Universidad del Atlntico

Facultad de Ingeniera
Programa de Ingeniera Mecnica
Laboratorio de Electrnica

CURVAS CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES

Transistors characteristic curves
L. Cervantes Oliverosa, L. Otero Herreraa, D. Pjaro Viloriaa, R. Rangel Alarcna*
a

Facultad de Ingeniera, Universidad del Atlntico. Barranquilla, Colombia.

Entregado: octubre 19 de 2014

Resumen
Por medio de esta experiencia de laboratorio, se desea estudiar las caractersticas principales y las propiedades que posee un transistor NPN. Para lograr esto, se realizarn mediciones de tensiones en cada
uno de los elementos que se intalen en el circuito, para as hacer una comparacin significativa entre lo
sucedido en el montaje real y lo que arrojen las simulaciones. Se espera obtener un comportamiento
semejante al ilustrado en la teora y las simulaciones, que nos permita corroborarla y fortalcer los conceptos estudiados.
Palabras claves: Transistor, NPN, ganancia.
Abstract
Through this lab, we want to study the main characteristics and properties has an NPN transistor. To
accomplish this, measurements were made tensions in each of the elements in the circuit intalen, so
make a meaningful comparison between what happened in the actual assembly and simulations that
shed. It is expected to get a behav-treat- similar to that shown in theory and simulations, allowing us to
corroborate and for-talcer the concepts studied.
Keywords: Transistor, NPN, gain.

1. Introduccin
El transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales
-emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricacin, puede ser de dos tipos: NPN y PNP. En la figura 1
se encuentran los smbolos de circuito y nomenclatura
de sus terminales. La forma de distinguir un transistor
de tipo NPN de un PNP es observando la flecha del terminal de emisor. En un NPN esta flecha apunta hacia
fuera del transistor; en un PNP la flecha apunta hacia

* rerangel@mail.uniatlantico.edu.co

dentro. Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el sentido de la corriente que circula por el
emisor del transistor.

Fig. 1. Simbologa y nomenclatura de un transistor

Gracias a este dispositivo es posible controlar una gran

potencia a partir de una pequea. En la figura 2 se puede
ver un ejemplo cualitativo del funcionamiento del
mismo. Entre los terminales de colector (C) y emisor (E)
se aplica la potencia a regular, y en el terminal de base
(B) se aplica la seal de control gracias a la que controlamos la potencia. Con pequeas variaciones de corriente
a travs delterminal de base, se consiguen grandes variaciones a travs de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede convertir esta variacin de corriente en variaciones de tensin segn sea necesario.

Del circuito anterior se pueden obtener las siguientes

ecuaciones, que posteriormente ayudarn a hacer una
comaparacin significativa con el montaje experimental
y los resultados que este arroje. Asumiendo que el transistor es un nodo, se aplica la ley de las corrientes de Kirchhoff LCK, arrojando como resultado:
= +

(1)

De igual forma, aplicando la ley de las tensiones de Kirchhoff (LTK) sobre el transistor, se obtiene:
+ + = 0
(2)
Ahora, si se estudia la tensin que hay en cada nodo del
transistor (ver figura 4), los valores de la ecuacin 2 se
pueden obtener de la siguiente manera:

=
{ = }
=
Fig. 2. Principio de funcionamiento
Fig. 4. Tensiones en el transistor

En resumidas cuentas, un transistor se puede considerar

como un diodo en directa (unin emisor-base) por el que
circula una corriente elevada, y un diodo en inversa
(unin base-colector), por el que, en principio, no debera circular corriente, pero que acta como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por
emisor-base.

Para el montaje de emisor comn (EC) la tensin VE es

cero, por ende, las ecuaciones quedan reescritas de la siguiente manera:
=
{ = }
=

El montaje bsico que se realiza para estudiar el comportamiento de un transistor NPN es el que se ilustra en la
figura 3.

(3)

Cuando se est trabajando bajo la conexin de emisor

comn, se debe introducir un factor denominado ganancia de corriente de emisor comn. Este factor es una propiedad de cada transistor y por lo general opta en un valor en el rango de 50 a 1000.
En base al factor de ganancia de emisor comn, es posible obtener una ecuacin que relacione las corientes que
pasan por el transistor. Esta ecuacin es la que se muestra a continuacin:
=

Fig. 3. Circuito bsico

(4)

Con base a la ecuacin anterior, es posible entender el

porque con una pequea corriente de base se producen
corrientes mucho mayores de colector.

