DEFECTOS

Y
NO ESTEQUIOMETRA

QUMICA INORGNICA AVANZADA

4o CURSO L
Lcdo.
d en QUMICA
TEMA III

1. INTRODUCCIN
1a. Niveles de estructura y propiedades en
slidos cristalinos

Relacin de la estructura
estr ct ra con propiedades y aplicaaplica
ciones en slidos inorgnicos.

Niveles de estructura en slidos inorgnicos:

- Estructura cristalina de slidos perfectos o ideales.
- Estructura de defectos, incluyendo la estructura de las
superficies.
- Textura de slidos policristalinos con sus lmites de
grano.

 Influencia de los niveles de estructura en propiedades

de slidos inorgnicos

- Estructura cristalina ideal controla la dureza del grafito y

diamante.
diamante
- Estructura cristalina ideal, tipo diamante, y concentracin de
defectos controlan la semiconductividad en Si y Ga As.
- Tamao y lmites de grano de slidos policristalinos condicio
condicionan:
- propiedades mecnicas como la dureza que aumenta con la
disminucin del tamao de grano.
grano
- propiedades electrnicas como el efecto PTCR, Fig. 1,
(BaTiO3 policristalino y dopado).

Relacin estructura
estructura--propiedades

1b. Definicin de defecto y justificacin

de la presencia
presencia, cantidad y tipo de defec
defectos en slidos cristalinos
Slido cristalino ideal
Son tomos colocados en posiciones correctas sin
faltar ni sobrar ninguno. Presentan periodicidad y
regularidad Slo existen en el cero absoluto.
regularidad.
absoluto A otra
temperatura los tomos vibran o estn desplazados
dejando
j
vacante u ocupando
p
intersticio.

Defecto
Variacin en la ordenacin peridica y regular de los
tomos en el cristal.

Justificacin termodinmica de los defectos

H
Alta temperatura (T2)

TS

Energa
E

En
nerga

TS
Baja temperatura (T1)
G(T1)

G
G

Equilibrio

G(T2)

[defecto]

Por qu existen los defectos?

Fig 2
Fig.

[defecto]

G = H TS

La presencia de defectos, hasta una determinada concentracin,

produce una disminucin de la energa libre de Gibss

Clasificacin de los defectos

Extensin afectada

- Defectos puntuales
-Defectos lineales
-Defectos extensos o planares
-Defectos de volumen
-Defectos intrnsecos

Origen
-Defectos extrnsecos

Variacin en la
Composicin
Defectos Complejos

-Defectos estequiomtricos
-Defectos
D f t no estequiomtricos
t
i t i

Defectos
D
f t puntuales
t l

- Vacante
- D. Autointersticial
- D. Intersticial
- D.
D Sustitucional
- D. Schottky
- D. Frenkel
- Centros de Color
- Vacantes e intersticios en
cristales no estequiomtricos
- Desorden antiestructural
- Compuestos con redes
incompletas

- Arista, borde, cua o Taylor

Defectos
lineales

- Hlice, tornillo o Burgers

- Mixta o bucle

- Superficies externas

F
t
de
d grano: GB
- Frontera
- Frontera de subgrano

Estructurales
Defectos
extensos
o
planares

Desorden de apilamiento

- Plano de macla

- Frontera de antifase: APB

- Planos de cizalladura

cristalogrfica: CSP
Composicionales
- Planos de macla

qumica: CTP

Intrnsecos

Schottky
Frenkel

Defectos
puntuales
Centros de color
Extrnsecos

Vacantes (intersticios) por dopado

3. Defectos de punto en cristales

Son discontinuidades en la red que involucran uno o varios tomos o

iones en todas direcciones.
Vacante
produce cuando falta un tomo en un sitio normal de una red
Se p
metlica o covalente.
q
Son defectos intrnsecos o extrnsecos y no estequiomtricos.
Los intrnsecos se producen durante la solidificacin y el crecimiento
de cristales y los extrnsecos en situaciones de alta temperatura,
enfriamiento rpido,
p
procesado y radiacin.
p
A temperatura ambiente hay pocas vacantes, pero al ser un fenmeno
trmicamente activado se p
puede calcular p
por la ec. de Arrhenius
Nv =NC exp(-Edef/RT)
Nv es n vacantes , N es n de sitios que pueden ser ocupados en la
red,, C es una cte p
preexponencial,-E
p
, def es energa
g
requerida
q
para
p
formar la vacante, R es cte de gaes 1,987 cal/molK y T la
temperatura absoluta.
En metales, a temperatura ambiente, su nmero no excede el 1 por
10000 y cerca de Pf llega al 1 por 1000.

