UNIVERSIDAD NACIONAL DE PIURA

Facultad de Ingeniera Industrial

Especialidad: Ingeniera Mecatrnica
Curso: Circuitos Electrnicos II
Gua de Laboratorio N 3
Tema: Comportamiento de un IGBT
1. Objetivos

Explicar la operacin de los IGBT.

Discutir las ventajas del IGBT sobre MOSFET y el BJT.

Discutir como enciende y apaga un IGBT.

Discutir una aplicacin de un IGBT.

2. Actividades Preparatorias
El alumno deber revisar la gua de laboratorio hecha especialmente a
modo de tutorial, pero que toma en consideracin lo necesario para un
aprendizaje rpido tomando en cuenta la bibliografa correspondiente al
curso, definida en el slabo.
3. Sumario de Conceptos
El IGBT (transistor bipolar de compuerta aislada) combina las caractersticas
tanto del MOSFET como del BJT que lo hacen til en aplicaciones de
conmutacin de alto voltaje y alta corriente. El IGBT ha reemplazado en
gran medida al MOSFET y al BJT en muchas de estas aplicaciones.
El IGBT es un dispositivo que tiene las caractersticas de conduccin de
salida de un BJT pero es controlado por voltaje como un MOSFET, y
constituye una excelente opcin para aplicaciones de conmutacin de alto
voltaje. El IGBT tiene tres terminales: la compuerta, el colector y el emisor.
En la figura 1-1 se muestra un smbolo comn de circuito. Como se puede
ver, es similar al smbolo de BJT, excepto porque hay una barra extra que
representa la estructura de la compuerta de un MOSFET y no la de una
base.

Fig 1-1. Smbolo para el IGBT

Simplificado

Fig 1-2. Circuito Equivalente

Operacin del IGBT

El voltaje de compuerta controla el IGBT exactamente como un MOSFET. En
esencia, un IGBT puede ser considerado como un BJT controlado por voltaje,
pero con velocidades de conmutacin ms rpidas. Debido a que es controlado
por voltaje en la compuerta aislada, el IGBT en esencia no tiene corriente de
entrada y no carga la fuente de excitacin. Un circuito equivalente simplificado
de un IGBT se muestra en la figura 1-2. El elemento de entrada es un MOSFET
y el de salida es un transistor bipolar. Cuando el voltaje en la compuerta con
respecto al emisor es menor que un voltaje de umbral, Vumbral, el dispositivo
se apaga. El dispositivo se prende incrementando el voltaje en la compuerta a
un valor que excede el voltaje de umbral.
La estructura npnp del IGBT forma un transistor parsito y una resistencia
parsita inherente dentro del dispositivo, como se muestra en gris en la figura
1-3. Estos componentes parsitos no
tienen efecto durante operacin normal. No obstante, si se excede la corriente
mxima en el colector en ciertas circunstancias, el transistor parsito, Qp,
puede prenderse. Si Qp se prende, se combina efectivamente con Q1 para
formar un elemento parsito, como se muestra en la figura 8-53, en la cual se
puede presentar una condicin de enganche en un estado. En la condicin de
enganche, el dispositivo permanecer encendido y no se puede controlar
mediante el voltaje de la compuerta. Esta condicin puede ser evitada si se
opera siempre dentro de los lmites especificados del dispositivo.

Fig 1-3. Componentes parsitos de un IGBT

4. CIRCUITO CON UN IGBT
El circuito controlador de puerta del IGBT se muestra en la figura 1-4. El IGBT
es manejado indirectamente por el TL 494 a travs de un transistor MOSFET
debido a que la seal de disparo que se obtiene del TL494 es lo contrario de lo
que el IGBT necesita. La configuracin de este circui8to est basada en la hoja

de datos de los transistores para la proteccin y correcto funcionamiento de los

mismos.
La funcin del MOSFET es enviar al IGBT el complemento de la seal del pin 11
del TL494 ya que el IGBT necesita una gran cantidad de corriente para
encenderse, la cual, no puede ser suministrada por TL494 pero si la puede
suministrar el TL494.

Fig 1-4. Controlador de Puerta del IGBT

5. CUESTIONARIO
5.1. Cul es el rea principal de aplicacin de los IGBT?
5.2. En la simulacin, demostrar los valores opuestos del TL 494 con el
MOSFET IRF640.
5.3. Realizar las mediciones correspondientes de voltaje y corriente
para el MOSFET y el IGBT.
5.4. Mencione una ventaja de un IGBT sobre un MOSFET de potencia
5.5. Mencione una ventaja de un IGBT sobre un BjT de potencia.
5.6. Investigue y encuentre al menos 04 IGBTs comerciales, muestre
sus imgenes fsicas reales.
6. CONCLUSIONES
7. BIBLIOGRAFA