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FACULTAD DE INGENIERA
Departamento de Electrotecnia.
Amplificadores de Instrumentacin en
Aplicaciones Biomdicas.
Enrique Mario Spinelli
Resumen
ndice
NDICE
Captulo 1: Introduccin................................................................................................1
1. Potenciales Bioelctricos.......................................................................................................1
2. Caractersticas de las Seales Biolctricas...........................................................................3
3. Amplificadores para Biopotenciales (A.B.)............................................................................3
4. Organizacin de la Tesis.......................................................................................................5
ndice
ii
ndice
iii
ndice
iv
ndice
ndice
vi
ndice
Captulo 8: Conclusiones..........................................................................................133
1. Conclusiones.....................................................................................................................133
1.1. Anlisis de EMI en Amplificadores de Biopotenciales...............................................133
1.1.1. Sistemas de tres electrodos.............................................................................134
1.1.2. Sistemas de dos electrodos.............................................................................134
1.2. Diseo de Amplificadores para Biopotenciales.........................................................135
2. Aportes de esta Tesis........................................................................................................136
3. Lneas Abiertas..................................................................................................................136
3.1. Sistemas de adquisicin embebidos en prendas de vestir.......................................137
3.2. Medicin sin contacto................................................................................................137
3.3. Filtros con entrada y salida diferencial (F-D).............................................................137
vii
ndice
Referencias.................................................................................................................139
Apndices.
viii
Siglas-Glosario
ix
Siglas-Glosario
Captulo 1 - Introduccin
Captulo 1: Introduccin.
1. Potenciales Bioelctricos.
Durante ms de un siglo, los potenciales de origen biolgico denominados
biopotenciales han demostrado ser una muy til herramienta de diagnstico mdico.
Los mtodos de diagnstico basados en la interpretacin de estos biopotenciales, por
ejemplo, el electrocardiograma y el electroencefalograma, son utilizados en forma
habitual en la prctica mdica. Se trata de tcnicas no invasivas, de bajo costo y de
rpida interpretacin por un profesional entrenado.
Los biopotenciales, se originan en la membrana externa de las clulas excitables, tales
como las que componen el tejido nervioso o muscular. Estas seales elctricas de
origen inico, se propagan a travs de los tejidos circundantes que ofician de
conductor de volumen, y pueden ser detectadas en la superficie del cuerpo mediante
electrodos. Estas seales son de reducida amplitud y deben ser amplificadas para
poder procesarlas o registrarlas.
En la interfase electrodo-piel-tejido ocurren complejos fenmenos electroqumicos
(WEBSTER, 1992) que dan lugar a una transduccin de corrientes inicas a corrientes
electrnicas, factibles de ser procesadas electrnicamente. Es decir, que en un sistema
de adquisicin de biopotenciales, los electrodos ofician de transductores. Las
caractersticas de estos transductores son fuertemente variables, dependiendo de
factores poco controlables como la preparacin de la piel, del electrolito utilizado, la
temperatura, la humedad, etc. Esto conduce a que el generador de seal accesible en
los electrodos presente impedancias poco predecibles, imponiendo serias exigencias
de diseo y en particular sobre la etapa de entrada o front-end (F-E).
Captulo 1 - Introduccin
Captulo 1 - Introduccin
EOG
EEG
ECG
EMG
Amplitud (typ)
1V
10V
1mV
100V
BW (typ)
10Hz
100Hz
100Hz
1kHz
Los valores de la Tabla 1 son indicativos, pero permiten fijar los requerimientos de un
A.B. La aplicacin ms exigente es el EEG: la amplitud de estas seales bioelctricas
es reducida, su BW es moderado pero la frecuencia de red (50Hz) est dentro del
ancho de banda de inters. Para conseguir una relacin seal/ruido aceptable (de al
menos 20dB), se requiere menos de 1V de ruido en un ancho de banda de 100Hz.
Suponiendo una densidad espectral de ruido constante, la misma debe ser menor a
10nV/Hz. Es adems deseable que la amplitud de la componente de 50Hz
(interferencia de la red) se mantenga por debajo del nivel de ruido, es decir menor a
1Vpp.
Captulo 1 - Introduccin
Captulo 1 - Introduccin
4. Organizacin de la Tesis.
Esta tesis analiza el problema del diseo de Amplificadores para Biopotenciales y
propone soluciones materializadas en circuitos concretos. En todos los casos, se
intent arribar a implementaciones adaptadas a los requerimientos actuales que
apuntan a amplificadores con bajo consumo de energa y con un reducido nmero de
componentes. La estructura adoptada para el desarrollo de estos temas es la siguiente:
A modo de introduccin, en el CAPTULO 1, se presenta una descripcin general del
tema de tesis y de las condiciones de trabajo particulares de un A.B.
En el CAPTULO 2, se analiza en detalle el problema de la interferencia de la red de
distribucin en aquellos sistemas de adquisicin de biopotenciales que utilizan tres
electrodos (con electrodo de masa). El objetivo de este anlisis es arribar a las
condiciones ptimas de medida de las cuales se derivarn las caractersticas deseables
en un A.B.
En el CAPTULO 3, se repite el anlisis del CAPTULO 2 para sistemas de dos
electrodos. Se dedica un captulo aparte a esta tcnica porque sus condiciones de
medida son muy particulares y distintas al caso de sistemas de tres electrodos.
En el CAPTULO 4, se proponen y desarrollan mtodos experimentales para determinar
los distintos parmetros de los modelos de interferencia presentados en los captulos
previos. Se incluyen aqu resultados experimentales que concuerdan aceptablemente
con los predichos por el modelo de EMI.
En el CAPTULO 5, se analizan distintas topologas para la implementacin de A.B.
para sistemas de tres y de dos electrodos. Para cada caso, se determinaron sus
caractersticas en cuanto a CMRR, impedancia de entrada de modo comn ZC y
niveles de ruido.
En el CAPTULO 6 se presentan distintas tcnicas para mejorar las caractersticas de la
etapa de entrada de un A.B. Estas estrategias, basadas en la realimentacin de la
tensin de modo comn, permiten mejorar notablemente las especificaciones del A.B.
en particular su rechazo a la interferencia de la tensin de red y su impedancia de
entrada de modo comn.
Captulo 1 - Introduccin
1. Resumen.
La tcnica ms utilizada para adquirir biopotenciales emplea tres electrodos. Mediante
dos de ellos se captura la seal bioelctrica en modo diferencial y el restante opera
como electrodo de masa o electrodo de referencia.
En este captulo, se analizan las caractersticas principales de los sistemas de tres
electrodos, y en particular cmo estos son afectados por la interferencia producida por
la tensin de red (50 Hz).
Si bien existen diversas soluciones dentro del procesamiento digital de seales, para
eliminar la contribucin de la tensin de red a posteriori, resulta difcil hacerlo sin
degradar las seales (en particular su fase), y ms difcil aun efectuar estos
procesamientos en tiempo real.
Por otra parte, el nivel de interferencia puede comprometer el rango de entrada del
amplificador, llegando a producir distorsin sobre la seal o directamente la saturacin
del A.B. Adems, si la amplitud de la interferencia a la entrada del A.B. es
significativa, puede producir, debido a la existencia de no-linealidades (tanto en la
etapa de entrada como en las impedancias de electrodo), componentes de baja
frecuencia dentro del ancho de banda de la seal de inters (VAN DER HORST,
1998)(DE JAGER, 1996).
Todo esto muestra la importancia de eliminar en forma temprana la interferencia de
la tensin de red; es decir rechazarla antes que la misma ingrese al sistema, evitando
as su propagacin por las distintas etapas. Se analizan aqu los distintos mecanismos
por los cuales interfiere la tensin de red y se proponen distintas tcnicas para reducir
sus efectos. De este anlisis tambin se desprenden las caractersticas deseables de un
A.B. para sistemas de tres electrodos. Las mismas establecen las principales
especificaciones de diseo para estos amplificadores.
id1
id2 Lnea
220V 50 Hz.
iSUP
CP
iP
CL1
CL2
CSUP
ZE1
ZP1
ZE2
VID
ZD
ZP3
CSH1 CSH2
ZP2
Comn
ZE3
ZC2
ZC1
VCM
VP0
VISO
Ci1
Ci2
CISO
CTR
VTR
CB
Tierra
Figura. 2.1. Circuito que modela los distintos mecanismos de EMI en un Sistema
de Adquisicin de Biopotenciales.
CLi
ZEi
ZPi
ZD
ZC
VP0
VCM
VISO
VTR
CTR
3. Tensin de EMI.
La tensin de red imprime diferencias de potencial sobre las distintas impedancias
expuestas en el modelo de la Fig.2.1, las cuales se presentarn al amplificador como
tensiones de modo diferencial, de modo comn y de modo aislante. Estas tensiones se
definen como:
VCM: Tensin de Modo Comn. Diferencia de potencial entre el paciente2. y
masa.
VISO: Tensin de Modo Aislante. Diferencia de potencial sobre la barrera de
aislacin3.
ViD : Tensin de modo diferencial a la entrada del amplificador.
Como muestra la Fig. 2.1, el paciente no tiene un nico potencial sino que se definen varios
nodos sobre l. Dado que las impedancias de conduccin interna son bajas en comparacin con
las dems impedancias, es usual considerar al paciente isopotencial para tensiones de modo
comn. De este modo, la tensin VCM queda de este modo definida sobre la impedancia del
tercer electrodo (ZE3).
3
Considerando una seal biolgica nula, la tensin VoD.EMI presente a la salida del
amplificador corresponde exclusivamente a la tensin de red (EMI) y est dada por:
V
V
(2.1)
Siendo,
GDD : Ganancia diferencial del A.B.
CMRR: Rechazo de Modo Comn del A.B.
IMRR: Rechazo de Modo Aislante del A.B.
Por comodidad, esta tensin se refiere a la entrada definiendo ViD.EMI como:
ViD.EMI = ViD +
VCM
V
+ ISO
CMRR IMRR
(2.2)
Los dos ltimos trminos de esta ecuacin dependen de los rechazos de Modo Comn
CMRR y de Modo Aislante IMRR. En la forma que fue definida la ecuacin (2.1),
estas son propiedades intrnsecas del amplificador y representan su habilidad para
rechazar, respectivamente, las tensiones de modo comn y de modo aislante presentes
en su entrada.
La tensin equivalente de EMI a la entrada ViD.EMI , puede calcularse aplicando (2.2)
luego de hallar VCM y VISO resolviendo el circuito de la Fig. 2.1. De esto resultar una
expresin que involucrar la tensin de red, todas las impedancias indicadas en el
circuito y los parmetros CMRR e IMRR propios del amplificador. Esta expresin
resultara tan compleja como intil, ya que su complejidad mantendra ocultos los
mecanismos por los cuales interfiere la tensin de red.
Para estimar ViD.EMI, algunos autores proponen una versin simplificada del modelo de
la Fig.2.1 que permite arribar a una solucin analtica de complejidad aceptable
(FERNNDEZ CHIMENO, 2000). Otra posibilidad extrema es seguir un camino
puramente numrico, por ejemplo utilizando programas de simulacin de circuitos
(WOOD, 1995). Esto permite analizar completos modelos de interferencia y obtener
resultados precisos4, pero no proporciona las expresiones analticas adecuadas para
efectuar un anlisis conceptual.
En el anlisis que sigue se opt por una tcnica intermedia. Siguiendo un camino ms
conceptual que preciso, se estimar por separado la tensin debida a EMI que
producen los principales mecanismos. Es importante notar que no es posible
determinar la tensin total por simple suma de estas contribuciones (superposicin),
pero de todos modos este anlisis proporcionar una clara idea de los rdenes de
magnitud de los distintos aportes; permitir analizar los distintos problemas presentes
as tambin como proponer soluciones para minimizar cada uno ellos.
4
10
Como se mostr previamente, toda la tensin de salida del amplificador debida a EMI
puede explicarse a partir de una tensin diferencial de entrada equivalente ViD.EMI.
Algunos mecanismos de interferencia producen genuinamente tensiones de modo
diferencial, mientras que otros lo hacen indirectamente a partir de transformaciones de
modo, es decir a travs de tensiones de modo comn o de modo aislante.
Dentro de los mecanismos que producen tensin diferencial en forma directa se
analizarn: Interferencia por conduccin interna dentro del paciente, por
acoplamiento a los cables de conexin e interferencia producida por fems
Inducidas en el lazo de conexin.
En cuanto a las posibles transformaciones de modo, se analizarn la de modo comn a
modo diferencial y la de modo aislante a modo diferencial. Estas transformaciones
pueden ocurrir tanto fuera del A.B., esto es en la red de impedancias de la Fig.2.1
(transformacin externa), como dentro del mismo (transformacin interna) debido a su
propio CMRR.
CP
iP
VP: 220V
E1
ZP1
ZP3
ZP2
ViD
E2
CB
Figura 2.2. Interferencia por conduccin interna sobre el paciente. La corriente iP,
circulando sobre la impedancia de conduccin interna ZP1 produce
una tensin de modo diferencial ViD.
11
(2.3)
En el peor caso, cuando toda la tensin de red queda aplicada sobre la capacidad CP
(paciente a potencial de tierra), la corriente iP estar dada por:
iP 220V P CP
P = 2 50Hz .
(2.4)
(2.5)
Conduccion Interna
220V P CP Z P1
(2.6)
Discusin.
Usualmente este mecanismo no produce niveles de interferencia importantes, pero
tampoco hay mucho para hacer frente a este tipo de interferencia.
La situacin es dependiente de la orientacin del paciente y es posible que la
interferencia disminuya cambiando su posicin. Si los niveles de EMI debidos a este
efecto no son aceptables, es necesario apantallar al paciente, por ejemplo colocando
sobre l una frazada conductora conectada a tierra. De este modo, la corriente iP ser
derivada a tierra y no atravesar ZP1; pero como puede advertirse, no es una solucin
del todo prctica.
5
La corriente iP sobre ZP1 y ZP2 genera tambin tensin de modo comn del mismo orden que
ViD, pero esta tensin es despreciable frente a la tensin de modo comn normalmente presente
sobre la impedancia del tercer electrodo. Igualmente despreciables sern sus efectos sobre
ViD.EMI.
12
iP
iL1
iL2
iL1 ZE1
ZE1
iL2 ZE2
ViD
ZE2
Comn
ZE3
ZD
ZC2
ZC1
VCM
VP0
CB
VISO
CISO
Tierra
Considerando que las impedancias correspondientes a CL1 y CL2 (capacidades lneacable) son mucho mayores que ZE1, ZE2 y que tambin son elevadas frente a las
impedancias asociadas a CB y CISO, las corrientes iL1 e iL2 pueden modelarse mediante
generadores de corriente6. Estas corrientes, en el peor caso7, sern:
iL1 = 220V P CL1
iL 2 = 220V P CL2
(2.7)
Como las impedancias de entrada del amplificador son mucho mayores que las
electrdicas ZE1 y ZE2, las corrientes iL1, iL2 circularn a travs de estas ltimas
produciendo una tensin diferencial de entrada dada por:
ViD = iL1 Z E1 iL2 Z E2
(2.8)
Dicho de otro modo, las pequeas corrientes inyectadas a travs de estas capacidades no
modifican sustancialmente los potenciales del circuito y por lo tanto las diferencias de
potencial sobre CL1 y CL2 son constantes y tambin lo sern las corrientes que sobre ellas
circulan.
7
Esto significa que toda la tensin de lnea queda aplicada sobre CL1 y sobre CL2, es decir
considera el paciente a tierra. Esta situacin actualmente no est permitida por las normas para
Equipamiento Biomdico (AAMI, 1998).
13
Normalmente las capacidades CL1 y CL2 son similares y (2.8) puede aproximarse por:
ViD.EMI
220V CL Z E
(2.9)
(2.10)
14
iL2
ZE1
ViD
ZE2
iL2
iL1
ZE3
ZD
ZC2
ZC1
Comn
VCM
VP0
CB
VISO
CISO
Tierra
(2.12)
15
(a)
(b)
Figura 2.5. Interferencia por fems inducidas en el lazo de conexin. (a) Las
fems se inducen en el rea S expuesta al campo magntico. (b)
Trenzando los cables puede reducirse el rea expuesta y con esto la
interferencia debida a este mecanismo.
Con una correcta disposicin y trenzando de los cables de conexin, el rea efectiva
del lazo puede reducirse sensiblemente, pero restar siempre un rea dada por el
cuerpo del paciente (Fig.2.5.b). Existe una tcnica denomina de lazo inverso
(YAMAMOTO., 1998) que permite compensar esta rea, la cual consiste en disponer un
lazo de igual rea al mencionado anteriormente, pero con polaridad inversa (Fig. 2.6).
De este modo, si el campo magntico B fuera uniforme en la zona que abarca a ambos
lazos, las fems inducidas en cada uno de ellos sern de igual magnitud pero con signo
opuesto y sus efectos se anularan. En la prctica, es difcil lograr un perfecto
apareamiento entre las reas, pero esta estrategia puede aportar mejoras de hasta 30 dB
en el rechazo de EMI debida a campo magntico (YAMAMOTO, 1998).
Figura 2.6. Mtodo del Lazo inverso. Si las reas S, S son iguales, las fems
inducidas en cada una de ellas se cancelan entre s.
Discusin.
En aplicaciones crticas como podran ser EEG o EOG, los electrodos se posicionan
prximos entre s. Las reas expuestas son reducidas y la interferencia producida por
fem inducida en el lazo de conexin no genera mayores inconvenientes.
La amplitud de estas tensiones es proporcional al rea del lazo, por tal motivo es
aconsejable reducirla en todo lo posible, por ejemplo trenzando los cables (Fig. 2.5.b).
Esta es prcticamente la nica medida a tomar para reducir este tipo de EMI (HUHTA,
1973).
16
El blindado de los cables no aporta mejoras frente a este tipo de EMI de baja
frecuencia. Solo resultara efectivo un blindaje magntico de toda el rea involucrada,
pero no es una solucin prctica para equipos portables. En aplicaciones donde la EMI
por campo magntico constituye un problema serio se utilizan habitaciones
especialmente acondicionadas con blindaje magntico (HAMALAIEN, 1993).
3.2. Interferencia por Transformacin de Modo.
La tensin de lnea produce importantes tensiones de modo comn y de modo aislante.
Dado que las seales biolgicas son generalmente de modo diferencial, existe una
separacin de modo entre la seal y este tipo de interferencia. Esta separacin puede
aprovecharse utilizando un procesamiento selectivo al modo, por ejemplo un
amplificador diferencial de alto CMRR. De esta forma es posible separar seal de EMI
y rechazar la componente no deseada.
En un sistema de medida suelen existir transformaciones de modo que convierten, por
ejemplo, seales de modo comn en seales de modo diferencial mezclando seal y
EMI. Luego, resultar imposible distinguir entre ellas, a menos que exista otro tipo de
separacin adicional, como por ejemplo espectral.
