APLICACIN FUENTES DE CORRIENTE (POLARIZACION; CARGA ACTIVA)

EINNY VIVIANA JIMNEZ RAMIREZ

COD. 20132005028
STEVEN ORLANDO CHAVEZ RODRGUEZ
COD. 20132005103
BRAYHAN STIVEN SUAREZ LEIVA
COD. 20132005099

JOSE HUGO CASTELLANOS

UNIERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDAS

INGENIERA ELECTRNICA
ELECTRNICA II
BOGOT D.C., AGOSTO 25 DEL 2015

1. INTRODUCCIN

En el siguiente laboratorio se utilizara las redes clsicas de polarizacin

de un transistor (en especfico se usara la polarizacin universal por sus
propiedades de estabilidad trmica entre otras), se proceder a calcular
las resistencias y los voltajes de polarizacin para cumplir con las
condiciones dadas en el laboratorio (Icq=0.4 mA; VrcVreVce).Adems se
implementara los espejos de corriente para lograr polarizar el transistor
por medio de fuentes de corriente y aplicarles cargas activas.

2. OBJETIVOS
2.1 Medir y comparar
calculados.

los valores de Vrc, Vre, Vce e Ic con los valores

2.2 Aplicar el concepto de Espejos de Corriente (polarizacin con fuetes

de corriente) para el circuito anteriormente mencionado.
2.3 Comparar los valores de Vrc, Vre, Vce e Ic polarizado el circuito con
fuentes de corrientes.
2.4 Aplicar el concepto de carga al circuito polarizado con fuentes de
corrientes, medir y comparar los valores de Vrc, Vre, Vce e Ic.

3. MARCO TERICO
3.1 Polarizacin por divisor de tensin:
En esta red de polarizacin el emisor del BJT est conectado por medio
de una resistencia al negativo de la fuente de tensin y el colector va
conectado a la parte positiva de sta misma. La base del transistor est
conectada a la fuente de tensin por medio de dos resistencias, una de
ellas va conectada a la parte positiva de la fuente de tensin, llamada
Rb1.La otra resistencia de base llamada Rb2 va a la tierra del circuito, es
decir a la parte negativa de la fuente de tensin, como se aprecia en la
figura (1). Esto aporta grandes ventajas como, por ejemplo, lograr
alcanzar una gran estabilidad trmica del punto de operacin.

Figura (1).Polarizacin por divisor de tensin o universal.

Este circuito se puede simplificar por medio de tcnicas de reduccin de

circuitos como el teorema de Thvenin.Este teorema se aplicara en los
componentes V1, Rb1 y Rb2, de tal manera el circuito quedara como se
muestra en la figura (2).

Figura (2).Circuito equivalente aplicando Thvenin.

Donde:
Vth es el voltaje de Thvenin encontrado.
V th =

V 1 Rb 2
R b 1+ R b 2

Rth es la resistencia de Thvenin encontrado.

Rth =

R b1 Rb 2
R b 1+ R b 2

De este circuito se obtienen las ecuaciones estticas de entrada y salida

usando la ley de voltajes de Kirchhoff, las cuales se muestran en la ec
(1). Y ec (2).
Ecuacin esttica de entrada:
V th =I B R th +V BE + I E R E ec ( 1 )
Ecuacin esttica de salida:
V 1=I C RC +V CE + I E R E ec ( 2 )
Esto se hace con el propsito de reducir el circuito, ya mencionado
anteriormente, adems de permitir realizar un anlisis de circuitos con
menor complejidad.

3.2 Polarizacin por fuentes de corriente (espejos de corriente):

En los microcircuitos electrnicos es esencial el espacio que ocupan los
componentes que lo conforman, por tal razn las resistencias
convencionales que polarizan al transistor es un gran impedimento para
la construccin de los microcircuitos.
La solucin a este problema fue la implementacin de otras tcnicas de
polarizacin como por ejemplo el uso de fuentes de corriente, la cual
era una gran opcin ya que existen configuraciones que proporcionan
corriente de un modo ms o menos independiente de las tensiones de
alimentacin, del valor de la resistencia de carga, etc.
Estas polarizaciones son estructuras constituidas por varios transistores
pero esto genera un alto costo por lo que se crearon estructuras ms
sencillas capaces de reflejar una corriente que entra en una malla en
otra, lo cual recibe el nombre de espejos de corrientes.
3.3 Espejos de corriente BJT bsico:
En la figura (3) se muestra la forma ms simple de un espejo de
corriente, este es el componente ms elemental a la hora de construir
circuitos de fuentes de corriente y de direccin de corriente estable. El
espejo de corriente consta de 2 transistores acoplados Q 1 y Q2 con sus
bases y emisores conectados juntos y por consiguiente tiene el mismo
VBE.El transistor Q2 est conectado como diodo al tener en cortocircuito
su base y colector.

