UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

Universidad del Per, DECANA DE
AMRICA
FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA
ESCUELA ACADEMICO PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA
TEMA 6
MEMORIA SRAM

ALUMNOS: Chalco Alania Erick Renzo

Solano Alvarez Junior Alexander

13190079
13190078

Medina Castillo Amrico Armando 13190177

CURSO:

Circuitos Digitales II

FECHA DE REALIZACIN:
FECHA DE ENTREGA:

PROFESOR: Ing. Guillermo Tejada Muoz

TABLA DE CONTENIDO:

Pgina

191064

19/10/15
25/09/15

RESUMEN Y OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO

1
DESARROLLO DEL EXPERIMENTO
2
CONCLUSIN
15
APNDICE
16

RESUMEN Y OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO

El presente trabajo desarrolla la parte experimental de la clase sobre
memoria SRAM, se espera analizar el proceso tanto de escritura y lectura en
este dispositivo y comprobar con la parte terica. As mismo se adicionan
elementos para un mejor resultado un ejemplo de esto son los bferes sobre el
cual hablaremos ms adelante.
Se comienza por implementar el circuito de la gua y reconocer la funcin
de cada elemento as como tambin los pines de los integrados, primero se
grabaran los datos luego se visualizaran cambiando direcciones de forma
manual y por ultimo con la ayuda de un contador.

DESARROLLO DEL EXPERIMENTO:

Anlisis de circuito:
Para el anlisis del circuito mostrado es necesario conocer en primer lugar
la funcin que cumple cada pin de los circuitos integrados; para esto, ser
necesario revisar el Data Sheet de cada C.I. , luego de conocer la funcin de
cada pin ser necesario separar por bloques el circuito para de esta manera
facilitar el anlisis.

Mediante el siguiente cuadro se pasar a detallar cada zona delineada de color

rojo:
I
II

III

IV

A0-A10: Lneas de direccin.

I/O0-7: Pines que funcionan como entrada o salida de datos
(tamao de la palabra).
/CS: Chip selector; sirve para habilitar o deshabilitar la
memoria.
/OE: Output enable; si esta en 0 entonces los pines I/O
funcionan como salida de datos; si esta en 1 funcionan
como entrada de datos.
/WE: Write enable; si esta en 1 lgico la memoria entonces
solo nos permitir leer, si esta en 0 lgico la memoria
servir para el almacenamiento de datos.
Vcc: Pin de alimentacin a la memoria ( 4.5V- 5.5V)
GND: tierra (0V)

En el circuito integrado encontraremos los pines distribuidos de la siguiente

manera:

Ahora se presenta al C.I. 74LS244, que se utiliza en el circuito; ms adelante se

detallar la funcin que cumple en dicho circuito.

Ahora se empieza con el anlisis por bloques del circuito:

Se empezar con el anlisis de la seleccin de lneas de direcciones:

Para el circuito solo se necesitar 4 direcciones puesto que se quiere

guardar la palabra HOLA, esto entonces significa que los dems pines de
direccin se pondrn en 0 lgico (tierra).

Ahora se explicar los pines de control de la memoria:

SW1

Cuando est en ON la memoria cumplir la funcin

guardar la informacin, esto indicara que los pines
funcionarn como ingreso de datos.
Cuando est en OFF la memoria nos mostrar
informacin antes guardada, entonces los pines

de
I/O
la
I/O
5

funcionarn como salida de datos.

SW2

PTO. 1

Para el caso de la experiencia es necesario que el SW2

este en ON, entonces la memoria funcionar en todo
momento.
El punto tambin servir para controlar a los buffers del
C.I 74LS244.

Ahora se explicar la funcin del circuito 74LS244:

74LS244
ACTIVADO

74LS244
DESACTIVA
DO

El bloque de buffers se activar cuando el punto 1

est en 0 lgico
Entonces se escribir en la memoria, es decir esta
dejar pasar los estados del juego resistencias que se
muestran en la figura.
El bloque de buffers se desactivar cuando el pto.1
est en 1 lgico, entonces bloquear el paso de los
estados que se presentan en el juego de resistencias.
6

Ahora se mostrar el funcionamiento del display (no menos importante):

El display nos mostrar los datos as guardemos o leamos la informacin, esto

es importante ya que indicar si la informacin que estamos guardando es
correcta.