Defecto autointersticial o intersticial

Se produce cuando se inserta un tomo propio o extrao,

extrao respectivamente, en los lugares intersticiales que son posiciones de una
red metlica o covalente normalmente desocupadas.
Distorsionan la red ya que aunque son de menor tamao que los
tomos de la red son de mayor tamao que los intersticios.
Son extrnsecos y se introducen por interaccin con el medio y una
vez introducidos no se ven muy
y afectados p
por la temperatura.
p

Defecto sustitucional

Se produce cuando se reemplaza un tomo por otro distinto en la

red metlica o covalente.
Distorsionan la red.
red
Son extrnsecos y se introducen por interaccin con el medio y una
vez introducidos
i t d id no se ven muy afectados
f t d por la
l temperatura.
t
t

Defectos Schottky
y
par de vacantes

vacante catinica

vacante aninica

Estudio por HREM

Fig. 3

Calculo de las entalpas de formacin de

defectos Schottky
y y Frenkel
Las relaciones entre ns y nf con la temperatura son ecuaciones
tipo Arrhenius. Por ello, si tomamos log. en nf tenemos:
Log nf/N = log cte
cte- (H/2RT) log e
Si se hallan los valores de nf por medidas de conductividad para
unas cuantas temperaturas y se representan grficamente log nf/N
frente 1/T, debe dar una lnea recta de pendiente negativa, Fig.5,
ya que nf crece con la temperatura.
La pendiente de la recta (Hlog e/2R) nos da la entalpa de
formacin de los defectos Frenkel.
Las entalpas de formacin de defectos Schottky y Frenkel de
diferentes compuestos estn recogidas en Tabla:
- A igual
i
l T habr
h b mayor numero de
d defectos
d f t
S h ttk y
Schottky
Frenkel en haluros que en xidos.
Para una red con un determinado valor de entalpa de
formacin el nmero de defectos aumenta con T.
formacin,
T

Clculo de entalpas de formacin de defectos

Schottky y Frenkel

Entalpas de formacin de defectos Schottky y Frenkel

Compuesto

H(10-19 J)

MgO
CaO
LiCl
LiI
NaCl
UO2
CaF2
AgCl
AgBr
-AgI

10,57
9 77
9,77
3,40
2,88
3 69
3,69
5,45
4,49
2 56
2,56
1,92
1,12

Defectos
D
f t Schottky
S h ttk
nS = Ncte exp(- HS/2RT)
Defectos Frenkel
nF = N()1/2cte exp(- HF/2RT)

Valores de ns/N
T/K

Hs = 5 x 10-19 J

Hs = 1 x 10-19 J

300

6,12 x 10-27

5,72 x 10-6

1000

1,37 x 10-8

2,67 x 10-2

Vacantes (intersticios ocupados)

en cristales no esteq
estequiomtricos
iomtricos

Se dan en cristales fuertemente inicos.

Son defectos puntuales extrnsecos y no estequiomtricos.

Se producen por dopado frente al origen trmico de los D.

Shottky y Frenkel.

El dopante es heterovalente:

Dopante con valencia mayor que la del anfitrin produce

vacante catinica o anin intersticial
Na1-2xCaxVNaxCl
Dopante con valencia menor que la del anfitrin produce
vacante aninica o catin intersticial
Ca1-xNaxVClxCl2-x

Al aumentar el dopado, la concentracin de vacantes catinicas

crece y las aninicas disminuye y viceversa.

Desorden antiestructural o tomos intercambiados

Es un defecto puntual extrnseco y estequiomtrico.

estequiomtrico

Se dan en cristales formados por elementos de electronegatividades

parecidas. Tal es el caso de slidos intermetlicos como las aleaciones
p
Aunque tambin se da en cristales inicos como las espinelas.

