DEPARTAMENTO DE INGENIERA

BIOMDICA

Pginas 15

El smbolo elctrico del diodo se puede ver representado en

la Fig. 1.

PRACTICA NMERO 1.

Representacin grfica y analtica de la curva

caracterstica, del Diodo de germanio y silicio.
Christofer J. Homen1
1

Pregrado de Ingeniera Biomdica, Universidad Antonio Nario, Popayn, Colombia

ResumenEn la practica denominada "representacin

grfica y analitica del diodo de silicio y germanio" se podr
observar el comportamiento respectivo de dichos tipos de diodo;
sto frente a dos polarizaciones singulares; polarizacin directa e
inversa; ello conllevara a obtener datos para representar tales
comportamientos mediante su curva caracterstica. Todo esto
acarrear los analisis respectivos para cada suceso mencionado.
Palabras Clave: Curva caracterstica, diodo, polarizacin.

AbstractIn the practice of so-called "analytical and

graphical representation of the diode on silicon and germanium"
will be able to observe the behavior of these respective types of
diode; compared to this unique two polarizations; polarization
direct and inverse; this will entail to obtain data to represent such
behavior by its characteristic curve. All this will entail the
analysis for each respective event mentioned.

I.

Fig. 1. Smbolo elctrico del Diodo.

B. Polarizacin Directa.
Cuando existe una fuente de corriente contina conectada a
un diodo como se muestra en la Fig. 2. Y el terminal negativo
de dicha fuente esta conectado al material del diodo tipo n, y
el terminal positivo al material tipo p; se evidenciar la
llamada polarizacin directa [2].

INTRODUCCIN

s conocido generalmente en el campo de la electrnica,

que l comportamiento del diodo contiene ciertas
caractersticas que determinan su representacin
grfica mediante una curva tpica, esto en determinadas
polarizaciones y, que adems cada polarizacin (directa o
inversa) dar lugar a una conducta propia que asociar el
voltaje y corriente para cada diodo. Gracias a estos conceptos
se implementar la aplicacin de apartes tericos vistos con
anterioridad, y la veracidad o verificacin de los mismos
mediante la prctica.

II. MARCO TEORICO.

A. Diodo.
Un diodo es un dispositivo no lineal puesto que la grfica
de la corriente en funcin de la tensin no es una lnea recta.
Ello debido a la denominada barrera de potencial, esta da
como resultado que cuando la tensin del diodo es menor
que la barrera de potencial, ser por que la corriente del
diodo es pequea; ms sin embargo, si la tensin del diodo
supera esta barrera, la corriente del diodo se incrementa
rpidamente [1].

Fig. 2. Polarizacin directa del Diodo.

Para este caso el diodo permite la circulacin de corriente,

donde se comporta como un conductor, permitiendo que dicha
circulacin sea en el sentido considerado como general y
representativo al smbolo del diodo.

C. Polarizacin Inversa.
Cuando se invierte la polaridad de la fuente de corriente,
entonces el diodo quedar polarizado de forma inversa, como
se muestra en la Fig. 3. En este caso el terminal negativo de la
batera se encuentra conectado al lado p, mientras que el
positivo al lado n. Esta conexin es denominada polarizacin
inversa [3].

2014 - Universidad Antonio Nario

C. Homen-Chamizo

Fig. 4. Curva caracterstica directa e inversa del Diodo.

Fig. 3. Polarizacin inversa del Diodo.

En este caso, el diodo no permitir el paso de la respectiva

corriente (de manera que se comporta como un aislante). Sin
embargo se puede dar el caso en donde el diodo se llegase a
deteriorar, esto, si supera un valor determinado de tensin
(habra una conduccin muy fuerte).
III.

CURVA CARACTERSTICA.

A. Polarizacin Directa.
Para el caso en que el diodo esta polarizado directamente,
existir una representacin grfica, esta represetacin esta
dada por una curva tpica del diodo que relaciona valores
representativos del mismo, estos comprenden como primera
instancia la corriente en funcin de la tensin. Este suceso se
puede evidenciar en la Fig. 4. En ella se observa como cuando
el valor de tensin es 0,7 V aproximadamente (umbral), la
intensidad de la corriente adopta un comportamiento de
crecimiento progresivo, esto debido a que un aumento
determinado de la tensin dar origen a un aumento en la
corriente respectiva.
B. Polarizacin Inversa.
Cuando el diodo se encuentra polarizado en forma inversa,
como primera medida se conoce que el voltaje de la fuente
respectiva caer directamente sobre el diodo en cuestin, por
lo cual tendr un comportamiento de circuito abierto, es decir,
no se dar la circulacin de corriente (cave aclarar que de
forma practica esta no es notoria, ms sin embargo
tericamente existe una corriente ciertamente pequea, que
para el caso oportuno no se ha de considerar, esta corriente es
denominada corriente inversa de fugas). Este suceso tambin
se puede observar en la Fig. 4.

