Semicondutores

Condutor = camada de valncia 1 eltron

Semicondutor = camada de valncia 4 eltrons
Isolante = camada de valncia 8 eltrons

Eltron livre + lacuna recombinao

Tempo de vida = aparentemente ao desaparecimento de eltrons livres.
Semicondutores Intrnseco
Ser se todos os tomos do cristal forem de silcio.
Eltrons livres + lacunas = portadores
Semicondutor dopado = chamado de semicondutor extrnseco.
Altamente dopado + condutividade = baixa resistncia
Fracamente dopado condutividade = baixa resistncia

Semicondutores Extrnseco
Podem ser dopados para mais eltrons livres ou mais lacunas. Por isso existem
dois tipos de semicondutores.
Semicondutor n
Dopado com impureza pentavalente n relacionada com negativo.
Eltrons livres so portadores majoritrios
Lacunas so portadores minoritrios
Semicondutor p
Dopado com impureza trivalente p relacionado com positivo.
Lacunas portadoras majoritrias
Eltrons livres portadores minoritrios
Juno pn
O diodo no polarizado.
P = mais lacunas

n = mais eltrons livres

Cristal pn = diodo de juno

No meio tem a chamada camada de depleo.

A barreira de potencial
Para romper a camada de depleo tem que acabar com a barreira de
potencial. O campo eltrico interrompe a difuso de eltrons por meio da juno.
Barreira de potencial do diodo germnio 0.3 v
Barreira de potencial do diodo silcio 0.7 v
A polarizao direta
Diminui e rompe a camada de depleo diodo conduzindo
A polarizao inversa
Aumenta a camada de depleo diodo isolante

Como o diodo um componente de dois terminais, a aplicao de tenso nele poder resultar
em trs possibilidades:
Sem polarizao (Vd = 0)

Na ausncia de uma tenso de polarizao, o fluxo de carga em qualquer sentido para um

diodo semicondutor zero.

Polarizao Reversa (Vd < 0)

A corrente existente sob condies de polarizao reversa chama de corrente de saturao

reversa e representada por Is.
OBS.: O TERMO SATURAO DERIVA DO FATO DE A CORRENTE ALCANAR SEU VALOR
MXIMO RAPIDAMENTE E DE NO MUDAR DE MANEIRA SIGNIFICATIVA COM O AUMENTO DE
POTENCIAL DO POLARIZAO REVERSA.

Polarizao Direta (Vd > 0)

Um diodo semicondutor polarizado diretamente quando estabelecida a associao do

potencial positivo ao material do tipo P e do potencial negativo ao tipo N.
OBS.: A TENSO ATRAVS DE UM DIODO POLARIZADO DE MODO DIRETO SER GERALMENTE
NEMOR QUE 1 V.

Regio Zener
A corrente aumenta a uma taxa muito rpida no sentido oposto da regio de tenso
positiva. O potencial de polarizao reversa que resulta dessa mudana brusca na curva
caracterstica chamada de pontencial Zener e dado pelo smbolo Vz.

A regio Zener do diodo semicondutor descrito deve ser evitada; caso contrrio, o sistema
pode ser completamente alterado pela mudana brusca na curva caracterstica nessa regio
de tenso reversa.
O potencial mximo de polarizao reversa que pode ser aplicado antes que o diodo
entre na regio Zener chamado de tenso de piv inversa (ou simplesmente PIV peal
inverse voltage) ou tenso de pico reversa (PRV peak reverse voltage).

Silcio vs Germanio

Efeitos da Temperatura
A corrente de saturao reversa Is, ter sua amplitude praticamente dobrada para cada
aumento de 10C na temperatura.
Valores tpicos de Is para o silcio so muitos mais baixos que para o germnio para
nveis similares de corrente e potncia, conforme a figura abaixo, resultando que mesmo em
altas temperaturas, os nveis de Is para o diodo de silcio no alcanam os mesmos nveis
altos obtidos para o germnio uma caracterstica importante que permite aos dispositivos de
silcio um nvel significativamente maior de desenvolvimento e utilizao em projetos.

A medida que aumenta a temperatura, as curvas caractersticas tornam-se mais ideais, mas,
analisando-se as folhas de especificaes, pode-se ver que temperaturas alm da faixa
normal de operao podem ter um efeito bastante prejudicial sobre a potncia mxima e os
nveis de corrente do diodo. Na regio de polarizao reversa, a tenso de ruptura aumenta
com a temperatura, mas pode-se observar o aumento indesejvel na corrente de saturao
reversa.

MathCAD
um pacote de programa que auxilia em clculos cientficos possibilitando o uso de
grficos e entre outras funes extraordinrias. importante o t-lo.
Valores de Resistncias
So constitudos de trs tipos:
Resistencia CC ou Esttica
A aplicao de uma tenso cc em um circuito que contenha um diodo
semicondutor resultar em um ponto de operao sobre a curva do diodo que no ser
alterado com o tempo. A resistncia do diodo no ponto de operao pode ser obtida
simplesmente determinando-se os valores correspondentes de Vd e Id, como mostrado na
figura de acordo com a frmula:

Portanto, em geral, quanto mais baixa a corrente que passa por um diodo, mais alto o seu
valor de resistncia em cc.
Resistncia CA ou Dinmica
Vem com uma tenso ca gerando uma entrada senoidal.