Figura (3).Espejo de corriente simple.

En el circuito de espejo de corriente se debe asegurar una corriente de

referencia que se llamar I ref , la cual aseguramos indirectamente por
medio de la fuente de voltaje VCC y la resistencia R. Esto nos asegurara
que por el transistor Q2 circule una corriente Iref y que por consiguiente
esta misma corriente circule por el colector del transistor Q 1, donde se
tomar la corriente de salida llamada Io.
La corriente de referencia Iref est dada por la ec (3):
I REF=

V CC V BE
ec (3)
R

Donde:
Iref es la corriente de referencia.
Vcc es la tensin de alimentacin.
VBE es la tensin base-emisor que es aproximadamente 0.7v.
R es la resistencia de referencia.

4. PROCEDIMIENTO

4.1 Clculos tericos

4.1.1 Montar el diseo de la red resistiva clsica de polarizacin para
ICQ= 0.4 mA, VCC = 6 V. Verificar voltajes y corriente IC. (Polarizar
para VRCVCEVRE en malla salida) completar tabla.

Vcc=V RC +V CE +V
V RC =V CE =V
6 V =3 Vx
Vx=2V

RC =

V RC
2V
=
=5 K
I C 0,4 mA

Por estabilidad trmica:

RB =0,1 R E
=100

RB =50 K

V th =

V cc R B 1 ( 6 V ) (100 K )
=
=3V
R B 1 + RB 2
200 K

RB =RB 1 R B 2
RB 1 =100 K

Ic=0,4 mA

IC I E

I
( C)(RC )
V RC =

R E=

V
2V
=
=5 K
I E 0,4 mA

RB 1 =100 K

4.1.2

I ref =

Rref =

VccV BE
Rref

VccV BE 6 V 0,7 v
=
=13,25 K
I ref
0,4 mA

4.1.3
En este circuito se aplica el
mismo concepto de espejo
de corriente del punto
anterior, para lograr una
carga activa .

4.2 Desarrollo de la gua

4.2.1 Montar el diseo de la
red resistiva clsica de
polarizacin para ICQ= 0.4
mA, VCC = 6 V. Verificar
voltajes
y
corriente
IC.
(Polarizar para VRCVCEVRE
en malla salida) completar
tabla.

VRC

VCE

VRE

IC

Me Cal Me Cal Me Cal Me cal

dido

culado

dido

culado

dido

culado

dida

culada

2.02V

2V

1.81 V

2V

2.01V

2V

0,38mA

0,4mA

%Error

1%

9.5%

0,5%

5%

4.2.2 Polarizar ahora el transistor utilizando fuente de corriente, para las

mismas condiciones del paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar
resultados con los obtenidos en paso anterior.

VRC

VCE

VRE

IC

Medido

Calculado

Medido

Calculado

Medido

Calculado

Medida

calculada

2.004 V

2V

1.80 V

2V

2.18V

2V

0,405mA

0,4mA

%Error

0.2%

10%

9%

1.25%

4.2.3 Utilizar una carga activa, utilizando fuente de corriente, a cambio de R c

(con transistores PNP con caractersticas similares a los del arreglo CA8086)
para mismas condiciones paso 1. Medir y anotar en tabla. (Incluido Av y
comparar con la del paso 1)

VRC

VCE

VRE

IC

Medido

Calculado

Medido

Calculado

Medido

Calculado

Medida

calculada

2.004
V(0.89)

2V

1.80 V
(2.77)

2V

2.18V
(2.19)

2V

0,405mA

0,4mA

%Error

0.2%

5. SIMULACIONES
5.1 Primer punto:
Voltajes:

10%

9%

1.25%

Corriente Ic:

5.2 Segundo punto:

Voltajes:

Corriente Ic:

5.3 Tercer punto:

Corriente Ic:

6. CONCLUSIONES
6.1 No es posible repartir equitativamente los voltajes del
numeral 3 del procedimiento, puesto que el espejo de corriente
asegura una corriente estable mas no garantiza el voltaje, por
sus propiedades de componente activo.