Las mencionadas trasformaciones de modo ocurren tanto dentro del amplificador
como fuera de l, en la red externa de impedancias presentada en la Fig.2.1. Para
obtener una idea del orden de magnitud de este problema, se estimarn en primer lugar
los valores esperables para la tensin de modo comn VCM y para la de modo aislante
VISO. Posteriormente se calcularn los valores esperables para las tensiones de modo
diferencial producidas como consecuencia de las mencionadas transformaciones de
modo.
3.2.1. Valores tpicos de VCM y VISO.
La tensin de modo comn VCM est dada por la diferencia de potencial sobre la
impedancia ZE3 del electrodo de masa. Para estimar su valor en forma simple, se
tendr en cuenta que las impedancias de modo comn ZC1, ZC2 y las asociadas a las
pequeas capacidades CL1, CL2 son mucho mayores que las restantes impedancias. El
circuito simplificado, que considera al paciente isopotencial se muestra en la Fig.2.7.
Los valores que puede adoptar la tensin de modo comn VCM dependen de las
capacidades CP, CB, CSUP y CISO (ver APNDICE 1). Un par de casos representativos,
asociados a valores extremos de VCM, pueden ser un amplificador dimensiones
reducidas alimentado mediante bateras y un amplificador multicanal alimentado
mediante un transformador. En el primer caso VCM es de apenas unos 10mV mientras
que para el segundo puede llegar a ser de hasta 500mV (APNDICE 1). Estos casos
definen el rango de tensiones VCM esperables:
VCM 10mV - 500mV
(2.13)
En cuanto a VISO, (ver APNDICE 1), esta tensin puede adoptar valores de hasta 50V.
VISO < 50V
(2.14)
17
CP
CSUP
ZE3
Comn
VCM
CB
VP0
CISO
VISO
Tierra
ZE2
VCM
ZC2
ZC1
Figura 2.8. Efecto Divisor de Potencial. Las impedancias ZE1, ZC1 y ZE2, ZC2,
componen respectivamente dos divisores de tensin. Si stos no
verifican la misma relacin ZCi / ZEi, la tensin de modo comn VCM
producir tensin de modo diferencial ViD.
Como puede observarse, la tensin de modo comn VCM queda aplicada sobre dos
divisores de tensin. Los mismos estn formados por las impedancias de electrodo
(ZE1, ZE2) y por las impedancias de entrada que el A.B. presenta para tensiones de
modo comn (ZC1, ZC2). Si la relacin entre las impedancias que componen cada uno
de estos divisores de tensin no son idnticamente iguales, la tensin VCM producir
una tensin de modo diferencial ViD. Dado que las impedancias ZC son mucho
mayores que ZE, la corriente sobre cada divisor es aproximadamente VCM /ZC y tensin
diferencial puede aproximarse por:
ViD Z E1
18
VCM
V
Z E2 CM
Z C1
Z C2
(2.15)
VCM
CMRR
(2.17)
19
Discusin.
Existen varias medidas a tomar para reducir la interferencia producida por
transformaciones de modo comn a modo diferencial.
La impedancia de entrada de modo comn ZC debe aumentarse todo lo posible. Una ZC
de 100M es razonable considerando que usualmente los cables blindados presentan
de capacidades de alrededor de 300pF (unos 100M a 50Hz). Para aumentar an ms
ZC se requiere utilizar circuitos Shield-Driver9 a fin de neutralizar estas capacidades.
La alternativa ms conveniente es reducir VCM. Esto puede conseguirse con una buena
aislacin del A.B. es decir bajas CP y bajas CISO (APNDICE 1) y/o utilizando circuitos
activos reductores de Modo Comn10. Esta ltima opcin permite reducir VCM en
alrededor en 30dB o ms.
CP
ZE1
ZE2
ZD
ZE3
ZC
ZC
VCM
VP0 VISO
iL1
iL2
CB
Tierra
10
20
(2.18)
(2.19)
(2.20)
Si bien las capacidades CL1 y CL2 son muy pequeas, la tensin de modo aislante VISO
suele ser muy elevada (del orden de la tensin de lnea), resultando niveles de
interferencia que pueden ser apreciables. Por ejemplo, tomando VISO=50V, cables sin
blindaje con CL1=CL2=0.1pF (30G@50Hz) y un desbalance ZE=50k, resulta una
ViD.EMI de 80V, que no es aceptable para EEG.
Si se utilizan cables blindados, las corrientes iI1 , iI2, indicadas en la Fig. 2.9, no
circulan por las impedancias de los electrodos y sus efectos son despreciables. Quedan
capacidades residuales entre las entradas del amplificador y tierra, que para reducir
ViD.EMI a 1 V (del orden del nivel de ruido tpico de un A.B.) deben ser tan pequeas
como 0.01pF.
Discusin.
La transformacin de modo aislante a modo diferencial externa, no produce niveles de
interferencia apreciables si se utilizan cables blindados. De todos modos, es
importante reducir todo lo posible las capacidades entre las entradas del amplificador
y tierra. Esto se consigue manteniendo la seccin aislada (amplificador) tan separada
de tierra como sea posible (METTING VAN RIJN, 1991), o mejor an, utilizando un
blindaje conectado a masa sobre el A.B.
Otra opcin es reducir VISO, pero esto implica necesariamente reducir la impedancia de
aislamiento y no luce muy recomendable. Metting Van Rijn, en (METTING VAN RIJN,
1991), proponen un circuito que realiza esta operacin en forma controlada, limitando
la mnima ZISO a valores aceptados.
3.2.5. Transformacin de Modo Aislante / Modo Diferencial Interna.
Si se requiere que la tensin de salida del A.B. sea referida a tierra (ver Fig.2.9), la
seal debe atravesar la barrera de aislacin comn-tierra y puede ser afectada por la
tensin VISO presente sobre esta barrera. La tensin equivalente de entrada capaz de
producir este efecto est dada por:
V
(2.21)
ViD.EMI Transformacion de Modo Aislante Interna = ISO
IMRR
Siendo IMRR el Rechazo de Modo Aislante del A.B.
21
VS1
220V
VS2
CS1
CS2
22
CW
VS1
220V
VS2
CS1
CS2
CS1
CS2
CTR
VS1
VS2
VTR
(a)
(b)
Figura 2.12. (a) Circuito Equivalente del transformador de la Fig. 2.11 y (b) su
Equivalente Thevenin.
CS VS
+
2CS
2
(2.22)
CTR = 2 CS
23
ZE1
ZD
ZE2
ZE3
VCM
CB
ZC
Comn
ZC
CTR
VTR
Tierra
Figura.2.13. Interferencia por desbalances entre las tensiones del secundario del
transformador de alimentacin
La tensin de modo comn VCM debida a VTR, est dada aproximadamente12 por:
VCM
VTR
Z E3
Z TR + Z CB
(2.23)
La tensin de modo diferencial ViD.EMI que esta tensin VCM puede producir depende
de la trasformacin de modo comn / modo diferencial descripta en el punto 3.2.2.
Combinando (2.23) con (2.16):
ViD.EMI Transformador de Alimentacion
VTR
Z
Z E3 E
Z TR + Z CB
ZC
(2.24)
(2.25)
11
En realidad este efecto puede interpretarse como una doble transformacin de modo: VTR es
una tensin de modo aislante, que debido a la ZE3 no nula produce una tensin de modo comn
y finalmente sta, debido al efecto divisor de potencial, se transforma en una tensin de modo
diferencial.
12
13
Con CTR=150 pF, resulta una ZTR de 22 M. En un sistema de 220V esto producira una
corriente de prdidas de 10A que es la mxima admisible por la norma AAMI (AAMI, 1998).
24
Discusin.
La interferencia introducida por un transformador de alimentacin, en general no es
apreciable, pero igualmente es conveniente tomar algunos recaudos, como utilizar un
transformador con punto medio, razonablemente balanceado14 y con una pantalla
conectada a tierra.
En caso de utilizar un transformador sin punto medio, es decir con un nico bobinado
secundario, la tensin equivalente VTR resulta elevada e igual a la tensin de
secundario VS. Considerando la misma situacin que en el ejemplo previo, resultara
una tensin VCM=50mV, que podra llegar a interferir apreciablemente.
4. Conclusiones.
Los mecanismos dominantes en cuanto a la interferencia producida por la tensin de
red son el acoplamiento a los cables de conexin y el efecto divisor de potencial.
Para eliminar el primero basta con utilizar cables blindados, mientras que los efectos
del segundo pueden minimizarse consiguiendo elevadas ZC y/ reduciendo la tensin
de modo comn.
La transmisin en forma digital a travs de la barrera de aislacin, es decir con el
convertidor Analgico-Digital del lado del paciente, es una opcin muy conveniente,
pues proporciona un muy elevado rechazo IMRR a tensiones de modo aislante. Para
preservar el IMRR tambin es importante mantener una baja capacidad entre las
entradas del A.B. y tierra y/o blindar estas ltimas a potencial de masa.
El CMRR de un A.B. no es un requerimiento crtico. En muchos casos, un CMRR de
80 o 90 dB es suficiente y un CMRR de 100 dB cubre todas las aplicaciones
biomdicas. Este ltimo valor es elevado, requiere un cuidadoso diseo del A.B., pero
no es difcil de conseguir.
En cuanto a aquellos sistemas que utilizan transformador de alimentacin, si el mismo
est razonablemente balanceado, sus efectos no son significativos ms all del
incremento en las capacidades masa-lnea CP y masa-tierra CISO.
En conclusin, para mediciones de biopotenciales que utilicen tres electrodos (con
electrodo de masa), un A.B. debe tener un CMRR elevado y una ZC tan alta como sea
posible. Resulta adems muy conveniente reducir la tensin de modo comn VCM.
Estas son las principales consideraciones de diseo para un sistema de adquisicin de
biopotenciales.
14
Esto puede conseguirse fcilmente bobinando los dos secundarios juntos utilizando el
alambre doble.
25
26
1. Resumen
El registro de biopotenciales puede realizarse utilizando solo dos electrodos, es decir
sin electrodo de referencia o masa. Esta tcnica es atractiva por varias razones: la
preparacin del paciente es ms simple, otorga mayor libertad de movimientos y
representa un menor costo en electrodos. Por otro lado, las mediciones de dos
electrodos son muy vulnerables a la interferencia de la tensin de red (WOOD, 1995),
requiriendo un cuidadoso diseo del amplificador y de sus circuitos accesorios.
Del mismo modo que en los sistemas de tres electrodos, la seal bioelctrica a
registrar es la diferencia de potencial entre los electrodos activos, pero en este caso,
al no existir electrodo de masa, la tensin de modo comn puede adquirir valores
elevados. Las condiciones de EMI para estos sistemas, difieren significativamente del
anlisis presentado en el CAPTULO 2 para mediciones que utilizan electrodo de masa
y por esta razn se le dedica este captulo especialmente.
Una particularidad de esta tcnica es la dependencia de su rechazo a la tensin de red
con la impedancia de entrada del amplificador para tensiones de modo comn ZC. A
diferencia del caso clsico de tres electrodos, un elevado valor de ZC no es siempre
la mejor opcin.
En este captulo se presenta un modelo que describe la influencia de la tensin de red
para distintos valores de ZC. Del anlisis de este modelo resulta que, dada una
situacin de EMI definida por las capacidades de acoplamiento, la condicin de
mnima interferencia se produce para valores extremos de la impedancia de entrada de
modo comn, esto es una ZC nula o infinita. Como se demostrar aqu, la conveniencia
de uno u otro caso, depende del CMRR del amplificador y de las capacidades
asociadas al modelo de EMI analizado en el CAPTULO 2.
27
2. Modelo de EMI.
Como se mostr en el CAPTULO 2, son diversos los caminos por los cuales la tensin
de red ingresa a un sistema de adquisicin de biopotenciales. Tomando algunos
cuidados, por ejemplo utilizando cables trenzados y blindados, el aporte de los
acoplamientos a los cables de conexin, que podra ser dominante, se vuelve
despreciable. En estas condiciones, la principal contribucin de EMI se debe a la
corriente de desplazamiento iP que ingresa al paciente y el modelo de interferencia se
reduce al esquema de la Fig.3.1. Este modelo simple, pero suficiente para analizar el
problema, es el utilizado habitualmente en la literatura (THAKOR & WEBSTER, 1980),
(PALLAS-ARENY, 1986).
El circuito equivalente de la Fig.3.1 desprecia la capacidad lnea-comn CSUP. Esto es
razonable dado que los sistemas dos electrodos se utilizan, casi exclusivamente, en
pequeos amplificadores porttiles alimentados a bateras.
Lnea 220V 50 Hz.
CP
iP
ZE1
ZE2
ZD
ZC
ZC
ZISO
CB
ViC
CMRR
(3.1)
En esta expresin fue despreciado el efecto de la tensin de modo aislante VISO. Incluyendo
este aporte, la ecuacin (3.1) se transformara en ViD.EMI=ViD+ViC/CMRR+VISO/IMRR.
Actualmente, el esquema ms usual consiste en preamplificar la seal utilizando un A.B.
alimentado a bateras y atravesar la barrera de aislacin en forma digital, resultando IMRR
muy elevados que permiten despreciar los efectos de VISO. (WOOD, 1995)(MEETING VAN RIJN,
1991)
28
iP
iISO
ZC/ 2 ViC
CB
ZISO
Se observa aqu que una fraccin de la corriente iP indicada como iISO, circular por
ZC. La diferencia de potencial que esta corriente produce sobre ZC define la tensin de
modo comn ViC presente en la entrada del A.B.
Si la impedancia de modo comn ZC es baja, la tensin ViC ser reducida, pero debido
al efecto divisor de potencial (APNDICE 2), ViD.EMI ser importante. Por otro lado, si
ZC es elevada, la tensin de modo comn ViC puede ser muy alta (de hasta decenas de
volts3) y el CMRR finito del A.B. conducira a niveles apreciables de interferencia a la
salida del A.B. Como puede advertirse, estos dos efectos estn contrapuestos. Es
posible que se compensen conduciendo a una ViD.EMI insensible a ZC, que exista un
valor ptimo de ZC o que alguno de estos efectos sea dominante: el valor de ZC ms
conveniente no es obvio y requiere un anlisis detallado.
En la implementacin de A.B. para sistemas de dos electrodos, histricamente se
utiliz una ZC tan elevada como fuera posible (THAKOR, 1980). Recientemente
(DOBREV, 2002a), (DOBREV, 2002b) han propuesto un circuito que permite utilizar
muy bajas ZC (de solo algunos k), manteniendo elevadas impedancias de modo
diferencial ZD. Si bien estos autores no analizaron las caractersticas de rechazo a la
tensin de red de esta estrategia, s mostraron que la misma es posible y que ambas
tcnicas (altas y bajas ZC) son factibles. En el anlisis que sigue se analizar cual es el
valor de ZC que conduce a mnima interferencia.
Esto puede adems comprometer el rango de entrada del A.B. Recordar que en mediciones
con 3 electrodos VCM difcilmente supera algunas centenas de mV.
29
ZD /2
ZD
ZD
ZD /2
L
ZC
ZC
VCM/ZC
(a)
VCM/ZC
(b)
GVCM
(c)
30
ZE1
iP
ViH
ZD /2
ZE2
ZD /2
ViL
ZB
GViC
ZISO
Resolviendo este circuito (APNDICE 3), resultan las siguientes expresiones para las
tensiones de modo comn ViC y modo diferencial ViD a la entrada del A.B.
ViC = iP
Z B ZC
2 ( Z B + Z ISO ) + Z C
(3.3)
ViD = iP
Z B ( Z E1 Z E2 )
2 ( Z B + Z ISO ) + Z C
(3.4)
Estas expresiones son vlidas para cualquier ZC siempre que se cumpla que ZE1, ZE2
ZD. Esta condicin debe ser satisfecha por cualquier sistema de medida de
biopotenciales razonable, a fin de no atenuar la seal bioelctrica.
Reemplazando (3.3) y (3.4) en (3.1) resulta:
ViD.EMI = iP
ZB
ZC
Z E +
Z C + 2 ( Z B + Z ISO )
CMRR
(3.5)
ZC
ZB
Z E +
Z C + 2 ( Z B + Z ISO )
CMRR
(3.7)
31
ZC
jX B
Z E +
CMRR
Z C j2 ( X B + X ISO )
(3.8)
El peor caso (el mayor mdulo de ZCE), se produce cuando los sumandos en el
segundo factor estn en fase. En estas condiciones (3.8) se transforma en:
Z CE =
ZC
jX B
Z E +
CMRR
Z C j2 ( X B + X ISO )
(3.9)
Para reducir esta impedancia se requiere XB0; ZE0; XISO y CMRR, pero
el valor de ZC para conseguir la mnima ZCE no es obvio a partir de (3.9). Para reducir
el primer factor se requiere un alto valor de ZC de tipo capacitivo, mientras que el
segundo factor decae para bajos valores de ZC.
La impedancia efectiva de acoplamiento ZCE es una funcin de la variable compleja
ZC. El valor de ZC que produce el mnimo mdulo de ZCE puede determinarse
aplicando el principio de mnimo mdulo (KRANTZ, 1999). Este principio establece lo
siguiente:
Dada una funcin f , analtica en un domino cerrado U, si f no se
anula en ningn punto dentro de este dominio, entonces el mnimo
de | f | se produce sobre el contorno de U.
De este modo, el problema de determinar el mnimo de ZCEsobre una regin puede
reducirse a encontrarlo sobre una curva cerrada.
Con el fin de encontrar el valor de ZC que conduce a la mnima ZCE , se adopt una
regin cerrada U que cubre todos los valores de ZC con parte real positiva y con parte
imaginaria negativa (capacitiva) (ver Fig.3.5). Es simple verificar que ZCE(ZC) es
analtica dentro de esta regin: su polo en ZC=+2j(XB+XISO) queda fuera de este
dominio y el origen, donde |ZC | no es analtica, es evitado rodendolo con un arco de
radio tendiendo a cero. Es entonces posible aplicar del principio antes mencionado.
Los valores de ZC con parte real negativa se ignoraron pues no tienen sentido fsico.
Tampoco se consideraron valores con parte imaginaria positiva (inductiva), dado que
de acuerdo con (3.9) conducen4 a altos valores de ZCE, constituyendo una regin de
operacin a priori no recomendable.
Una ZC inductiva reduce el denominador del primer factor de (3.9) incrementando ZCE.
32
C: ZC = RC+j0
Re
A: ZC =0-jXC
D: |ZC| 0
B: |ZC|
Im
Figura 3.5. Regin utilizada para determinar el valor de ZC que conduce a la
mnima tensin de interferencia. El mnimo se encuentra sobre el
contorno de esta regin.
El contorno de la regin U adoptada est compuesto por cuatro curvas simples que
sern analizadas por separado: A: ZC =0-jXC ; B: |ZC | ; C: ZC =RC+j0 ; y D: |ZC|0.
