de estos con la grfica de las caractersticas de emisor segn como se
desee y no ubicar entre las frecuencias de corte (E1 < < E2). Finalmente realizar la
respectiva suma de las pendientes de cada caracterstica.
A continuacin se muestra un ejemplo.
Como observamos en las graficas los y estn rotulados con una C, esta indica caracterstica
mas no capacitor por lo tanto en el eje que esta CE lo que seala es que es la caracterstica del
emisor.
93
Ejercicio
A = 20
vop = 3V
RL = 7.5 k
= 100
Y tenga la siguiente caracterstica de frecuencia
Asumo Rc = 1 k
Req = RC || RL = 7.5k || 1k = 882.3
VRC
RC
vop
Req
1k
3V VRC 3.4V
882.3
Asumimos VRC = 4.5V
VRC
IC =
VRC 4.5V
=
= 4.5 mA
1k
RC
re =
25mV 25mV
=
= 5.56
4.5mA
IE
Req
VRC 4.08V
882.3k
= 44.12
20
A
El objetivo del ejercicio es realizar la parte de respuesta de frecuencia por lo que se da poca
importancia el hecho de que no sea estable termicamente.
re + RE1 =
94
RE1 = 44.12 re = 44.12 5.56 = 38.56

RE1 = 39
vop
3V
= 0.15V
A 20
vop + vact + vinp ; VCE 3V + 2V + 0.15V VCE 5.15V
vinp =
VCE

VE = 2V
RET =
2V
VE
=
= 444.4
I E 4.5mA
RE 2 = RET RE1 = 444.4 39 = 405.4

RE 2 = 390
Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 5.15V + 4.5V = 11.65V
IB =
IC
I 2 >> I B
4.5mA
= 45A
100
I 2 = 450 A
I1 = I B + I 2 = 45A + 450 A = 495A
R2 =
VB VE + VJBE 2V + 0.6V
=
=
= 5.77 k
450 A
I2
I2
R2 = 5.6k
R1 =
Vcc VB 12V 2.6V

=
= 18.99k
495A
I1
R1 = 18k
RB = R1 || R2 = 18k || 5.6k = 4.27 k
Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 4.27 k || (101(5.56 + 39 )) = 2.2k
Ahora para realizar el anlisis de frecuencia para el clculo de capacitores primero se realiza
la planificacin graficando cada una de las caractersticas.
95
Planificacin
Para f B = 1kHz
X B = Rin
X B = 2.2k
CB =
1
1
=
2. . f B . X B 2. .1kHz * 2.2k
82 nF
C B = 72.34nF
68 nF
Para f E 2 = 1kHz
X E = REeq
X E = RE 2 || (re + RE1 )
X E = 390 || (5.56 + 39 )
X E = 39.99
CE =
1
1
=
2. . f E 2 . X E 2. .1kHz * 39.99
C E = 3.98F
4.7 F
3.3 F
Para f C = 1kHz
X C = RL
X C = 7.5k
CC =
1
1
=
2. . f C . X C 2. .1kHz * 7.5k
CC = 21.22nF
22 nF
18 nF
Para calcular fE1

X E = RE 2 = 390
fE2 =
1
1
=
2. . X E .C E 2. * 390 * 43.98F
f E 2 = 102.54 Hz
Queremos que el capacitor de base fije el codo
C B = 68nF
fB =
1
1
=
= 1.06kHz
2. . X B .C B 2. * 2.2k * 68nF
ya que el capacitor de base fija el codo elejimos valores mayores al calculado para que estas
frecuencias no varien a la de base.
C E = 4.7 F
CC = 22nF
96
Respuesta de frecuencia en alta frecuencia
En la regin de alta frecuencia, los elementos capacitivos de relevancia son las capacitancias
interelectrdicas (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de cableado
entre las terminales de la red. Todos los capacitores grandes de la red que controlaron la
repuesta de baja frecuencia se han reemplazado por su corto circuito equivalente debido a sus
muy bajos niveles de reactancia.
Para el anlisis en alta frecuencia se aade el concepto de efecto Miller y como regla tenemos
que para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada se incrementar por una
capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del amplificador y a la capacitancia
interelectrdica (parsita) entre las terminales de entrada y salida del dispositivo activo.
A continuacin se seala cada una de estas capacitancias en un grafico y su equivalencia por
el efecto Miller.
Se tiene la configuracin en emisor comn con los capacitores de baja frecuencia en

cortocircuito y considerando los capacitancias interelectrdicas.
97
Se realiza el anlisis respectivo para obtener el diagrama de bode de cada capacitor.

Co
A=
Req || X Co
re + RE1
1
j.CO
1
Req +
Req
j.CO
A=
=
(re + RE1 )(1 + j.CO .Req )
re + RE1
Req .
A=
Req
re + RE1
1
1 + j.CO .Req
Sea o la frecuencia de corte del capacitor
o =
1
Co Req
A=
Req
re + RE1 1 + j
Cuando = o
X Co = Req
Por lo tanto la grfica es
Ce
A=
A=
Req
re + RE1 || X Ce
Req
re + RE1
Sea Re eq =
Req (1 + j.Ce RE1 )

Req
Req
=
=
RE1
1
re + RE1 + j.Ce RE1re
re +
.RE1
j.Ce
1 + j.Ce RE1
re +
1
+ RE 1
j.Ce
1 + j.Ce RE1
R r
1 + j.Ce . E1 e
re + RE1
RE1re
= re || RE1
re + RE1
98
A=
Req
re + RE1
1 + j.Ce RE1
1 + j.Ce . Re eq
Sea e1 y e2 las frecuencias de corte del capacitor

1
Ce RE1
> e1
1 e2
e2 =
Ce Re eq
e1 =
e1
.
A=
re + RE1 1 + j
e2
Req
1+ j
Cuando
= e1 X Ce = RE1
= e1 X Ce = Re eq
Graficando el numerador y el denominador
Cin
99
Zin = X Cin || Rin

1
.Rin
Rin
j.Cin
=
Zin =
1
+ Rin 1 + j.Cin.Rin
j.Cin
Rin
Zin = .
1+ j
Sea i la frecuencia de corte del capacitor
i =
1
Cin.Rin
Cuando = i
X Cin = Rin
Ahora por efecto de las capacidades parsitas podemos disear un circuito que tenga tanto una
codo en bajas frecuencia y otro en altas frecuencias segn nuestras necesidades, si deseamos
cambiar la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aadir un capacitor por ejemplo en
paralelo a cualquier de los capacitores parsitos y luego se procede a disear con el valor de
frecuencia que se desea.
100
REALIMENTACIN
Es tomar una parte (una muestra) de la seal de salida y realimentarla (sumarla) con la seal
de entrada.
Tipos de realimentacin
-
Realimentacin negativa (sinnimo de estabilidad)

Realimentacin positiva (sinnimo de inestabilidad)
Sistema de lazo abierto
Vo = AVin
(1)
Vo + Vo = ( A + A)Vin
Vo + Vo = AVin
+ AVin
(2)
De (1) y (2) Vo = AVin
(3)
Vo A
(3)
=
Vo
A
(1)
Sistema de lazo cerrado
Se producir realimentacin negativa cuando en el sumador se d efectivamente la resta

de las 2 seales, es decir: Vin V f
Se tendr realimentacin positiva cuando en el sumador se d efectivamente la suma de

las 2 seales, es decir: Vin + V f
101
Ve = Vin V f
V f desfasada 180 respecto a Vin
Vin > V f
Realimentacin Positiva
Ve = Vin + V f
V f en fase respecto a Vin
Ganancia el lazo cerrado G = Af =
Vo
Vin
Vo = AVe
= A (Vin V f )
= A (Vin BVo )
= AVin
ABVo
Vo (1 + AB ) = AVin
Vo
A
=G =
Para Realimentacin Negativa
Vin
1 + AB
102
Vo = AVe
= A (Vin + V f )
= A (Vin + BVo )
= AVin
+ ABVo
Vo (1 AB ) = AVin
Vo
A
=G=
Para Realimentacin Positiva
Vin
1 AB
Tomando en general G =
A
1 AB
G =
A
A
=
1 ( A) B
1 + AB
El signo negativo indica nicamente el

defasamiento entre la seal de salida
y la seal de entrada
Otra opcin
G =
A
A
=
1 A( B ) 1 + AB
103
Realimentacin Positiva
G =
A
1 AB
Otra opcin
G =
A
A
=
1 ( A)( B )
1 AB
REALIMENTACIN NEGATIVA
La realimentacin (feedback en ingls) negativa es ampliamente utilizada en el diseo de

amplificadores ya que presenta mltiples e importantes beneficios. Uno de estos beneficios es
la estabilizacin de la ganancia del amplificador frente a variaciones de los dispositivos,
temperatura, variaciones de la fuente de alimentacin y envejecimiento de los componentes.
Otro beneficio es el de permitir al diseador ajustar la impedancia de entrada y salida del
circuito sin tener que realizar apenas modificaciones. La disminucin de la distorsin y el
aumento del ancho de banda hacen que la realimentacin negativa sea imprescindible en
amplificadores de audio y etapas de potencia. Sin embargo, presenta dos inconvenientes
bsicos. En primer lugar, la ganancia del amplificador disminuye en la misma proporcin con
el aumento de los anteriores beneficios. Este problema se resuelve incrementando el nmero
de etapas amplificadoras para compensar esa prdida de ganancia con el consiguiente
aumento de coste. El segundo problema est asociado con la realimentacin al tener tendencia
a la oscilacin lo que exige cuidadosos diseos de estos circuitos.
La teora de realimentacin exige considerar una serie de suposiciones para que sean vlidas
las expresiones que se van a obtener seguidamente. Estas suposiciones son:
-
La seal de entrada se transmite a la salida a travs del amplificador bsico y no a travs

de la red de realimentacin.
104
La seal de realimentacin se transmite de la salida a la entrada nicamente a travs de la

red de realimentacin y no a travs del amplificador bsico.
El factor B es independiente de la resistencia de carga (RL) y de la resistencia de la fuente.
En las dos primeras suposiciones se aplica el criterio de unidireccionalidad a travs de A y a

travs de B, respectivamente. Estas suposiciones hacen que el anlisis de circuitos aplicando
teora de realimentacin y sin ella difieran mnimamente. Sin embargo, la teora de
realimentacin simplifica enormemente el anlisis y diseo de amplificadores realimentados y
nadie aborda directamente un amplificador realimentado por el enorme esfuerzo que exige.
Ventajas
-
Estabilizacin de la ganancia
Cambio en las impedancias de entrada y salida
Extensin de la respuesta de frecuencia (ampliacin del Ancho de Banda)
Disminucin de la distorsin no lineal o de amplitud, y en algunos casos del ruido.
Estabilizacin de la ganancia
Las variaciones debidas al envejecimiento, temperatura, sustitucin de componentes, etc.,
hace que se produzca variaciones en el amplificador bsico y, por consiguiente, al
amplificador realimentado.
Si AB >> 1
A
G =
B
donde B es generalmente un divisor de tensin
Para el divisor de tensin se recomienda usar resistencias de precisin.