Fuente
Multimetro

Al igual que en el anlisis de diodos, en los transistores

se plantean dos aproximaciones del potencial emisorbase. La primera aproximacin considera a un transistor
ideal, por ende dice que la diferencia de potencial de la
base-emisor es cero (VBE = 0). Esta aproximacin es usada
con el fin de agilizar clculos, pero no es recomendable
cuando se tienen fuentes de base muy pequeas; de ah
a que se considere la segunda aproximacin, la cual recomienda que VBE = 0,7 para transistores de silicio y VBE
= 0,3 para transistores de germanio.

Se coloca el multmetro en continuidad.

b.

Se pone en contacto el terminal negativo del

multmetro con la pata del centro del transistor.

c.

Se pone en contacto el terminal positivo del

multmetro con una de las patas del extremo y
se mira el valor marcado por el multmetro.

d.

Se repite el paso C para el terminal faltante.

e.

La medicin que arroje el mayor valor har nfasis en el terminal del emisor y la que arroje
menor valor, dar por consecuencia, el extremo del colector.

El montaje que se realiz es el que se ilustra a continuacin:

Existe un documento que muestra todas las caractersticas de un transistor, dependiendo del tipo de fabricante.
Dicho documento es llamado datasheet y en l se puede
encontrar valores de voltaje crtico o mximo que soporta el elemento, la ganancia en corriente directa a diferentes condiciones de temperatura, corriente o tensin.
Adems, indica grficamente cuales son cada una de las
terminales del transistor (emisor, base y colector). Pero
cuando no se tiene el datasheet del dispositivo, es posible deteriminar cual es el nombre de cada terminal del
transistor. Esto se logra realizando loa siguientes pasos:
a.

2
2

Fig. 5. Montaje del circuito en Multisim 12.0

Fig. 6. Montaje real del circuito

2. Procedimiento Experimental
Los elementos electrocnicos que se usaron en esta experiencia fueron los siguientes:
Tabla No. 1: Elementos electronicos
Fig. 7. Fuentes de colector y base usadas en el montaje

Elemento
Resistencia
Resistencia
Transistor

Cant
1
1
1

valor
100 K
1 K
2N3904

Paso seguido, se ajust la fuente del colector y de base a

0V. Luego, se hizo variar la fuente de base de 0V hasta
0,9V y se tomaron los voltajes que se iustran en la figura

8. Lo anterior se repiti para voltajes de fuente de colector de 5V y 10V, donde tambin se variaron los rangos
de voltaje de la fuente de base; con valores de 0V a 1,01V
y 0V a 1,2V respectivamente. Los datos obtenidos en las
mediciones se muestran tabulados en la tabla 2

0,93
0,98
1,04
1,11
1,2

9,44
9,34
9,23
9,11
8,94

0,62
0,63
0,63
0,63
0,64

0,3
0,33
0,4
0,46
0,54

0,53
0,63
0,74
0,85
1,04

Para poder obtener la curva caracreristica de salida del

transistor NPN, se tomo ahora como fuente variable la
fuente de colector, la cual se vari en un rango de 0V a
10V y se mantuvo contante la corriente de base con un
valor de 3A. Las mediciones obtenidas fueron:
Tabla No. 3: Mediciones para curva de salida transistor
NPN.EC

IB (A)
Fig. 8. Esquema de medicin de tensiones en el circuito
Tabla No. 2: Valores obtenidos (V)

VCC

0V

5,03V

10,02 V

VBB
0
0,29
0,42
0,58
0,68
0,72
0,8
0,9
0
0,11
0,19
0,31
0,44
0,54
0,66
0,72
0,8
0,86
0,93
1,01
0
0,11
0,24
0,33
0,43
0,52
0,63
0,72
0,8

VCE VB-GROUND
0
0
0
0,27
0
0,42
0
0,51
0
0,53
0
0,53
0
0,54
0
0,56
5,03
0
5,03
0,09
5,03
0,17
5,03
0,27
5,02
0,39
5,01
0,48
4,92
0,54
4,83
0,57
4,71
0,59
4,6
0,61
4,48
0,62
4,36
0,63
10,02
0
10,01
0,09
10
0,21
10
0,3
10
0,38
9,99
0,46
9,91
0,53
9,79
0,57
9,66
0,59