4.1.1. Curva A: ZC =0-jXC (capacitiva).
Imponiendo la condicin ZC =0-jXC en (3.9), la impedancia de acoplamiento efectiva
resulta:
XB
XC
,
(3.10)
Z CE Z = jX =
Z E +
C
C
X C + 2 ( X B + X ISO )
CMRR
cuya derivada est dada por:
Z CE
Z C = jX C
X C
2 ( X B + X ISO )
Z E +
.
CMRR
X C + 2 ( X B + X ISO )
XB
(3.11)
Esta derivada no se anula para ningn valor finito de XC, es decir que sobre ZC=0-jXC
la impedancia de acoplamiento efectiva no presenta ningn mnimo local y el mnimo
mdulo de ZCE se producir para valores extremos de XC. El signo de la derivada
(3.11), est dado por:
Z CE
ZC = jX C
Sign
X C
2 X + X ISO )
= Sign Z E + ( B
CMRR
(3.12)
2 ( X B + X ISO )
CMRR
Z CE
> 0 para todo X C
X C
(3.13)
33
2 ( X B + X ISO )
CMRR
Z CE
< 0 para todo X C
X C
(3.14)
2 ( X B + X ISO )
(3.15)
CMRR
Entonces,
Por ejemplo, considerando un sistema con los siguientes parmetros: ZISO=10 pF,
CMRR@50Hz=90dB y CB=150 pF, resulta un ZE.Crtico de 21.5 k. En la Fig.3.6 se
muestra, para este caso, |ZCE| como funcin de XC considerando ZE=5k y
ZE=50k. Como puede observarse, las condiciones de medida ptimas estn dadas
para valores extremos de XC. Si ZE>ZE.Crtico , la mnima ZCE se alcanza para XC= y
por el contrario, si ZE<ZE.Crtico , el menor nivel de interferencia se alcanza con
XC=0.
2000
ZCE ,
1600
ZE=50k
1200
800
400
0
1k
ZE=21.5k
ZE=5k
100k
10M
|ZC| ,
1G
100G
34
Z CE
ZC = RC
(R
XB
2
C
+ 4 ( X B + X ISO )
1
2
RC
Z E +
CMRR
(3.16)
y su derivada resulta:
Z CE
ZC = RC
RC
(R
2
C
XB
+ 4 ( X B + X ISO )
3
2
4 ( X B + X ISO )2
RC Z E
CMRR
(3.17)
4 ( X B + X ISO )
(3.18)
CMRR Z E
2 RC
= Sign ( Z E ) < 0
RC = R C0
(3.19)
ZCE ,
1600
ZE=50k
1200
800
400
0
1k
ZE=21.5k
ZE=5k
100k
10M
|ZC| ,
1G
100G
35
ZC
XB
CMRR
(3.20)
(3.21)
ZC 0
X B Z E
2 ( X B + X ISO )
36
6. Verificacin Experimental.
El anlisis efectuado a partir del modelo de la Fig.3.1 sugiere que las condiciones de
medida ptimas, en cuanto a la impedancia de modo comn ZC, se producen cuando la
misma adopta valores extremos.
Con el fin de validar este resultado terico, se dise una experiencia para obtener
medidas experimentales de niveles de interferencia con diversos valores de ZC y
distintos desbalances ZE. Un amplificador de biopotenciales, el cual se muestra en la
Fig.3.8, fue especialmente diseado para este ensayo. El circuito, utilizando una
realimentacin de modo comn que se analiza en detalle en el CAPTULO 7, permite
seleccionar entre una muy baja ZC (100) o una muy alta ZC (700M). En ambos
casos, la impedancia de entrada para seales de modo diferencial ZD es de 20M.
El A.B. se implement utilizando un amplificador de instrumentacin integrado
INA111 y una etapa adicional con un circuito sumador que permite adicionar, en
forma controlada, tensin de modo comn. Esto permite seleccionar entre un CMRR
de 90 o de 105dB para obtener, segn (3.15), distintos desbalances crticos ZE.
37
RG/2
R'P
RG/2
ADVD
INA 111
CMRR=90dB
R2
R3
C
C'A
R1
CMRR=105dB
VCM
C
Alta ZC
Baja ZC
CA=1F ; C=33nF ;
R1=R2=1k ; R3=18k
RP =RP = R=10M
RG/2=27 ; O.A: LF353.
Figura 3.8. Amplificador de dos electrodos utilizado para validar las expresiones
obtenidas. Mediante la llave Z es posible seleccionar una muy alta o
una muy baja ZC. El circuito tambin permite, mediante la llave C,
seleccionar entre dos valores de CMRR que determinan, segn (3.15)
distintos desbalances crticos ZE.Crtico.
CP
ZE
ZE1
CISO
CB
38
2000
ZE=60k
ZCE ,
1500
ZE=40k
1000
ZE=20k
ZE=10k
500
ZE= 5k
0
10
100
100k
1M
10M
100M
1G
10G
|ZC| ,
39
Un segundo ensayo, con seales de ECG reales se realiz utilizando esta vez un
CMRR@50Hz de 105dB. Al aumentar el CMRR, de acuerdo a (3.15) el desbalance
crtico decrece en igual proporcin. En este caso, el nuevo ZE.Crtico resulta de
alrededor de 5k. Los registros obtenidos con altas y bajas ZC para ZE200 y
ZE=5 k se muestran en la Fig.3.12. Como puede observarse, para ZE200 (por
debajo de ZE.Crtico), una baja ZC conduce a un mejor rechazo de la interferencia de la
tensin de lnea, mientras que con un desbalance ZE de 5 k (prximo al valor
crtico ZE.Crtico), ambas estrategias muestran niveles de interferencia similares.
ZC=700M
ZE=5k
ZC=100
ZE.Crtico 30k
0.5 s.
0.5 mV
ZC=700M
ZE=60k
ZC=100
ZC=700M
ZE200
ZC=100
0.5 s.
ZE.Crtico 5.5k
0.5 mV
ZC=700M
ZE5k
ZC=100
40
7. Conclusiones
El nivel de interferencia introducido por la red de distribucin (50Hz) en sistemas de
registro de biopotenciales que utilizan solo dos electrodos, es funcin de la
impedancia de entrada ZC que el A.B. presenta para tensiones de modo comn. Esto
puede expresarse en funcin de una impedancia de acoplamiento efectiva ZCE, la cual
deber ser baja para reducir los efectos de esta fuente de interferencia.
Las mejores condiciones de medida, independientemente del valor de ZC, son: una alta
capacidad paciente-tierra (CB), un bajo desbalance entre las impedancias de electrodo
ZE y altos valores de ZISO (impedancia de aislacin) as tambin como de CMRR.
Todo esto contribuye a reducir ZCE, pero el valor ptimo de ZC no es obvio a partir de
la expresin analtica de ZCE.
El anlisis de ZCE como una funcin de la variable compleja ZC muestra que el
mdulo mnimo de ZCE se produce para valores extremos de ZC (esto es ZC nula o
infinita). Es posible definir un valor de desbalance crtico ZE.Crtico que es funcin del
CMRR del A.B., de CB y de ZISO. Este parmetro determina cual de las alternativas es
la ms adecuada para un caso particular. Los resultados del anlisis previenen que
valores elevados, tanto resistivos como inductivos de ZC, deben evitarse porque
pueden conducir a imprevistamente altos niveles de interferencia.
Por otra parte, en las condiciones tpicas de medida, la dependencia de ZCE con ZC slo
es significativa para valores tan elevados de ZC (centenas de M), que resultan
difciles de implementar5. Se podra decir, que usualmente, una alta ZC o una baja ZC ,
ambas conducen a similares niveles de rechazo de la interferencia de red. Una ZC baja
tiene la ventaja de fijar reducidas tensiones de modo comn, admitiendo mayores
corrientes iP de acoplamiento al paciente y convirtindose con esto en una alternativa
atractiva y actual para mediciones de dos electrodos.
Recordar que esta ZC se define a 50Hz. La capacidad de los cables blindados, la capacidad de
entrada propia de los A.B., as tambin como las eventuales protecciones colocadas a la entrada
del mismo, hacen que sea difcil conseguir valores muy elevados de ZC a 50Hz.
41
42
1. Resumen
Para evaluar el comportamiento de un A.B., desde el punto de vista de su rechazo a
EMI de la tensin de red, es necesario conocer las exigencias a las que est sometido.
Para ello es necesario conocer el valor de los distintos elementos que componen el
modelo de EMI.
Por otra parte, el conocimiento, al menos aproximado de estos elementos, resulta til
para definir las especificaciones de diseo de un sistema de adquisicin de
biopotenciales y para estimar las relaciones Seal/Ruido (SNR) esperables.
Los parmetros de mayor importancia son las capacidades vinculadas al paciente: CP y
CB, las asociadas al amplificador: CSUP y CISO, las impedancias de electrodo ZE1, ZE2 y
ZE3 y en menor grado aquellas asociadas a los cables de conexin: CSH1, CSH2, CL1 y
CL2. En la literatura se reportan valores tpicos de estos elementos, pero en muchos
casos no son representativos la situacin real de un amplificador particular en ensayo.
Se disearon tcnicas de medida especficas para determinar el valor de los parmetros
del modelo de EMI, intentando en lo posible estimarlos en condiciones reales de
funcionamiento. En este captulo se presentan los mtodos de medida desarrollados y
resultados experimentales1, los cuales permitieron verificar el modelo de EMI
propuesto en los captulos previos.
Se incluyen solo algunos resultados experimentales a fin de validar los mtodos propuestos.
La idea no es generar datos estadsticos sino proporcionar mtodos sencillos que permitan
estimar rpidamente lo parmetros para condiciones particulares de medida.
43
iL2
iL2
CL1 CL2
CSUP
ZE1
ZE2
ZE3
ZC2
Comn
ZC1
CSH1 CSH2
CISO
CB
Tierra
Algunos de los elementos que componen este esquema, como las capacidades propias
de los cables blindados, la impedancia de aislamiento CISO e incluso la capacidad
paciente-tierra CB , pueden medirse utilizando tcnicas estndar, por ejemplo con un
puente de impedancias o un multmetro con capacmetro.
Por otra parte, las impedancias vinculadas a la lnea de 220V, as tambin como las
impedancias de los electrodos, requieren de tcnicas especialmente diseadas. A
continuacin se proponen algunas estrategias para determinar el valor de estos
elementos.
2.1. Determinacin de CB y CP.
Estas capacidades son los principales elementos del modelo y forman parte an de los
modelos ms simples de EMI para aplicaciones biomdicas. La determinacin CB y CP
es especialmente importante porque junto con CISO y CSUP , definen las tensiones de
modo comn y modo aislante a las que estar sometido el A.B. (ver APNDICE 1).
Se han propuesto varios mtodos para la estimacin de estas capacidades. Las tcnicas
generalmente se basan en medir la tensin paciente-tierra VP0 conectando impedancias
conocidas, usualmente un resistor RL, entre paciente y tierra (ver Fig.4.2). Como se
mostrar a continuacin, el potencial del paciente resulta funcin de las capacidades
CP, CB y del valor de RL utilizado en cada una de las medidas. A partir de dos medidas
44
de VP0 efectuadas con distintas RL es posible estimar los valores de CP y CB. (CRUMP
& COSENTINO, 1973) (PALLAS-ARENY & COLOMINAS, 1989).
El mtodo que se propone en esta tesis, puede considerarse una extensin del
propuesto por (CRUMP & COSENTINO, 1973). Su principal ventaja es que, bajo ciertas
condiciones, tambin puede utilizarse para estimar CSUP y CISO.
La tcnica consiste en conectar un nico electrodo al paciente mediante uno de los
cables de conexin del equipo e insertar entre este cable y tierra un resistor variable
RL. Esto corresponde al esquema2 de la Fig.4.2 con la llave en la posicin A.
Lnea 220V 50 Hz.
CSUP
CP
CB RL
VP0
Comn
CISO
Tierra
En estas condiciones, el valor eficaz de la tensin VP0 , medida sobre el resistor RL,
est dada por:
VPO =
220V 2 50Hz CP RL
1 + ( 2 50Hz ( CB + CP ) RL )
(4.1)
2
CP ,
CP + CB
(4.2)
(4.3)
En este circuito equivalente se despreci la impedancia del electrodo, dado que se considera
mucho menor que RL.
45
Para valores pequeos de RL, la asntota es una recta de 20dB por dcada. Para valores
elevados de esta variable la tensin VPO se vuelve constante. El valor de RL
correspondiente al codo est dado por:
1
(4.4)
RL.Codo =
2 50Hz ( CP + CB )
Como puede observarse en (4.2), la pendiente3 de la curva para RL pequeos,
permite determinar CP. A partir del valor que adopta VPO para elevadas RL y utilizando
el CP obtenido previamente, se determina finalmente CB. De este modo, las
capacidades CP, CB pueden estimarse en forma simple a partir de las asntotas dadas
por (4.2) y (4.3), las cuales pueden obtenerse grficamente o, disponiendo de
capacidad de cmputo, a partir de un ajuste entre los datos experimentales y la
expresin (4.1).
|VP0| (log)
RL.CODO =[250(CB+CP)]-1
RL (log)
Figura 4.3. Tensin VP0 (Paciente Tierra) como funcin del valor del resistor RL.
220V 2 50 CSUP RL
1 + ( 2 50Hz ( CISO + CSUP ) RL )
(4.5)
46
CSUP
CSUP + CISO
(4.6)
(4.7)
RL.Codo =
(4.8)
H
R1
A
L
R2
R3
RL
Figura 4.4. Circuito bootstrap utilizado para simular resistores de valor elevado.
(4.9)
47
Figura 4.5. Circuito utilizado para determinar las capacidades propias del sistema
de medida.
Estos valores determinan el alcance del mtodo. Para que el mismo sea aplicable, las
capacidades a medir deben ser al menos comparables a las propias del sistema de
medida. Como se ver ms adelante, el mtodo es perfectamente aplicable a un
entorno biomdico donde las capacidades referidas a la lnea de distribucin (CP, CSUP)
en general son de al menos dcimas de pF. Una situacin lmite puede producirse en la
determinacin de CISO, porque considerando un amplificador pequeo, esta capacidad
puede ser de solo algunos5 pF. En cuanto a la medicin de CB, sta no acarrea ningn
problema porque usualmente su valor es de al menos alguna centena de pF.
4
Parte de la capacidad CB medida es aportada por la capacidad de entrada CIN del A.O
utilizado (LF353) que posee una CIN de unos 3-4pF. El resto es atribuible a la capacidad entre
el circuito, construido sobre un PCB de 4x7 cm, y tierra (gabinete).
5
En este caso CISO ser detectable por el sistema de medida, aunque tendr asociada un error
importante.
48
10
VPO [Volts]
0.1
CP.0 =0.015pF
CB.0 =10pF
0.01
0.001
1M
10M
100M
1G
RL []
Figura 4.6. Datos experimentales correspondientes a las capacidades propias del
sistema de medida. En lnea llena se indica la curva de acuerdo a
(4.5) correspondiente a CP.0=0.015pF y CB.0=10pF.
VPO [Volts]
0.1
S.G.
0.01
100k
1M
10M
100M
1G
RL []
Figura 4.7. Determinacin experimental de las capacidades CP y CB. Las medidas
experimentales indicadas con cuadrados corresponden al paciente
sentado con pies en alto, las indicadas con crculos al paciente de pie
y con tringulos al paciente sentado con pies en tierra.
49
Se observa que con el paciente sentado con o sin sus pies apoyados en el piso, la
asntota de baja RL (que depende de CP) es la misma, es decir que se mantiene el valor
de CP. Por otra parte, el valor que adopta VPO para altas RL (asntota de alta RL) , es
menor cuando los pies estn apoyados en el piso. Esto muestra que al levantar los pies
e incrementar la separacin paciente-tierra, decrece el valor de CB.
Las medidas se efectuaron sobre dos pacientes y para cada caso se ajustaron los
valores de CP y CB obtenindose los resultados que se presentan en la Tabla I.
S.G
Sentado.
Sentado.
Parado.
Pies en tierra Pies en aire
CP=4.5pF
CP=5.8pF
CP=4.5pF
CB=160pF
CB=100pF CB=165pF
F.V CP=3.0pF
CB=255pF
CP=3.0pF
CB=105pF
CP=3.8pF
CB=265pF
VPO [Volts]
0.1
CSUP=0.12pF
CISO+CP.0=13pF
0.01
0.001
1M
10M
100M
1G
RL []
Figura 4.8.Datos experimentales correspondientes a las capacidades propias del
amplificador CSUP y CISO.
50
VPO
RO
Figura 4.9. Esquema del mtodo de medida de las capacidades a los cables de
conexin.
(4.10)
Entonces, midiendo VPO y conociendo el valor del resistor RO, se determina iL como:
iL =
VPO
RO
(4.11)
iL
2 50Hz 220V
(4.12)
51
VPO [mV]
160
120
80
iL=21nA
CL=0.3pF
40
0
0.1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
RO [M]
Figura 4.10. Determinacin de la capacidad lnea cable CL para dos geometras
distintas.
52
siendo:
ZE =
Z E1 + Z E 2
2
; Z E = Z E1 Z E 2
(4.14)
La medicin de los mdulos puede hacerse con un simple multmetro de mano, mientras que
la medicin de fase relativa requiere necesariamente de un osciloscopio.
53
CP
RG=480
RC=9.1 M
iP
ZE1
RG/2
INA 111
ViD.EMI
RG/2
ADViD.EMI
LPF 100Hz
ZE2
RC
CB
RC
VCM
LPF 100Hz
La normas de los EEUU son algo ms estrictas y admiten solo hasta 10 A. De todos modos,
este circuito es para ser utilizado en experiencias de laboratorio y no para equipos mdicos.
54
ZE
ZE
ViD.EMI
[mV]
10
8
ZE = 10 k
4
2
0
0
VCM [V]
Figura 4.12. Relacin entre tensiones de interferencia de modo comn y modo
diferencial para ZE de 10 k 20 k. Los datos experimentales
estn indicados con smbolos y las curvas tericas en lnea
punteada.
55
Se efectu un segundo ensayo reemplazando uno de los electrodos por uno de tipo
copa, de los utilizados habitualmente en ECG para las derivaciones precordiales. En
este caso, el desbalance result de 36k: un valor significativamente mayor al caso
previo donde ambos electrodos eran similares.
Todas las medidas fueron realizadas luego de 15 minutos de ser aplicados los
electrodos. Para determinar ViD.EMI y VCM se utiliz un osciloscopio digital (Tektronix
TDS3012) en modo promediacin disparado por lnea. Esto permite eliminar la
seal de ECG que podra influir en las medidas si la tensin ViD.EMI fuera muy baja. De
todos modos, consiguiendo una CP elevada (por ejemplo tocando al paciente) ViD.EMI es
normalmente suficientemente alta como para permitir efectuar la medida con un
simple multmetro.
En ambos ensayos, la desviacin estandar entre medidas result de alrededor del 1%.
