NOTAS

Mircoles 15 de enero del 2014

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para producir una seal de salida
en respuesta a otra seal de entrada. [] Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. (http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor).
Mircoles 15 de enero del 2014
Antes de 1950 todo equipo electrnico utilizaba vlvulas al vaco, que son bulbos con un brillo tenue, que predominaban en la industria. El calefactor de una vlvula al vaco normal consuma un
par de watts, por lo que el equipo requera una el primer transistor de unin, que fue todo un
aconte-cimiento porque signific un gran cambio. El impacto del transistor en la electrnica ha sido
enorme, pues adems de fuente de alimentacin voluminosa que generaba una cantidad
considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a los diseadores. El resultado era un
equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley invent iniciar la industria multinllonaria de los
semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los
dispositivos optoelectrni-cos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrnico
utiliza dispositivos semi-conductores. Los cambios han sido ms notables en la industria de las
computadoras.
Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona comn.
En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona comn se denomina base y las
dos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector.
Para que el transistor funcione correctamente, la unin correspondiente al diodo emisor-base debe
polarizarse en sentido directo, mientras que la unin correspondiente al colector-base ha de estar
polarizada
en
sentido
inverso.
Si se conecta nicamente el circuito emisor-base, con dolarizacin directa, se establece una
circula-cin elctrica desde el emisor a la base a travs de la unin. Desconectando la alimentacin
en el circuito emisor-base y comunicando el conector-base con dolarizacin en sentido inverso, la
circu-lacin ser prcticamente ambas uniones emisor-base y colector-base, se establecer una
corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente est determinada por la tensin positiva del
emisor
y
la
negativa
del
colector,
siempre
con
relacin
a
la
base.
El factor de amplificacin de corriente de in transistor es la relacin entre la corriente de colector y
la
del
emisor.
La caracterstica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la tensin del emisor, se pueden
obtener variaciones en la corriente del colector, comporta que pueda comparrsele con una vlvula
termoi-nica. El emisor, la base y el colector del transistor pueden identificarse con el ctodo, rejilla
y
nodo
de
trodo,
respectivamente.
(http://www.taringa.net/posts/apuntes-ymonografias/2735701/Transistores-todo-lo-que-se-puede-saber.html)
Jueves 16 de enero del 2014
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre,
sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector.
La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el
nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin (W. Shockley, 1948) debido a su mayor
ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. (http://electro-cev.blogia.com/2010/090702transistor-de-contacto-puntual.php)

Jueves 16 de enero del 2014

Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o
huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al
colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la
prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales
de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N
de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y
al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al
surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin
cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin
de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se

asla del canal mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xidoSemiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de
la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2
maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente
de base. (IP) (modo de iluminacin). ( http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor).

Jueves 16 de enero del 2014

Caractersticas
Algunas caractersticas de los transistores de contacto puntual difieren del transistor de unin
despus:

La base de la ganancia de corriente de un transistor de contacto comn es de alrededor de

2 a 3, mientras que la de un de un transistor de unin bipolar es tpicamente entre 0,98 y
0,998.

Resistencia negativa diferencial.

Cuando se utiliza en el modo saturado en la lgica digital, se enganchan en el on-estado,

por lo que es necesario eliminar el poder por un breve periodo de tiempo en cada ciclo de
la mquina que se les devuelva el estado de desconexin.
(http://centrodeartigos.com/articulos-noticias-consejos/article_140873.html)

Jueves 17 de enero del 2014

Transistor de efecto de campo (FET)
Ventajas del FET
1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (10 7 a
1012 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de
tensin drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los
BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.
En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos
orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.
(http://www.unicrom.com/Tut_transistores_efecto_campo.asp)