V100K
0
0
0
0,06
0,13
0,18
0,24
0,33
0
0
0
0
0,01
0,03
0,11
0,15
0,2
0,25
0,3
0,37
0
0
0
0
0
0,03
0,07
0,14
0,2

V1K
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0,08
0,17
0,3
0,41
0,52
0,63
0
0
0
0
0
0
0,07
0,19
0,32

3,00E-06

VCC (V)
0
0,1
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
2,8
3
3,2

IC (A)
0
0,0000476
0,000122
0,000287
0,000459
0,000621
0,000737
0,000745
0,000748
0,000751
0,000755
0,000758
0,000762
0,000765
0,000768
0,000771
0,000774
0,000777

VCE (V)
0
0,05
0,07
0,11
0,14
0,18
0,26
0,45
0,65
0,85
1,05
1,24
1,44
1,64
1,83
2,03
2,23
2,42

3,4

0,00078

2,62

3,6
3,8
4
4,2
4,4
4,6
4,8
5
5,2
5,4
5,6
5,8
6
6,2

0,000784
0,000787
0,00079
0,000793
0,000796
0,000799
0,000803
0,000806
0,000809
0,000812
0,000815
0,000819
0,000822
0,000825

2,82
3,01
3,21
3,41
3,6
3,8
4
4,19
4,39
4,59
4,78
4,98
5,18
5,38

6,4
6,6
6,8
7
7,2
7,4
7,6
7,8
8
8,2
8,4
8,6
8,8
9
9,2
9,4
9,6
9,8
10

0,000828
0,000831
0,000834
0,000838
0,000841
0,000844
0,000847
0,00085
0,000854
0,000857
0,00086
0,000863
0,000866
0,00087
0,000873
0,000876
0,000879
0,000882
0,000886

5,57
5,77
5,97
6,16
6,36
6,56
6,75
6,95
7,15
7,34
7,54
7,74
7,93
8,13
8,33
8,52
8,72
8,92
9,11

Ahora, el anlisis del circuito en estudio se realizar en

dos partes, la primera ser basar en un anlisis terico,
donde se obtendrn las curvas caractersticas del transistor y luego, se buscarn las curvas carcteristicas con los
datos recolectados (anlisis experimental). En base a lo
anterior, se har un contraste entre ambos comportamientos.
Analisis terico.
Para la obtencin de las curvas tericas del transistor se
hizo uso de dos softwares. Proteus se us para recoletar
los 2001 datos que sirvieron para construir la curva de
entrada del transistor NPN. Se hizo variar a una tasa de
0,02V la tensin de la fuente de base, hasta llegar a un
valor de 40V, lo cual arroj un valor de voltaje de emisorbase de 0,72V. La grfica es la que se ilustra a acontinuacin:

3. Resultados
Como primer resultado experimental, se determinar
cual es la ganacia promedio de un transistor, luego este
valor ser comparado con el valor que nos brinda la ficha tcnica (datasheet) de este.
Para determinar la ganancia, nos basamos en la ecuacin
4, primero se calculan las corrientes que circulan por las
resistencias base y colector, luego se hace la divisin correspondiente y se obtiene el valor promedio de ganancia.
La ganancia promedo del capacitor es:
Fig. 10. Curva caracterstica de transistor NPN-EC (entrada)

= 154,95

La curva caracterstica de salida del transistor en conexin emisor-comn se obtuvo por medio del programa
Multisim 12.0, este software trae un instrumento de labVIEW llamado BJT Analyzer, que es capaz de arrojar esta
grfica y poder modificar los rangos de potencial o corriente que se desean estudiar. Los datos que este programa genera se pueden exportar a hojas de clculo de
Excel, para as obtener graficas con mejor resolucin. A
continuacin se ilustra la interfaz de Multisim y seguido
a esta, la grfica obtenida.

Ahora, en el datadheet del transistor se encuentra la siguiente informacin:

Fig. 9. Informacin de ganancia dada por el datasheet

El valor obtenido experimentalmente se encuentra dentro de los rangos que maneja este dispositivo, lo cual
brinda mayor confiabilidad a nuestras mediciones.

