UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

PRACTICA N 3
NOMBRES: Moncayo Matute Freddy / Torres Daz Cristian Paul
TEMA: EL BJT COMO INTERRUMPOR (EN CONMUTACION).
OBJETIVOS:

Usar el BJT como interruptor en un circuito que comande un foco, a travs de

la existencia o no de claridad en el ambiente

MATERIALES:

Un transistor BJT NPN (2N3904).

Una fuente de 12 VCC (practica anterior).
Cable multipar.
Project board.
1 Resistencia de 50K.
Una LDR.
Multmetro.
Un rel 12VCC.
1 Diodo 100V 1A.
1 Boquilla.
1 Foco 20W CA.

MARCO TEORICO
EL TRANSISTOR
Es un dispositivo que puede utilizarse para amplificar seales o como interruptor
para permitir o no el paso de la corriente dentro de un circuito (esto es lo que
sucede con lo que normalmente conocemos como unos y ceros en un ordenador).
Los tipos de transistor que se utilizan principalmente en la actualidad son:

Transistor de efecto campo o FET.

Fototransistores
Transistor de unin bipolar o BJT.

Transistor de Efecto Campo o FET

Es bastante similar al transistor BJT, con la diferencia de que ste se regula
mediante tensin en lugar de corriente debido a que tiene una impedancia de
entrada alta. Una forma de comprender este concepto es que al tener una
resistencia a la entrada de la base grande, la corriente de la base siempre ser
pequea y lo que marca la diferencia es el voltaje.
Algunas de sus virtudes son su menor consumo y su rapidez a la hora de cambiar de
estado (de estado de corte a estado de saturacin). Sin embargo, estos transistores
suelen tener una ganancia menor, es decir, amplifican menos. El hecho de que este
transistor amplifique menos y responda ms rpidamente a los cambios, lo hacen
especialmente til a la hora de utilizarlos como interruptores.
Fototransistores
Estos tipos de transistores son menos frecuentes en las aplicaciones DIY. Su
funcionamiento es similar al de los BJT, con la diferencia de que la corriente de la
base puede ser gestionada mediante la luz incidente (al igual que sucede con otros
elementos como las fotorresistencias).

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Transistor BJT (bipolar junction transistor)
Es un transistor en el que se permite que circule una
corriente grande (entre el colector y el emisor) en
funcin de una pequea corriente que circula por la
base. Otra forma de verlo es pensar que cuando circula
corriente por la base la resistividad entre colector y
emisor se reduce, con el consecuente aumento de la
corriente.
En funcin de la corriente que est circulando por la base el transistor se
comportar de alguna de las siguientes formas:
Corte: circuito abierto (interruptor abierto) entre colector y emisor, si la corriente
que circula por la base es nula.
Saturacin: como circuito cerrando entre colector y emisor y con un aumento
grande de corriente.
Activa: En un determinado rango de corrientes de base, la amplificacin, el aumento
de corriente, que se aprecia entre colector y emisor se puede regular.
Suelen ser preferibles a la hora de utilizarlos como amplificadores aunque tambin
se utilizan como interruptores, sobre todo cuando los cambios de estado cortesaturacin no tienen que ser excesivamente rpidos.
Las terminales se identifican por medio de las letras maysculas E para emisor, C
para colector y B para base.
Uso del Transistor como Interruptor
Cuando se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor
para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin
- Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente
igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual al voltaje de
alimentacin).
- Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un
voltaje colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios).
Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser
bajo o mejor an, cero.
Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base
debe calcularse dependiendo de la carga que se est operando entre encendido y
apagado (funcionamiento de interruptor)
Si se conoce cul es la corriente que necesita la carga para activarse (se supone un
bombillo o foco), se tiene el valor de corriente que habr de conducir el transistor
cuando este en saturacin y con el valor de la fuente de alimentacin del circuito, se
puede obtener la recta de carga.
Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en saturacin, Ic
debe ser mximo y VCE mnimo y para que est en corte, Ic debe ser el mnimo y
VCE el mximo.
LDR - Resistencia dependiente de la luz Fotorresistencia
El LDR (Light Dependent Resistor) o tambin fotoclula, es una resistencia que vara
su resistencia en funcin de la luz que incide sobre su superficie. Cuanto mayor sea
la intensidad de la luz que incide en la superficie del LDR menor ser su resistencia
y cuanto menos luz incida mayor ser su resistencia.

