DIODO

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la

circulacin de la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino
generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la
actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos
terminales elctricos. El diodo de vaco (que actualmente ya no se usa, excepto
para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con dos electrodos: una
lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
una resistencia elctrica muy pequea. Debido a este comportamiento, se les
suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la
parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para convertir una corriente
alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est basado en los
experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue
desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa
Marconi, basndose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento
(el ctodo) a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El
filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite
electrones al vaco circundante los cuales son conducidos electrostticamente
hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el nodo),
producindose as la conduccin. Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no
podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban vlvulas de
vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

HISTORIA
Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo
termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos
trmicos. Guhtrie descubri que un electroscopio cargado positivamente podra
descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste
lo tocara. No suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente,
reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el
principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las
bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una
bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la
lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo,
confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaco a la
lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada
positivamente.
Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un
voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884.
Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era
probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al
llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose Fleming (cientfico asesor de
Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto
Edison podra usarse como un radio detector de precisin. Fleming patent el
primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la naturaleza de
conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores. Braun patent el
rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de cobre y selenio
fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la dcada de los 1930.

El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal

semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin de
seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector de
cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de 1906.
Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se
us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento
ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena la ventaja
de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de
cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de
gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal para as obtener una
seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente superado por los
diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvi a usarse
frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de germanio en la
dcada de 1950.
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como
rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del griego
dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino.
Diodos termoinicos y de estado gaseoso
Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida
como tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un
vidrio al vaco. Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara
incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que se
va a calentar calienta indirectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con
una mezcla de Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos alcalinotrreos; se
eligen estas sustancias porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas
vlvulas usan calentamiento directo, donde un filamento de tungsteno acta como
calentador y como ctodo). El calentamiento causa emisin termoinica de
electrones en el vaco. En polarizacin directa, el nodo estaba cargado
positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo, los electrones no eran

fcilmente transportados de la superficie del nodo que no estaba caliente cuando

la vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems, cualquier corriente
en este caso es insignificante.
En la mayor parte del siglo xx, los diodos de vlvula termoinica se usaron en
aplicaciones de seales anlogas, rectificadores y potencia. Hasta el da de hoy,
los diodos de vlvula solamente se usan en aplicaciones exclusivas como
rectificadores en guitarras elctricas, amplificadores de audio, as como equipo
especializado de alta tensin.
Diodo semiconductor
Un diodo semiconductor moderno est hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en l para crear una regin que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una regin en el
otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin. El lmite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unin PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones
del lado n (llamado ctodo), pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una
corriente convencional fluye del nodo al ctodo (opuesto al flujo de los
electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p
(Je). Al establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona
a ambos lados de la unin, zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el
diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Polarizacin directa de un diodo
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta el final.