1,10E-06
2,40E-06
3,30E-06
1,40E-06
1,50E-06
2,00E-06
2,50E-06
3,00E-06
3,30E-06
3,70E-06
4,00E-06
4,60E-06
5,40E-06

Fig. 11. Interfaz de Multisim 12.0 con BJT Analyzer

0,54
0,54
0,56
0,57
0,57
0,59
0,61
0,62
0,63
0,63
0,63
0,63
0,64

Basado en los datos anteriormente mostrados, se obtiene

la siguiente grfica:

Fig. 12. Curva caracterstica de transistor NPN-EC (Salida)

Cabe anotar, que la grfica de la figura 12 fue trazada

dentro de un intervalo de corrientes de colector [0,3] mA
y un intervalo de tensin colector-emisor VCE [0; 0,12]
V.

Fig. 13. Curva caracterstica de transistor NPN-EC (entrada)-(Experimental)

Anlisis experimental.

Debido a que no se tomaron mediciones de VBE mayores a 0,7V, en la figura 13 no se aprecia el cambio transicional (casi asinttico) del transistor; aun as, se toma la
funcin de la lnea de tendencia y se compara con la funcin de lnea de tendencia obtenida de las mediciones
obtenidas por siminulacin. Dicha comparacin se ilusta
en la figura 14.

De los datos recolectados, aquellos que nos servirn para

poder graficar la curva caracterstica del transistor a la
entrada son los que se muestran en la tabla 4.
Tabla No. 4: Datos recolectados para curva del transistor
NPN-EC (entrada)

IB (A)
1,00E-07
3,00E-07
3,00E-07
6,00E-07
7,00E-07
1,30E-06
1,80E-06

VBE (V)
0,39
0,46
0,48
0,51
0,53
0,53
0,53

Fig. 15. Curva caracterstica de salida del transistor

NPN (experimental)

Fig. 14. Comparacin de anlisis terico y experimental

Basandonos en la teora, se podra decir que la regin

activa que se ilustra en la figura 15 est por fuera de lo
correcto, porque siempre se mantuvo constante el valor
de la corriente de base IB cuando se tomaron las medidad. Pero decir lo anterior sera incurrir en un error, esto
debio a que la corriente de colector si aumenta a medida
que se vara la tensin colector-emisor (en la regin activa). Este aumento es muy pequeo y se debe al ensanchamiento de la franja de empobrecimiento base-colector, que crece a medida que VCE aumenta. Cabe anotar,
que la generacin de esta pendiente trae consigo un aumento de la ganancia del transistor.

En promedio, se presenta una desviacin de los datos

experimentales con respecto a los tericos del 81,9%.
Este resultado es de esperar debido a los siguientes factores:
a.

No se tomaron mediciones por encima de 0,7V,

lo cual acarrea un desajuste en la funcin que
describe el comportamiento experimental del
transistor.

b.

Aun cuando los fabricantes construyan transistores con igual referencia, la diferencia entre
unos y otros es muy grande, lo cual trae consigo que el comportamiento de cada uno sea
muy diferente. Esto se trae a colacin debido a
que el transistor que se us en la simulacin
puede tener diferentes caractersticas constructivas con respecto al que se us en el montaje real; causando as, las desciaciones que se
presentan en las grficas.

4. Conclusiones
Aun cuando se pec por los pocos datos recolectados, es posible concluir que aunque los transistores pueden tener
igual referencias en el mercado, sus propiedades contructivas acarreran cambios exgerados en su funcionamiento y en
su comportamiento. Se logr apreciar la estrecha relacin
que este dispositvo guarda con respecto a un motaje equivalente de diodos y sus semejanzas en el comportamiento
que estos ilustran en sus curvas caractersticas.

Ahora, para la obtencin de la curva caracterstica de salida del transistor NPN-EC, se graficarn las mediciones
obtenidad (Tabla No. 3).

5. Referencias
[1] Malvino Albert, Bates David. Principios de electrnica, Espaa, McGraw-Hill/Interamericana de Espaa,
1999, p. 1099.
[2] Alexander Charles, Sadikus Matthew. Fundamento de Circuitos Elctricos, Mxico, McGraw-Hill/Interamericana Editores, 2004, p. 1051