Si AB >> 1 y B = 1 (V f = Vo )
G = 1
Vo = Vin
pero siempre Vo < Vin
Se cumple mejor mientras mayor sea A Ve mnima
105
Si AB >> 1 y B < 1
G = 1
Amplificador
A
1 + AB
1
dG =
dA
2
(1 + AB )
G=
dG
dA
1
=
2
G (1 + AB ) G
dG
1 dA
=
G 1 + AB A
G
1 A
=
G 1 + AB A
Los peores enemigos de la estabilidad suelen ser los elementos activos (transistores). Si la red
de realimentacin contiene solamente elementos pasivos estables se logra una alta estabilidad.
Ejercicio
G=5
Vo = 3V
RL = 1 K
A
= 20%
A
G
= 1%
G
f = 1 KHz
= 100
Empezamos por el anlisis matemtico
1 A
G
=
G 1 + AB A
1
1=
20
1 + AB
1 + AB = 20
AB = 19
106
A
1 + AB
A = G (1 + AB )
G=
= 5 20
A = 100
AB = 19
19 19
B=
=
A 100
B = 0.19
Terminado el anlisis matemtico previo
Circuito a implementarse
Comenzando el diseo de la 2 Etapa
107
Asumo RC 2 = 1K
VRC 2
RC 2
Vo p
Re q2
1K
3V
0.5K
6V 1.3 = 7.8V
VRC 2
VRC 2 = 8V
IC 2 =
VRC 2
RC 2
8
1K
I C 2 = 8 mA
re 2 =
25 mV 25m
=
= 3.125
IC 2
8m
re 2 + RE 3 =
Re q2 0.5K
=
= 50
A2
10
existe estabilidad
RE 3 = 50 re 2 = 50 3.125 = 46.875
RE 3 = 47
VCE 2 Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.3 + 2 = 5.3V
VE 2 = 1 + Vin p = 1 + 0.3 = 1.3 1.3 = 1.69
VE 2 = 2V
VCC = VRC 2 + VCE 2 + VE 2 = 8 + 5.3 + 2 = 15.3

VCC = 18V
RET 2 =
VE 2
2
=
= 250
I C 2 8m
RE 4 = RET 2 RE 3 = 250 47 = 203

RE 4 = 220
108
IB2 =
IC 2
8m
= 80 A
100
I 4 = 10 I B = 800 A
I 3 = I B 2 + I 4 = 80 + 800 = 880 A
R4 =
VE 2 + VJBE 2 + 0.6
=
= 3.25K
I4
800
R3 =
VCC VE VJBE 18 2 0.6

=
= 17.5K
I3
880
R4 = 3.3 K
R3 = 18 K
Rin 2 = ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || RB
= ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || R3 || R4
Rin 2
= 101(3.125 + 47) ||18 K || 3.3K

= 1.798 K
Diseando la 1 Etapa
Asumo RC1 = 1K
VRC 2
RC1
Vo p
Re q1
1K
0.3V 1.3 = 0.608V
641.578
VRC1 = 6V Distribuyendo de una vez (para no poner solo 1V)
I C1 =
VRC1
6
=
= 6 mA
RC1 1K
re1 =
25 mV 25m
=
= 4.167
I C1
6m
re1 + RE1 =
Re q1 641.578
=
= 64.158
A1
10
es estable
109
RE1 = 64.158 re1 = 64.158 4.167 = 59.991

RE1 = 62
VCE1 Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.03 + 2 = 2.33V (necesario)
VE1 = 1 + Vin p = 1 + 0.03 = 1.03 1.3 = 1.339V (necesario)
Dispongo de 12 V VCE1 = 6V y VE1 = 6V
RET 1 =
VE1
6
=
= 1 K
I C 1 6m
RE 2 = RET 1 RE1 = 1K 62 = 938
I B1 =
I C1
RE 2 = 1 K
R2 = 10 K
6m
= 60 A
100
I 2 = 10 I B1 = 600 A
I1 = I B1 + I 2 = 60 + 600 = 660 A
R2 =
VE1 + VJBE 6 + 0.6

=
= 11K
I2
600
R1 =
VCC VE VJBE 18 6 0.6

=
= 17.273K
I1
330
R1 = 18 K
Para la realimentacin:
110
Vf =
Vf
Vo
Rb || Rin A
Vo p
Ra + Rb || Rin A
=B=
Rb || Rin A
= 0.19
Ra + Rb || Rin A
Por facilidad hacemos:
Vf =
Vf
Vo
Rin A
Vo
R f + Rin A
=B=
Habiendo hecho Rb >> Rin A
Rin A
= 0.19
R f + Rin A
R + R2 || Rg
Rin A = RE1 || re + 1
+ 1
Rin A = RE1 (?!)

B=
VALOR REAL
CON ERROR
RE1
= 0.19
R f + RE1
R f = 264.3
P = 500
Potencimetro del doble corregir error
Si hubisemos hecho en una sola etapa, habramos tenido que conectar la realimentacin a
BASE.
111
Calculando el capacitor adicional tenemos que B =
RE1
R f + X Cf + RE1
Teniendo que cumplirse que X Cf << R f + RE1
Para tener un comportamiento adecuado es necesario que:

-
El bloque B NO cargue al bloque A

El bloque A NO cargue al bloque B
Para que el bloque B NO cargue al bloque A:

Caso IDEAL
Rin B =
Rin B >> Ro A Caso PRCTICO
Para que el bloque A NO cargue al bloque B:

Caso IDEAL
Rin A =
Rin A >> RoB Caso PRCTICO
Pasos de Diseo
-
Asumimos Rf para que el bloque B no cargue el bloque A

R f >> RL
De la expresin para el bloque B, B =
RE1
, determinamos RE1.
R f + RE1
112
Asumiendo la 1 Etapa estable (re despreciable), A1
Re q1
, de donde obtenemos Req1.
RE1
Siendo Req1 = RC1 || Rin2
Rin2 Req1
Para comenzar el diseo de la 2 Etapa
obtenemos condicin de Rin2
Impedancias de entrada y salida

La realimentacin negativa, mejora las caractersticas de las impedancias de entrada y salida
del amplificador realimentado, respecto del amplificador sin realimentar. Por ejemplo para el
caso de un amplificador de tensin, es deseable que presente una alta impedancia de entrada
para la fuente de seal y una baja impedancia de salida para la carga. La alta impedancia de
entrada, evita la sobrecarga y la cada de tensin en la impedancia interna de la fuente de
seal. La baja impedancia de salida, tiende a idealizar el equivalente de thevenin de la salida
del amplificador, evitando las variaciones de tensin de la salida, por cada de tensin en esta
impedancia, ante variaciones de la carga.
Extensin de la respuesta en frecuencia
Una de las caractersticas ms importantes de la realimentacin es el aumento del ancho de
banda del amplificador que es directamente proporcional al factor de desensibilizacin
1 + AB .
Para demostrar esta caracterstica, consideremos un amplificador bsico que tiene una
frecuencia de corte superior f C . La ganancia de este amplificador se puede expresar como:
A=
AO
1+ j
f
fC
siendo AO la ganancia a frecuencias medias y f la frecuencia de la seal de entrada.
113
Pasando a un sistema realimentado

G=
A
1 + AB
Ao
f
fC
G=
AoB
1+
f
1+ j
fC
1+ j
Ao
G=
1 + AoB + j
G=
f
fC
Ao
1 + AoB 1 + j
1
f
f C (1 + AoB )
Como se puede observar claramente en la ecuacin obtenida y en el grfico, se aumenta el

ancho de banda. Sin embargo, este aumento es proporcional a la disminucin de la ganancia
del amplificador. Por ejemplo, si a un amplificador con una Ao = 1000 con una c =200 kHz
se le introduce una realimentacin tal que 1+AB = 20, entonces su aumenta hasta 4 MHz
aunque su ganancia disminuye a Ao = 50.
Disminucin de la dispersin no lineal o de amplitud
La realimentacin negativa en amplificadores reduce las caractersticas no lineales del
amplificador bsico y, por consiguiente, reduce su distorsin.
Sin realimentacin
Vo = A2 Ve
= A2 (Vo1 + Vd )
= A2 ( A1 Vin + Vd )
114
Vo = A1 A2 Vin + A2 Vd
Con Realimentacin
Vo = A2 Ve2
= A2 (Vo1 + Vd )
= A2 ( A1Ve1 + Vd )
= A1 A2 Ve1 + A2 Vd
= A1 A2 (Vin V f ) + A2 Vd
= A1 A2 (Vin BVo ) + A2 Vd
= A1 A2 Vin A1 A2 BVo + A2 Vd
Vo(1 + A1 A2 B ) = A1 A2 Vin + A2 Vd
Vo =
A1 A2
A2
Vin +
Vd Hemos bajado la distorsin
1 + A1 A2 B
1 + A1 A2 B
Reduccin del ruido

En trminos generales, respecto al ruido, podemos decir que la realimentacin negativa
reduce los niveles de estas tensiones elctricas indeseables. El ruido y la distorsin presentes
en la salida de un amplificador pueden considerarse como consecuencias de la introduccin de
una tensin espuria en alguna seccin del amplificador y que es amplificada por la parte del
amplificador comprendida entre el punto de inyeccin y la salida. Merced al circuito de
realimentacin, esta tensin vuelve al punto de origen y, si la realimentacin es negativa, llega
a este con fase opuesta a la original y tiende a anular la que le dio origen.
-
Ruido Blanco: es una seal aleatoria que se caracteriza porque sus valores de seal en dos
instantes de tiempo diferentes no guardan correlacin estadstica. Como consecuencia de
ello, su densidad espectral de potencia es una constante. Esto significa que la seal
contiene todas las frecuencias y todas ellas tienen la misma potencia. Igual fenmeno
ocurre con la luz blanca, lo que motiva la denominacin.
115
Ruido peridico: es ms fcil de eliminar (como el rizado)
Formas de Realimentacin
Un amplificador es diseado para responder a tensiones o corrientes a la entrada y para

suministrar tensiones o corrientes a la salida. En un amplificador realimentado, el tipo de
seal muestreada a la salida (corriente o tensin) y el tipo de seal mezclada a la entrada
(tensin o corriente) dan lugar a cuatro tipos de topologas:
1) Realimentacin de tensin en serie
2) Realimentacin de tensin en paralelo
3) Realimentacin de corriente en serie, y,
4) Realimentacin de corriente en paralelo
Realimentacin de Voltaje
Desde el punto de vista ideal