La formacin de las aleaciones a partir de dos elementos ocurre as:

- Lo
L elementos
l
t tienen
ti
cada
d uno una red
d espacial.
i l
- Al juntarse, tomos del elemento minoritario entran en la red del mayoritario.
- El nmero de incorporaciones aumentar con la temperatura.
temperatura
- Si es grande se produce un fenmeno orden-desorden.
- En el lmite del desorden y con posiciones intercambiadas al azar, no se
que se crea una superestructura.
p
En ella,, p
puede:
mantienen las redes sino q
- No haber sitios preferentes para ninguno de los tomos, supercelda
desordenada.
- Tambin puede haber sitios preferentes para ambos tipos de tomos,
supercelda ordenada.
ordenada Estas ltimas son detectadas por difraccin de RX a
partir de reflexiones extras.

Formacin del defecto

- Los tomos de la superestructura ordenada que estn fuera de sus
posiciones constituyen el defecto llamado DESORDEN ANTIESTRUCTURAL O TOMOS INTERCAMBIADOS.

Desorden antiestructural o tomos

intercambiados

Compuestos con redes incompletas

-Fe2O3

Defecto intrnseco especfico y estequiomtrico.

Para comprender el defecto presente en la maghemita,
maghemita -Fe2O3, la
referencia es:
- Magnetita, espinela inversa: (Fe83+)T[Fe82+ Fe83+]OO32
Fe24O32
Fe3O4
Si solo hay Fe3+ tenemos:
- Maghemita: (Fe83+)T[Fe3+5 1/3 2 2/3 Fe3+8]O O32
Fe21,332,66O32
- Fe2O3
Espectroscopia Msbauer detecta posiciones tetradricas ocupadas
por Fe3+ con carcter covalente (hibridacin sp3) y vacantes
catinicas en posiciones octadricas, que son los defectos.
Superestructuras de las vacante en posiciones octadricas:
- Vacantes distribuidas al azar: celdilla cbica centrada caras.
- Vacantes ordenadas: celdilla tetragonal (Fe243+)T[Fe403+ 8]OO96

Inters de los defectos puntuales

Afectan:
Propiedades
p
fsicas: conductividad ((electrnica
e inica) y pticas (color).
Propiedades qumicas: corrosin y reactividad.
Propiedades mecnicas de metales y cermicos:
t
tenacidad
id d y dureza
d
entre
t otras.
t

Defectos lineales o dislocaciones

Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada alrededor de una lnea.
Son estequiomtricos y no estn en equilibrio termodinmico en la
red.
Explican:
1. Propiedades mecnicas de metales y cermicos:
- Menor esfuerzo de deformacin que el terico.
terico
- Ductilidad y maleabilidad de metales.
- Endurecimiento por trabajo.
2. Crecimiento cristalino:
- mecanismo de crecimiento.
- velocidad de crecimiento.
3. Reactividad localizada de slidos.

TIPOS DE DISLOCACIONES
L dislocaciones
Las
di l
i
pueden
d ser de
d dos
d tipos
ti
extremos:
t
-Cua, Borde o Taylor
-Helicoidal, Tornillo o Burgers
o de un tipo intermedio:
Bucle o Mixta.

DISLOCACIN EN CUA,
CUA Fig.
Fig 8
- Es un medio plano extra de tomos.
- Los planos de tomos del cristal se presentan como
lneas rectas excepto en las proximidades del medio
plano extra

Ncleo de la dislocacin: Esta es la zona ms distorsionada de

la red. La distorsin mxima se extiende lateralmente y hacia
arriba y hacia abajo del plano de deslizamiento hasta una cierta
distancia en una zona con forma cilndrica.
Lnea de dislocacin, L: Es la lnea imaginaria que se encuentra
en el centro del ncleo.

Deslizamiento: Es el movimiento de la dislocacin.