Esta baja dispersin implica que una nica medida es suficiente para determinar ZE.
ZE = 4.4 k
[mV]
ViD.EMI [mV]
0
0
VCM [V]
Fig. 4.13. Medidas experimentales para dos electrodos tipo placa de 12 cm2.
25
VD.EMI [mV]
20
ZE = 36 k
15
10
5
0
0
VCM [V]
Figura 4.14. Medidas experimentales utilizando un electrodo tipo placa y uno tipo
copa.
56
G
VCM
ZC
G ViD
ZC
Z E .
ZC
(4.17)
Z C = VCM
Z E .
ViD
(4.18)
Despejando ZC resulta:
57
1000M
C=5.2pF
100M
10M
10Hz
100Hz
1kHz
3. Conclusiones.
Los elementos que componen el modelo EMI de un sistema de adquisicin de
biopotenciales pueden determinarse en forma experimental
Se presentaron mtodos originales para la determinacin de las capacidades CP, CB,
CSUP y CISO, para el desbalance ZE entre las impedancias de electrodo y para la
impedancia de entrada de modo comn ZC.
Los mtodos propuestos para la estimacin de estos elementos, permiten hacerlo en
condiciones de operacin reales. Las experiencias realizadas permitieron validar el
modelo de EMI introducido en los captulos previos.
58
1. Resumen.
En sistemas de tres electrodos, las principales condiciones que debe cumplir un A.B.
son una alta impedancia de entrada ZC para seales de modo comn y un alto CMRR.
En algunas aplicaciones, por ejemplo EEG o ECG de alta resolucin, tambin es
importante conseguir un muy bajo nivel de ruido.
Por otra parte, como se mostr en el CAPTULO 3, los sistemas de dos electrodos
presentan caractersticas distintas y distintivas y una baja ZC resulta ser conveniente.
Teniendo en cuenta estos aspectos, en este captulo se analizan las topologas ms
apropiadas para implementar Amplificadores para Biopotenciales utilizando
amplificadores operacionales.
La topologa del A.B. tambin debe ser acorde a la configuracin utilizada para la
conexin de los electrodos. Se analizan aqu los casos ms usuales que corresponden a
las configuraciones bipolar y monopolar.
59
2. Amplificadores Diferenciales.
Un amplificador para biopotenciales, es bsicamente un amplificador diferencial.
Como las seales bioelctricas se definen como diferencias de potencial entre dos
electrodos, un A.B. debe tener necesariamente una entrada de tipo diferencial. Su
salida puede ser tambin diferencial, resultando un amplificador F-D: FullyDifferential (entrada y salida diferenciales), o con salida respecto a masa, es decir S-E:
Single-Ended. En la Fig.5.2. se muestran esquemas de ambos tipos de circuitos.
ViD
ViC
GDD, GDC
GCD, GCC
VoD
VoC
ViD
ViC
GDD, GDC
GCD, GCC
VoD
Figura 5.1. Tensiones de entrada y salida en una red Diferencial. (a) Circuito con
entrada y salida diferenciales (F-D: Fully-Differential) y (b) Circuito
con salida respecto de masa (S-E: Single-Ended).
En los circuitos F-D, tanto en su entrada como en su salida coexisten seales de modo
comn y de modo diferencial. Entre estas seales pueden definirse 4 funciones de
trasferencia que conforman la denominada matriz de ganancias del amplificador. Los
elementos de esta matriz se definen segn:
GDD =
GDC =
GCD =
GCC =
VoD
ViD
VoD
ViC
VoC
ViD
VoC
ViC
salida m. diferencial
entrada m. diferencial
salida m. diferencial
entrada m. comn
ViC =0
ViD =0
salida m. comn
entrada m. diferencial
salida m. comn
entrada m. comn
ViC = 0
ViD = 0
(5.1)
Los elementos de mayor importancia son: la ganancia GDD para seales de modo
diferencial, la ganancia cruzada GDC relacionada con las transformaciones de modo
comn a modo diferencial que ocurren dentro del amplificador, y GCC que determina
la propagacin del modo comn a travs del amplificador.
En un amplificador S-E, uno de sus terminales de salida est fijo al potencial de masa
y no tiene sentido su tensin de salida de modo comn VoC, pues coincidira con la de
modo diferencial VoD. En este caso solo se definen las ganancias GDD y GDC.
60
GDD
GDC
(5.2)
I.A
VO4
I.A
VO3
I.A
VO2
I.A
VO1
E4
E3
E2
E1
EREF
I.A
VO4
I.A
VO3
I.A
VO2
I.A
VO1
E0
E0
(a)
(b)
61
Existen varias topologas para implementar este tipo de amplificadores. Tal vez la ms
apropiada es el amplificador F-D de dos A.O que se muestra en la Fig.5.3. Este
circuito presenta una alta ZC, un bajo nivel de ruido y un alto CMRR sin requerir
componentes apareados.
Tambin existen alternativas con salida S-E, como el amplificador de instrumentacin
clsico de 3A.O.(Fig.5.4) o el de 2A.O. (Fig.5.5). Ambas configuraciones proveen
una alta ZC y un bajo nivel de ruido, pero para conseguir altos CMRR, requieren
asignar una alta ganancia al amplificador: algo que no siempre es posible en presencia
de los potenciales de DC que se producen en la interfase electrodo-piel.
R2
R1
R2
R3
R2
R1
R3
R2
R3
R3
R1
R1
R2
62
VIN
A.B.
A.B.
ZG
VO
VIN
A.B.
ZG
(a)
VO
iG
(b)
Una desventaja de las topologas F-D es que para implementar un circuito F-D se
requieren ms A.O. que para el caso de su contraparte S-E. (CASAS, 1996).
Los circuitos de tipo F-D son muy aconsejables y ms aun en las primeras etapas. En
el caso que el convertidor ADC posea una entrada de tipo S-E (hoy en da solo
pequeos microcontroladores poseen este tipo de entrada1), Es conveniente realizar la
conversin de diferencial a S-E en las ltimas etapas donde el nivel de seal es
significativo.
1
Los convertidores ADC de alta resolucin actuales (estamos hablando de 18-24 bits y del ao
2004) son de tipo sigma-delta poseen casi exclusivamente entrada diferencial.
63
ViH ViL
R1
(5.3)
Esta corriente iR1, producir una tensin diferencial de salida VoD segn:
VoD = iR1 ( R1 + R2 + R2 )
R1 + R2 + R2
R1
(5.4)
(5.5)
(5.6)
De donde se obtiene que la ganancia GDD de este circuito para seales de tipo
diferencial est dada por:
GDD = 1 + 2 R2 R1
(5.7)
A partir de (5.3) se observa que iR1, que es la nica corriente en el circuito, depende
exclusivamente de la tensin diferencial de entrada y por lo tanto, no habr corrientes
relacionadas con la tensin de modo comn ViC. Esto tiene varias consecuencias
agradables: la ganancia GDC (salida diferencial / entrada de modo comn) ser nula, la
ganancia GCC (salida modo comn / entrada de modo comn) ser unitaria y el CMRR
resultar idealmente infinito.
GDC 0
GCC 1
VoH
ViH
R1
R2
VoD
R2
ViC
ViL
VoL
64
(5.8)
(5.9)
Este circuito permite obtener elevados CMRR (de unos 110dB o ms) an en el caso
de utilizar A.O. de propsitos generales.
Ruido Equivalente a la Entrada.
Esta topologa tambin presenta muy buenas caractersticas en cuanto a su ruido
propio. El ruido total referido a la entrada est determinado principalmente por el
ruido de los A.O. que lo componen y es aproximadamente (APNDICE 6):
2
eiT2 2 eAO
(5.10)
R4
R3
AO1
R1
R2
AO3
R2
R3
AO2
R4
ETAPA 1
ETAPA 2
65
ViC ; ViD
GDD1, GDC1
GDD2, GDC2
Vo VoD
Figura 5.9. Esquema del Amplificador Multietapa de la Fig. 5.8. Cada unas de las
etapas puede caracterizarse mediante su matriz de ganancias.
La ganancia de modo diferencial total del I.A. GDD.T est dada por el producto de las
ganancias individuales de cada etapa:
GDD.T = GDD1GDD2
(5.11)
Si se aplica una seal de entrada de modo comn ViC, la tensin de salida Vo estar
dada aproximadamente por:
VoD ViC GDC1GDD 2 + ViC GCC1GDC 2 .
(5.12)
(5.13)
Para conseguir un elevado CMRR es deseable que GDC.T, dada por (5.13), sea lo menor
posible. Para su clculo se requiere conocer GDC1 y GDC2. La ganancia GDC2 de la
segunda etapa (ver APNDICE 8) est dada por:
GDC2 =
4t
G
+ DD2
1 + 1 GDD2 CAO3
(5.14)
(5.15)
(5.16)
66
(5.17)
2 t
GDD.T
(5.18)
R1
R1
R2
ViL
ViH
(5.19)
R
R R R
Vo = ViH 1 + 2 ViL 1 2 + 2
R1
R2 R1 R1
67
Si se cumple,
R2 R2
=
R1 R1
(5.20)
(5.21)
GDD
.
4t
(5.22)
Se observa en (5.22), que para conseguir buenos CMRR es necesaria una ganancia
GDD elevada. Por otro lado, si se consigue asignar una alta GDD, se pondrn en
evidencia otros problemas de este amplificador: los dos A.O trabajan en condiciones
muy dismiles, uno de ellos tiene una fuerte realimentacin mientras que el otro una
muy dbil, lo cual degrada el CMRR del circuito. Esta situacin se agrava an ms al
incrementarse la frecuencia y hacerse ms evidentes los efectos de la ganancia finita
de los A.O. (ver APNDICE 9). De todos modos, si la frecuencia de trabajo no es muy
alta y no se requiere un CMRR muy elevado, esta configuracin es til y utilizada
(MEETING VAN RIJN, 1994)
(5.23)
68
Ajuste de Ganancia.
La ganancia del I.A de dos A.O. puede ajustarse incorporando un resistor adicional
(RG), entre las entradas inversoras de los A.O. segn se muestra en la Fig.5.11.
RG
R'2
R'1
A
R1
AO1
ViL
Vo1
R2
B
AO2
ViH
Vo
El clculo de la tensin de salida a partir de los potenciales ViH, ViL en los bornes de
entrada, es ms complicado de lo que parece a simple vista. Una estrategia posible es
planteando las ecuaciones de nodos en los puntos indicados como A y B en el
esquema de la Fig.5.11.
1. Nodo A.
ViH ViL Vo1 ViL ViL
+
=
RG
R1
R2
(5.24)
(5.25)
V
V V
Vo1 = iL + iL iH R1 + ViL
RG
R2
(5.26)
2. Nodo B.
y despejando Vo de (5.25):
V Vo1 ViH ViL
Vo = iH
+
R2 + ViH .
RG
R1
(5.27)
(5.28)
y agrupando se obtiene:
Vo = (ViH ViL )
R2
RR
R
RR
+ (ViH ViL ) 1 2 + (ViH ViL ) 2 + ViH ViL 1 2 .
R1
R1 RG
RG
R1 R2
(5.29)
69
(5.30)
R2
R
+2 2
R1
RG
(5.32)
RG1/2
ViC
R1
R1
R2
AO1
VIC ; ViD
AO2
ADViD
70
EN
VON
ZC ZC
E3
VO3
ZC ZC
E2
VO2
ZC ZC
E1
VO1
EREF
ZC ZC
Z C1 + Z E Z C2 + Z E
(5.33)
71
= 630V
30.01M 1.51M
(5.34)
EN
VON
ZC ZC
E3
VO3
ZC ZC
E2
VO2
ZC ZC
E1
VO1
ZC ZC
EREF
ZC
Este tipo de solucin es simple y muy utilizada, pero no resulta del todo apropiada
para aplicaciones de muy bajo ruido porque el seguidor de ganancia unitaria
incrementa el ruido propio del A.B.
3.2.1. Un Amplificador Monopolar propuesto.
En esta tesis se propone un circuito alternativo para conseguir impedancias de modo
comn apareadas, sin incluir buffers de entrada. El circuito, de tipo F-D, se muestra en
la Fig.5.15. Se arrib a esta configuracin a partir de un circuito S-E presentado por
(MEETING VAN RIJN, 1990.b). El circuito original presenta impedancias ZC apareadas
pero un CMRR moderado (90dB) y dependiente del desbalance entre los resistores.
72
R1
R2
R1
R2
R1
R2
E2
E1
EREF
R2
R1
Vo1
AO1
EREF
En realidad el A.O. del electrodo de referencia trabaja con una realimentacin de tensin ms
fuerte que los restantes, pero este efecto no es significativo pues la impedancia de entrada est
dominada por la capacidad de entrada de los A.O.
73
Funcionamiento.
Este circuito no contiene ningn elemento a masa y por lo tanto su CMRR es
idealmente infinito (APNDICE 5).
La corriente sobre R1 depende exclusivamente de la tensin de modo diferencial4 y
est dada por:
V
.
(5.35)
iR1 = iD
R1
Esta corriente circula por R1 y por R2 , resultando una tensin de salida diferencial VoD.
VoD =
ViD
( R1 + R2 )
R1
(5.36)
(5.37)
(5.38)
Esto parece demasiado bueno para este circuito, dado que su aspecto es
desagradablemente asimtrico. De hecho, las primeras experiencias mostraron que su
rechazo de modo comn, en ciertas condiciones es significativamente menor que el
predicho por (5.38). Evidentemente, el elemento que produce esta degradacin no est
presente en el modelo de la Fig.5.16. El bajo CMRR se debe, como se mostrar a
continuacin, a la impedancia de entrada propia de los A.O. Incorporando este
elemento al circuito simplificado de la Fig.5.16 resulta:
74
iiC
AO2
iiC
ZC
ZC
R2
R1
VoD
iiC
iiC
ViC
ZC
AO1
ZC
Figura 5.17. Circuito equivalente que incluye las impedancias ZC propias de los
A.O.
Al aplicar una tensin de modo comn, circularan corrientes iiC=(ViC/ZC) sobre las
impedancias de entrada de modo comn ZC de cada uno de los A.O. Las corrientes
correspondientes a las entradas no-inversoras son aportadas por el generador ViC de
entrada y no traen inconvenientes. Por otra parte, dado que la corriente sobre R1 es
nula, las iiC asociadas a las entradas inversoras circulan hacia la salida de los A.O. La
correspondiente al buffer (AO1) encontrar la salida a travs de un cortocircuito y no
producir diferencia de potencial alguna, pero la iiC correspondiente a AO2 circular
sobre R2 produciendo una tensin de salida de modo diferencial dada por:
R
.
(5.39)
VoD = iiC R2 = ViC 2
ZC
Es decir, que an considerando A.O. ideales (CMRR y ganancia infinitas), la ganancia
GDC no es nula sino que est dada por:
R
,
(5.40)
GDC = 2
ZC
y el rechazo de modo comn resulta:
CMRR =
GDD 1 + R2 R1
=
ZC
GDC
R2
(5.41)
(5.43)
75
Para frecuencias bajas dominar el primer trmino, mientras que para frecuencias altas
el efecto de CIN ser preponderante.
Resultados Experimentales.
Para verificar el anlisis previo, se construy un amplificador para configuracin
monopolar segn la topologa de la Fig.5.15 y con una ganancia GDD=100. En su
implementacin se utilizaron amplificadores operacionales TLC220 (estos A.O.
presentan una CIN relativamente alta 18pF) y se midi el CMRR para distintos
valores de R1 (R1=220, 2.2k, 22k).
De acuerdo a (5.43), para altas frecuencias, el CMRR de este A.B. resulta:
CMRR 1 = R1 18pF 2 f
(5.44)
120
R1=220
CMRR [dB]
100
R1=2.2k
R1=22k
80
60
40
1Hz
10Hz
100Hz
1kHz
Figura 5.18. CMRR del circuito de Fig. 5.16 para distintos valores de R1. Los
resultados experimentales estn indicados con smbolos y el CMRR
terico segn la expresin (5.44) en lnea punteada.
Para que el efecto de R1 a 50Hz. no sea apreciable, el CMRR debido a este mecanismo
debe ser de unos 110 dB o superior5. Dado un CMRR requerido a 50 Hz, el valor
mximo de R1 admisible queda dado por:
R1 =
1
CMRR 50Hz 2 50Hz CIN
(5.45)
El rechazo de un F-D de dos A.O. en general es de aproximadamente este valor (110 dB)
76
difcil de cumplir pero es un punto a tener en cuenta, pues muchas veces, para
asegurar un bajo consumo, es usual utilizar resistores de valores algo ms altos, de
hasta algunos6 k. Tampoco es aconsejable utilizar valores de R1 extremadamente
bajos, pues en presencia tensiones de modo diferencial de entrada elevadas (ej.
Tensin de offset de los electrodos) el consumo se incrementara significativamente.
CP
iP
ZE /2 iP1
Z C /2
iP2
CB
ViC
ZISO
Esta es una situacin verdaderamente desfavorable, pues en general los sistemas de dos
electrodos se utilizan en pequeos amplificadores alimentados a batera que presentan muy
altas impedancias de aislamiento ZISO y solo una pequea fraccin de iP circular sobre ZC. Por
ejemplo, en aplicaciones telemtricas, donde es posible conseguir muy altas ZISO, las
condiciones de medida se relajan al extremo de ser factible utilizar un simple amplificador no
inversor Single-Ended (Dobrev, 1998)
77
Dada una cierta iP, para conseguir que la tensin ViC no supere el rango de entrada del
amplificador, es necesario limitar el mximo valor de ZC. Por otra parte, como se
mostr en el CAPTULO 4, una baja ZC tambin puede resultar conveniente desde el
punto de vista del rechazo a la tensin de lnea. Por todo esto, una baja ZC resulta una
alternativa a tener en cuenta para amplificadores de 2 electrodos.
La corriente iP usualmente no es mayor de 1 A (SERRANO, 2003). Adoptando este
valor y considerando una tensin de alimentacin de 3V, la mxima ZC admisible
resulta de unos 3M.
4.1. Topologas para A.B. con baja impedancia de entrada de modo comn ZC.
Si se adopta un modelo pasivo clsico para las impedancias de entrada del A.B.
(Fig.5.20.a), no resulta posible conseguir bajas ZC sin degradar la impedancia de
entrada de modo diferencial ZD. Para sortear esto, es necesario implementar soluciones
activas como las presentadas en el CAPTULO 3 que por comodidad se repiten aqu en
las Fig.5.20.(b) y (c). Estos esquemas permiten conseguir muy bajas ZC manteniendo
elevadas ZD.
viH
viH
viH
H
ZD/2
ZD
viL
L
ZC
(a)
ZC
viL
L
VCM/ZC
ZD/2
viL
VCM/ZC
(b)
GVCM
(c)
78
ZC =
ZD 2
1 G
(5.47)
Se advierte aqu una fuerte vinculacin entre ZC y ZD, pero operando sobre la ganancia
G se consigue una gran libertad para definir esta relacin. Por ejemplo, utilizando una
ganancia negativa y muy elevada, es posible conseguir muy bajas ZC. Como la
realimentacin no afecta a las tensiones de modo diferencial, la impedancia de entrada
para seales de modo diferencial se mantiene igual a ZD. Un circuito prctico para
implementar esta estrategia se muestra en la Fig.5.21.