Rb
Vo
Ra + Rb
Vf
Rb
=B=
Vo
Ra + Rb
Vf =
en paralelo (divisor de voltaje)
Modelo equivalente de voltaje
116
Este modelo es adecuado cuando

Z i >> RS
Z O << RL
Realimentacin de Corriente
en serie
2 Vf =
1 B=
=
B=
Vf
Vo
io R f
io RL
Rf
RL
Rf
RL + R f
Vo
Rf
Vf
=B=
Vo
RL + R f
Para que el bloque B
no cargue al bloque A
Si R f << RL
B=
Rf
RL
Modelo equivalente de corriente
Este modelo es adecuado cuando

Z i << RS
Z O >> RL
117
Realimentacin de Voltaje en serie
Vo = AVe
V f = BVo
Realimentacin de Voltaje en paralelo
Vo = Aie
i f = BVo
Realimentacin de Corriente en serie

Otra configuracin de realimentacin consiste en seleccionar muestras de la corriente de
salida y devolver un voltaje proporcional en serie con la entrada. Al mismo tiempo que se
estabiliza la ganancia del amplificador, la conexin con realimentacin de corriente en serie,
incrementa la resistencia de entrada.
118
io = AVe
V f = Bio
Realimentacin de Corriente en paralelo
io = Aie
i f = Bio
Impedancia de entrada
Realimentaciones en serie (tanto de voltaje como de corriente)
Zin f = (1 + AB ) Zin
Realimentaciones en paralelo (tanto de voltaje como de corriente)

Zin f =
Zin
(1 + AB )
Impedancia de salida
119
Realimentacin de Voltaje
Zo f =
Zo
(1 + AB )
Realimentacin de Corriente
Zo f = (1 + AB ) Zo
Ejercicio
G=5
Vo = 5V
RL = 470
A
= 15%
A
G
= 1%
G
Zin f 1 K
= 100
Anlisis matemtico
G
1 A
=
G 1 + AB A
1
1=
15
1 + AB
1 + AB = 15
AB = 14
A
1 + AB
A = G (1 + AB )
G=
= 5 15
A = 75
120
AB = 19
14 14
B=
=
A 75
B = 0.187
Haciendo realimentacin de voltaje en paralelo
Zin
1K
1 + AB
Zin (1 + AB )1K
Zin f =
151K
Zin 15 K
Asumiendo ganancias A1 = 15 y A2 = 5
A1
Rin
+1 1
15
15K
100
Req1 2.25K
Req1
RC1 || Rin2 2.25 K
A2
Rin2
+1
5
2.25K
100
Req2 112.5
Req2
RC 2 || RL 112.5
Rc2 147.902
Haciendo que el bloque B no cargue al bloque A

R f >> RL
Asumo R f = 4.7 K
B=
RE1
R f + RE1
B R f
(0.187)(4.7 K )
B 1
0.187 1
RE1 = 1.08K
RE1 = 1 K
RE1 =
121
A1 =
Req1
re1 + RE1
A1 =
Req1
RE1
Asumiendo estabilidad para esta etapa re1 << RE1
Req1 = 15 1K = 15 K
RC1 || Rin2 = 15K
Rin2 15K
A2
Rin2
+1
5
15K
100
RC 2 || RL 750
Req2
470
Utilizando Darlington en la 2 Etapa

Req2
A2
Rin2
5
15K
10000
Req2 7.5
RC 2 || RL 750
470
RC 2 7.62
Resumiendo
Para:
Zin f 1 K
RC 2 147.9
Recalculando con Darlington en A 2
RC 2 1.12
122
Para que B no cargue a A:

RC 2 7.62
(A 2 con Darlington)
RC 2 7.62
(Cumpliendo Ambas Condiciones)
REALIMENTACIN POSITIVA
La utilizacin de realimentacin positiva que da por resultado un amplificador con

realimentacin que cuenta con ganancia de lazo cerrado G mayor a uno y que satisface las
condiciones de fase, provocar una operacin de circuito oscilador. Un circuito oscilador
como tal ofrece una seal variante de salida.
Circuitos Osciladores
Un circuito oscilador es aquel que genera una seal de salida, a una frecuencia determinada,
sin seal de entrada. La seal generada puede ser alterna o continua fluctuante (una sola
direccin, lo que cambia es la amplitud).
Tipos de osciladores
Onda sinusoidal
Los osciladores sinusoidales juegan un papel importante en los sistemas electrnicos que
utilizan seales armnicas. A pesar de que en numerosas ocasiones se les denomina
osciladores lineales, es preciso utilizar alguna caracterstica no lineal para generar una onda
de salida sinusoidal. De hecho, los osciladores son esencialmente no lineales lo que complica
las tcnicas de diseo y anlisis de este tipo de circuitos. El diseo de osciladores se realiza en
dos fases: una lineal, basado en mtodos en el dominio frecuencial que utilizan anlisis de
circuitos realimentados, y otra no lineal, que utiliza mecanismos no lineales para el control de
amplitud.
nicamente se debe satisfacer la condicin BA = 1 para que se obtengan oscilaciones
autosostenidas. En la prctica, BA se hace mayor a 1 y el sistema comienza a oscilar mediante
la aplicacin de voltaje de ruido, que siempre est presente. Los factores de saturacin en el
circuito prctico proporcionan un valor promedio de BA de 1. Las formas de onda
resultantes nunca son exactamente senoidales, sin embargo, mientras ms cercano se
encuentre el valor de BA a 1, la forma de onda ser ms cercana a una senoidal.
Una diferencia fundamental respecto a los circuitos multivibradores es que estos ltimos son
circuitos no lineales (basados en comparadores, disparadores de Schmitt, etc.) frente a los
circuitos cuasi-lineales de los osciladores.
123
Onda no sinusoidal
Dentro de este tipo se encuentran los osciladores de relajacin, los cuales emplean
dispositivos biestables tales como conmutadores, disparadores Schmitt, puertas lgicas,
comparadores y flip-flops que repetidamente cargan y descargan condensadores. Las formas
de onda tpicas que se obtiene con este mtodo son de tipo triangular, cuadrada, exponencial o
de pulso.
Aplicaciones
-
En transmisin y recepcin de radio y TV (como oscilador local generador de seales

portadoras).
En calentamiento dielctrico o inductivo.
En equipos de medida y/o laboratorio.
Condiciones bsica de oscilacin
1. El circuito bsicamente debe ser un amplificador.

2. Debe tener realimentacin positiva.
3. La cantidad de realimentacin debe ser suficiente para vencer las prdidas del circuito de
entrada.
Vo = AVe
= A (Vin + V f )
= A (Vin + BVo )
= AVin
+ ABVo
Vo (1 AB ) = AVin
Vo
A
=G=
1 AB
Vin
Para que el circuito oscile:
124
G=
( + A)( + B ) = 1
AB = 1
( A)( B ) = 1
A = 0
AB = 0
B = 0
A = 180
AB = 360
B = 180
Las condiciones de oscilacin que tenemos son:

AB = 1
AB = 0 360
1
2
Las Funciones de Transferencia (FT)

A = Ar + jAi
B = Br + jBi
tan =
Ai
Ar
tan =
Bi
Br
1
AB = 1
A B = 1
Ar 2 + Ai 2 + Br 2 + Bi 2 = 1
(A
+ Ai 2 )( Br 2 + Bi 2 ) = 1
125
2
AB = 0 360
A = = 0 tan = 0
Para AB = 0
B = = 0 tan = 0
tan = 0 Ai = 0
tan = 0 Bi = 0
A = = 180 tan = 0
Para AB = 360
B = = 180 tan = 0
1 Ar Br = 1
Generalmente encontramos la FT del bloque B
Circuito oscilador de desplazamiento de fase u oscilador RC
Todos los osciladores involucran uno o ms elementos almacenadores de energa. En forma

general se pueden clasificar segn el tipo de almacenadores. Tenemos, as, los osciladores LC,
que utilizan capacitores e inductores, y los osciladores RC, que utilizan capacitores y
resistores. Para frecuencias menores que 100 KHz, se trata de evitar el uso de bobinas,
surgiendo as los osciladores RC.
Este tipo de oscilador sigue el desarrollo bsico de un circuito realimentado, es decir, la
ganancia de lazo AB es mayor que la unidad y el corrimiento de fase alrededor de la red de
realimentacin es de 180 (proporcionando realimentacin positiva).
Cada conjunto de RC produce un defasamiento de 60

126
Vo
Vo = io Req
Req = Rc || RL
R = R + Rin
X
Vf
Vo
= B = Br + jBi = ?
De este desarrollo tenemos

B=
R 2 Rin 3 C 3 ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )
(1 6R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 ) + ( R3 3C 3 + 3R 2 Req 3C 3 5RC + ReqC )
(1 6R C
2
R 2 Rin 3 C 3 (1 6 R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 )
4 RReq 2 C 2 ) + ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )

2
Para que el circuito oscile:

Bi = 0
f OSC =
1
2 RC 6 + 4 K
K=
Req
R
Ar Br = 1
Ar = 29 + 23K + 4 K 2
127
A = 29 + 23K + 4 K 2
4 K 2 + 23K + 29 A = 0
23 232 4(4)(29 A)
8
23 65 + 16 A
K=
como nicamente puede ser (+)
8
K=
K=
23 + 65 + 16 A
8
65 + 16 A > 23
65 + 16 A > 529
A > 29
Ejercicio
Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz
Asumo A=40
23 + 65 + 16 A
8
23 + 65 + 16(40)
=
8
K = 0.444
K=
Asumo RC = 1 K
Req = RC || RL = 1K ||1K = 500
R=
Req
500
=
= 1.126 K
0.444
K
R = 1.2 K
Calculando C
128
C=
2 R f OSC 6 + 4 K
1
2 (1.2 K )(2 K ) 6 + 4(0.444)
C = 23.781 nF
Desde este punto se disea como se ha venido haciendo

Asumo resistencias de Tolerancia 20 %
RC
1
Vop 1.3 =
3 1.3 = 7.8V
Req
0.5
= 8V
VRC
VRC
IC =
VRC
8
=
= 8 mA
RC 1K
re =
25 mV 25m
=
= 3.125
iC
8m
re + RE1 =
Req 500
=
= 12.5
A
40
No es estable
Corrigiendo la estabilidad, asumo re = 1