C. Corrientes en el diodo polarizado inversamente.

Tcnicamente el comportamiento del diodo polarizado de
forma inversa ciertamente posee dos tipos de corrientes. La
primera es la llamda Corritente de portadores minioritarios, la
segunda Corritente superficial de fugas.
La corriente de portadores minioritarios esta dada debido a la
energa trmica que crea pares de electronces libres y huecos,
mientras que la corriente superficial de fugas se da debido a
impurezas en la superficie e imperfecciones en la estructura
interna del material [4].
IV.

DESARROLLO DE LA

PRCTICA.

En la Universidad Antonio Nario, en el laboratorio de

ingeniera biomdica fue llevada acabo la prctica respectiva
para la obtencin de la curva caracterstica del diodo de Silicio
y Germanio, el da lunes 25 del mes de Agosto del ao 2014.
Para dicha prctica se requiri las herramientas o materiales
que se ven descritos en la Tabla. 1.
Material
Diodo de Silicio
Diodo de Germanio 1N4148
Resistencias (1K)
Fuente de voltaje regulable
Multimetro
Protoboard

Descripcin
Necesario para la prctica
Necesario para la prctica
Necesario para la prctica
Para
aplicar
voltajes
determinados.
Realiza mediciones de
Voltaje y Corriente.
Para realizar el montaje del
circuito.

Tabla. 1. Tabla de materiales utilizados en la prctica.

Para la prctica con el diodo de Silicio se implemento el

circuito que se puede observar en la Fig. 5.
Para la prctica con el diodo de Germanio se implemento el
circuito que se puede observar en la Fig. 6.

2014 - Universidad Antonio Nario

C. Homen-Chamizo

La curva caracterstica arrojada por el circuito de la Fig. 6.

Con el diodo de Germanio tuvo el comportamiento expresado
en la Fig. 8.

Fig. 8. Curva caracterstica diodo germanio.

Fig. 5. Circuito diodo silicio.
Donde R2: Resistencia de 1 K
BAT4: Bateria de alimentacin para el circuito
D3: Diodo de Silicio
BAT4(+): Dispositivo para
realizacin
curva
caracterstica (Proteus)
D3(A): Dispositivo para realizacin curva caracterstica
(Proteus)

Gracias a las anteriores graficass se puede notar como

mediante la implementacin del Software mencionado es
factible la obtencin de las curvas caractersticas del diodo de
Silicio y Germanio respectivamente. Adems de esto se puede
observar como en forma virtual el Diodo de Germanio
conduce mucho antes que el Diodo de Silicio, esto debido a
sus caractersticas internas y su comportamiento propio.
Posterior a la implementacin de los circuitos en el
Laboratorio, mediante la utilizacin del multmetro para
realizar las medidas de voltaje y corriente en el Diodo de
Silicio (En polarizacin Directa e Inversa), se obtuvieron los
datos expuestos en la Tabla. 2.

Fig. 6. Circuito diodo germanio.

Donde R1: Resistencia de 1 K
BAT3: Bateria de alimentacin para el circuito
D4: Diodo de Germanio
BAT3(+): Dispositivo para
realizacin
curva
caracterstica (Proteus)
D4(A): Dispositivo para realizacin curva caracterstica
(Proteus)

Como primera instancia se procedi con la utilizacin del

Software Proteus en su versin 8.1, esto, para obtener la
representacin grfica de la curva tpica del diodo de silicio y
germanio.
La curva caracterstica arrojada por el circuito de la Fig. 5.
Con el diodo de Silicio tuvo el comportamiento expresado en
la Fig. 7.

VFuente(v
)
0.2
0.4
0.5
0.6
0.65
0.7
0.72
0.74
0.8
0.9
1.1
1.4
2
3
4
5
5.5
6
6.5
6.8
7
8.5
9.8

VS(v)

IS(mA)

VIS(v)

IiS(mA)

0.27
0.44
0.47
0.50
0.51
0.52
0.52
0.53
0.54
0.54
0.55
0.57
0.57
0.59
0.61
0.62
0.64
0.65
0.65
0.65
0.66
0.67
0.68

0
0.04
0.09
0.19
0.19
0.27
0.29
0.29
0.32
0.44
0.53
0.83
1.36
2.23
3.17
4.09
4.73
5.27
5.62
5.95
6.20
7.56
8.97

0.27
0.44
0.47
0.50
0.51
0.52
0.52
0.53
0.54
0.54
0.55
0.57
0.57
0.59
0.61
0.62
0.64
0.65
0.65
0.65
0.66
0.67
0.68

0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

Tabla. 2. Datos obtenidos con el multmetro para el circuito de la Fig. 5.

Fig. 7. Curva caracterstica diodo silicio.

Donde VFuente: Voltaje aplicado por la fuente

VS: Voltaje en el Diodo de Silicio
IS: Corriente en el Diodo de Silicio

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Inversa
Inversa

VIS: Voltaje en el Diodo de Silicio con Polarizacin

IiS: Corriente en el Diodo de Silicio con Polarizacin

Gracias a la implementacin del Software Excel se pudo

obtener la representacin grfica referente a los datos de la
Tabla. 2. Esta represetacin grafica es la curva caracterstica al
Diodo de Silicio con Polarizacin Directa que se ve
evidenciada en la Fig. 9.