ESCRITURA Y LECTURA:
Para el caso donde se almacenara la palabra HOLA y luego se la visualiza:
Primero se debe entender el siguiente diagrama:

Pines de direccin: se necesita 4 direcciones de la memoria (4 Bytes), en

cada una de estas se almacenara una letra.

Direccin
A1
A0
0
0
0
1
1
0
1
1

D7
x
x
x
x

D6
1
0
0
1

D5
1
1
1
1

Palabra
D4
D3
1
0
1
1
1
1
1
0

letra
D2
1
1
0
1

D1
1
1
0
1

D0
0
1
0
1

H
O
L
A

*se pone una x en D7 ya que este bit no se utiliza para formar letras en el
display.
Habilitar memoria: dicha seal tiene que mantenerse en bajo durante
todo el proceso, caso contrario la memoria no estar en funcionamiento.

R/ W : esta seal va permutando su estado lgico de alto a bajo y de

bajo a alto. Y de acuerdo a la siguiente imagen se puede notar que cada
letra luego de ser escrita (WRITE, seal en bajo) es leda (READ, seal en
alto).

1. Se habilita la memoria, para esto se cierra SW2 poniendo la entrada /CS a

un estado bajo.
2. Como SW1 est inicialmente abierto, /OE est en estado bajo y la
memoria en modo lectura.
Es en este instante cuando en el display se aprecia lo siguiente, esto se
puede definir como la informacin inicial que posee la memoria en la
direccin 00 (A1=0 y A0=0), lo cual en realidad puede ser cualquier
combinacin de bits. Para nuestro caso:

3. Para ingresar una letra, en este caso la H en la direccin 00, se procede a

realizar un arreglo en el juego de resistencias de tal manera que:
D6
1

D5
1

D4
1

D3
0

D2
1

D1
1

D0
0

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE est en esta bajo (/OE en

estado alto) se habilitan los bferes y la memoria pasa a modo escritura.
De esta manera se guard la letra H.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los bferes
en estado Hi Z) se puede leer esta misma letra en la direccin 00.

4. Para ingresar una letra, en este caso la O en la direccin 01, primero

ponemos A1=0 y A0=1 y se procede a realizar un arreglo en el juego de
resistencias de tal manera que:
D6
0

D5
1

D4
1

D3
1

D2
1

D1
1

D0
1

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE est en esta bajo (/OE en

estado alto) se habilitan los bferes y la memoria pasa a modo escritura.
De esta manera se guard la letra O.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los bferes
en estado Hi Z) se puede leer esta misma letra en la direccin 01.

10

5. Para guardar la letra L en la direccin 10, primero ponemos A1=1 y A0=0

y se procede a realizar un arreglo en el juego de resistencias de tal
manera que:
D6
0

D5
1

D4
1

D3
1

D2
0

D1
0

D0
0

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE est en esta bajo (/OE en

estado alto) se habilitan los bferes y la memoria pasa a modo escritura.
De esta manera se guard la letra L.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los bferes
en estado Hi Z) se puede leer la letra L en la direccin 10.

11

6. Para guardar la letra A en la direccin 11, ponemos A1=1 y A0=1, y se

procede a realizar un arreglo en el juego de resistencias de tal manera
que:
D6
1

D5
1

D4
1

D3
0

D2
1

D1
1

D0
1

Seguidamente se cierra el SW1, ahora /WE est en esta bajo (/OE en

estado alto) se habilitan los bferes y la memoria pasa a modo escritura.
De esta manera se guard la letra A.
Si nuevamente se pone /OE en esta bajo (/WE en estado alto y los bferes
en estado Hi Z) se puede leer la letra A en la direccin 11.