Direccin de deslizamiento: Es la direccin en la q
que la dislocacin se
mueve.
Plano de deslizamiento: Lo forman la direccin de deslizamiento y la
lnea de dislocacin.
Son positivas las dislocaciones situadas por encima del plano de
deslizamiento y negativas por debajo.

Para entender el efecto de una dislocacin de cua en las

propiedades mecnicas de un cristal, e incluso el origen de la
misma, se le aplica un esfuerzo de corte o cizalla.
- Se produce la deformacin del cristal por desplazamiento de
forma progresiva del medio plano extra de la dislocacin. Se
rompe el enlace 3-6 y se forma 2-6 y as sucesiva mente. Por
tanto, no es ell medio
di plano
l
completo
l
que se mueve una distancia
di
i
atmica sino solo una parte de l, la que est en el ncleo.
- El medio
di plano
l
extra
t o dislocacin
di l
i deslizndose
d li d
a lo
l largo
l
d l
del
plano de deslizamiento llega a alcanzar la superficie produciendo
un escaln de una distancia atmica, es el escaln de deslizamiento.
miento
- En ese momento se han desplazado planos adyacentes y su
bloque correspondiente,
correspondiente en sentido opuesto,
opuesto el superior al plano
de deslizamiento sobre el que est por debajo de el, Fig. 9. Se ha
producido la deformacin con esfuerzo menor del esperado.

Dislocacin de borde

Dislocacin de borde:
Influencia en las propiedades mecnicas
Obtencin del vector de Burgers

Las dislocaciones se caracterizan o representan por:

El VECTOR de BURGERS, b, que es el vector necesario para
cerrar un circuito por pasos alrededor de un defecto.
Representa la magnitud de la distorsin producida por la
dislocacin. Esa distorsin es el mnimo desplazamiento atmico
o la distancia que se repite a lo largo de la direccin de mayor
densidad atmica por la que se mueve la dislocacin.
Tambin

representa la direccin

desplazamiento de la dislocacin.

el

sentido

del

Dislocacin helicoidal, tornillo o Burgers

DISLOCACIN HELICOIDAL, Fig. 10.

Son planos reticulares de un cristal que forman una espiral con
respecto
t a la
l lnea
l
d dislocacin,
de
di l
i como resultado
lt d del
d l desplazad
l
miento de un bloque del cristal con respecto a otro. Como consecuencia, se pueden seguir circuitos continuados por planos reticulares contiguos. El primero empieza en x sigue hacia arriba y
alrededor del cristal en la direccin de las flechas y termina en el
punto y
p
y. Los circuitos continuados terminan en z.

La lnea S S` es la lnea de dislocacin. Delante de ella los planos

reticulares
ti l
d l cristal
del
i t l han
h sufrido
f id desplazamiento
d
l
i t pero no detrs.
d t

Si se le aplica un esfuerzo de corte o cizalla continuado, repre

representado por la flecha curvada de rosca a la izquierda o antihoraria, se produce , en principio, un aumento en longitud del escaln
de la cara lateral y la lnea SS
SS se mueve hacia la cara del fondo.
fondo

Dislocacin helicoidal

Dislocacin de bucle o mixta

Son defectos de lnea que resultan al cambiar el carcter del

defecto lineal dentro de un cristal. Aparece de un tipo en una cara,
de cua, y de otro tipo en la cara contigua, helicoidal, o viceversa
Fig. 11.

En la cara frontal emerge una dislocacin de hlice, S, que no

llega a la cara opuesta. En la cara de la derecha emerge una
dislocacin de borde p
positiva,, E,, q
que no llega
g a la cara opuesta.
p
Como toda dislocacin que entra debe salir, lo que ha ocurrido es
que las dislocaciones cambian de direccin y de naturaleza
dentro del cristal para formar su lnea de dislocacin que es un
cuarto de bucle, SBE Fig. 11.