IC =
25 mV 25m
=
= 25 mA
re
1
VRC = I C RC = (25m )(1K ) = 25V

RE1 = 12.5 re = 12.5 1 = 11.5
RE1 = 12
Vin p = 0 debido a que es oscilador

0
VE = 1 + Vin p = 1 1.3 = 1.3V

VE = 2V
VCE = Vo p + 1 = 3 + 1 = 4
debe ser exacto - NO redondear
VCE = 4V
129
RET =
VE
2
=
= 80
I C 25m
VCC = VRC + VCE + VE

VCC
= 25 + 4 + 2
= 31V
NOTA:
Si realizamos algn redondeo en VCC debemos:

-
Mandar el voltaje sobrante a VE y,

Recalcular RE2
130
IC
IB =
25m
= 250 A
100
I 2 = 10 I B = 10 250 = 2.5 mA
I1 = 11I B = 11 250 = 2.75 mA
VR1 = VCC VJBE VE = 31 0.6 2 = 28.4V
R1 =
VR1
28.4
=
= 10.327 K
I1 2.75m
R1 = 10 K
R2 =
VB 2 + 0.6
=
= 1.04 K
I2
2.5m
R2 = 1 K
Rin = RB || RinT = R1 || R2 || RinT = 537.17
23.8 nF
23.8 nF
Ponemos potencimetro del doble
23.8 nF
Rx = 662.83
1.2 K
Vo
1.2 K
Rin = 537.17
Si el valor de Rin saldra mayor a lo requerido tendramos que realizar el siguiente

procedimiento:
Ejemplo
Rin = R1 || R2 || RinT = 2 K
Ya NO necesitamos RX
R1 || R2 || RinT = 1.2 K
Tenemos que calcular R2 y cambiar el circuito de la siguiente manera:

131
Donde sera mejor utilizar un potencimetro en R2.

NOTA:
En el diseo RL 1 K , debido a que para valores mayores el diseo funciona, pero:

-
Oscila a una frecuencia distinta.

El Vo es mayor.
Existe demasiada realimentacin.
Hay que tener en cuenta que al elegir el valor de A (ganancia) debemos considerar la
tolerancia de las resistencias a utilizarse y su respectivo factor de seguridad.
Diseo para que el bloque B no cargue al bloque A
Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz
En forma aproximada R >> RL , para lograr que el bloque B no cargue al A.

Asumo R = 10 K
Comenzando el diseo del amplificador, asumo RC = 1 K
K=
Req 1K ||1K
=
= 0.05
10 K
R
A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.05) + 4(0.05) 2

A = 30.16
132
Obtenido este valor se debe hacer una consideracin acerca de la tolerancia de las resistencias.
En este caso todas las resistencias a utilizarse deberan ser de una tolerancia < 4%.
C=
=
1
2 R f OSC 6 + 4 K
1
2 (10 K )(2 K ) 6 + 4(0.05)
C = 3.196 nF
El resto del diseo se realiza de manera similar a la que se ha venido utilizando.

Otro diseo para que el bloque B no cargue al bloque A
Vo = 3V
RL 1 K
f OSC = 2KHz
Para que el bloque B no cargue al A: R >> Req

Asumo RC = 1 K
Req = RC || RL = 1K ||1K = 0.5K
Entonces, asumo R = 5.6 K
K=
Req 0.5K
=
= 0.0893
5.6 K
R
A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.0893) + 4(0.0893) 2

A = 31.085
Al igual que en la anterior opcin, es necesario considerar la tolerancia requerida para las
resistencias con las cuales vamos a trabajar. En este ejemplo todas las resistencias a utilizarse
deberan ser de una tolerancia < 7%.
C=
=
1
2 R f OSC 6 + 4 K
1
2 (5.6 K )(2 K ) 6 + 4(0.0893)
C = 5.636 nF
133
Oscilador de puente de Wien
El oscilador de desplazamiento de fase estudiado es muy sencillo y funciona con facilidad.

Sin embargo, su estabilidad en frecuencia es ms bien pobre, hacindolo inviable para
aplicaciones de precisin.
Se puede sustituir la red de desplazamiento de fase por un circuito conocido como puente de
Wien cuya aplicacin ms conocida es la medicin de impedancias.
El amplificador operacional se constituye en el bloque A, pero tambin podra hacerse con

TBJs.
Para la realimentacin negativa (bloque B) tenemos:
134
Vf =
Vf
Vo
R2 || X C 2
Vo
R1 + X C1 + R2 || X C 2
=B=
R2 || X C 2
R1 + X C1 + R2 || X C 2
:
:
B = Br + jBi = ?
Br =
2C1R2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
(1 C C R R )
2
Br =
+ 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
C1R2 (1 2C1C2 R1R2 )
(1 C C R R )
2
Bi = 0
+ 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
f OSC =
1
2 C1C2 R1R2
Br =
C1R2
C1R1 + C2 R2 + C1R2
Ar =
C1R1 + C2 R2 + C1R2
C1R2
C = C2 = C
El la prctica lo que se hace es 1
R1 = R2 = R
Entonces
f OSC =
1
2 C R
Br =
Br = B =
Vf =
Vf
Vo
1
3
Ar = 3
1
3
Vo
= V1
3
135
Para que el puente est equilibrado V1 = V2

Rb
Vo
Vo =
Ra + Rb
3
3Rb = Ra + Rb
Ra = 2 Rb
Con amplificador operacional

Un factor a considerar en este caso es que debido a que la corriente de salida (IO) est en
unidades de mA vamos a requerir de un valor mnimo de RL.
Para evitar inconvenientes el momento de elegir las resistencias observamos que se cumpla:
R f + R1 50 K
Para el diseo:
-
Comenzamos asumiendo R
Tomamos en cuenta que todas las resistencias sean > 50 K
Con TBJ
En 2 Etapas
R f = Ra
Tomamos la consideracin que
RE1 = Rb
La realimentacin negativa () se conecta a emisor

La realimentacin positiva (+) se conecta a base
a la
entrada
Rin || R2 || C2
136
Otra opcin que tenemos es hacer que Rin haga de R2

En 1 Etapa
-
La realimentacin negativa () se conecta a base. Rin = Rb

La realimentacin positiva (+) se conecta a emisor. R2 = RE1
Consideraciones
En la prctica resulta que la oscilacin crece constantemente en amplitud ya que los
amplificadores operacionales no son ideales, sino que alcanzarn la saturacin al cabo de unos
pocos ciclos. Para solventar este problema se debe reajustar la ganancia, con una resistencia
variable con la tensin. Esto es relativamente complejo y se suele recurrir a elementos no
lineales, como los diodos.
137
FUENTES REGULADAS
(Regulacin de Voltaje)
IN
VIN mx
VIN mn
t
Fuente ms sencilla
Vz = Vo
VIN > Vz
138
I = I Z mn + I L mx
I = IZ + IL
I = I Z mx + I L mn
I Z mn I ZK
I Z mx I ZM
Para que el Diodo Zener funcione correctamente.

VIN = VR + VZ = I R + VZ
VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ

0
VIN mx = ( I Z mx + I Lmn ) R + VZ
V mx = I mxR + V
IN
Z
Z
Para seal (para las variaciones)
Vo =
rZ || RL
Vin
R + rZ || RL
Vo
r || RL
= Z
Vin R + rZ || RL
Vin
R + rZ || RL
= a = FR =
Atenuacin o Factor de Regulacin
Vo
rZ || RL
Si RL >> rZ
a = FR =
R >> rZ
Como sucede en la prctica
R
rZ
El Factor de Regulacin (FR) indica la calidad de la fuente y su valor depende de la

aplicacin para la cual se vaya a utilizar. Mientras mayor sea ste, la fuente se vuelve ms
costosa.
139
Ejercicio
Vo = 20V
IL = 1 A
corresponde al valor mximo
FR 100
Vlnea = 80V 130V
El Zener lo elegimos dependiendo de las caractersticas solicitadas.

Para este caso un Zener de 20 V y que soporte 1 A sin carga.
Pd Z I Z VZ
I L VZ
1 A20V
Pd Z 20W
Pd Z va a ser mayor a 20 W
Al azar elegimos un Zener de Pd = 40W y observamos sus caractersticas en el respectivo

manual.
I ZK = 5mA
I
ZT
I ZM
rZ = 15
Debemos caer en cuenta que mientras mayor es la potencia de Zener, mayor es IZK y mayor es
rZ.
R
rZ
R = rZ FR
FR =
= 15 100
R = 1500
R = 1.5K
Si el valor de la resistencia calculada no resulta un valor estndar elegimos el valor inmediato

superior. De esta manera aumentamos el valor del FR.
140
VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ
I Z mn I ZK
I ZK 1.3 = 5m 1.3 = 6.5m I ZK = 7mA

= (7mA + 1 A)(1.5K ) + 20
VIN mn = 1530.5V ?!
Vlnea
VIN
80V
1530.5V
130V
x = VIN mx =
I Z mx =
Considerando la tolerancia
cuando el Vlnea es mnimo
1530.5 130
= 2487.063V
80
2487V 20V
= 1.64 A
1.5K
Quitando R L
I ZM > 1.64 (para que no se queme)
Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ
= 73.14W
40W ?! (no sirvi el azar)
Nos tocara recalcular todo porque el valor elegido no funcion.

El Diodo Zener a utilizarse debe ser de al menos el doble para evitar inconvenientes, es decir,
de unos 150W 200W. Adems, la resistencia a usarse debe ser de una potencia grandsima.
Entonces, este diseo presenta deficiencias y es usado para valores de
FR baja
I L baja
Es decir, para cuando no se necesita Vo extremadamente fijo.