Quanto mais ngreme a inclinao, menor o valor de delta Vd para a mesma variao de
delta Id e menor resistncia. Portanto a resistncia ca na regio de aumento vertical da
curva caracterstica e bem pequena, enquanto muito maior em nveis baixos de corrente.
No entanto, em geral, quanto mais baixo o ponto Q de operao (menor corrente ou mais
baixa a voltagem), mais alta a resistncia ca.

A equao implica que a resistncia dinmica pode ser encontrada simplesmente

substituindo-se o valor quiescente (valor estacionrio ou inaltervel) da corrente de diodo na
equao. No h necessidade de curva caracterstica estar disponvel ou haver preocupao
quanto ao desenho de linhas tangentes. Para valores menores de Id abaixo do joelho da curva,
a Equao acima torna-se inadequada.
Todos os valores de resistncia determinados at agora foram definidos para a juno
p-n e no incluem a resistncia do material semicondutor (chamada de resistncia de corpo) e
a resistncia introduzida pela conexo entre o material semicondutor metlico externo
(chamada de resistncia de contato). Esses valores adicionais de resistncia podem ser
includos na equao acima, somando a resistncia denotada por rb.

O fator rb pode variar do tradicional 0,1 ohms de sistemas de alta potncia a 2 ohms, em
alguns diodos de baixa potncia de uso geral.
Atualmente essa resistncia rb est sendo diminuda e tende a 0, fato que muitos
clculos ela ignorada.
Resistncia CA Mdia
Se o sinal de entrada for grande o suficiente para a produzir uma amplitude como
aquela mostrada na figura abaixo, a resistncia associada ao dispositivo para essa regio
chamada de resistncia ca media. A resistncia ca media , por definio, aquela
determinada por uma linha reta traada entra as duas inseres estabelecidas pelos valores
mximo e mnimo da tenso de entrada. Seguindo assim a seguinte equao:

Como ocorre com os valores de

resistncia
ca e cc, quanto menores os valores das correntes utilizadas para determinar a resistncia
mdia, maior o valor da resistncia.

TABELA RESUMO

CIRCUITOS EQUIVALENTES DO DIODO

Um circuito equivalente uma combinao de elementos corretamente selecionados
para melhor representar as caractersticas reais de um dispositivo, um sistema ou uma regio
especfica de operao. Em outras palavras, uma vez que esteja definido o circuito
equivalente, o smbolo do dispositivo pode ser removido do esquema e o circuito equivalente
pode ser inserido em seu lugar sem afetar demasiadamente o comportamento real do
sistema.

A FOLHA DE DADOS
aonde ficar situado todos os dados do diodo no caso, informaes que so de suma
importncia para a troca e projetos de eletrnica.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

A tenso direta Vf (em corrente e temperatura especficas).

A corrente direta mxima If (a uma tenso e temperatura especifica).
A corrente de saturao reversa Ir (a uma tenso e temperatura especficas).
A tenso reversa nominal (PIV ou PRV ou V (BR), em que BR vem do termo
breakdown, ruptura = a uma temperatura especfica.
O valor mximo de dissipao de potncia a uma temperatura especfica.
Valore de capacitncia.
Tempo de recuperao.
Faixa de temperatura de operao.

Potncia:

A As tenses de polarizao (PIVs) mnimas para um diodo operando com uma corrente de
saturao reversa especfica.
B Caractersticas de temperatura conforme indicado. Observe o uso da escala Celsius e a
grande faixa de utilizao (lembrando que 32F = 0C = congelamento (H2O) e 212F =
100C = ebulio (H2O)).
C Nvel mximo de dissipao Pd = Vd x Id = 500 mW. A potncia mxima nominal diminui a
uma taxa de 3.33 mW por grau de aumento na temperatura, acima da temperatura ambiente
(25C), conforme indica claramente a curva de reduo de potncia na figura abaixo.
D Corrente direta contnua mxima Ifmx = 500mA (observe If versus a temperatura na
figura abaixo).
E Faixa de valores de Vf para If = 200 mA. Note que excede Vt = 0.7 v em ambos os
dispositivos.
F Faixa de valores de Vf para If = 1.0 mA. Note como, nesse caso, os limites superiores esto
em torno de 0.7 V.
G Para Vr = 20 V e uma temperatura de operao tpica, Ir = 500 nA = 0.5 microA, enquanto
para uma tenso reversa maior Ir cai para 5 nA = 0.005 microA.
H O nvel de capacitncia entre os terminais de cerca de 8 pF para o diodo com Vr = Vd =
0 V (nenhuma polarizao) e uma frequncia aplicada de 1 MHz.
I O tempo de recuperao reversa 3 micros (microssegundos), para a lista de condies de
operao.