Dislocacin mixta

Tornillo

Borde
Fig. 11

Dislocacin mixta:
Generacin y movimiento

Dislocaciones, dureza y recocido

contra acritud

Las pequeas tensiones de uso en un slido generan bucles de dislocaciones q

que en su movimiento dentro del g
grano,, p
pueden p
producir a la larga ablandamiento y fallos catastrficos. Para evitarlo se le proporciona al
slido un medio de bloqueo del movimiento de las dislocaciones. Ej. C
en Fe. Endurecimiento p
por disolucin.
Las grandes tensiones a las que es sometido un slido cuando se trabaja
en fro genera un nmero enorme de dislocaciones que, por el contrario,
endurecen. Se debe a que en su movimiento tienden a salir del grano y
sufren: el bloqueo que produce el lmite de grano, superficie de grano
deformada y repulsin entre dislocaciones. Endurecimiento por

trabajo.
Endurecimiento por disminucin de tamao de grano
El lmite de grano por su desorden y , por tanto, discontinuidad en los
planos de deslizamiento acta de barrera de dislocaciones

Recocido

Los tomos a temperatura alta se difunden en el slido

permitiendo la reorganizacin de la estructura. Se reduce la densidad de
dislocaciones y las tensiones creadas en el trabajo.
trabajo El material pierde
dureza y gana ductilidad y maleabilidad.

Observacin de dislocaciones

La observacin de dislocaciones se realiza mediante microscopa

electrnica de alta resolucin previo ataque qumico de la muestra.

El estudio
t di microscpico
i
i
d dislocaciones,
de
di l
i
siempre
i
que se pueda,
d no
se debe hacer en metales, ya que son difciles de preparar sin dislocaciones. Se recurre a monocristales cbicos de LiF, practicamente,
exentos
e
e tos de e
ellas.
as Posteriormente
oste o e te se introducen
t oduce de forma
o a co
controlada
t o ada
por aplicacin de pequeas tensiones.

q de H2O2, en la q
que el LiF
La observacin es indirecta mediante ataque
es escasamente soluble. Por el contrario los tomos colindantes con
la dislocacin debido a las tensiones no se encuentran en el mnimo
d e energa libre y se disuelven en H2O2. Una diminuta dislocacin
produce una hendidura en forma de pirmide invertida muy grande.
Mtodo destructivo. Dislocaciones juntas dan una banda.

puede determinar el nmero,, la distribucin y la velocidad de las

Se p
dislocaciones.

Dislocaciones, estructura cristalina y

deformacin
La energa necesaria para que se deslice una dislocacin, en la deformacin de un cristal, es proporcional al mdulo de su vector de Burgers
E |b|2

El valor del |b| depende de la direccin en la que se desliza la dislocacin:

Compacta: El mdulo de b es el dimetro atmico,
atmico d,
d Fig.
Fig 13 (a,
(a b).
b)
No compacta: El mdulo de b es, d2 Fig. 13 (c, d).

La energa necesaria para que se deslice una dislocacin tambin depende del carcter del plano de deslizamiento:
La distancia entre los tomos que se mueven en sentido contrario
en la deformacin, a cada lado del plano de deslizamiento, es mayor en
l compactos
los
t que en los
l no compacto.
t La
L barrera
b
que tienen
ti
que vencer
los tomos en el deslizamiento es menor, Fig. 14 (a,b).

Resumiendo: La energa asociada al movimiento de dislocaciones en

direcciones compactas y sobre planos compactos es menor que en caso
de no compactos.

El conjunto de planos y direcciones compactas o el conjunto de planos

no compactos y direcciones compactas son los sistemas de deslizamiento.

Dislocaciones, estructura cristalina y

deformacin
direcciones de deslizamiento

Dislocaciones, estructura cristalina y

deformacin
planos de deslizamiento

Estructura cristalina y sistemas de

d li
deslizamiento
i t de
d dislocaciones
di l
i

4 x {111}
3 x <110>
12 sistemas de
deslizamiento

Estructura cristalina y sistemas de

deslizamiento de dislocaciones
c/a = 1,63 y c/a > 1,63
{0001}
_
3 x <1120>
3 sistemas de
deslizamiento

c/a < 1,63

_
{1010}

Estructura cristalina y sistemas de

deslizamiento de dislocaciones

{110} {100} {112}

{123}
4 x <111> en
{{110}
0} {100}
{ 00} {{112}}
48 sistemas de
deslizamiento

Direccin de la tensin de deformacin:

Tensin de corte efectiva ,

La orientacin cristalogrfica del monocristal cilndrico es tal que el plano basal,

plano de deslizamiento por ser compacto, est a 45 respecto del eje del cilindro

Factores que influyen en la deformacin

Metal

Cu
Ag
Au
Al

Estructura y relacin
de parmetros de red

c. c. caras

c p.s.i
92
54
132
148

Zn
Cd
Mg
Be
Ti
Zr

h. c. (c/a =1,63)
1,856
1,886
1,824
1 586
1,586
1,588
1,590

26
82
63
5700
7500

Fe

c. c. cuerpo

4000

Defectos extensos composicionales:

Planos de cizalladura cristalogrfica (CSP)

Defecto extrnseco y no estequiomtrico.

En un p
principio,
p , los compuestos
p
no estequiomtricos
q
WO33-xx, MoO33x, TiO2-x fueron considerados disoluciones slidas continuas.

Magneli
g
y Wadsley
y concluyen
y
que en cada uno de estos sistemas
q
existe, al menos, una serie de fases de frmula y estructura muy
similar que explicaran la no estequiometra. Son las series homlogas de fases:
TinO2n-1 con n = 4,.......10 p.e Ti8O15(TiO1,875) y Ti9O17(TiO1,889)
son dos de las fases de la serie
n = 16,....36
MonO3n-1 con n = 8,.....14
WnO3n-2 con n = 18,
18 20,
20 25,
25 50.
50
WnO3n-1 con n = 8, .......12, 14.
VnO2n-1
2n 1 con n = 4,......8
Cr2Tin-2O2n-1 con n = 6,.....11.

En cada una de las fases de las series existe un defecto extrnseco extrnseco que es el defecto extenso composicional llamado
PLANO DE CIZALLADURA CRISTALOGRFICA (CSP)
(CSP).

El defecto consiste en una condensacin de la estructura, ya que

la deficiencia de oxgeno de estos sistemas se concentra en
planos, no al azar. Para impedir que halla planos completos de
vacantes, ocurre tal condensacin y formacin de los planos CS.
p
regiones
g
con la estructura normal o
Cada uno de ellos separa
estequiomtrica del compuesto.

A medida q
que aumenta la reduccin o no estequiometra,
q
, aumenta
el nmero de planos CS y disminuye el grosor y el nmero de los
bloques de estructura estequiomtrica.

Cada miembro de la serie, que se obtiene al sustituir n por su valor, se corresponde con una situacin de reduccin o no estequiometra x. Al aumentar x disminuye n en las frmulas correspondientes.
dientes

La diferencia entre los miembros de la serie reside en el nmero

de planos con estructura condensada y en la anchura de los
bloques de estructura estequiomtrica.

Defectos extensos:
Planos de cizalladura cristalogrfica (CSP))
WO3-x, MoO3-x, TiO2-x
Mo(VI)Mo(V)

Fig. 17
Fig 18
Fig.

Defectos extensos estructurales

Superficie externa

D f t intrnseco.
Defecto
i t

Es el lugar donde termina la estructura cristalina.

Los tomos en ella tienen con respecto a los interiores:

- inferior n de coordinacin
- diferente fuerza de enlace
- asimetra
Por tanto, su estado energtico es superior. La energa superficial
(J/m2) es tanto mayor cuanto menor es el tamao de partcula al
aumentar la superficie externa.

Los materiales tienden a minimizar esta energa disminuyendo la

superficie. Los lquidos tienden a formar esferas pero los slidos
son rgidos
so
g dos y no
o puede
pueden hacerlo.
ace o

Defectos extensos estructurales

Lmite o frontera de grano

Defecto intrnseco en policristales.

Los ncleos que se generan en un slido o en un lquido crecen

hasta que interfieren en su crecimiento con el vecino que, en general, tiene diferente orientacin cristalogrfica. Se producen as
g
los granos.

Entre ellos quedan zonas de varias distancias atmicas. Los tog

permiten el p
p
paso de una orientacin cristalomos intergranulares
grfica a otra. Son los lmites o fronteras de grano.