Fuente con Transistor
El transistor Q1 es el elemento de control en serie, y el diodo Zener proporciona el voltaje de

referencia. Esta operacin de regulacin puede describirse de la forma siguiente:
1. Si el voltaje de salida disminuye, un mayor voltaje base-emisor ocasionar que el
transistor Q1 conduzca ms, con lo que se eleva el voltaje de salida y se mantiene la salida
constante.
141
2. Si el voltaje de salida incrementa, un menor voltaje base-emisor ocasionar que el

transistor Q1 conduzca menos, de esta forma se reduce el voltaje de salida y se mantiene la
salida constante.
Al variar RL vara IZ
I = IZ + IB
I
I B = L
+1
debiendo ser
I Z >> I B
para que I Z = cte
I Z I ZT
VZ = Vo + VJBE
VIN = VR + VZ = I R + VZ
VIN > Vo
VCE 3V
para que est en la regin activa
Para seal (para las variaciones)
RL = ( + 1)( re + RL )
rZ || RL
Vin
R + rZ || RL
Vo
r || RL
= Z
Vin R + rZ || RL
Vo =
Vin
R + rZ || RL
= a = FR =
Vo
rZ || RL
142
R
RL >> rZ
ms exacto que antes
a = FR =
rZ
R >> rZ
Si
Ejercicio
Vo = 20V
IL = 1 A
FR 100
Vlnea = 80V 130V
VZ = Vo + VJBE
= 20 + 0.6
VZ = 20.6V
rZ = 10
Buscando las caractersticas del Zener en el respectivo manual I ZK = 1mA

I = 10mA
ZT
El transistor: = 50
FR =
disminuye su valor al aumentar la potencia
R
rZ
R = rZ FR
= 10 100
R = 1K
En el transistor
P = V I = 3V 1 A = 3W
6W
como sabemos que es mayor P = 10W
IB =
IL
1A
= 20mA
50
143
Fuente con Transistores en configuracin Darlington
Al haber llegado a un valor de corriente que no cumple los requerimientos, usamos Darlington
QD, para bajar IB.
Tenemos que
Q1 Pd1 = VCE1 I C1
= VCE1 I L
Q2 Pd 2 = VCE 2 I C 2
= (VCE1 VJBE1 )
VCE1
Pd 2
=
I C1
I C1
Pd1
1 = 50
10
ya protegido
depende de la potencia
50
2 = 100
Con Darlington
VZ = Vo + VJBED
= 20 + 1.2
VZ = 21.2V
IB =
IL
1A
50 100
I B = 0.2mA
I Z >> I B
I Z = 10mA
I Z I ZT
144
I = IZ + IB
= 10m + 0.2m
I = 10.2mA
VIN = I R + VZ
= (10.2m )(1K ) + 21.2
VIN = 31.4V
Ya teniendo el VIN tenemos varias alternativas que podemos elegir para el diseo.
1. Considerar que VIN = VIN mn
VIN = VIN mn = 31.4V
80V
31.4V
130V
x = VIN mx =
I = 10.2mA
31.4 130
= 51.025V
80
La corriente va a cambiar
I=
VIN mx VZ 51.025 21.2

=
= 29.825mA
1K
R
I Z mx = I = 29.825mA
I ZM > I Z mx
Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ
= (29.825m )(21.2) + (29.825m )2 (10)
Pd Z = 641.185mW
Esta alternativa necesariamente va a funcionar, pero la potencia del Zener a usarse va a ser
mayor.
2. Considerar VIN = VIN promedio =
VIN mx VIN mn
2
145
VIN = VIN promedio =
Vlnea promedio =
VIN mx VIN mn
= 31.4V
2
I = 10.2mA
130 + 80
= 105V
2
105V
31.4V
80V
x = VIN mn =
VIN mn = 23.92V
31.4 80
= 23.924V
105
I=
VIN mn VZ
= 2.72mA
R
Si sacamos de la fuente 1 A (mxima corriente requerida), esto se llama a plena carga.
I Z mn = I I B = 2.72m 0.2m = 2.52m
105V
31.4V
130V
x = VIN mx =
VIN mx = 38.88V
31.4 130
105
I Z mx = I = 17.68mA
I=
VIN mx VZ
= 17.68mA
R
se verifica que se cumpla con la condicin de I ZM
Pd Z = 377.94mW
Esta alternativa exige que la potencia del Zener sea de menor valor, pero podra suceder que
I Z mn < I ZK , con lo cual sera descartada esta opcin.
146
Fuente con Realimentacin
I = IC 3 + I B
I = I
Z
C3
IL
I C 3 >> I B para que el voltaje se mantenga cte ; I B =
D
I C 3 = I Z I ZT
IC 3
I B3 =
3
I 2 >> I B 3
I1 = I 2 + I B 3
I
hay que verificar que se cumpla I1 L
I1 <<< I L
100
para que el bloque B no cargue al boque A
I >> I (corriente de fuga)

CO
1
VZ = Vo + VJBED VCE 3
para que siempre est trabajando en la regin activa

VCE 3 3V
VIN = VZ + VCE 3 + VR
VCED 3V
voltaje de entrada AL MENOS 3V

ms que el voltaje de salida
En este circuito no se necesita una resistencia de descarga para la configuracin Darlington.

Para seal (realimentacin negativa)
A
G=
1 + AB
147
A QD
A=1
B ( R1 , R2 y Q3 )
A3
Vf 1 =
R2 || RinT 3
Vo
R1 + R2 || RinT 3
V f 2 = A3 V f 1
= A3
R2 || RinT 3
Vo
R1 + R2 || RinT 3
Vf 2
R2 || RinT 3
= B = A3
Vo
R1 + R2 || RinT 3
14
4244
3
DT
B = A3 DT
A3 =
R || RinD
re 3 + rZ
RinD = D ( reD + RL )
1
1+ B
1
G=
B
G=
debido que que B no carga a A
menor que 1 para no amplificar seales
B lo ms gande posible B >> 1
Vin 1
= = B = a = FR
Vo G
DT < 1
B = A3 DT
A3 >>>
(siempre)
lo ms alto posible
148
Ejercicio
Vo = 20V
I L = 1A
FR 100
----------------1 = 50 (de potencia )
2 = 3 = 100
----------------I ZK = 1mA
I ZT = 10mA
rZ = 10
IB =
IL
1
= 0.2mA
50 100
I C 3 >> I B
IC 3
I C 3 = I Z = 10mA
= I Z I ZT
I = I C 3 + I B = 10m + 0.2m = 10.2mA
I B3 =
IC 3
10m
= 0.1mA
100
I 2 >> I B 3
I 2 = 1mA
Comprobando que se cumplan las condiciones
I1 = I 2 + I B 3 = 1m + 0.1m
I1 = 1.1mA
( I CO A o nA)
VZ = Vo + VJBED VCE 3
= 20 + 1.2 3
VZ = 18.2V
elegimos Zener de MENOR valor estndar (aumenta VCE3 )
VZ = 18V
149
VB 3 = VZ + VVBE 3
= 18 + 0.6
VB 3 = 18.6V
R2 =
VB 3 18.6
=
= 18.6 K
I2
1m
R1 =
Vo VB 3 20 18.6
=
= 1.27 K
I1
1.1m
R2 = 18K
R1 = 1.2 K
FR = A3 DT
DT =
R2 || RinT 3
R1 + R2 || RinT 3
RinT 3 = ( 3 + 1)( re 3 + rZ )
25mV
+ 10)
10mA
RinT 3 = 1.263K
= 101(
Reemplazando los valores
DT = 0.5
FR 100
=
= 200
DT 0.5
R || RinD
= 200
A3 =
re 3 + rZ
A3 =
RL =
Vo 20
=
= 20
IL
1
RL > 20
RinD = D ( reD + RL )
50m
= (50 100)
+ 20
1
RinD = 100.25K
R = 2.56 K
2.7 K
2.2 K
elegimos el MAYOR para obtener un mayor A 3
R = 2.7 K
150
VIN = VZ + VCE 3 + VR
= 18 + 3.2 + 10.2m 2.7 K
VIN = 48.74V
Habiendo obtenido en valor de VIN tenemos las mismas alternativas que se expusieron
anteriormente:
-
Considerar VINmn
Considerar VINpromedio
Teniendo previamente en cuenta que este diseo exige transistores ms costosos.

Debido a que la ganancia es muy alta el circuito puede oscilar y por este motivo para evitar
oscilaciones se coloca un capacitor adicional que sea cortocircuito a la frecuencia de
oscilacin. Este capacitor puede tener un valor entre 0.1F y 0.47F.
Fuente con Realimentacin y Fuente de Corriente
Para subir la calidad de la fuente anterior (aumentar FR) la nica opcin que tenemos es subir
el valor de R, pero esto provoca que:
-
El voltaje de entrada VIN aumente

VCE aumente
El transistor de salida Q1 aumente su potencia (ms costoso)
Una opcin que se presenta es poner una fuente de corriente en vez de R, consiguiendo que:
R=
A3 =
RinD
re 3 + rZ
mximo valor de ganancia y mximo FR
151
Reemplazando
FR = A3 DT
A3 =
RinD
re 3 + rZ
Con los valores con los cuales hemos venido trabajando tenemos:
A3 =
100.25K
= 8020
2.5 + 10
FR = 4010
Implementando la fuente de corriente
Hacemos que a pesar que vare el Voltaje de Entrada, I = cte.

VIN = VZ 1 + VCE 3 + VCE 4 + VRE
VRE = I RE
152
VCE 3 3V
para que estn en la regin activa
VCE 4 3V
VRE = VZ 2 VJBE 4
= 2.2 0.6 = 1.6V
VZ 2 conviene que sea lo ms bajo posible y en la actualidad el menor valor que se puede
conseguir es 2.2 V.
VIN = 18 + 3.2 + 3 + 1.6 = 25.8V
Nos damos cuenta que bajamos el VCE1 y de esta manera disminuye la potencia, y por
consiguiente el costo.
VRE VZ 2 VJBE 4 2.2 0.6
=
=
= 156.863
I
I
10.2m
RE =
IB4 =
10.2m
= 102 A
100
I Z 2 >> I B 4
I Z 2 I ZT (segn el manual)
I3 = I Z 2 + I B4
R3 =
VIN VZ 2
I3
As acaba el diseo de la fuente de corriente.
153
CIRCUITOS DE PROTECCIN
Proteccin con Diodos
Con los diodos hemos hecho una fuente de corriente. Cuando el voltaje sobre la resistencia Rs
< 0.6 V es como si los diodos no existieran, pero cuando por Rs pase una corriente mayor a la
deseada hacemos que 0.6 V caigan en ella y los diodos comienzan a funcionar.
Para esta proteccin se usan tantos diodos como junturas ms uno se tengan.
RS =
VD
I L mx
con esta proteccin incluso podramos hacer cortocircuito
Tenemos que considerar que la potencia del transistor de salida Q1 va a aumentar y se puede
calentar demasiado e incluso quemarse, por lo que es necesario usar un disipador de calor.
Proteccin con Diodos Zener
Otra opcin que tenemos es usar un Zener en vez de los diodos, en este caso:
154
RS =
VZ VJBED
I L mx
La resistencia Rs no es buena para la fuente y desde el punto de vista ideal tendra que ser Rs
= 0, pero en la prctica se toma el valor ms bajo posible.
Teniendo ambas alternativas (Diodos y Zener) analizamos cul nos entrega un valor de Rs
ms bajo y esa se convierte en la mejor opcin.
Proteccin con transistor (limitador de corriente)
La limitacin de corriente reduce el voltaje a travs de la carga cuando la corriente se vuelve

