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JFET CANAL N

El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material


semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p
situadas a ambos lados.
Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenaje
(drain), fuente (source) y puerta (gate).

La

Polarizacin de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente


polarizadas.
En un JFET de canal n, la tensin de drenado debe ser mayor que la
de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de canal.
Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la
fuente para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente.
Ambas polarizaciones se indican en la figura

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares


a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son
dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que
son dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain
o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source
o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se

definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin


y ruptura.
MOSFET
"FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada
Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versin NPN y otra
PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es
llamado MOSFET de canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dixido de silicio
(SiO2) (tambin llamada "slice" o "slica") es colocada del lado del
semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de
la compuerta (GATE) (ver la figura)
En el de canal N la parte "N" est conectado a la fuente (source) y al
drenaje (drain).
En el de canal P la parte "P" est conectado a la fuente (source) y al
drenaje (drain)

La corriente que circula por el colector es controlada por la


corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los
transistores
FET,
la corriente de
salida
es
controlada
por
una tensin de entrada (un campo elctrico). En este caso no existe
corriente de entrada.
Los transistores MOSFET se pueden daar con facilidad y hay que
manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de xido es muy
delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensin o
hay electricidad esttica.

La siguiente figura, muestra el ejemplo de una familia de curvas de


drenado de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de


VGS como positivas. La corriente ms elevada se consigue con la
tensin ms positiva de VGS y el corte se consigue con tensin
negativa de VGS(apag).

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes


del eje de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar
tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la
corriente IDSS, correspondiente a la interseccin de la curva con el
eje ID, ya no es la de saturacin.

Como ocurra con el JFET, esta curva de tras conductancia es


parablica y la ecuacin que la define es tambin:

POLARIZACION DEL FET


En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada
(corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de
colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada
que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable
(menos de un pico amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la
seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de
condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporcionan
corrientes insignificantes.
Los FETs, bsicamente son de dos tipos:
- El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
- El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET,
tambin conocido como semiconductor de xido de metal, MOS, o
simplemente MOSFET.

El JFET est constituido por una barra de silicio tipo N o canal N,


introducido en una barra o anillo de silicio tipo P tal como se muestra
en la Fig. A
Los terminales del canal N son denominados SURTIDOR (SOURCE) y
DRENADOR (DRAIN). El anillo forma el tercer terminal del JFET
llamado COMPUERTA (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero
posteriormente la corriente circula nicamente desde el surtidor al
Drenado sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efecta por medio de la aplicacin de


un voltaje de polarizacin inverso, aplicado entre la compuerta y el
surtidor (VGS), formando un campo elctrico el cual limita el paso de
la corriente a travs del canal N. Al aumentar el voltaje inverso,
aplicado a la compuerta, aumenta el campo elctrico, y la corriente
de Surtidor a Drenado disminuye.
Tambin se construyen JFETs con barra de silicio tipo P y anillos de
silicio tipo N, denominndose JFET canal P.
El voltaje aplicado entre el Drenado y el Surtidor (VDS), no debe
sobrepasar el voltaje de ruptura (tpicamente 50V) porque destruira
el dispositivo.
Si se aplica polarizacin directa a la compuerta, circular una alta
corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no est
limitada por una resistencia en serie con la compuerta.

Circuitos de polarizacin

POLARIZACION FIJA
TENSION

AUTOPOLARIZACION

DIVISOR DE

Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden
emplear para los MOSFET.
EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe ser
negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos
de polarizacin caractersticos para este tipo de dispositivos.
En este apartado nicamente se presentan dos de los circuitos ms
utilizados: polarizacin simple (figura 1.17), se utiliza una fuente de
tensin externa para generar una VGS<0, y auto polarizacin
(figura1.18), la cada de tensin en la resistencia RS debida a ID
permite generar una VGS<0

Aplicaciones

APLICACIN

PRINCIPAL VENTAJA

USOS

Aislador o separador
(buffer)

Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida,


y de salida baja
receptores

Amplificador de RF

Bajo ruido

Sintonizadores de FM, equipo para


comunicaciones

Mezclador

Baja distorsin de
intermodulacin

Receptores de FM y TV, equipos para


comunicaciones

Amplificador con CAG

Facilidad para controlar


ganancia

Receptores, generadores de seales

Amplificador cascada Baja capacidad de entrada

Instrumentos de medicin, equipos de


prueba

Troceado

Ausencia de deriva

Amplificadores de cc, sistemas de


control de direccin

Resistor variable por


voltaje

Se controla por voltaje

Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas de
tono

Amplificador de baja
frecuencia

Capacidad pequea de
acoplamiento

Audfonos para sordera, transductores


inductivos

Oscilador

Mnima variacin de

Generadores de frecuencia patrn,

Circuito MOS digital

frecuencia

receptores

Pequeo tamao

Integracin en gran escala,


computadores, memorias

TIPOS

Canal
P

Canal
N

JFET

MOSFET
Enriq.

MOSFET Enriq. (sin sustrato)

MOSFET
Empob.

OPTOTRANSISTOR
Se denominan opto aisladores o dispositivos de acoplamiento ptico,
Basan su funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin
luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin
elctrica. Fundamentalmente este dispositivo est formado por una
fuente emisora de luz diodo LED, y un fotosensor de silicio,
normalmente en forma de fototransistor o foto triac que se adapta a
la
sensibilidad
espectral
del
emisor
luminoso.
En otras palabras, no es ms que la combinacin de una fotoemisin
y una foto receptora en un nico dispositivo semiconductor siendo la
conexin entre ellos slo de forma ptica.
Tipos
Existen varios tipos de opto acopladores cuya diferencia entre s
depende de los dispositivos de salida que se inserten en el
componente. Segn esto se destacan entre los principales los
siguientes tipos:

Fototransistor o lineal
Conmuta una variacin de corriente de entrada en una variacin de
tensin de salida. Se utiliza en acoplamientos de lneas telefnicas,
perifricos, audio
Opto tiristor
Diseado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre
una seal lgica y la red.

Optotriac
Al igual que el opto tiristor, se utiliza para aislar una circuitera de baja tensin a
la red.

En general pueden sustituir a rels ya que tienen una velocidad de


conmutacin mayor, as como, la ausencia de rebotes. Se suelen utilizar para
aislar elctricamente a dispositivos muy sensibles.

Smbolo del opto transistor

Smbolo de un opto transistor en configuracin Darlington

Smbolo de un opto transistor de encapsulado ranurado

Smbolo del Optotiristor

Smbolo Optotriac

Encapsulados
El encapsulado vara en funcin del tipo de opto acoplador y de su
aplicacin, as como del nmero de unidades que se encuentren en su
interior. En el caso de opto acopladores sencillos la cpsula, de tipo
DIP, suele tener 6 patillas, siendo estos los ms utilizados.
Funcionamiento
La seal de entrada es aplicada a la foto emisor y la salida es tomada
de la foto receptora. Los opto acopladores son capaces de convertir
una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a
convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un opto
acoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse
entre los circuitos de entrada y salida.

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