CA
RP
RG/2
INA 111
RP
GDDViD
RG/2
C'A
ViC
RP =10M
RG/2=27
O.A: LF353.
AO1
(5.48)
(5.49)
79
5. Conclusiones.
Sistemas de tres electrodos (con electrodo de masa) Configuracin Bipolar.
Para este tipo de sistemas, la topologa ms apropiada es el amplificador F-D de dos
A.O., que permite conseguir elevados CMRR sin requerir elementos apareados. Este
circuito presenta adems un excelente rango de entrada siendo esta ltima
caracterstica particularmente importante en A.B. alimentados a bateras.
El amplificador de instrumentacin clsico de 3 A.O., as tambin como el de 2 A.O.,
presentan CMRR comparables al F-D de 2 A.O. siempre que se les asigne una
ganancia importante. Esto no siempre es posible debido a los potenciales de continua
que se producen en la interfase electrodo-piel cuyas diferencias se presentan al A.B.
como tensiones de modo diferencial.
En cuanto a la tensin equivalente de ruido, la misma es similar para las tres
topologas mencionadas y est dada por el ruido equivalente correspondiente a dos
A.O.
Sistemas de tres electrodos (con electrodo de masa) Configuracin Monopolar.
En un A.B. para configuracin monopolar de electrodos es importante mantener el
balance entre las impedancias de entrada de modo comn ZC de cada una de sus
entradas. Una forma simple de conseguirlo es utilizando buffers en las entradas del
A.B, pero esto incrementa el nivel de ruido del amplificador. Para evitar este
inconveniente, se desarroll una topologa que proporciona ganancia e impedancias de
entrada balanceadas. La misma permite alcanzar elevados CMRR sin requerir
elementos apareados.
Sistemas de dos electrodos (sin electrodo de masa).
En este tipo de mediciones resulta conveniente utilizar A.B. con bajas impedancias de
entrada de modo comn ZC. Se propuso un circuito simple, basado en la
realimentacin de la tensin de modo comn, que permite conseguir una baja ZC
manteniendo altas impedancias de entrada ZD para tensiones de modo diferencial.
80
1. Resumen.
Los principales inconvenientes en la amplificacin de biopotenciales se deben a las
tensiones de continua (DC) que se originan en la interfase electrodo-piel. Estas
componentes de DC pueden llegar a ser de centenas de milivolts, es decir varios
rdenes de magnitud mayores que las seales bioelctricas y aparecen superpuestas a
la seal de inters.
La solucin clsica a este inconveniente consiste en utilizar una primer etapa acoplada
en DC con una ganancia apenas moderada a fin de evitar su saturacin.
Posteriormente, ya con la seal referida a masa (single-ended), se realiza el
acoplamiento en alterna (AC) y se incorporan las siguientes etapas necesarias para
conseguir la ganancia deseada.
Como se vio en los captulos previos, para conseguir altos CMRR y bajos niveles de
ruido es importante asignar una ganancia elevada a la primer etapa. En este captulo,
se proponen soluciones al acoplamiento en AC que permitan asignar una ganancia
importante a la etapa de entrada sin degradar su CMRR ni su impedancia entrada para
seales de modo comn.
81
2. Acoplamiento en Alterna.
El bloqueo de las tensiones de DC es tal vez la caracterstica ms representativa del
diseo de amplificadores para biopotenciales. Para poder implementar altas ganancias
en la primer etapa es necesario bloquear estas componentes de baja frecuencia.
Tambin es importante que las soluciones propuestas mantengan una muy alta
impedancia de entrada de modo comn ZC, a fin de no degradar el rechazo a la
interferencia de la red.
Algunos de los factores de mrito de un acoplamiento en AC para amplificadores de
biopotenciales son:
82
FullyDifferential
Circuit
FullyDifferential
Circuit
VoD
ViC
VoD
ViC
ViC
(a)
(b)
Figura 6.1. Dos formas posibles de conseguir un CMRR infinito en Redes F-D. (a)
Una red flotante. (b) Una red conectada a masa mediante generador
de tensin de valor idntico a la tensin de mdo comn de entrada
ViC.
Z E Z E Z C
ZC Z E
ZC
(6.1)
83
C1
R1
R1
C1
Las impedancias de entrada para seales de modo comn y de modo diferencial, estn
dadas por:
Z C = R1
84
Z D = 2 R1
(6.4)
Este circuito no resulta apropiado para ser utilizado en un A.B., porque implementado
utilizando componentes estndar, su ZC est limitada a algunas decenas de M.
4.2. Red de polarizacin T
Una mejora al circuito previo consiste en no conectar los resistores R1 directamente a
masa sino a travs de un resistor R2 adicional segn se muestra en la Fig.6.3.(a).
C1
R1
R2
R1
C1
Figura 6.3. Mejora sobre el circuito de la Fig. 6.2 que consiste en utilizar una red
T para elevar la impedancia de entrada de modo comn ZC.
Z D = 2 R1
(6.5)
El valor de ZC que permite alcanzar este circuito tampoco resulta suficiente para
utilizarlo directamente a la entrada del amplificador, es decir enfrentando los
desbalances usuales entre las impedancias de electrodo. Esta red s puede resultar una
alternativa vlida para el acoplamiento entre etapas diferenciales internas de un A.B.,
donde las impedancias de generador estn controladas (SPINELLI, 2001).
(6.6)
85
C1
R1
R1
C1
RA
RB
RC
Figura 6.4. Circuito que utiliza bootstraping para simular un resistor R2 (ver Fig.
6.3) de valor elevado.
1G 100k
86dB
0.5
(6.7)
86
C
R1
R2
VoD
ViD
R1
R2
C
E1
ZE1
C
R1
VoD
ViD
ViC
R1
ZE2
E2
E3
iBIAS
R2
R2
ZE3
iBIAS
La norma AAMI limita las corrientes de DC sobre el paciente a 10A, algo muy fcil de
cumplir con los A.O. actuales.
87
C
R1
R2
VoD
ViD
R1
R2
ViD/2
R1
VoD/2
R2
(a)
(b)
Figura 6.7. (a) Red de Acoplamiento propuesta. (b) Circuito equivalente vlido
para tensiones de modo diferencial suponiendo un balance perfecto
entre los componentes.
s
s +1 2
2 = R2C = R2C
(6.8)
C
R1
R2
Z1B
VoD
ViD
VoD
ViD
Z2B
R'2
R'1
C'
(a)
Z1C
Z2
Z2C
(b)
Figura 6.8. (a) Esquema de la red propuesta . (b) Circuito resultante de aplicar
transformaciones tringulo- estrella.
88
Siendo:
Z1A =
Z 2A
R1
s R1 R2C1
R2
; Z1B =
; Z1C =
1 + s C1 ( R1 + R2 )
1 + s C1 ( R1 + R2 )
1 + s C1 ( R1 + R2 )
(6.9)
R1
s R1R2C1
R2
; Z 2B =
; Z 2C =
=
1 + s C1 ( R1 + R2 )
1 + s C1 ( R1 + R2 )
1 + s C1 ( R1 + R2 )
Z1B + Z 2B
Z1A + Z1B + Z 2A + Z 2B
(6.10)
s R1 R2C1 (1 + s C1 ( R1 + R2 ) ) + s R1R2C1 (1 + s C1 ( R1 + R2 ) )
( R1 + s R1R2C1 ) (1 + s C1 ( R1 + R2 ) ) + ( R1 + s R1R2C1 ) (1 + s C1 ( R1 + R2 ) )
(6.11)
Desarrollando el numerador y el denominador de (6.11), se obtiene:
GDD ( s ) =
s ( R1 R2C1 + R1R2C1 ) + s ( C1C1R1 R2 ( R1 + R2 ) + R1R2 ( R1 + R2 ) C1C1 )
s 2 C1C1R1 R2 ( R1 + R2 ) + R1R2 ( R1 + R2 ) C1C1 + s R1 R2C1 + R1C1 ( R1 + R2 ) + R1C1 ( R1 + R2 ) + R1R2C1 + [ R1 + R1]
(6.12)
Llamando 1 = R1C1 ; 1 = R1C1 ; 2 = R2 C1 ; 2 = R2 C1 , (6.12) puede rescribirse como:
GDD ( s ) =
s ( R1 2 + R1 2 ) + s ( R1 2 ( 1 + 2 ) + R1 2 ( 1 + 2 ) )
s 2 R1 2 ( 1 + 2 ) + R1 2 ( 1 + 2 ) + s R1 2 + R1 ( 1 + 2 ) + R1 ( 1 + 2 ) + R1 2 + [ R1 + R1]
(6.13)
En esta ecuacin se observa que el circuito presenta 2 polos y 2 ceros. Uno de estos
ltimos est en el origen y otorga a la red su caracterstica de acoplamiento AC
(ganancia nula en DC).
4.4.3. Sensibilidad a los desapareamientos.
Si se cumple la condicin
2 = 2
(6.14)
(6.15)
89
R1 + R1
s s +
. (6.16)
R1 ( 1 + 2 ) + R1 ( 1 + 2 )
GDD ( s ) =
1
1
R1 + R1
R1 + R1
s2 + s +
+
+
+
+
+
+
+
R
R
R
R
(
)
(
)
(
)
(
)
1
1
2
1
1
2
1
1
2
2
2 1 1 2
R1 + R1
s s +
R1 ( 1 + 2 ) + R1 ( 1 + 2 )
GDD ( s ) =
R1 + R1
1
s + s +
R1 ( 1 + 2 ) + R1 ( 1 + 2 )
2
(6.17)
GDD (s ) =
(6.18)
s ( s + z1 )
( s + p1 )( s + p2 )
(6.19)
1
1 + 2
p1n =
1
1 + 2
p2n =
(6.20)
s ( b0 + sa0 )
s 2 a0 + a1s + a2
(6.21)
siendo:
b0 = R1 2 + R1 2
a0 = R1 2 ( 1 + 2 ) + R1 2 ( 1 + 2 )
a1 = R1 2 + R1 ( 1 + 2 ) + R1 ( 1 + 2 ) + R1
a2 = R1 + R1
90
(6.22)
(6.23)
1
p22 a0 + p2 a1 + a2
a0 ( p2 p1 )
(6.25)
; C = C + C
(6.26)
Para expresar las variaciones en los coeficientes de D(s) a partir de estos incrementos,
es necesario diferenciar (6.22), obteniendo:
ai =
ai
a
a
R1 + i R2 + i C
R1
R2
C
(6.27)
(6.28)
a1 = R1
1
2 R1 1 ( 1 + 2 )
p2 =
12 R1 12 R2 R12 ( 1 + 2 ) C
1
12 R2 + ( 2 R1 R2 1 R12 2 ) C .
2 R1 1 22
(6.29)
(6.30)
91
N ( s ) = s ( b0 + sa0 )
(6.31)
Este polinomio presenta una raz en s=0 y la restante, es decir el cero real de la
funcin transferencia, se produce en:
z1 = b0 a0
(6.32)
1
1
1 2 R1 1 2 R2 R1 R2 ( 1 + 2 ) C
2 1 2 ( R1 + R2 ) 1 + 2
(6.34)
p1 =
p1 R1 R2
C ,
+
+2
4 R
R
C
(6.35)
p2 =
p2 R2 C
+
2 R
C
(6.36)
z1 =
z1 R1 R2
C ,
+
+2
R
C
4 R
(6.37)
p2
1 R C
;
=
+
p2
C
2 R
z1
1 R C (6.38)
=
+
z1
C
2 R
Estas expresiones son tan simples que no honran el esfuerzo invertido en su clculo. Es muy
probable que exista un camino ms simple y elegante para llegar a ellas.
92
1 1 R C
p1 =
1
+
;
C
1 + 2 2 R
z1 =
1
1 + 2
p2 =
1 R
(6.39)
+
1
.
C
2 2 R
p1 = -0.1000
p2 = -0.2000
(6.40)
p1 = -0.0950
p2 = -0.1909
(6.41)
Se observa que tal como predice (6.39), el desplazamiento en z1, p1, p2 es de alrededor
del 5%, mientras que el apartamiento entre p1 y z1 es menor del 0.5%, es decir que la
cancelacin es muy aproximada.
s ( s + z1 )
( s + p1 )( s + p2 )
(6.42)
( z1 p2 ) e p t + ( z1 p1 ) e p t
( p1 p2 )
( p2 p1 )
2
(6.43)
t ( 2 )
(6.44)
93
(6.45)
y para este caso tpico, la amplitud del residuo asociado a p1 (el polo no deseado)
resulta dos rdenes de magnitud por debajo del correspondiente a p2.
94
(6.47)
Este esquema exige A.O. con baja corriente de offset (iOFFSET), pues las diferencias de
potencial que estas produzcan sobre R2, R2 (iOFFSET2R2) tambin sern amplificadas
por la ganancia diferencial GDD del A.B. Si se toma este cuidado, utilizando
amplificadores de tecnologa CMOS o JFET, la tensin de DC a la salida debida a este
efecto no es significativa.
(6.49)
95
Vo
i s
96
I.A.
R3
ViD
R1
R2
R3
R2
R3
Vo
R3
VR
Ci
Ri
GDD = 1 + 2 R2 R1
(6.51)
Vo
s RiCi
(6.52)
i = Ri Ci
(6.53)
(6.54)
97
VCC .
GDD
(6.55)
(6.57)
2t
GDD
(6.58)
siendo t la tolerancia de los resistores. Como la ganancia GDD est limitada a valores
moderados, el CMRR queda dominado por el segundo trmino, resultando:
CMRRT
GDD
2t
(6.59)
VCC
ViDC.MAX 2t
(6.60)
La resistencia Ri del integrador contribuye con ruido pero solo para frecuencias por debajo de
la frecuencia de corte.
98
En realidad este simple se propone oculta decenas de circuitos que se ensayaron buscando
la solucin al problema, muchos de ellos no resistieron el anlisis en papel, otros se
derrumbaron recin en las simulaciones y unos pocos (los ms perversos) recin mostraron sus
falencias al ser construidos. El circuito de la Fig.6.12 fue el nico que sobrevivi a todas las
etapas. Esto muestra lo poco sistemtico que puede ser el diseo de circuitos analgicos.
99
ViD
1+
1
s
VoD
1
1 1
1 +
s
(6.61)
VoD s
=
ViD
1 + s
(6.62)
(6.63)
1
2
(6.64)
fL =
100
A1
R4
A3
R2
CT
R1/2
RT
R3
A5
RT
R1/2
R2
CT
A4
R4
A2
= 1 + 2R4 R3
(6.65.a)
= 1 + 2R2 R1
(6.65.b)
= RT CT
(6.65.c)
101
Por otra parte, como la salida diferencial del integrador es nula, tambin lo ser su
entrada de modo diferencial, la cual coincide con la salida del amplificador. En cuanto
a tensiones de modo comn, la correspondiente a la entrada del integrador no est
definida, quedando sin control y a merced de las corrientes de polarizacin de los A.O.
Para fijar la tensin de modo comn del integrador se incluye el A5 (indicado en gris
en la Fig.6.13), que copia la tensin de modo comn de entrada estableciendo el
potencial de modo comn. De este modo, todas las conexiones del circuito a masa
continan siendo realizadas a travs de generadores de tensin iguales a la tensin de
modo comn de entrada ViC.
Consideraciones de estabilidad del Circuito.
Utilizando A.O. internamente compensados, el circuito de la Fig.6.13 resulta estable
para tensiones de modo diferencial, dado que la ganancia de realimentacin para este
tipo de seal (1/GDD), es mucho menor que la unidad. Sin embargo pueden surgir
problemas de estabilidad para seales de modo comn.
Este problema es muy similar al caso del amplificador de instrumentacin F-D de dos
A.O. analizado en (WHITE, 1987). Sucede que los atenuadores balanceados y
atenan las seales de modo diferencial pero presentan ganancia unitaria para
tensiones de modo comn. El circuito tiene una realimentacin dbil para seales de
modo diferencial pero una realimentacin muy fuerte (unitaria) para seales de modo
comn.
Un modelo simple que permite analizar los problemas de estabilidad de modo comn,
vlido para frecuencias cercanas a la frecuencia de ganancia unitaria (0dB), se muestra
en la Fig.6.14.
A1
A3
Figura 6.14. Circuito utilizado para analizar la estabilidad de modo comn. Este
esquema es vlido para frecuencias cercanas al corte de 0 dB.
102
(6.66)
(6.67)
(6.68)
VOFFSET.AO .
(6.69)
GDD
Es decir que Vi.DC.MAX es veces menor que la diferencia entre las tensiones de offset
de los A.O. que componen la etapa de entrada.
Se considero aqu una fuente simtrica para facilitar la comparacin con otras
configuraciones, pero esta topologa puede trabajar perfectamente a partir de una fuente simple.
9
Un resistor de 6k tiene un ruido propio del orden del correspondiente a un muy buen A.O.
(10nV/Hz).
103
(6.71)
Los resistores RT, que determinan la frecuencia de corte inferior fL, suelen resultar de
valor elevado y tambin contribuyen al ruido total, pero su contribucin no es
importante dentro del rango de frecuencias de inters. Para frecuencias medias, los
capacitores CT, CT pueden considerarse corto-circuitos y el ruido de RT no tiene
efecto alguno sobre el circuito. Este mecanismo, es similar al ruido incorporado por
los resistores de polarizacin en un esquema de acoplamiento en AC pasivo
(APNDICE 13).
(6.72)
Ecuaciones de Diseo.
Como un ejemplo de diseo y para validar el anlisis previo, se implement un
amplificador de ECG con las siguientes especificaciones: ViDC.MAX > 500 mV, una
frecuencia de corte fL = 0.05 Hz, VCC = 2.5V y una ganancia de modo diferencial
GDD de aproximadamente 500 veces.
A partir del rango de DC de entrada deseado, utilizando la ecuacin (6.66.a) se obtiene
el valor de :
2V
(6.73)
= CC = 10
Vidc
Luego se calcula para obtener la ganancia necesaria como:
GDD
= 50 ,
(6.74)
104
1
2 f L
= 3.18 s.
(6.75)
A1
R4
A3
R2
SWFR
CT
R1/2
RT
RFR
A5
R3
RT
RFR
R1/2
R2
CT
SWFR
A4
R4
E2
A2
105
1 mV
1s
Figura 6.16. Registro de ECG obtenido con el A.B. construido. En las zonas
grisadas se cerraron las llaves SWFR y SWFR donde se observa que
el amplificador recupera rpidamente el nivel base. En el primer
tramo grisado tambin puede observarse la distorsin producida por
la elevada frecuencia de corte inferior. En el segundo tramo las
llaves se mantuvieron cerradas slo el tiempo necesario para llevar
al A.B. a un nivel de operacin adecuado.