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Fig. 2. Foto y Esquema de una LDR.

Fig. 3. Smbolo

electrnico de una LDR.

PROCEDIMIENTO:
1. Disear y calcular un circuito que encienda un foco de CA cuando haya
oscuridad, y el foco se apague cuando haya claridad en el ambiente. Todos los
transistores que usen deben estar en conmutacin. Para mejorar la
sensibilidad y asegurar que el transistor este en conmutacin puede usar un
potencimetro en la resistencia de base. Usar un RELE y un foco de 20W CA (NO
un LED)
CIRCUITO PROPUESTO

CALCULOS
Datos Conocidos:
Transistor BJT NPN 2N3904
HFE = 155
Corriente en el Rele (Ic)
Ic= 28.7 mA
Resistencia del Rele (Rc)
Rc=400
Resistencia del LDR
En presencia de luz = 0.82k
En obscuridad (sin luz) = 7 k
Clculos:

Ic
28 . 7 mA
Ib=
=
=0.1 85 mA
HFE
155
Con presencia de luz en el LDR, el rel estar con
un contacto normalmente abierto y por lo tanto el
foco se encuentra apagado.

Luz I LDR=

0.7 V
=0.85 mA
0.82 k

Si luz I LDR =

0.7 V
=0.07 mA
7k

Ib+ I LDR =

( 0.07+0. 1 8 5 ) mA =0. 255 mA

Rb=

120.7 V
=44 .56 k 45 k
0.255 mA

G=2

Ibsat=
Sin presencia de luz en el LDR, el rel cambiara a
su contacto
cerrado, por lo tanto el foco se
encender.

28 .7 mA2
=0. 3272 mA
155

Saturacin
Vce=0

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Ic max =

Vcc
12V
=
=30 mA
Rc 0.4 k

Qsat =(0 ; 30 mA )
Corte
Ic=0
Vce=Vcc

V CEmax =12 V
Q corte=(12V ; 0)

2. Comprobamos que el transistor (o los transistores) a ser usado este en

buenas condiciones. Identificamos sus terminales y medimos su HFE
(foto real). Dibuje el transistor usado con el nombre de cada uno de sus
terminales y alguna otra caracterstica importante que se pueda obtener
del catlogo.
PARAMETRO

VALOR

HFE

155

IC

28.7 mA

POTENCIAFISICA 0.33
W
APARIENCIA
Y TERMINALES:

FOTO

Calculado(P=V*I)

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Fig. 4. Smbolo electrnico de una LDR.

Caractersticas y Parmetros del transistor

TRANSISTOR 2N3904 : PARAMETROS Y CARACTERISTICAS
Material del Transistor
Si
Polaridad
NPN
Mximo Potencia de disipacin en
0.34W
el colector
Mximo voltaje colector- Base
60V
Mximo voltaje colector -emisor
40V
Mximo voltaje emisor - Base
6V
Mxima corriente Colector
0.2A
Temperatura Mxima soportable
135C
Frecuencia del Transistor
300MHz
Capacitancia del colector
4 pF
Velocidad de transferencia de
40 min
corriente directa

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Realice y muestre los esquemas y resultados de las pruebas.
3. Explique tcnica y detalladamente el funcionamiento del circuito diseado.
Explique adems: para que se coloca un diodo en antiparaleo a la bobina
del rel?
Funcionamiento del circuito diseado.
Al LDR (luz dependiente de la resistencia) cuando le llega luz directa su
resistencia disminuye y cuando no hay presencia de luz en el LDR su resistencia
aumenta y con este hecho se realizan los clculos de manera que cuando le
llegue luz al LDR el transistor est en condicin de corte es decir VCE = VCC y la
IC = 0 de manera que el rel este desactivado y cuando no haya luz en el LDR el
transistor est en condicin de saturacin es decir IC sea mxima y VCE = 0 de
manera que el rel est activado y se encienda la lmpara.
Para qu se coloca un diodo en antiparaleo a la bobina del rel?
El diodo en antiparalelo con la bobina del relevador impide, por su accin
limitante, que ocurra un gran transitorio de voltaje en el colector cuando el
transistor se apaga (PROTECCION CONTRA INVERSIONES DE POLARIDAD)
4. Armar lo diseado y comprobar su correcto funcionamiento. (Utilizar la
fuente de la practica anterior)
Como el transistor debe estar en conmutacin, el punto de trabajo del transistor de
carga el que comanda la bobina del rel, debe cambiar de la zona de corte a la de
saturacin. Compruebe que eso suceda midiendo, llenando y comentando los
siguientes cuadros de resultados.