mayor al valor lmite.
155
Lo que se hace en este caso es que el transistor Qs se sature, es decir que entre base y emisor
caiga un voltaje mayor a 0.6 V. Esto lo conseguimos haciendo que sobre la resistencia Rs
caigan 0.8 V al pasar una corriente superior a la mxima deseada.
De esta forma, al detectarse una corriente mayor a la deseada, los transistores de salida se
prenden y se apagan continuamente. Debido a esta situacin los transistores de salida (Q1 y
Q2) se van a calentar menos y van a ser de una potencia menor.
RS =
VJBEsat
0.8V
=
I L mx I L mx
Si aumentamos la resistencia Rb damos proteccin al transistor Qs. El exceso de voltaje sobre

la resistencia Rs va a caer sobre Rb. El valor de la resistencia Rb va a estar entre 100 y 1
K y se la selecciona empricamente hasta que el voltaje sobre Rs sea bajo.
Proteccin con SCR
El rectificador controlado de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor

formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar
el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se
156
aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en

que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado, podemos
anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga
disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el
SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste
puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como
caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir
que un SCR funciona como un interruptor electrnico.
Caractersticas de la compuerta de los SCR
Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente
de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la
terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en
particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente
de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar
entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente
mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta
para que un SCR se dispare.
Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG)

necesarios para disparar un SCR.
Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de
compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a travs de las terminales principales, de
nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK)
caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR
se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su
regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10
mA.
Esta proteccin se constituye en la mejor de todas y se puede aplicar tanto a la fuente con
resistencia o cuando dicha resistencia ha sido reemplazada por una fuente de corriente.
157
Se usa un pulsante que normalmente est cerrado para que de esta forma al pulsarlo el SCR
deje de conducir.
VAK = 1V
El SCR se dispara al haber un cortocircuito o una sobrecarga (sacar de la fuente una corriente
mayor a la fijada, es decir, poner una resistencia de menor valor al lmite establecido). Al
estar el SCR disparado:
-
NO funciona el Darlington (no consumen potencia lo transistores de salida).

NO existe Vo.
NO existe IL.
RS =
VGKdisparo
I L mx
0.8V
I L mx
La resistencia Rg se coloca para que sobre ella caiga el exceso de voltaje y de esta forma
proteger al SCR. El valor de Rg va a estar entre 100 y 1 K.
Debido a los transitorios de alta frecuencia que ocurren en el transformador y que pueden
activar el SCR, se coloca el capacitor C en paralelo con Rs para de esta forma eliminarlos.
158
Fuente regulada con voltaje de salida variable
El VB = cte, sin importar la posicin del potencimetro.
Vo = Vomn
( I 2mn hacer cumplir I 2 >> I B 3 )
I 2 >> I B 3
I1 = I 2 + I B 3
P + R2 =
R1 =
VB 3 VZ 1 + VJBE 3
=
I2
I2
Vomn VB 3
I1
Vo = Vomx
V
I 2 = B 3
R2
( I 2 > I 2 que tenamos antes)
I1 = I 2 + I B 3
R1 + P =
R1 =
Vomx + VB 3
I1
Vomn VB 3
I1
Necesitamos emplear sistemas de ecuaciones para encontrar nuestras incgnitas.

159
Para la eleccin del Diodo Zener consideramos el caso del VOmn.

VZ 1 = Vomn + VJBED VCE 3
Si quisiramos que esta fuente vare desde 0V hasta 20V, la tierra debe reemplazarse por un
valor de voltaje negativo ().
160
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Las etapas de salida, tambin denominadas etapas de potencia, son configuraciones especiales
localizadas a la salida de un amplificador utilizadas para proporcionar cierta cantidad de
potencia a una carga con aceptables niveles de distorsin. Adems, una etapa de salida debe
ser independiente del propio valor de la carga, tener reducido consumo esttico de potencia y
no limitar la respuesta en frecuencia del amplificador completo.
Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados.
Las aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben ser utilizados con
mucho cuidado. Sin embargo, la linealidad de una etapa es una medida que proporciona la
calidad del diseo, muchas veces caracterizada a travs de la distorsin armnica total (total
harmonic distortion o THD). Este parmetro es un valor eficaz o rms de las componentes
armnicas de la seal de salida, sin incluir la fundamental de la entrada, expresada a travs del
porcentaje en trminos de rms respecto a la fundamental. Los equipos de sonido de alta
fidelidad tienen un THD inferior a 0.1%.
Otro parmetro importante de una etapa de potencia es su eficiencia, que indica el porcentaje
de potencia entregada a la carga respecto de la potencia total disipada por la etapa. Un valor
alto de eficiencia se traduce en una mayor duracin del tiempo de vida de las bateras o en el
uso de fuentes de alimentacin de bajo coste, adems de minimizar los problemas de
disipacin de potencia y coste del propio transistor de potencia. Es por ello, que las etapas de
salida utilizan transistores de potencia (> 1W) y el uso de aletas refrigeradoras resulta en
algunos casos imprescindible.
Las etapas de salida tradicionalmente son clasificadas de acuerdo a la forma de onda de la
corriente de colector del transistor de salida en clase A, clase B, clase AB y clase C. En la
etapa clase A, el transistor es polarizado con un corriente en continua de valor ICQ mayor que
la corriente de alterna de amplitud IC de forma que el periodo de conduccin es de 360. En
contraste, en la clase B la polarizacin DC es nula y slo conduce en un semiperiodo de la
seal de entrada (180). La etapa clase AB, intermedio entre la A y la B, el transistor conduce
un ngulo ligeramente superior a 180 y mucho menor que 360. En la etapa clase C conduce
ngulos inferiores a 180 y son empleadas usualmente en radiofrecuencia como por ejemplo
telfonos mviles y transmisores de radio y TV.
Clasificacin de los Amplificadores
-
Clase A
Clase AB
Clase B
Case C
161
Clasificacin de las etapas de salida: a) clase A, b) clase B, c) Clase AB y d) Clase C.
Clase A
Un amplificador clase A se polariza de tal modo que conduce corriente de manera continua.
La polarizacin se ajusta para que la entrada haga variar la corriente del colector (o de
drenaje) en una regin lineal de la caracterstica del transistor. En consecuencia, su salida es
una reproduccin lineal amplificada de la entrada. Son amplificadores de potencia ineficaces
que se usan como amplificadores de voltaje de seales pequeas o para amplificadores de baja
potencia. Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de
potencia.
El funcionamiento en clase A se lleva a cabo, ntegramente, dentro de la regin activa,
comprendida entre el corte y la saturacin del dispositivo, sin llegar a salirse de ella en ningn
momento. El punto de trabajo de reposo se fija en el punto medio entre los puntos de corte y
saturacin de la recta de carga.
162
Se caracteriza por presentar una corriente continua media de colector constante y

suficientemente grande como para mantenerse en todo momento dentro de la regin activa. El
dispositivo activo se comporta como una fuente de corriente. El empleo de circuitos
sintonizados o filtros de paso bajo en los colectores de este tipo de amplificadores (al igual
que en los de clase B) no es inherente a su modo de operar y, cuando se ponen es por asegurar
una supresin adecuada de armnicos en la salida o por razones de adaptacin.
De cualquier manera la escasa importancia de los armnicos en las cuestiones de potencia
hace que se consideren inexistentes en el clculo de sta y que se traten slo en el estudio
especfico de distorsiones.
En teora, la clase A puede alcanzar un rendimiento de hasta el 50%, pero, dado que no se
puede apurar al mximo, queda alrededor del 25%, o, incluso, puede bajar hasta el 15%,
segn la exigencia de linealidad.
En el caso terico de 50% de rendimiento, la eficacia instantnea es proporcional a la potencia
de salida y la eficacia media es inversamente proporcional a la relacin de potencia de pico a
potencia media.
En cambio, la ganancia es uno de los puntos fuertes de los transistores trabajando en clase A.
Suele ser 3 a 6 dB mayor que operando en clase B, y mucho mayor que en clase C.
No existe una lnea de separacin definida entre los amplificadores de potencia de clase A y
los amplificadores de seal dbil, es decir, es prcticamente lo que se ha venido haciendo,
pero la metodologa de diseo es diferente.
Caractersticas
-
ngulo de conduccin: 360

Baja distorsin
Bajo rendimiento (se desperdicia mucha potencia)
Clase AB
Un amplificador clase AB se polariza cerca del corte con cierto flujo de corriente continuo del
colector. Tambin se usa en amplificadores push-pull y proporciona una linealidad mejor que
163
un amplificador clase B, pero con menos eficiencia. Esta configuracin es una variante de la
etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de potencia
cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona muerta de respuesta.
Esta clase sigue requiriendo de una conexin en contrafase, para obtener un ciclo completo de
salida, sin embargo, el nivel de polarizacin de DC es, por lo general, ms cercano al nivel de
corriente de base cero, para una mejor eficiencia de potencia.
En los amplificadores de clase A, la distorsin no lineal disminuye montonamente con la
potencia de salida. Sin embargo, la cosa cambia cuando de clase B se trata. Su
comportamiento irregular obedece a la existencia del mencionado crossover. Precisamente, si
se quiere paliar este problema en la zona de relevo se recurre a que cada transistor
saliente acompaase al entrante durante algunos grados. Lo que da origen a la clase AB,
que mejora notablemente la distorsin, aunque afectando, ligeramente, al rendimiento.
La operacin en clase AB tiene, pues, su origen en perfeccionamiento de circuitos
amplificadores en contrafase. Esta configuracin proporciona, al igual que la clase A una
seal de salida altamente lineal con respecto a la seal de entrada, pues, aunque cada
transistor slo conduce durante medio ciclo, ambos transistores se ceden el relevo, en el
paso por cero, de modo que en su conjunto se comportan de manera lineal, especialmente si
ambos transistores son idnticos.
En cuanto a la ganancia de potencia, los amplificadores del tipo AB son algo intermedio entre
los de tipo A y los de B. El razonamiento con respecto al valor de la transconductancia
efectiva es el mismo que se hizo en el caso de clase B.
En frecuencias elevadas puede obtenerse, mediante estructura en push-pull, un satisfactorio
funcionamiento en banda ancha. Lamentablemente no pueden utilizarse topologas
complementarias a esas frecuencias (HF; VHF), dado el deficiente comportamiento a tales
frecuencias de los transistores PNP. Los montajes complementarios se circunscriben al audio
y las frecuencias de radio bajas y medias.
Caractersticas
-
ngulo de conduccin entre 180 y 360

Presenta distorsin (mayor que en el clase A)
Mayor rendimiento que el clase A
Para tener una seal de salida se 360 se necesita de un montaje en contrafase.
Las configuraciones ms utilizadas para polarizar los transistores de salida son: con diodos y
con un multiplicador VBE.
164
Clase AB con polarizacin por diodos
En ausencia de seal, vi = 0, la cada de tensin en el diodo D1 hace que el transistor Q1 est

en la regin lineal con una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2;
es decir, ambos transistores conducen. Cuando se aplica una tensin a la entrada uno de los
transistores estar en la regin lineal y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la
etapa clase B pero con la ausencia de distorsin de cruce. En este caso la potencia promedio
suministrada por una fuente de alimentacin es
PCC =
VCC Vo
+ I V
RL Q CC
En general, el segundo trmino es despreciable frente al primero.

