EJERCICIO DE ELECTRONICAANALOGICA.

5/3/2012.1GS

1. Un transistor est constituido por dos uniones P-N, polarizadas:

a) Ambas inversamente

@ Una directamente

y otra inversamente

c) Ambas directamente

2. La corriente de electrones que circula por la base de un transistor NPN:

a)

Es del orden del 20% de la total

@ Es del orden
e)

del 4% de la total

Es la totalque pasa por el transistor

3. El efecto transistor, consiste en:

a) Hacer pasar una dbil corriente por una unin P-N polarizada inversamente
b) Hacer pasar una dbil corriente por una unin P-N polarizada directamente

0'

Hacer pasar una gran corriente por una unin

polarizando directamene la otra unin

P-N polarizada

inversamente,

4. La barrera de potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor aproximado

de:

a) O,3V

b) 1V
@0,7V
5. En la operacin nonnal de un transistor, el diodo colector - base, tiene
a)

e)

Polarizacin directa
Polarizacin inversa
La misma que la del diodo emisor - base

6. La ganancia de corriente de un transistor es la razn entre:

a)

La corriente de colector y la de emisor

b)

La corriente de emisor y la de base

@La

corriente colector y la de base

7. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentar:

a)

La corriente de base

@ La corriente
e)

de colector

La corriente de emisor

8. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 200 y la corriente de colector es de

100mA, la corriente de la base es de:
Gi)0,5mA
b)

2mA

e)

102mA

9. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 100 y la corriente

300mA, la corriente de la base es exactamente de:

."]'0 = -- JE- ',,: ~ qt

a) O,33mA

f-rl

@2,97mA

de emisor es

1\
v..r.../~

e) 3,3mA

10. En un transistor
a)

NPN se mide VBE

= 0,7V,

VCE

= 10V,

la VCB es:

10,7V

b) -9,3V
@9,3V

(-

11 0. La potencia disipada
colector multiplicada por.

por un transistor

a) Vse

~~-=._~-

~~

b} VCs - - ~~

es aproximadamente

~~"Ic

-=--=~-~~~

igual a la corriente

_\J~~_~~~'._.---~- _--~

del

-=_-

0Y

ee

12. Si en el emisor de un transistor PNP se miden 5V, la tensin que se mide en la base
es:
a) 5,7V

4,3V

c) 5V

13. Si en la base de un transistor NPN se miden 5V, la tensin que se mide en el emisor
es:
a) 5,7V

@,3V

e) 5V

14. Si en la base de un transistor NPN se miden SV, la tensin que se mide en el emisor
es:
a) 5,7V

@,3V
c) 5V

'_

15. Si entre colector y base de un transistor PNP de Silicio se miden 5,1V.

se mide entre colector y emisor es:

.a tensin

que

a) 5,1V
b) 4,4V

Gs,8V

16. La le de saturacin es:

a) 20 mA
~
5,84mA
6,06 mA

c:D

a} 1;8 V
A16,11V

(3)10 V

18. ta I por el LED es:

Ue:.. 2 -

0\

\JF

']t~J<..:-:~
~13mA
b) 50 mA
e) 30 mA

,"" O , (

1SO. El valor mnimo de Vi para saturar el transistor es:

~

<..9V
e)

24V

2'-1-2 t: 1. L_","",

/).

7,59 V

8,22 V

~+i 5v'
20. El valor de RB es:

)S90K
b) 2 K
143 K

e)

-=

1, ~ V

\-;

~n~

(S) I \ -

-=-

\'Ov

21. La Ve es:
3,02V
b) 5,21 V
~ e 8,89 V

u c. """- lo - \ S

\0'"7

\1

J 3.::' Y3) J : Jti ~

22. La Ve es:

U't -:..
VtJ.fD 1-1:

fa))

1,36 V
3,27 V
e) 1,09 V

'6)

le ~'IL -: l~

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lt I ~::t\J

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.D

3JK

')C \J

. + iS\.!
L i I-=. lA

23. La Ve es:

T +12.V
~ ~oo"-

25. La I por el LEO es:

~
20mA
~27,88mA
e) 22,10 mA

U ] :: '-!-, oJJ{ : f,':}LJ

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