Vcc=11.89V
BOBINA DEL RELE ACTIVADA O ENERGIZADA:
VCE
Ic
Zona de
(V)
(mA)
trabajo

Transistor
de carga.

0.18V

28.5

FOTO Ic (mA)

Zona de
Saturacin

UBICACIN DEL PUNTO DE TRABAJO EN LA RECTA DE CARGA

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Comentario: EL punto de trabajo es Q:(0.18V; 28.5mA) y se encuentra en la Zona de
saturacin ya que se encuentra cercano al punto de Saturacin Calculado y diseado el
cual fue de

Qsat :(0 V ;30 mA ) , si la medicin no es precisa es porque pueden influir

razones fsicas como por ejemplo la presencia de luz aun en la LDR y razones de diseo
ya que fue diseada para un Vcc de 12V y nuestra fuente est en los 11.89V.
BOBINA DEL RELE DESACTIVADA:

Transisto
r de
carga.

VCE
(V)

Ic
(mA)

Zona de
trabajo

11.85

0.18

Zona de
Corte

FOTO VCE (V)

UBICACIN DEL PUNTO DE TRABAJO EN LA RECTA DE CARGA.

Comentario: EL punto de trabajo es Q:(11.85V; 0.18mA) y se encuentra en la Zona

de corte ya que se encuentra cercano al punto de Corte Calculado y diseado el cual
fue de

Q corte : (12 V ; 0 mA ) , si la medicin no es precisa es porque pueden influir

razones fsicas como por ejemplo no la suficiente presencia de luz en la LDR para
llegar a valores ptimos, e influyen razones de diseo ya que fue diseada para un
Vcc de 12V y nuestra fuente est en los 11.89V.
5. Tomarle una fotografa a su circuito en sus diversas etapas de
funcionamiento.
Fuente de 12V de la prctica anterior (LED encendido):

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Fig. 5. Fuente de 12V de la prctica anterior (LED encendido).

Fig. 6. LDR con presencia de luz el foco de la lmpara est apagada:

Fig. 7. Ausencia de luz en el LDR el foco de lmpara se prende.

CONCLUSIONES.

En esta prctica se pudo notar la aplicacin del transistor como interruptor al pasar
de un estado de saturacin a un estado de corte, y para lograr que el circuito
conmute en un brillo adecuado o dependiendo este del ambiente en este caso se
hizo el clculo de la resistencia adecuada con la cual con una mnima presencia de
luz se prenda el foco y con la ausencia de luz el foco se apague este denota la
sensibilidad del LDR claro que se la podra regular mediante un potencimetro el
cual dara la facilidad de regular la resistencia y as definir la cantidad de luz a la

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cual debe apagarse y prenderse esta es una aplicacin muy importante para
postes de alumbrado pblico que apenas est anocheciendo estos interactan y se
encienden tambin tienes otras aplicaciones en amplificacin los cuales estos si
trabajan entre el rango de corte y saturacin.
Unas de las dificultades que tuvimos fue definir la resistencia ya que el circuito
esta armado con un partidor de tensin y pues este tipo de conexin tiene su
dificultad al definir la saturacin y corte.

Bibliografa
[1] Dispositivos electrnicos, Floyd, 8va edicin.
[2] Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, R. L. Boylestad,
10ma edicin.
[3] http://www.infoplc.net/blogs-automatizacion/item/101740-diferencias-pnpvs-npn-sensores-cableado-automata
[4] https://www.youtube.com/watch?v=NlVh2aImLRQ

ANEXO.
Simule el circuito y muestre su funcionamiento.
SIMULACIONES REALIZADAS EN EL SOFTWARE LIVEWIRE
Con presencia de luz (foco apagado y rel desactivado)

Con ausencia de luz (foco encendido y rel activado)

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RUTEADO