10
El amplificador utilizado incorpora adems un circuito reductor de modo comn DRL que
incrementa el CMRR unos 30dB al mismo tiempo que asegura una apropiada tensin de modo
comn de entrada. Este circuito accesorio as tambin como el amplificador completo
construido se analizarn ms adelante en los CAPTULOS 7 y 8 respectivamente.
106
0.5 mV
0.25 s
6. Conclusiones.
Las soluciones pasivas presentan un bajo consumo y admiten altas ViDC.MAX, pero
producen elevadas tensiones de offset de salida VoDC que obligan a incluir una segunda
etapa de supresion de DC. Esto ltimo atenta contra la respuesta transitoria, exigiendo
un cuidadoso y comprometido diseo del A.B. (RAMOS, 2001), (SPINELLI, 2004).
La red de acoplamiento pasiva propuesta permite obtener muy altos CMRR
conservando una implementacin simple y totalmente pasiva.
Por otra parte, las estrategias activas permiten asegurar bajas tensiones de DC a la
salida del A.B. y admiten la implementacin de estrategias de recuperacin rpida
frente a perturbaciones que lleven a la saturacin del A.B..
El principal inconveniente de la solucin activa clsica es la limitacin de la ganancia
de la primer etapa a valores moderados. Para salvar esto, se propuso una
implementacin F-D del esquema activo que admite altas Vi.DC.MAX an con bajas
tensiones de alimentacin.
Respecto a la tensin eficaz de ruido, las soluciones analizadas, as tambin como las
propuestas en esta tesis, presentan niveles de ruido similares.
A modo de resumen, a continuacin se presenta una tabla comparativa entre las
distintas alternativas para conseguir el acoplamiento en alterna.
107
CIRCUITOS
PASIVOS
Red T
(Clsica)
F-D
Balanceada
ViDC.MAX
CMRR
No
limitado
Bajo
No
limitado
VoD.OUT
GDD
ZC
e2iT
Alto
Alta
baja
2 e2AO
Alta
Alta
2 e2AO
(V.OFFSETADD)
Alto
Alto
V.OFFSETGDD
(CIN)
CIRCUITOS
ACTIVOS
(Propuesta en
esta tesis)
Activo S-E
(Clsico)
Bajo
(VCC/ADD)
Activo F-D
Moderado
(Propuesta en
esta tesis)
(2VCC/)
Moderado
Muy Bajo
(VOFFSET)
Moderado
Alto
Moderada
Alta
(CIN)
Alta
(V.OFFSETGDD/)
Alta
(CIN)
CIN
e2iT
e2AO
VCC
108
2 e2AO
2 e2AO
1. Resumen.
Es un hecho bien conocido que mediante el uso de realimentacin negativa es posible
mejorar ciertas caractersticas de un amplificador, como la impedancia de entrada,
linealidad, rechazo a perturbaciones, etc. En este captulo se presentan varias
estrategias, basadas en la realimentacin de la tensin de modo comn, que permiten
mejorar sustancialmente las propiedades de un A.B.
Un amplificador de instrumentacin generalmente presenta muy elevadas impedancias
de entrada de modo comn ZC. En aplicaciones biomdicas, esta impedancia se ve
comprometida por necesidad de disponer de un camino para las corrientes de
polarizacin de entrada y por la capacidad de los cables blindados. Se presentan aqu,
tcnicas como bootstraping y circuitos manejadores de blindaje (shield-driver) que
permiten minimizar estos efectos.
Tambin se analiza en este captulo, un circuito denominado DRL (Driven Right Leg)
que permite reducir la tensin de modo comn VCM mediante una realimentacin
negativa de la misma. Esta reduccin de VCM equivale a incrementar el rechazo del
A.B. a interferencias de modo comn.
En la ltima seccin, se aplica la realimentacin de modo comn para el control a lazo
cerrado del punto de polarizacin de amplificadores alimentados con una Fuente
Simple.
Todos estos circuitos operan realimentando VCM y pueden presentar problemas de
estabilidad. En este capitulo se analizan las condiciones de estabilidad para cada uno
de los circuitos y tambin para el caso en que operen en forma conjunta.
109
CP
ZE3
VCM
VPO VISO
CISO
CB
Figura 6.1. Modelo de EMI simplificado utilizado para el anlisis del circuito
reductor de la tensin de modo comn.
Se realizaron algunas pruebas que permitieron comprobar que efectuando una abrasin
importante (sin llegar a ver sangre) las impedancias de contacto toman valores menores a
200!!!. En estas condiciones es muy simple medir y esta tesis no tendra mucho sentido.
110
220V
CP
RE2
CF
I.A.
RE2
VP
Vo
CF
RE3
ViC
A(s)
CB
CISO
Figura 6.2. Esquema general de un A.B. con circuito DRL. El potencial indicado
como ViC corresponde a la tensin de modo comn presente en las
entradas del amplificador.
En algunos casos estos filtros no son parsitos sino que se incluyen especialmente para
atenuar componentes de alta frecuencia.
4
111
CP
VCM
RE2 /2
RE3
VP
CB
A(s) ViC
CISO
ViC
2CF
Resolviendo el circuito se obtiene que la relacin entre la tensin de modo comn VCM
y la tensin de lnea VP est dada por:
VCM
VP
= KC s
(1 + s 0 ) RE3
0 1 + s ( 0 + 1 + 2 ) + 1
(6.1)
A(s)
1+ 2
s 0 1 + s ( 0 + 1 + 2 ) + 1
Clasico
siendo
R0 =
RE2
2
C0 = 2CF
CN =
CISO (CP + CB )
CISO + CP + CB
0 = R0C0
1 = RE3CN
KC =
CP CISO
CISO + CP + CB
2 = RE3C0
La estabilidad del DRL puede analizarse a partir de su ganancia a lazo abierto GH(s),
la cual puede obtenerse por inspeccin de (6.1):
GH ( s ) =
1
s 0 1 + s ( 0 + 1 + 2 ) + 1
2
A( s )
(6.2)
Dado que el integrador se implementar con un A.O. real con una ganancia de de lazo abierto
finita A0, el polo dominante no estar en el origen como sugiere (6.3) sino que su constante de
112
ganancia decaiga a 0dB (corte) antes del primer polo de (6.2). La transferencia de
este amplificador ser:
1
(6.3)
A( s ) =
RiCi
Un circuito algo ms detallado del DRL, incorporando este integrador como
amplificador de modo comn, se muestra en la Fig.6.4. El resistor RP limita la
corriente mxima que puede circular por el paciente que de acuerdo a la norma
(AAMI, 1998) no debe exceder los 10A.
E1
A1
RA
R2
R1
A5
VCM
R2
RA
A2
E2
Ci
Ri
E3
RP
A6
De aqu en ms, el diseo del circuito DRL se reduce a dimensionar el integrador (es
decir Ri y Ci), de modo tal que su ganancia sea unitaria a la frecuencia del primer polo.
Por ejemplo, considerando valores no muy optimistas6: CISO=200pF, CP=2pF,
CB=200pF, CF=200pF, RE1=100k, RE3=200k, R0=10k, A0=110dB, que determinan
R0=50K, C0=400pF, CN=100pF, 0=22S, 1=20S, 2=80S, resulta:
GH ( s ) =
GH ( s) =
(s
A( s)
2
440 10
12
+ s 122 106 + 1)
A( s )
(1 + s 117s ) (1 + s 3.7s )
(6.4)
(6.5)
tiempo asociada ser AO=RiCiA0. De todos modos, para el anlisis de estabilidad (frecuencias
prximas al corte de 0dB) puede considerarse un integrador ideal.
6
Se adoptaron valores elevados para las capacidades de acoplamiento, muy elevados para CISO,
una alta impedancia electrodo piel para los electrodos de seal y una muy elevada para el tercer
electrodo de masa.
113
(6.6)
(6.7)
1
s 100s (1 + s 117s ) (1 + s 3.7s )
(6.8)
Magnitud [dB]
40dB
20dB
|GH50Hz|30dB
0dB
-20dB
-40dB
-90
Fase [grados]
-110
-130
-150
MF45o
-170
-190
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
Este valor est dado por la ganancia del integrador para esta frecuencia.
114
= K C RE3
Clsico
s 2 (1 + s 0 ) RiCi
(1 + s ( 0 + 1 + 2 ) + s 2 0 1 ) s Ri Ci + 1
(6.9)
= 1pF 200k
Clsico
(6.10)
-50
VCM / VP [dB]
-70
-90
30dB
-130
-150
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
Este rechazo generalmente es suficiente para que la interferencia introducida por VCM no sea
apreciable. De todos modos, la compensacin diseada es bastante conservadora y si fuera
necesario podra asignarse una ganancia ms importante.
115
VIN
ZE
Vo
CSH
Considerando la capacidad distribuida del cable como una capacidad concentrada CSH,
incorporando la capacidad de entrada propia del A.O. (CIN) y representando el buffer
por su ganancia G(s), resulta el circuito equivalente de la Fig.6.8.
Dependiendo del dimetro del cable, su capacidad de hasta varias centenas de pF por metro.
10
116
ZE
VIN
V1 I1
G(s)
VO
CSH
CIN
ZIN
Se advierte en esta figura, que el circuito contiene una realimentacin positiva a travs
de la capacidad CSH lo cual sugiere la posibilidad de que existan problemas de
estabilidad. Para el anlisis de este circuito, en primer lugar se calcular la impedancia
de entrada ZIN vista desde el cable. Posteriormente, se incluir la impedancia de
electrodo ZE para finalmente determinar la funcin de transferencia entre la tensin de
salida VO y la de entrada VIN.
3.1. Impedancia de Entrada.
La impedancia de entrada del amplificador con el shield-driver, definida como V1/I1
(ver Fig.6.8) est dada por:
V
1
(6.11)
Z IN = 1 =
I1 s CIN + CSH (1 G ( s ) )
Vo ( s )
Z IN ( s )
=
VIN ( s ) RE + Z IN ( s )
(6.12)
s i + G (1 G ( s ) ) + 1
; A = 1 ( 2 GPB )
(6.14)
117
T (s) =
1 + s A
s A ( G + i ) + ( i + A ) s + 1
2
(6.15)
1
2 A G
; =
A
1
+i
4 G
4 A G
(6.17)
(6.18)
2
nA
2
s 2 + 2 A n A s + nA
(6.19)
118
2
s 2 + 2 nA s + nA
2
2
s 3 ( i + G ) + s 2 2 A nA ( i + G ) + 1 + s ( nA
i + 2 nA ) + nA
(6.20)
2
s 2 + 2 A nA s + nA
.
2
i + 2 A nA ) + n2A
s 3 G + s 2 ( 2 A nA G + 1) + s ( nA
(6.21)
(6.22)
Este nuevo sistema, bajo ciertas condiciones, puede volverse inestable. Para
determinar su estabilidad puede utilizarse el criterio de Routh. El arreglo
correspondiente resulta:
s3
s2
s1
G
2 A nA G + 1
2
2
( 2 A nA G + 1) ( nA
i + 2 A nA ) G nA
2
nA
i + 2 A nA
2
nA
( 2 A nA G + 1)
2
nA
s0
(6.23)
El nmero de polos en el semiplano derecho est dado por los cambios de signo que se
produzcan en la primer columna. Para que no existan cambios de signo, es decir para
que el sistema sea estable, se debe verificar que:
(6.24)
1
4 A2 + 2 A nA RE CIN +
> 1 CIN CSH
nA RE CSH
(6.25)
1
f ( RE ) = 4 A2 + 2 A nA RE CIN +
nA RE CSH
(6.26)
(6.27)
119
nA CINCSH
(6.28)
(6.29)
(6.30)
Una buena opcin para asegurar la estabilidad del S-D, independientemente de CIN y
CSH (los cuales pueden ser muy variables), es seleccionar un A.O tal que 42A sea
mayor que uno, es decir con un A de al menos 0.5.
En caso de ser necesario, otra forma de estabilizar el circuito es incluir un atenuador
por un factor a la salida del buffer (METTING VAN RIJN, 1990), reduciendo de esta
forma su ganancia ligeramente por debajo de la unidad. Esta alternativa no es del todo
recomendable pues degrada la reduccin de CSH, subsistiendo una fraccin remanente
de CSH dada por CSH(1-).
Observacin.
Para asegurar la estabilidad del circuito shield-driver es importante utilizar un A.O.
especialmente diseado para operar con ganancia unitaria (Buffer).
120
0.0
-0.5
-10
10
20
30
40
50
60
70
80
t , s
Figura 6.9.Respuesta al escaln del circuito S-D. En lnea llena se indica la
respuesta correspondiente a la expresin (6.20) y en lnea punteada
la obtenida en forma experimental.
f (RE)
2.0
1.5
Zona Inestable
1.0
fMIN
0.5
0.0
1k
10k
RE.C
100k
RE ,
Figura 6.10. Grfica correspondiente a la funcin f(RE) que define la estabilidad
del circuito S-D. El mismo es inestable si f(RE) adopta valores
menores que la unidad.
11
Si bien en la Fig. 6.9 se indica la respuesta a un escaln unitario, la amplitud real del escaln
aplicado fue de 50mV a fin de asegurar la operacin del A.O. en zona lineal.
121
CP//CB
CSH
CIN
RE3
CISO
A(s)
T(s)
CB + CISO
CB CISO
RE3
A(s)
1
1 + s SD
SD = RE3
CB CISO
CB + CISO
(6.31)
12
122
Magnitud [dB]
40 dB
20 dB
GH50Hz50dB
0 dB
-20 dB
-40 dB
-60 dB
-80 dB
0
-50
Fase [grados]
-100
-150
MF45o
-200
-250
-300
-350
10Hz
100Hz
1kHz
10kHz
100kHz
1MHz
Figura 6.13. Ganancia de lazo abierto del sistema DRL+S-D. En lnea llena:
sistema sin compensar. En lnea punteada: sistema compensado
utilizando un integrador en el DRL.
123
ViD /2
RP
RP
ViD /2
ViC
GViC
ZC , ZD
RP
ViC
GViC
ZC =ViC / IiC
Figura 6.15. Circuito equivalente correspondiente al esquema de la Fig. 6.14.
A partir de este circuito puede obtenerse ZC, la cual est definida por:
ZC =
124
ViC
I iC
(6.31)
resultando:
ZC =
RP
1 G
(6.32)
Se observa que adoptando G=1 se obtiene ZC= y que, utilizando una ganancia
negativa y muy elevada, es posible conseguir muy bajas ZC, lo cual puede resultar
muy til para sistemas de 2 electrodos ver (CAPTULO 3). En ambos casos la
impedancia de entrada de modo diferencial es igual a 2RP.
(6.34)
Se observa que ahora ZC presenta una componente inductiva que, utilizando RP=10M
y constantes de tiempo del orden de los segundos, puede representar inductancias
equivalentes del orden de los millones de Henrios !!!. Esto puede aprovecharse para
producir una resonancia paralelo a 50Hz entre esta inductancia y las pequeas
capacidades de entrada CIN propias del amplificador. La frecuencia de resonancia
estar dada por:
1
(6.35)
f0 =
2 CIN RP
13
125
RG/2
INA 111
R'P
ADVD
RG/2
C'A
VCM
C
R
CA=1F ; C=33nF ;
R1=R2=1k ; R3=18k
RP =RP = R=10M
RG/2=27 ; O.A: LF353.
126
ZE1
ViH
ZP1
ZP2
ZE2
ViL
VCM
VA
(6.36)
Si se adopta,
VA = ViC =
ViH + ViL
2
(6.37)
(6.38)
(6.39)
127
C=5.2pF
100M
10M
10Hz
100Hz
1kHz
En el CAPTULO 3 se mostr que una ZC capacitiva es muy conveniente para sistemas de dos
electrodos.
128
Si el amplificador est alimentado con una nica fuente (0-VCC) es necesario polarizar
sus entradas, por ejemplo a VCC/2, para que operen con una adecuada tensin de modo
comn. Existen al menos 2 tcnicas para esto: asegurar una apropiada tensin de modo
comn de DC a la entrada del A.B. o acoplar en alterna la seal de entrada y fijar un
nuevo potencial de continua en las entradas del amplificador. A continuacin se
analizan estas dos posibilidades.
6.1. Acoplamiento en alterna + Tensin de polarizacin en DC.
6.1.1. Solucin Clsica.
La solucin ms clsica y a la vez simple se muestra en la Fig.6.19. Los capacitores
C1, C1, bloquean la tensin de continua de entrada y el generador VPOL , a travs de
R1, R1 y R2 fija el potencial de continua de las entradas del amplificador.
C1
R1
R2
R'1
VPOL
C'1
129
CA
RP
RG/2
R'P
RG/2
INA 111
ADVD
C'A
VCM
C
CA=1F ; C=33nF ;
R1=R2=1k ; R3=18k
RP =RP = R=10M
RG/2=27 ; O.A: LF353.
R
VPOL
A1
RA
R2
A5
R1
ViC
R2
RA
A2
E2
Ci
Ri
E3
RP
A6
VPOL
130
7. Conclusiones.
La realimentacin de la tensin de modo comn, permite mejorar sensiblemente las
caractersticas de un A.B.
Mediante esta tcnica, puede reducirse la tensin de modo comn utilizando el
circuito DRL, el cual permite incrementar el rechazo a la interferencia debida a VCM.
Este mismo circuito, permite asegurar una tensin de polarizacin adecuada para
operar el A.B. con una fuente simple.
La degradacin de la impedancia de entrada de modo comn ZC, impuesta por el uso
de cables blindados, puede evitarse utilizando un circuito Shield-Driver (S-D). Para
asegurar la estabilidad de este circuito, es importante utilizar amplificadores
operacionales especialmente preparados para operar con ganancia unitaria (con un
buen Margen de Fase).
Tambin es posible, mediante la realimentacin de modo comn, controlar la
impedancia de entrada ZC para seales de modo comn. Esto permite conseguir tanto
muy bajas (100) como muy altas (1G) impedancias ZC manteniendo inalterada
la impedancia de entrada ZD para tensiones de modo diferencial.
131
132
Captulo 8 - Conclusiones
Captulo 8: Conclusiones.
1. Conclusiones.
En la primer parte de la tesis se realiz un anlisis detallado de los distintos
mecanismos a travs de los cuales las fuentes de EMI, en especial la tensin de red
(50Hz), interfieren en el registro de biopotenciales. Esto permiti determinar los
requerimientos ms importantes para un A.B. que establecieron el punto de partida de
la segunda parte, donde los esfuerzos se focalizaron en el diseo de amplificadores y
de sus sistemas accesorios. Se propusieron all distintas soluciones para conseguir
bajos niveles de interferencia y ruido, es decir una alta relacin Seal-Ruido (SNR).