I vs V (Diodo de Silicio)
10

I(mA)

5
0
0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

V(v)
Fig. 9. Curva caracterstica diodo silicio Polarizacin Directa.

Efectivamente en la grafica de la Fig.9. se puede notar que

es respectivo el comportamiento de la Curva Caracterstica al
diodo de Silicio que se obtuvo mediante el Software Proteus
(cave aclarar que hay algunas variaciones incorrectas que se
dieron por factores externos en la Prctica)
Acontinuacin en la Fig.10. se puede observar el
comportamiento grfico de los valores obtenidos en la Tabla.
2. con Polarizacin Inversa

I vs V (Diodo de Silicio)

Ahora bien, nuevamente mediante la utilizacin del

multmetro se realizarn las medidas de voltaje y corriente en
el Diodo de Germanio (En polarizacin Directa e Inversa),
se obtuvieron los datos expuestos en la Tabla. 3.
VFuente(v
)
0.2
0.4
0.5
0.6
0.65
0.7
0.72
0.74
0.8
0.9
1.1
1.4
2
3
4
5
5.5
6
6.5
6.8
7
8.5
9.8

VG(v)

IG(mA)

VIG(v)

0.18
0.20
0.21
0.22
0.23
0.22
0.22
0.23
0.23
0.23
0.24
0.24
0.24
0.26
0.27
0.27
0.28
0.28
0.28
0.28
0.29
0.29
0.30

0.11
0.27
0.32
0.46
0.46
0.51
0.54
0.58
0.59
0.67
0.91
1.14
1.63
2.59
3.53
4.42
4.93
5.42
5.78
6.05
6.31
7.72
9.07

0.18
0.20
0.21
0.22
0.23
0.22
0.22
0.23
0.23
0.23
0.24
0.24
0.24
0.26
0.27
0.27
0.28
0.28
0.28
0.28
0.29
0.29
0.30

IiG(mA
)
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

Tabla. 3. Datos obtenidos con el multmetro para el circuito de la Fig. 6.

Donde VFuente: Voltaje aplicado por la fuente
VG: Voltaje en el Diodo de Germanio
IG: Corriente en el Diodo de Germanio
VIG: Voltaje en el Diodo de Germanio con Polarizacin
Inversa
IiG: Corriente en el Diodo de Germanio con Polarizacin
Inversa

Gracias a la implementacin del Software Excel se pudo

obtener la representacin grfica referente a los datos de la
Tabla. 3. Esta represetacin grafica es la curva caracterstica
del Diodo de Silicio con Polarizacin Directa que se ve
evidenciada en la Fig. 11.

1
0.8
0.6

I(mA) 0.4
0.2
0
0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

V(v)
Fig. 10. Curva caracterstica diodo silicio Polarizacin Inversa.

A pesar de que la corriente fue 0 para cada caso en el voltaje

en el Diodo, se podr evidenciar que igualmente el Diodo de
Silicio conduce mucho despus que el Diodo de Germanio.

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C. Homen-Chamizo

REFERENCIAS

I vs V (Diodo Germanio)

10

I (mA)

5
0

10

15

20

25

V(v)
Fig. 11. Curva caracterstica diodo germanio Polarizacin Directa.

Para este caso se puede evidencia como efectivamente es el

Diodo de Germanio quin conduce mucho ms rpido que el
diodo de Silicio, cumple con el comportamiento de la Fig. 8.
(cave aclarar que hay algunas variaciones incorrectas que se
dieron por factores externos en la Prctica)
Finalmente en la Fig.12. se puede contemplar el
comportamiento grfico de los valores obtenidos en la Tabla.
3. con Polarizacin Inversa para el diodo de Germanio.

I vs V (Diodo Germanio)

I (mA) 0.5
0

10

15

20

25

V(v)

Es notorio como el
Diodo
de
Silicio
contiene caractersticas
que lo hacen mucho ms
robusto frente al de
Germanio.
Resulto evidente el
comportamiento
determinstico que se
obvtuvo mendiante la
representacin grfica
(curva caracterstca) de
los datos obtenidos en la
prctica.
En esta prctica se pudo
determinar como la
accin de conduccin es
mayor en el Diodo de
Germanio frente al de
Silicio, es decir el diodo
de Germanio
posee

Fig. 12. Curva caracterstica diodo germanio Polarizacin Inversa.

Para este caso se hace notorio la conduccin propia que

posee el diodo de Germanio para la prctica desarrollada, y
como al estar polarizado de forma directa adopta en la
corriente valores de 0mA, para cada voltaje correspondiente al
Diodo.
CONCLUSIONES

En la prctica se evidencia como el diodo de Silicio tiene

una Corriente Inversa mucho ms baja que el de
Germanio.

una
capacidad
conmutacin mejor.

de

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