La polarizacin con diodos presenta una importante ventaja al proporcionar estabilizacin de
la polarizacin con la temperatura. Al aumentar la temperatura, el VBE de los transistores
disminuye pero a su vez la cada de tensin de los diodos tambin lo que permite mantener
constante la corriente de polarizacin de los transistores de salida.
Clase AB con polarizacin por multiplicador VBE
165
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensin 2VBE entre la base de los transistores
necesaria para eliminar la distorsin de cruce es utilizar lo que se denomina un multiplicador
de VBE. Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas
entre su colector y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2
VBE 3
y la tensin
deben ser de unos pocos K) entonces la corriente que circula por R1 es
R1
entre el colector y emisor de ese transistor es
VCE 3 =
VBE 3
R
( R1 + R2 ) = VBE 3 1 + 2
R1
R1
R
es decir, la tensin VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor 1 + 1 .
R2
Clase B
La mayor desventaja de la anterior etapa de salida es el consumo esttico de potencia incluso

en ausencia de seal de entrada. En muchas aplicaciones prcticas existen largos tiempos
muertos (standby) a la espera de seal de entrada o con seales intermitentes como es el caso
de voz humana. Etapas de salida que desperdician potencia en perodos standby tienen efectos
perniciosos importantes. En primer lugar, se reducen drsticamente el tiempo de duracin de
las bateras de los equipos electrnicos. En segundo lugar, ese consumo de potencia
continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos que limitan su tiempo
medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el sistema
electrnico.
Un amplificador clase B se polariza en corte de modo que cuando en el colector la entrada es
cero no fluye corriente. El transistor slo conduce la mitad de la entrada de onda senoidal. En
otras palabras, conduce en 180 de una entrada de onda senoidal. Esto significa que slo se
amplifica la mitad de la onda senoidal. Por lo comn, en una configuracin push-pull se
conectan dos amplificadores clase B de modo que la alternacin positiva y la negativa se
amplifican en forma simultnea. En estas etapas no se produce disipacin de potencia cuando
la seal es nula.
Puesto que la corriente de colector es proporcional a la amplitud de la seal de entrada, la
clase B proporciona amplificacin sensiblemente lineal, mientras est conduciendo el
166
transistor. sta componente lineal siempre est presente a la salida, y ser aprovechable como
seal amplificada, aunque el hecho de que se produzca una interrupcin de la seal durante el
medio ciclo negativo provoca la aparicin de fuertes componentes armnicos (en especial
pares).
Si estos armnicos estn fuera de la banda de utilidad, pueden eliminarse por filtrado y el
amplificador cumple perfectamente su cometido. En otros casos, en cambio, pueden hacer el
sistema inservible.
La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente
cero. Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP, en contrafase que conducen
alternativamente en funcin de si la seal de entrada es positiva o negativa. De ah, el nombre
de push-pull. Otra ventaja adicional es su mejor eficiencia que puede alcanzar un valor
mximo prximo al 78% muy superior al 25% de la etapa de salida clase A.
Caractersticas
-
ngulo de conduccin: 180

Presenta mayor distorsin que el clase AB
Mayor rendimiento que el clase AB
Si se necesita que la seal de salida sea de 360 se requiere un montaje en contrafase.
Clase C
Se encuentra polarizado en una zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos
activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal, es decir, menos de
180 del ciclo. De esta forma se consiguen rendimientos mximos, aunque se necesitan
elementos reactivos que acumulen la energa durante la conduccin y la liberen en el resto del
ciclo en el que el dispositivo no conduce, es decir, operar solamente con un circuito de
sintonizacin (resonante), el cual proporciona un ciclo completo de operacin para la
frecuencia sintonizada o resonante.. Esta clase de operacin es, por tanto, utilizada en reas
especiales de circuitos de sintonizacin, tales como radio o comunicaciones (amplificacin de
seales de banda muy estrecha).
167
Esta modalidad tiene su autntica razn de ser, y su origen, en la amplificacin de muy alta
potencia con vlvulas termoinicas. El punto de trabajo ha de conseguirse polarizando
inversamente la entrada del dispositivo activo.
En clase C el dispositivo activo es llevado, deliberadamente, a un funcionamiento
absolutamente no lineal. La eficacia puede llevarse, tericamente, a las proximidades del
100%, en la medida que el ngulo de conduccin se aproxima a cero. Desgraciadamente esto
conlleva que la ganancia vaya disminuyendo de manera que la potencia de excitacin
necesaria tiende a infinito. Un buen compromiso es un ngulo de conduccin de 150, que
resulta en una eficacia de 85%.
Se puede decir que casi funciona como un conmutador, para reducir las prdidas por
resistencia. El dispositivo conduce durante un ngulo muy pequeo y el circuito sintonizado
del colector se encarga de reconstruir (en realidad, seleccionar) la seal fundamental a
partir de la seal peridica impulsiva que le entrega el amplificador.
El filtro de salida de un verdadero clase C es un circuito resonante paralelo que deriva a tierra
los componentes armnicos de la seal pulsante, que, de este modo, no generan tensiones
correspondientes a los citados armnicos.
Cuando se lleva el amplificador a saturacin, la eficacia se estabiliza y la tensin de salida
est determinada por la tensin de alimentacin, lo que permite la modulacin lineal de
amplitud a alto nivel (haciendo que la tensin se alimentacin sea la seal moduladora).
Una dificultad aadida para el verdadero funcionamiento en clase C con semiconductores es
que se requiere una muy baja impedancia de salida y esto crea serios problemas para adaptar
circuitos resonantes paralelos a estas salidas.
La clase C, a diferencia de la B unilateral, no slo genera importantes armnicos, como
aquella, sino que su respuesta es esencialmente no lineal, incluso para el fundamental.
Polarizacin en clase C
La clase C clsica es excelente en tubos de vaco pero resulta impracticable en amplificadores
de estado slido, en particular con transistores bipolares. En efecto, esta clase no suele ser
168
muy recomendable porque acorta su vida. La operacin en C exige polarizar negativamente la

base con respecto al emisor y la tensin de ruptura inversa base-emisor. Solamente puede
hacerse una excepcin. En tal caso puede recurrirse a un procedimiento de autopolarizacin
para conseguir la adecuada tensin continua inversa de polarizacin en la base.
El sistema se basa en la autopolarizacin que produce la rectificacin de la propia seal de
entrada al circular por el diodo que constituye la unin base-emisor del transistor de potencia.
Caractersticas
-
ngulo de conduccin menor a 180

Presenta mayor distorsin que el clase B
Mayor rendimiento que el clase B
No es posible utilizar montaje en contrafase
En la prctica se utiliza el Clase B.
En este tipo de amplificadores es muy importante tomar en cuenta:

Pdmx
VCE mx
I mx
C
ya que puede quemarse por cualquiera de ellos o en conjunto
Existe una familia de curvas de disipacin de potencia
169
Metodologa de diseo
VCEM
2
I
I CT = CM
2
Pd = VCET I CT
VCET =
Rac =
VCEM
I CM
Rac es la carga que pide el transistor y se obtiene del inverso de la pendiente de carga.
Potencias
Nos va a permitir elegir la curva adecuada

Clase A
Pd = 2 Po
Clase B
Pd =
Po
2
Amplificador Clase A
170
No se pone capacitor con RL porque se desperdicia potencia.

No se usa en la prctica.
Para 10 W de potencia de salida hay que elegir la curva de 20 W, y es mejor escoger una
superior para evitar posibles recortes.
En este caso las rectas de carga dinmica y esttica son las mismas. El pto. Q es el eje de la
recta de carga dinmica.
PCC = VCC I CQ
2
Vo 1
Po = pr
2 Rac
Potencia eficaz
rendimiento
Pd r = VCET I CT
= VCEQ I CQ
R=
Po
100 [%]
PCC
171
Rac =
VCEM
= n 2 RL
I CM
n=
n1
n2
Donde n1 es el nmero de vueltas del primario y n2 es el nmero de vueltas del secundario.

2
Vo
Pd r = pi Pd i
Vo pr
Pd i = 2 Po
Ahora con transformador
Se pone para compensar las prdidas en el transformador.

172
1
1.1
=
1.2
M
caso ideal
10% prdidas en el transformador
20% prdidas en el transformador
Para el diseo
-
Se deben tener todos los datos.