12

As en cada una de las cuatro direcciones ya se encuentran los respectivos

bytes, y si se desea leer la palabra HOLA simplemente se tiene ingresar las
direcciones en orden ascendente.
Para lograr que la aparicin de las letras sea automtica se acondiciona un
contador que controle el bus de direcciones.
En este caso se us un contador implementado con 2 flip flops JK de flanco
negativo y con el generados de seales usado como clock.

*no es aconsejable dejar las entradas CLEAR Y SET al aire, por lo que se debe
conectar a fuente. La frecuencia del generador es 1Hz.

13

Imagen con la implementacin del contador:

CONCLUSINES:

Usamos bferes triestado para controlar las entradas D0 D7 durante el

ciclo de escritura.
14

Las memoria Sram son voltiles y al cortar al energa obtenamos salidas

aleatorias en el display.
Se concluy el experimento demostrando y explicando el funcionamiento
de la memoria SRAM6116 de manera satisfactoria, teniendo como prueba
de esta experiencia que los resultados obtenidos gracias a una buena
teora fueron precisos, con su respectiva explicacin y detallado orden;
adems estos resultados tericos se compararon con los obtenidos en el
laboratorio mediante la LECTURA y ESCRITURA de la palabra HOLA, eso
garantiza que el funcionamiento del circuito funciona de manera ptima.
Finalmente, no se presentaron mayores inconvenientes en la experiencia
y por tanto, el objetivo de comprobar el funcionamiento del ciclo de
escritura y lectura de la SRAM6116 fue realizado sin problemas.
El display en todo momento se mantuvo funcionando y representa una
ayuda para la realizacin del experimento.

APNDICE
DATASHEET DE LA MEMORIA SRAM 6116
DIAGRAMA DE BLOQUES:

15

CONFIGURACION Y DESCRIPCION DE LOS PINES:

TABLA DE
VERDAD:

CARACTERISTICAS GENERALES:

Organizacin de la memoria: 2048 X 8

Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW
Baja potencia en estado activo: 160 mW
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados.
Potencia de disipacin: 1 Watts
Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la
tecnologa TTL
Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo RAM
6132

RANGOS MAXIMOS:
16

SINCRONIZACION DEL CICLO DE LECTURA N 01

17

SINCRONIZACION DEL CICLO DE LECTURA N02:

SINCRONIZACION DEL CICLO DE LECTURA N03:

SINCRONIZACION PARA EL CICLO DE ESCRITURA N01:

18

SINCRONIZACION PARA EL CICLO DE ESCRITURA N 02:

APLICACIONES DE UNA MEMORIA SRAM 6116:

La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo
(especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto,
cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo
reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es
menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una
alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los
computadores personales.
Frecuencia de reloj y potencia
El consumo elctrico de una SRAM vara dependiendo de la frecuencia con la
cual se accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a la DRAM
cuando es usada en alta frecuencia, y algunos circuitos integrados pueden
consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por otra parte, las SRAM
utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante menor, del orden de
micro-vatios.

19

Usos de las SRAM

Como producto de propsito general:

Con interfaces asncronas como chips 32Kx8 de 28 pines

(nombrados XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de
hasta 16Mbit por chip.

Con interfaces sncronas, principalmente como caches y otras

aplicaciones que requieran transferencias rpidas, de hasta 18Mbit por
chip.

Integrados en chip:

Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.

Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la
familia x86.

Para almacenar los registros de microprocesadores.

En circuitos integrados.

En FPGAs y CPLDs.

Usos integrados en productos

Las SRAM se utilizan en sistemas cientficos e industriales, electrnica del
automvil, y similares. Tambin se pueden encontrar en prcticamente todos los
productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrnica de
usuario.
Tambin se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales,
estaciones de trabajo, routers y la gran mayora de perifricos.

20

Uso de aficionados
Los aficionados a la electrnica prefieren las memorias SRAM debido a su
sencilla interfaz, ya que es mucho ms fcil trabajar con SRAM que con DRAM,
al no existir ciclos de refresco, y poder acceder directamente a los buses de
direccin y de datos en lugar de tener que utilizar multiplexores. Adems, las
SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE),
y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM sncronas, se tiene adems la
seal de reloj (CLK)

21