133
Captulo 8 - Conclusiones
134
Captulo 8 - Conclusiones
135
Captulo 8 - Conclusiones
3. Lneas Abiertas
Se planea continuar trabajando sobre los temas desarrollados en esta tesis, en
particular en sistemas de adquisicin de biopotenciales embebidos en prendas de vestir
y en la captura de biopotenciales sin contacto.
Tambin se prev extender el uso de circuitos F-D a otras etapas del sistema adems
del A.B., por ejemplo en etapas de filtrado.
136
Captulo 8 - Conclusiones
137
Captulo 8 - Conclusiones
138
Referencias
Referencias
139
Referencias
140
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142
Referencias
143
Referencias
144
Apndice 1
Valores esperables de Tensiones de Modo comn y de Modo Aislante
1. Anlisis aproximado
Para estimar los valores que pueden tomar las tensiones de modo comn VCM y de
modo aislante VISO, resulta suficiente el circuito simplificado de la Fig.A1.1.
Lnea 220V 50 Hz.
CSUP
CP
ZE3
Comn
VCM
CB
CISO
VP0 VISO
Tierra
Las tensiones VCM y VISO son producto de las corrientes de desplazamiento acopladas a
travs de CP y CSUP. Salvo un caso muy especial de balance, la corriente sobre una de
ellas ser dominante en la determinacin de los valores de estas tensiones.
1.1. Caso 1. CP CSUP .
Este caso puede corresponder a un amplificador de tamao reducido alimentado
mediante bateras. Normalmente, el rea efectiva del plano de masa de un A.B. de este
tipo es reducida y su capacidad CSUP resulta despreciable. El circuito equivalente para
este caso resulta:
iP
CP
ZE3
220V
50Hz.
VCM
VISO
CB
iISO
CISO
iB
145
CB + CISO
CP
VISO 220V
CB + CISO
(A1.1)
(A1.2)
CB
VCM 220V P CSUP Z E3
CSUP + CB + CISO
CSUP
VISO 220V
CSUP + CB + CISO
(A1.3)
Una situacin desfavorable implica altas CSUP, CB y bajas ZE3 y CISO. Por ejemplo,
considerando CSUP=100pF, CISO=10pF, CB=300pF y ZE3=100k, resulta:
VCM = 506mV ; VISO = 54V
(A1.4)
146
La tensin de modo comn sobre el paciente est dada por la diferencia de potencial
que produce iP sobre la impedancia interna del cuerpo ZP2 (ver Fig.2.1 del CAPTULO
2). Considerando una iP elevada, de 1A y una ZP2 de 500 resultara una VCM dada
por:
VCM iP Z P2 = 1A 500 = 0.5mV
(A1.5)
Las impedancias de electrodo tambin producen tensin de modo comn que puede
calcularse como:
VCM ( iL1Z E1 + iL2 Z E2 ) 2
(A1.6)
Siendo iL1, iL2 las corrientes acopladas a los cables de conexin 1 y 2 respectivamente.
Por ejemplo, si ZE1=ZE2=100 k e iL1=iL2=10 nA, resulta
VCM 1mV
(A1.7)
Como se observa en (A1.5) y (A1.7), estas ltimas tensiones de modo comn son
pequeas frente a las calculadas en los puntos previos, lo cual justifica la asuncin de
un paciente isopotencial.
1.4. Conclusiones.
Considerando que CP y CB son parmetros que escapan al control del diseador, para
que la tensin VCM sea reducida se requieren bajas capacidades CISO y CSUP, es decir
fuentes de alimentacin con buena aislacin y amplificadores de reducido tamao.
Por otra parte, para reducir VISO se requieren bajas CSUP y/o bajas impedancias de
aislacin ZISO (altas CISO). Esto ltimo implica necesariamente reducir la aislacin
paciente-tierra, lo cual est limitado, por regulaciones de seguridad a ZISO>22M1
(AAMI, 1998).
VCM depende de la impedancia ZE3 del tercer electrodo y de las capacidades de
acoplamiento mientras que VISO depende exclusivamente de las relaciones entre estas
capacidades.
Es importante notar que una alta aislacin entre lnea y comn (CSUP pequeas) reduce
al mismo tiempo VCM y VISO. Los esfuerzos de diseo deben apuntar a reducir CSUP
todo lo posible, por ejemplo utilizando amplificadores de pequeo tamao
alimentados por bateras.
La tensin VCM puede llegar a ser de centenas de mV, mientras que VISO puede tomar
valores mucho mayores, del orden de las decenas de Volts (unos 40 dB mayor).
En caso de ser muy necesario, en (Meeting Van Rijn, et al., 1991) se muestra una forma de
reducir la aislacin en forma controlada.
147
148
Apendice 2
Anlisis detallado del Efecto Divisor de Potencial
1. Efecto Divisor de Potencial
Uno de los problemas ms comunes en la adquisicin de biopotenciales es la
transformacin de modo comn a modo diferencial debida a desbalances en las
impedancias electrdicas. Como puede observarse en la Fig.A2.1, despreciando el
efecto de la impedancia de entrada de modo diferencial1, quedan conformados dos
divisores de tensin. Si estos no son idnticos, una tensin de entrada de modo comn
produce una tensin de modo diferencial que no podr ser rechazada por un
amplificador posterior.
ZE1
ViD
ZE2
VCM
ZC2
ZC1
Figura A2.1. Efecto divisor de potencial. Las impedancias ZE1, ZC1 y ZE2, ZC2,
componen, respectivamente, dos divisores de tensin. Si stos no
verifican la misma relacin ZCi/ZEi, la tensin de modo comn VCM
produce una tensin de modo diferencial ViD.
ViD = VCM
Z C1 + Z E1 Z C2 + Z E2
(A2.1)
1
1
ViD = VCM
1 + Z E1 Z C1 1 + Z E2 Z C2
(A2.2)
utilizando la aproximacin:
1
1 x si
1+ x
x << 1
(A2.3)
(A2.4)
149
o en forma ms compacta:
ViD = VCM ( Z E2 Z C2 Z E1 Z C1 )
(A2.5)
Si consideramos que ZC1 y ZC2 difieren en un ZC y ZE1 y ZE2 en ZE, el peor caso es:
Z + Z E 2 Z E Z E 2
Z C Z E + Z E Z C .
ViD = VCM E
= VCM
Z
Z
Z
+
Z
2
2
( ZC2 ZC2 4)
C
C
C
C
(A2.6)
Z C Z E + Z E Z C
Z C2
ViD VCM
Z E Z E Z C
ZC Z E
ZC
(A2.7)
obteniendo finalmente:
(A2.8)
150
Z E
ZC
(A2.9)
Apndice 3 - Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn en sistemas de 2 electrodos
Apndice 3
Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn
en sistemas de 2 electrodos.
1. Introduccin.
Para analizar la interferencia de la tensin de red en sistemas de dos electrodos, se
requiere de un modelo para las impedancias de entrada del A.B. que permita describir
tanto altas como bajas impedancias de modo comn ZC. En el CAPTULO 3 se
propusieron all dos modelos posibles: con realimentacin de modo comn en
corriente (Fig.A3.1.a) y con realimentacin de modo comn en tensin (Fig.A3.1.b).
En este apndice se determinar, para cada uno de ellos, las tensiones de modo comn
y de modo diferencial producidas por la tensin de red a la entrada del A.B. El anlisis
realizado demuestra que ambos modelos conducen a idnticos resultados.
H
ZD /2
ZD
ZD /2
L
VCM/ZC
VCM/ZC
GVCM
(a)
(b)
iP
ViC ; ViD
ZE2
ZD /2
ZB
GViC
ZISO
151
Apndice 3 - Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn en sistemas de 2 electrodos
2iC
ViC ; ViD
ZD /2
ZE2
ZB
GViC
VCMViC
iPZB
ZISO
2iC
ZD /2
ViC ; ViD
ZD /2
iC
2iC
VCM
GViC
Dada la simetra del circuito, la corriente entregada por el generador VCM se divide en
partes iguales por las dos ramas y la corriente iC por cada una de ellas es1:
iC =
ViC (1 G )
ZD 2
(A3.1)
ZD 2
1 G
(A3.2)
Aqu tambin se utiliz el hecho que, al considerar despreciables las impedancias de los
electrodos, la tensin de modo comn de entrada ViC coincide con la tensin de modo comn
del paciente VCM.
152
Apndice 3 - Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn en sistemas de 2 electrodos
(A3.6)
Siendo ZE el desbalance entre las impedancias de electrodo definido como ZE =ZE1ZE2. Si se reemplaza (A3.4) en (A3.5) y (A3.6), resultan finalmente:
ViC =
iP Z B Z C
( Z B + Z ISO ) 2 + Z C
ViD =
iP Z B Z E
( Z B + Z ISO ) 2 + Z C
(A3.7)
(A3.8)
iH
i P VB
ViH
ZD
ZE2
iL
ViL
ZB
ViC / ZC
ZISO
iC
ViC / ZC
iC
153
Apndice 3 - Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn en sistemas de 2 electrodos
ViD
ZD
(A3.9)
ViD
ZD
(A3.10)
Estas corrientes, circulando sobre las impedancias de electrodo ZE1 y ZE2, producen
una tensin de modo diferencial ViD:
ViD = iL Z E2 iH Z E1
(A3.11)
ViD = ( iL iH ) Z D 2
(A3.12)
iH ( Z D 2 + Z E1 ) = iL ( Z D 2 + Z E2 ) ,
(A3.13)
iH ( Z D 2 + Z E2 )
=
iL ( Z D 2 + Z E1 )
(A3.14)
(A3.15)
(A3.16)
ViL = VB iL Z E2
(A3.17)
donde el potencial del cuerpo del paciente VB puede ser expresado como:
VB = ( iP 2 iC ) Z B 2 iC Z ISO = iP Z B 2 iC ( Z B + Z ISO )
(A3.18)
154
Apndice 3 - Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn en sistemas de 2 electrodos
(A3.19)
(A3.20)
ZB ZC
Z C + 2 ( Z B + Z ISO ) + ( Z E1 + Z E2 ) 2
(A3.21)
Teniendo en cuenta que ZE1+ZE2 ZB+ZISO, la tensin ViC dada por (A3.21) puede
aproximarse por:
Z B ZC
(A3.22)
ViC iP
Z C + 2 ( Z B + Z ISO )
y las corrientes de entrada de modo comn resultan:
iC =
ViC
ZB
iP
ZC
Z C + 2 ( Z B + Z ISO )
(A3.23)
Z B ( Z E2 Z E1 )
Z C + 2 ( Z B + Z ISO )
(A3.24)
Una conclusin importante de esta anlisis, que surge de comparar los resultados de
los puntos 2 y 3, es que los dos modelos de impedancias de entrada conducen a
idnticas tensiones tanto de modo comn como de modo diferencial. Por lo tanto, el
anlisis presentado en el CAPTULO 3 es vlido para ambos tipos de modelos de
impedancias de entrada.
155
Apndice 3 - Clculo de las tensiones de Modo Diferencial y Modo Comn en sistemas de 2 electrodos
156
Apndice 4
Simulacin de resistencias de valor elevado
1. Introduccin.
En algunas aplicaciones se requieren resistencias de elevado valor (>100M), difciles de
conseguir o construir. Un recurso habitual es simularlas mediante circuitos activos, por
ejemplo utilizando una red T en la realimentacin. De este modo, es posible
implementar resistencias equivalentes elevadas utilizando resistores estndar; pero aqu
se manifiesta una vez ms el Principio de Conservacin de la Dificultad1: estas
resistencias equivalentes no se comportan exactamente como un resistor real de igual
valor. En este apndice se analizan estas diferencias.
IIN
R1
VIN
A
L
R3
R2
REQ
Este principio, enunciado por el Dr. Julio Brizzi, establece que la cantidad de dificultad siempre
permanece constante. Si con algo de ingenio se consigue eliminarla de un lugar, la dificultad se
alojar en otro a la espera de manifestarse nuevamente.
157
R1
R2//R3
VinR2/(R2+R3)
VIN
VIN
,
R1 + R2 + R1 R2 R3
(A4.1)
(A4.2)
(A4.3)
158
R1
R2
R3
Figura A4.3. Circuito que tiene en cuenta la tensin de offset propia del A.O.
(A4.4)
(A4.5)
Es decir que en este caso, la tensin DC sobre REQ es igual a la tensin de offset propia del
A.O amplificada aproximadamente por el mismo factor que R1. Este circuito amplifica
resistencia y offset por el mismo factor, lo cual limita la mxima relacin R2/R3 admisible,
pues Vi.DC puede llegar a ser tan alta como para comprometer el rango de entrada del
amplificador operacional.
2.2.2. Corriente de Polarizacin.
Las entradas del A.O. del circuito de la Fig. A4.1 requieren corrientes de polarizacin iBIAS
para operar correctamente. Estas corrientes deben tener un camino a masa, que si no es
Se supone que el A.O tiene una ganancia de lazo abierto suficiente como para considerar una
diferencia de potencial nula entre sus entradas.
159
aportado por el generador de seal, se establecer sobre REQ produciendo una tensin de
DC dada por:
(A4.6)
Vi.DC = iBIAS REQ
eAO
iAO
R1
eR1
eT
R3
R2
eR3
eR2
Figura A4.4. Circuito que tiene en cuenta la tensin de ruido propia del A.O.
Resolviendo este circuito, y teniendo en cuenta que los aportes de los distintos
generadores deben sumarse en sus valores cuadrticos, el ruido total resulta:
2
2
2
2
.
eT2 = eR1
(1 + R2 R3 ) + eR2 3 ( R2 R3 ) + eR2 2 + eAO
( R2 R3 ) + iAO
REQ
2
(A4.7)
(A4.8)
Dado que usualmente R3R1, es decir eR3eR1, es posible despreciar el segundo trmino
frente al primero. El aporte de R2 tambin puede despreciarse, porque aunque su valor es
generalmente comparable a R1, su ruido propio no es amplificado. Teniendo en cuenta
estas consideraciones, el ruido total cuadrtico puede aproximarse por:
2
2
2
eT2 ( eR1
+ eAO
+ iAO
R12 ) ( R2 R3 )
160
(A4.9)
(A4.10)
(A4.12)
(A4.13)
Hz
eT
( 400 nV
eT 40V
) + (10 nV
2
Hz
) + (10 nV
2
Hz
Hz
100
(A4.14)
Hz
Es decir unas 10 veces mayor que un resistor real. Tambin se observa en esta ecuacin,
que el aporte del A.O. es despreciable frente al de R1.
161
en eR1R2/R3
iBIAS
VDCVOSR2/R3
REQR1R2/R3
R1
R1
Vin
Vin
R3
R2
C0
R2
RIN
RIN
(a)
(b)
Para evitar la amplificacin de la tensin de offset del A.O. analizada en el punto 2.2.1, el
resistor R3 debe reemplazarse por un capacitor C0 (PALLAS-ARENY, 1986), resultando el
circuito de la Fig.A4.1.b. En este caso, la realimentacin positiva (bootstraping)
funcionar solo en CA y la nueva impedancia de entrada resulta:
RIN = R1 + R2 + R1 R2C0 s .
162
(A4.15)
C1
C1
R1
C0
R2
R1
I.A.
C0
R2
RC
I.A.
R2
C1
R1
C0
C0
R1
C1
R2
(a)
(b)
Figura A4.7. (a) Amplificador para Biopotenciales utilizando dos buffers independientes.
(b) Circuito que mejora el CMRR acoplando los buffers a travs de RC .
163
164
Apndice 5
CMRR en Redes Diferenciales.
1. CMRR Infinito.
Existen al menos dos formas para que una red con entrada y salida diferencial (F-D:
Fully-Differential) presente un CMRR infnito an en presencia de desbalances entre
sus componentes.
1. Una red perfectamente flotante sin conexin alguna a masa.
2. Un circuito conectado a masa mediante generadores de tensin iguales a la
tensin de modo comn de entrada.
La opcin 1 es simple de cumplir en circuitos pasivos, pero si se incorporan elementos
activos puede resultar de difcil implementacin. Por ejemplo, la salida de un A.O es
un generador de tensin conectado a masa; siendo adems necesarios caminos a masa
para las corrientes de polarizacin de entrada de los amplificadores. En estos casos la
opcin 2 es ms plausible.
2. Redes Flotantes.
2.1. Enunciado.
Dado un circuito cualquiera con entrada y salida diferencial, si ste no contiene
ninguna impedancia conectada a masa, entonces su CMRR ser infinito.
2.2. Demostracin.
En la Fig.A5.1 se muestra la condicin descripta en el enunciado. Si se aplica a la
entrada de la red una tensin de modo comn ViC, al no existir ninguna conexin entre
esta red y masa, no circular corriente alguna en este circuito (no es posible establecer
ninguna malla cerrada que contenga al generador ViC), y por lo tanto todos sus nodos
adoptarn el potencial1 ViC. Cualquier tensin de modo diferencial definida sobre esta
red ser nula, por ejemplo la tensin diferencial de salida.
Dado que al aplicar una tensin de entrada de modo comn la salida diferencial del
circuito es nula, su CMRR resulta infinito.
Es importante notar que el CMRR de la red ser infinito independientemente de los
desbalances que pudieran existir entre sus componentes. El circuito podra inclusive
no ser simtrico.
Dicho de un modo ms simple: imaginemos una compleja red enmaraada que toca solo el
borne positivo de una batera; al no existir conexin con el borne negativo no hay manera que
circule corriente alguna y todos los nodos del circuito estarn al potencial del terminal positivo.
165
VoD
ViC
Figura A5.1. Circuito Diferencial flotante con una entrada de modo comn ViC.
VoD
ViC
ViC
ViC
166
Apndice 6 - Clculo del CMRR y ruido Propio para el I.A. Fully-Differential de dos A.O.
Apndice 6
Clculo del CMRR y Ruido Propio para el
I.A. Fully-Differential de dos A.O.
1. Clculo del CMRR.
Si se consideran A.O. ideales, el CMRR de este circuito resulta infinito e
independiente del desbalance que pudiera existir entre los resistores. En la prctica,
este rechazo se encuentra limitado por el CMRR y por la ganancia de lazo abierto
propia de los A.O. que lo componen. Incluyendo estos efectos (ver APNDICE 7) el
circuito equivalente resulta:
ViH
AO1
VoH
R2
R1
VoD
R2
ViC
VoL/A2
ViC2 /CAO2
AO2
VoL
ViL
Figura A6.1. Circuito Equivalente del I.A. de dos A.O. que contempla el CMRR y
la ganancia de lazo abierto de los A.O.
Si se aplica una entrada de modo comn ViC , la tensin diferencial de salida VoD
resulta:
V
V
V
V
(A6.1)
VoD = VoH VoL = iC1 + iC2 + oH oL GDD .