Existen los lmites de g

grano de ngulo
g
pequeo
p
q
( q < 5 )). Se describen en trmino de dislocaciones con vectores de Burgers
iguales a los del interior del grano y situadas a distancias D = b/q,
Fig. 19.

Existen los lmites de grano de ngulo grande ( q < 10-20 ). No se

pueden describir solo en trmino de dislocaciones adems de que
los vectores de Burgers de ellas no son iguales a los del interior
del grano.

En el lmite de grano los tomos estn fuera de posiciones de

equilibrio
ilib i adems
d de
d no tener
t
coordinacin
di
i completa.
l t En
E consecuencia, esta regin tiene una energa interfacial, que aumenta
con el valor de igual o superior a la superficial. Por ello:
Son ms reactivos que los granos a medios corrosivos,
corrosivos lo que
permite ponerlos de manifiesto por microscopa ptica.
La fusin se inicia en ellos a temperatura inferior a la del cristal.
Las transformaciones de fase se inician en el borde de los granos.
g
Las propiedades mecnicas dependen de la extensin del lmite de
grano.
Las impurezas se segregan a lo largo del lmite de grano.

La energa interfacial total es menor en granos grandes que en

pequeos, al tener los primeros menor lmite de grano. Por ello, a
elevadas temperaturas los granos crecen para disminuir tal
energa.

A pesar del desorden y de la falta de ciertos enlaces en los toto

mos, existen en los limites de grano fuerzas cohesivas que hacen
resistente al material policristalino. Incluso la densidad de
policristalina p
pueden considerarse iguales.
g
monocristal y muestra p

Defectos extensos estructurales

D = |b|/
Fronteras de grano

Defectos extensos estructurales

Fronteras de subgrano

Desorden de apilamiento

Defectos extensos estructurales

6.5
6 5 Plano
Plano, lmite o frontera de macla

Defecto extrnseco en policristales.

Consiste en que en un grano hay dos partes de la red

cristalogrfica que tienen una pequea diferencia en su
orientacin, tienen simetra especular, y estn separadas por un
plano cristalogrfico de simetra que se denomina borde, frontera
o plano de macla. La regin entre dos de estos planos de macla
contiguos se denomina macla, Fig. 22.

El plano de macla y la direccin en la que est orientado dicho

plano (en la que cambia la orientacin cristalogrfica) depende de
l estructura
la
t
t
cristalina.
i t li

Se produce por accin mecnica (macla mecnica) en estructuras

c. c. cuerpo y h.c.
h o por tratamiento
t t i t trmico
t i (macla
(
l de
d recocido)
id ) en
estructuras c. c. caras.

Comparacin de maclaje y deslizamiento

desli amiento de dislocaciones.
dislocaciones

Defectos extensos estructurales

Borde o Lmite de macla

Energas de defectos extensos estructurales en materiales

seleccionados
Defectos extensos estructurales Al
(Erg/cm2)

Cu

Pt

Fe

Falla de apilamiento

200

75

95

____

Borde de macla

120

45

195

190

Borde de grano

625

645

1000

780

Defectos Complejos
Escisin intersticial

Defecto complejo tipo A1-xB: Wustita Fe1-xO 0<x<0,1

FeO estructura tipo NaCl
Deficiencia de Fe
1 vacante de Fe(II)

BYM
hhhAyIyO
eO
IHY2B
2BYM
hhA
Vacante Fe2+
Fe3+ intersticial

, uZVY1
Cluster Koch-Cohen
Fig. 24

13 vacantes de Fe2+ => 264 iones Fe3+ intersticiales => 12+

=> carga neta 14-

Cluster Koch-Cohen

Vacante Fe2+
Fe3+ intersticial
Feoct

, uZVY1

yy
aYieveYveSaYNYO
ST

La concentracin de estos
clusters aumenta con la

Defecto complejo tipo AB1+x: UO2+x 0<x<0.25

UO2 estructura tipo fluorita

Oxgeno intersticial

Fig. 25

Defecto complejo tipo AB1+x: UO2+x 0<x<0.25

UO2 estructura tipo fluorita

Oxgeno intersticial

Desplazamiento [110]

Fig
ig2
.25