Asumir VCC
Asumir VE y lo que queda es VCEM
V
VCET = CEM y tambin obtenemos Vo pi
2
De la frmula VCET = Vo pr + Vact + Vin pi
Vin pr =
Vo pr
A
Obtengo Vo pr
-
Calculo I CT de la potencia y, adems, tengo I CM = 2 I CT

Calculo Rac
Amplificador Clase B con salida con simetra complementaria
173
Montaje en contrafase
Elementos
R1
sirve para limitacin de corriente de salida (funciona como Rs de las

protecciones).
R2
sirve para descarga de la juntura base-emisor de Q1.
Diodos
para mantener a los transistores de salida en clase B y se utiliza uno

por juntura.
debe ser cortocircuito para seal. De esta manera el voltaje de salida

de Q3 estar presente en los ptos. 1 y 2.
P1
sirve para disminuir o eliminar la distorsin de cruce.
P2
para calibrar el pto. 3 a
VCC
para que exista simetra en la seal de
2
salida.
Distorsin de cruce
Se produce debido a que cada transistor conduce slo un semiciclo.
174
Por este motivo en la prctica hay que calibrar los diodos de tal manera que estn a punto de
conducir, es decir, logrando una mnima distorsin y que los mismos slo conduzcan con
seal.
Para el diseo
Po
Datos
RL (parlante)
Vo p = 2PoRL
Vo p
iop =
RL
Vo 1
Po = p
2 RL
R1 << RL
R
R1 L
10
VR1 = iop R1
para que no sea carga
voltaje que se va a desperdiciar y que se debe compensar
R2 >> RinT 1
RinT 1 = ( 1 + 1)( re1 + R1 + RL )
Hay que tener en cuenta que la etapa de Q3 es la ltima etapa de amplificacin de voltaje, es
decir, que pueden existir etapas previas de amplificacin en cascada.
para no desperdiciar voltaje

RC << RinD
RinD = D ( reD + R1 + RL )
RC
VRC R || Rin Vo p 3
C
D
Vo p 3 = Vo p + VR1
I C 3 = VRC
RC
En lo que respecta a los potencimetros tenemos:
175
P1 =
nVd
IC 3
P1 = 2 P1
VD = voltaje de los diodos
(para poder calibrar)
VCC VB 3
I3
R3 + P2 =
R3 P2
P2 = 2 P2
VCC = VE 3 + VCE 3 + nVD + VRC

El resto del diseo se realiza de manera similar a lo que se ha venido realizando.
Ejercicio
Po = 10W
RL = 8
Vo p = 2PoRL = 2(10)(8) = 12.649V
iop =
Vo p
RL
12.649
= 1.581 A
8
R1 = 0.75
VR1 = iop R1 = (1.58)(0.75) = 1.185V
Asumo
Q1 :
Q2 :
1 = 50
2 = 100
R2 >> RinT 1
re1 =
25mV 25mV
IE
I E med
176
I E med =
I E med =
re1 =
I op
Vop
RL
Vop
RL
=
12.649
= 0.503 A
(8)
25mV
25m
=
= 0.05
I E med 0.503
RinT 1 = ( 1 + 1)( re1 + R1 + RL )

= (50 + 1)(0.05 + 0.75 + 8)
RinT 1 = 448.8
R2 = 4.7 K
reD =
50mV
50m
=
= 0.10
I E med 0.503
RinD = D ( reD + R1 + RL )
= (50 100)(0.01 + 0.75 + 8)
RinD = 44.25K
RC << RinD
RC = 3.9 K
Calculo el voltaje de entrada a la etapa de potencia

Vo p 3 = Vo p + VR1
= 12.649 + 1.185
Vo p 3 = 13.834V
177
RC
Vo p 3
RC || RinD
VRC
3.9 K
13.834 1.3 = 19.57V
3.9 K || 44.25K
= 20V
VRC
IC 3 =
VRC
20
=
= 5.128mA
RC 3.9 K
P1 =
nVD
4(0.6)
=
= 468
I C 3 5.128m
P1 = 1K
VCE 3 = Vo p 3 + Vact + Vin3
= Vo p 3 + Vact +
Vo p 3
A3
para este ejemplo asumimos un A3 , pero en la prctica tendr

una ganancia propia determinada por los requerimientos
= 13.834 + 2 +
13.834
10
VCE 3 = 17.217V
re 3 =
25mV
25m
=
= 4.87
IC 3
5.128m
re 3 + RE1 =
Req RC || RinD 3.9 K || 44.25K

=
=
= 358.411
A3
A3
10
hay estabilidad
RE1 = 358.411 4.87 = 353.541

RE1 = 330
VE 3 1 + Vin p 3 = 1 +
13.834
= 2.383 1.3 = 3.1V
10
VE 3 = 3.5V
RET =
VE 3
3.5
=
= 682.527
I C 3 5.128m
178
RE 2 = RET RE1 = 682.527 330 = 352.527

RE 2 = 330
VCC = VE 3 + VCE 3 + nVD + VRC
VCC
= 3.5 + 17.217 + 4(0.6) + 20

= 43.117
= 45V
I B3 =
IC 3
5.128m
= 51.28 A
100
I 4 = 10 I B 3 = 10(51.28 ) = 512.8 A
I 3 = 11I B 3 = 11(51.28 ) = 564.08 A
VB 3 = VE 3 + VJBE 3 = 3.5 + 0.6 = 4.1V
R4 =
VB 3
4.1
=
= 8K
I 4 512.8
R4 = 8.2 K
R3 + P2 =
VCC VB 3 45 4.1
=
= 72.507 K
564.08
I3
R3 = 33K
P2 = 39 K
P2 = 100 K
Para comprobar en 3
V3 = 23.8V
cercano a lo deseado
Para poner la proteccin analizamos el nmero de junturas y el voltaje sobre la resistencia R1.
iop = 1.58 A
VR1 = iop R1 = 1.58 0.75 1.2V
179
Protegiendo para una io mx = 2 A , entonces

VR1 = io mxR1 = 20.75 = 1.5V
VT = VR1 + VJBEQ1
= 1.5 + 0.6
VT = 2.1V
VT = nVD
n=
VT 2.1
=
= 3.5
VD 0.6
n = 4 DIODOS
Finalmente, si desearamos hacer una fuente regulada para una cadena de amplificadores en
cascada que terminan en un amplificador de potencia, tendramos que considerar los
siguientes requerimientos para la fuente:
Vo = VCC
I L = ( I1 , I RC ) + iop
Y el diseo se efecta de manera similar a como se explica en la parte referente a fuentes
reguladas.
180
BIBLIOGRAFA
-
BOYLESTAD, Robert L. y NASHELSKY, Louis; Electrnica: Teora de Circuitos y

Dispositivos Electrnicos, 8va Edicin, Pearson Educacin, Mxico, 2003.
http://es.wikipedia.org/
http://www.inele.ufro.cl/apuntes/Circuitos_1_3012_3017/Capitulo3_ce1.pdf
http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDA
D2/2.1.1.pdf
http://www.frino.com.ar/resistor.htm
http://www.datasheetarchive.com
181
ANEXOS
182
Caractersticas Transistores 2N3904 y 2N3906

Este dispositivo se disea como propsito general como un amplificador y el de un interruptor. El rango
dinmico til se extiende a 100 mA como un interruptor y a 100 MHz como un amplificador. El transistor
2N3904 (NTE 123AP) es de disposicin NPN, mientras que el transistor 2N3906 (NTE 159 ) de
disposicin PNP.
183
184
185
186
Cdigo de colores
Identificar un resistor no es una tarea muy complicada, note que la mayora, salvo los de montaje superficial,
poseen 4 bandas de colores, 3 de idnticas proporciones y una ms alejada de stas. Estas bandas representan el
valor real del resistor incluyendo su porcentaje de tolerancia o error siguiendo un cdigo de colores estndar. En
primer lugar tratamos de identificar el extremo que corresponde a la banda de tolerancia del resistor, que en la
mayora de los casos suele ser dorada (5%) o (algo ms raro) plateada (10%). Una vez localizada sta la dejamos
de lado, (literalmente a la derecha), vamos al otro extremo y leemos la secuencia: fig: 1 -primera banda:
corresponde al primer dgito del valor -segunda banda: corresponde al segundo dgito del valor -tercera banda:
representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar -cuarta banda: porcentaje de tolerancia (la que habamos
identificado primero) Los colores corresponden a valores estandarizados
como se detallan: Color 1 y 2 dgitos multiplicador tolerancia Negro 0 1 (x100) Marron 1 10 (x101) 1% Rojo 2
100 (x102) Naranja 3 1000 (x103) Amarillo 4 10000 (x104) Verde 5 100000 (x105) Azul 6 1000000 (x106)
Violeta 7 10000000 (x107) Gris 8 100000000 (x108) Blanco 9 1000000000 (x109) Marron o nulo 1% Dorado
0.1 (x10-1) 5% Plata 10% Esto nos da para el ejemplo de la fig. 1
Resistores de montaje superficial SMD (Surface Mounted Device)

Identificar el valor de un resistor SMD es ms sencillo que para un resistor convencional ya que las bandas de
colores son reemplazadas por sus equivalentes numricos y as se estampan en la superficie del resistor, la banda
indicadora de tolerancia desaparece y se la "presupone" en base al nmero de dgitos que se indica, es decir: un
nmero de tres dgitos nos indica en esos tres dgitos el valor del resistor, y la ausencia de otra indicacin nos
dice que se trata de un resistor con una tolerancia del 5%. Un nmero de cuatro dgitos indica en los cuatro
187
dgitos su valor y nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia de error del 1%. fig.1 fig.2 -primer
dgito: corresponde al primer dgito del valor -segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor -tercer
dgito (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar (fig. 1) -tercer dgito (1%): corresponde al
tercer dgito del valor (fig. 2) -cuarto dgito (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a agregar
188
Valores Estndar de Resistencias y capacitores
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202

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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

Octubre 2006 - Marzo 2007

Ing. Antonio Caldern

DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ

CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Terminal de Entrada: Base

Ing. Antonio Caldern

Configuracin en colector comn

Terminal de Entrada: Base

Configuracin en base comn

Terminal de Entrada: Emisor

Ing. Antonio Caldern

DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ

Ing. Antonio Caldern

DISEO DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN

Dado que la seal ingresa en el Terminal de la base se obtiene la expresin de la impedancia

Ing. Antonio Caldern

Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para

reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1

Obtenemos la inecuacin que nos evita distorsiones en la seal de salida. En la inecuacin el

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

VCE vop + vact + vinp

Ing. Antonio Caldern

Tolerancia Factor de seguridad

En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

a este valor final le multiplicamos el factor de seguridad

Asumimos VRC = 84V

Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula

Dado que el es alto podemos realizar la aproximacin de I E = I C por lo tanto

Ing. Antonio Caldern

Sea I1 la corriente que circula por R 1 y I 2 la corriente que circula por R 2

La seleccin depende de que si el valor de la resistencia calculada esta dentro de la toleracia

VCE = VR1 VRC + VJBE

Ing. Antonio Caldern

RinT = ( + 1)(re + RE1 ) = (91)(3.57 + 33) = 3.33 k

multiplicando por factor de seguridad VE 1.44V

V ' E min = 1.44V ( Necesario)

RE 2 = RET RE1 = 5.13k 33 = 5.09k

Si X B << Rin C B >>

Ing. Antonio Caldern

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DISEO DE AMPLIFICADOR EN BASE COMN

Ing. Antonio Caldern

Para el caso de la impedancia de entrada observamos el circuito y obtenemos que:

Ing. Antonio Caldern

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Como el diseo no contiene Rin el proceso es ms sencillo.

Asumimos resistencias de tolerancia 20 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.3

multiplicado por el factor de seguridad

RE1 = 158 re = 158 5.81 = 152.19

Ing. Antonio Caldern

VE = I E (RE1 + RE 2 ) = 4.3mA(150 + 470 ) = 2.66V

VB VE + VJBE 2.66V + 0.6V

Vcc VB 20V 3.26V

X E << Rin C E >>

Ing. Antonio Caldern

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