CAO1 CAO2 A1 A2
La tensin de modo comn de entrada de ambos A.O. coincide con la tensin de
entrada, esto es:
ViC1 ViC2 ViC
(A6.2)
Por otra parte, como este circuito presenta una ganancia de modo comn GCC unitaria,
es posible escribir:
VoH ViC + VoD 2
.
(A6.3)
VoL ViC VoD 2
Utilizando las aproximaciones (A6.2) y (A6.3) en (A6.1), resulta:
1
ViC VoD 2 ViC + VoD 2
1
VoD = ViC
GDD +
GDD ,
A1
A2
CAO2 CAO1
(A6.4)
167
Apndice 6 - Clculo del CMRR y ruido Propio para el I.A. Fully-Differential de dos A.O.
y agrupando trminos:
G
G
VoD 1 + DD + DD = ViC (1 CAO2 1 CAO1 + 1 A1 1 A2 ) GDD .
2
2 A2
A
(A6.5)
y el CMRR resulta:
VoD
{(1 C AO 2 1 C AO1 ) + (1 A1 1 A2 )} GDD
ViC
1
1
CMRR 1 = ( CAO2
CAO1
) + ( A11 A21 )
(A6.6)
(A6.7)
(A6.8)
1
1
CMRR 1 = CAO2
CAO1
(A6.9)
R1
eR2
eR1
R2
eoT
R2
eR2
eAO2
Figura A6.2. Circuito Equivalente del I.A. de dos A.O. que contempla el ruido
propio de los A.O y de los resistores.
1
Se considera aqu un modelo de bajas frecuencias donde A1, A2, CAO1 y CAO2 son escalares. En
un modelo de mayor alcance todas estas magnitudes son complejas.
168
Apndice 6 - Clculo del CMRR y ruido Propio para el I.A. Fully-Differential de dos A.O.
(A6.10)
Si se consideran resistores con bajo exceso de ruido, es decir con un ruido propio igual
al terico dado por:
(A6.11)
eR2 2 = 4 KTBR2 ,
y utilizando que R2 y R1 estn relacionados a travs de la ganancia GDD segn:
R2 = ( GDD 1) 2 R1 GDD R1 2 ,
(A6.12)
(A6.13)
(A6.14)
(A6.15)
(A6.16)
169
Apndice 6 - Clculo del CMRR y ruido Propio para el I.A. Fully-Differential de dos A.O.
170
Apndice 7.
Modelizacin de la Ganancia de Lazo Abierto y CMRR de un A.O.
1. Ganancia Finita.
Si se considera que el A.O. tiene una ganancia infinita, su tensin diferencial de
entrada ser nula para cualquier valor finito de su salida. Entonces, entre sus bornes de
entrada, no existir diferencia de potencial alguna. Esta ltima condicin resulta muy
til para resolver en forma simple, circuitos que involucren amplificadores
operacionales.
Si se acepta ahora que el A.O. tiene una ganancia finita A, su tensin de entrada no
ser nula, sino que para producir la tensin Vo presente en su salida, deber existir una
tensin de entrada =Vo/A. Esta situacin, tambin podra describirse mediante con un
A.O. ideal (de ganancia infinita, es decir con entrada nula) y un generador de tensin
de valor Vo/A tal como se muestra en la Fig.A7.1. Como el A.O. de este nuevo circuito
es ideal, para resolver los circuitos puede nuevamente considerarse que sus entradas se
encuentran a igual potencial.
Vo/A
VO
Figura. A7.1. Circuito equivalente de un A.O con ganancia finita. El nuevo modelo
est compuesto por un A.O. ideal y un generador de tensin
dependiente de la tensin de salida.
A
CAO
(A7.4)
siendo A la ganancia del A.O. Esto tambin podra describirse considerando un A.O.
de CMRR infinito, pero con una tensin diferencial neta en su entrada dada por un
generador de tensin externo ViC/CAO, tal como se muestra en la Fig.A7.2.
171
ViC/CAO
Vo=(ViC/CAO)A
ViC
Figura. A7.2. Circuito equivalente de un A.O con CMRR finito. El nuevo modelo
est compuesto por un A.O. ideal y un generador de tensin
dependiente de la tensin de modo comn de entrada ViC.
Utilizando esta tcnica, un circuito compuesto por A.O. con CMRR finito, puede
llevarse a otro equivalente compuesto por A.O. ideales. Este nuevo circuito contiene
generadores de tensin dependientes de la tensin de modo comn ViC presente en las
entradas de los A.O.
172
Apndice 8
Clculo del CMRR para el Amplificador de Diferencia.
1. Amplificador de Diferencia.
Esta topologa presenta una baja impedancia de entrada (CHRISTIANSEN, 1982) y por
tal motivo no es adecuada para amplificadores de biopotenciales. Igualmente se
analiza aqu, porque forma parte de estructuras multietapas como el clsico I.A. de tres
A.O.
El circuito equivalente, considerando el CMRR propio del A.O. (APNDICE 7), se
muestra en la Fig.A8.1. .
R1
R2
R1
ViC.AO/CAO
ViC
VoD
R2
(A8.1)
(A8.2)
La tensin de modo comn ViC.AO , presente en la entrada del A.O, puede expresarse a
partir de la tensin de modo comn de entrada ViC segn:
ViC.AO = ViC
R2
R1 + R2
(A8.3)
En este caso, la salida del circuito es de tipo single ended (S-E): uno de los bornes de
salida se encuentra conectado a masa (ver Fig.A8.1).
173
1 + R1 R2
R R R1 R2
1 = 1 2
1 + R1 R2
1 + R1 R2
(A8.5)
( + 1) .
(A8.7)
VoD = ViC GDD +
CAO
1
(A8.8)
GDC = +
GDD
CAO
(A8.9)
siendo R10, R20, R10 y R20 los valores nominales de los resistores y t su tolerancia. En
este caso resulta:
R10 (1 + t ) R10 (1 t ) R10 (1 + t ) R10 (1 t )
R
R10 (1 t )
1 + 10
1+
R
R20 (1 + t )
20
(A8.10)
=
R
1 + 20
R10
(A8.11)
R
1 + 20
R10
Esto implica considerar bajas frecuencias y desbalances razonables entre los resistores.
174
4t
R
1 + 20
R10
(A8.12)
4t
G
+ DD
1 + 1 GDD CAO
(A8.13)
GDD 1 + GDD
GDC
4t
(A8.16)
Si la GDD fuera menor que la unidad, el amplificador no sera muy til, al menos para
amplificar.
4
175
176
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
Apndice 9.
Clculo de CMRR y Ruido Propio para el
Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
1. Clculo del CMRR.
Existen diversos factores que degradan el CMRR del Amplificador de Instrumentacin
de dos A.O., como los desbalances entre los resistores y el CMRR propio de los
amplificadores operacionales que componen el amplificador.
1.1. Efecto del CMRR propio de los A.O.
En la Fig.A9.1 se presenta un circuito equivalente de este I.A. que incluye el efecto
del CMRR propio de los A.O.
R2
R1
R1
ViD/2
ViD/2
R2
AO1
ViC1/CAO1
AO2
ViC2/CAO2
ViC
V
ViD
{(1 + R2 R1 ) + (1 + R1 R2 ) R2 R1} + iC2 (1 + R2 R1 )
2
CAO2
.
(A9.1)
V
iC1 (1 + R1 R2 ) R2 R1 + ViC {(1 + R2 R1 ) (1 + R1 R2 ) R2 R1}
CAO1
Considerando que las tensiones de modo comn de entrada ViC1, ViC2 de cada uno de
los A.O son aproximadamente iguales a la tensin de modo comn de entrada ViC, la
expresin (A9.1) puede rescribirse como:
-1
-1
VoD ViD GDD + ViC + ( CAO1
CAO2
) GDD
siendo
GDD 1 + R2 R1
; = 1
R1 R2
R2 R1
(A9.2)
(A9.3)
177
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
-1
1
GDC = + ( CAO1
CAO2
) GDD
(A9.4)
1 .
=
+
(A9.5)
Normalmente los rechazos de modo comn propios de los A.O son elevados y si estn
adems medianamente apareados, el segundo trmino en (A9.5) ser despreciable
frente al primero. En estas condiciones, el CMRR queda determinado principalmente
por las tolerancias en los resistores1 y es posible aproximar (A9.5) por:
1
CMRR GDD
(A9.6)
Suponiendo resistores con igual tolerancia relativa t=R/R, el mayor valor de (peor
caso) estar dado por:
(1 + t )
2
(1 t )
MAX = 1
(A9.7)
MAX 1 (1 + 4 t ) 4 t
(A9.8)
(A9.9)
obteniendo finalmente:
1
4t 1
1 4t
=
+
Es decir por el valor de , el cual depende exclusivamente del desbalance entre los resistores.
178
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
R1
R1
R2
AO1
VO1
VO1/A1
VO2
VO2/A2
VoD
ViC
(A9.10)
Vo1 ViC (1 + R1 R2 )
(A9.11)
Vo2 = VoD
(A9.12)
Utilizando,
1 + R1 R2 =
GDD
GDD 1
(A9.13)
2
GDD
A2 ) A1 ( GDD 1)
(A9.14)
2
VoD
GDD
,
=
ViC (1 + GDD A2 ) A1 ( GDD 1)
(A9.15)
(1 + GDD
179
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
y el CMRR resulta:
CMRR =
(A9.16)
(A9.17)
CMRR A1
(A9.18)
Se observa aqu que el CMRR est dado aproximadamente por la ganancia a lazo
abierto del amplificador AO1, que para bajas frecuencias puede ser de unos 110 dB. Si
se utilizan A.O compensados, la ganancia A1(s) decae a partir de una frecuencia muy
baja, de solo algunos Hz, por lo que esta estructura resulta til exclusivamente para
aplicaciones de baja frecuencia. Este efecto tambin es notable cuando se utilizan
A.O. de muy bajo consumo, los cuales suelen presentar bajas ganancias de lazo
abierto.
Es importante recordar que para llegar al CMRR dado por (A9.18) se supuso un
apareamiento perfecto entre los resistores y entre los CMRR de los A.O. En realidad,
todos estos efectos contribuirn conjuntamente a degradar el CMRR, que nunca podr
ser mayor que ninguno de los valores dados por (A9.9) y (A9.18).
R1 eR1'
eR1
R1
R2
eR2
eAO2
eAO1
eoT
180
(A9.19)
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
2
eR2
= 4kTB R2 .
(A9.20)
(A9.21)
(A9.22)
(A9.23)
R'1
A
R1
VIL
VIH
AO1
VO1
R2
B
AO2
VoD
181
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
R'2
R1
ViD /2
R2
AO1
ViC1 /CAO1
ViL
VO1
AO2
ViC
VoD
ViH
Figura A9.5. Circuito Equivalente que contempla el CMRR propio de los A.O.
(A9.25)
donde se consider como ViH, ViL a las tensiones de entrada del I.A formado por los
A.O. ideales. Estas tensiones estn dadas por:
-1
ViH = ViC + ViD 2 + ViC2 CAO2
-1
ViL = ViC ViD 2 + ViC1 CAO1
(A9.26)
Como las tensiones de entrada de modo comn de ambos A.O. son aproximadamente
iguales a la tensin de modo comn de entrada al I.A, esto es ViC1ViC2ViC , las
ecuaciones en (A9.26) pueden rescribirse como:
1
ViH = ViD 2 + ViC (1 + CAO2
)
1
AO1
(A9.27)
R R
1
1
1
+ViC ( CAO2
CAO2
1 2 (1 CAO1
) RR2 + RR2 1 + RR1 + 1 + CAO2
)
R1 R2
G
1
1
182
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
1
1
VoD ViD GDD + ViC ( CAO2
CAO2
) GDD +
siendo,
GDD 1 +
R2
R
+ 2 2
R1
RG
= 1
R1 R2
R1 R2
(A9.29)
(A9.30)
(A9.31)
+
CMRR CAO2 CAO1 GDD
(A9.32)
+
CMRR CAO2 CAO1 GDD
(A9.34)
donde se observa que el CMRR es el mismo que para el caso del amplificador de dos
A.O. sin RG. La inclusin de este resistor no modifica el CMRR del amplificador de
instrumentacin.
R'2
eRG
R'1 eR1'
eR1
R1
R2 eR2'
eAO2
eAO1
eOT
183
Apndice 9 - Clculo de CMRR y Ruido Propio para el Amplificador de Instrumentacin de dos A.O.
(A9.35)
Para arribar a esta expresin se tuvo en cuenta que, en el calculo de los efectos de eR1 ,
eR1 , eR2 y eR2, ambos extremos de RG se encuentran a potencial cero. Entonces la
corriente sobre RG resulta nula y el resistor no interviene en el circuito.
Considerando desbalances razonables y teniendo en cuenta que se trata de una
composicin de tensiones RMS, resulta:
2
eoT = e
2
RG
R
2 R2
2
2
2
2 2 + 2 eR1
+ 2 eR2
+ 2 eAO
GDD
R1
RG
(A9.36)
Cabe aqu una observacin. En (A9.30) se distinguen dos mecanismos que determinan
la ganancia total: R2/R1 y 2R2/RG . En (A9.36) se observa que el primero amplifica el
ruido en RG mientras que el segundo tiene efecto sobre el ruido de R2.
Si RG R2 (GDD R2/R1), el ruido total referido a la entrada coincide con el calculado
para el I.A de dos A.O. Entonces,
2
2
.
si RG R2 : eiT2 = 2 eR1
+ 2 eAO
(A9.37)
(A9.38)
184
(A9.39)
Apndice 10.
Caracterizacin de la Interferencia producida por tubos fluorescentes
1. Introduccin
Los tubos fluorescentes utilizados en iluminacin constituyen una fuente de
interferencia electromagntica (EMI) adicional para la instrumentacin biomdica.
Esta interferencia, ingresa al sistema de medida por los mismos mecanismos que la
tensin de lnea y sus componentes espectrales se extienden hasta frecuencias algo
ms elevadas.
Algunas publicaciones reportan que su energa se ubica espectralmente en el rango de
1-10KHz (WINTER & WEBSTER, 1973), mientras otras la asocian a la banda de 50 a
500 Hz (SILVA, 1994). Dada esta discrepancia se decidi obtener medidas propias.
220V, 50 Hz.
CP
Lnea 220V
10X Probe
Osciloscopio
Digital
0.2 m.
CB
185
En primer lugar, con toda la iluminacin del lugar apagada y el tubo fluorescente
interferente desconectado (tanto el conductor de fase como el neutro), se registr la
tensin debido al acoplamiento de la red de potencia.
Como segundo paso, se encendi la luz fluorescente y se adquiri la nueva tensin
resultante entre el paciente y tierra. Los registros obtenidos se muestran en la
Fig.A11.2.
Sin Fluorescente
Con Fluorescente
-5
15
10
5
0
-5
-10
-15
0.005
0.01
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0.015
0.02
0.025
0.03
t , [segundos]
Tomando la diferencia entre las dos medidas realizadas, se puede determinar el aporte
del equipo fluorescente y su conexionado a la tensin paciente-tierra. El mismo se
muestra en la Fig.A11.3.
15
10
5
0
-5
-10
-15
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
t , [segundos]
186
Amplitud (normalizada)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
20
30
40
n (#armnica)
50
60
187
15
-15
10
0
-10
10
0
-10
10
0
-10
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
t , [segundos]
3. Conclusiones
La interferencia producida por los tubos fluorescentes presenta componentes de
energa importante para frecuencias de hasta unos 750Hz, pero contiene adems
componentes de alta frecuencia, fundamentalmente en el rango entre 1- 4kHz. Estas
ltimas, si bien no tienen una energa importante, pueden componer un valor pico
elevado, y debido a no-linealidades en la etapa de entrada o en las interfases electrodopiel, pueden tambin producir componentes no deseadas en baja frecuencia.
188
Apndice 11.
Sensibilidad de las races de un polinomio a variaciones en sus
coeficientes.
1. Anlisis de sensibilidad.
Dado un polinomio de la forma:
P ( s ) = a0 s n + a1s n 1 + a2 s n 2 + + an
(A13.1)
(A13.2)
in j
a j
a0 ( k i )
(A13.3)
k i
12
1
1
a0 +
a1 +
a2
a0 ( 2 1 )
a0 ( 2 1 )
a0 ( 2 1 )
(A13.4)
2 =
1
22
2
a0 +
a1 +
a2
a0 ( 1 2 )
a0 ( 1 2 )
a0 ( 1 2 )
12 a0 + 1a1 + a2
a0 ( 2 1 )
(A13.5)
2 =
1
22 a0 + 2 a1 + a2
a0 ( 2 1 )
189
190
Apndice 12.
Tensin de Ruido debida a los Resistores de polarizacin.
1. Calculo de la Tensin de Ruido.
La red de acoplamiento pasiva, propuesta en el CAPTULO 6, contiene resistores de
valor elevado cuyo ruido propio puede ser importante. En este apndice se analiza la
contribucin de estas fuentes de ruido a la seal disponible en la entrada del A.B., es
decir a la salida de la red.
Para analizar esta contribucin resulta suficiente el circuito equivalente para modo
diferencial de la Fig.A13.1. Este circuito supone una seal de entrada nula y modela la
impedancia de electrodo como un resistor RE.
RE
C
RS
RP
VoD/2
Cada uno de los resistores de este circuito tienen asociada una tensin de ruido; siendo
significativos los correspondientes a RS y RP, dado que estos ltimos resistores
normalmente son de valor mucho ms elevado que RE. Como RS queda en paralelo con
RE su contribucin no ser importante y el circuito equivalente para anlisis de ruido
se reduce al de la Fig.A13.2.
RP
RE
eoT / 2
eRP
Figura A13.2. Circuito Equivalente para anlisis de ruido que contempla el ruido
propio de RP.
191
eo = R
1 + s RE C
1 + s ( RP + RE ) C
(A13.1)
P = RPC
E = RE C
(A13.2)
eo = R
1 + s E
1 + s P
(A13.3)
1/E
1/P
SUP
log
Para determinar el ruido total, es necesario integrar bajo esta curva en el rango de
frecuencias de inters, es decir desde 1/P hasta SUP. En este intervalo se distinguen
dos zonas: en la primera la densidad espectral decrece con el cuadrado de segn:
eo R
( RPC )
(A13.4)
(A13.5)
RE
eoT = RP d RP
d
+
d
1 P
1 E RP
1 P ( P )
SUP
192
(A13.6)
( )
R P 2 E
P
R
+ RP E (SUP 1 E ) ,
RP
(A13.7)
4kT
C
+ 4kT
RE2
(SUP 1 E )
RP
(A13.8)
C
.
Este es un resultado interesante. Indica que el ruido total no depende de RP sino
solamente del valor del capacitor C. Es conveniente utilizar un capacitor de
acoplamiento C del mayor valor posible.
2. Un ejemplo.
Considerando RP=5M, C=1F, que definen una frecuencia de corte inferior
finf=0.03Hz, el ruido total introducido por los resistores RP resulta:
eoT 0.12VRMS
(A13.10)
193