Capitulo2ElectrnicadePotencia

Capitulo2

Tr ansistor esdePotencia

TransistoresdePotencia

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Indice:
1.ELTRANSISTORDEPOTENCIA ......................................................................................................3
1.1. PRINCIPIOSBSICOSDEFUNCIONAMIENTO ..............................................................................................4

1.1.1.Tiemposdeconmutacin............................................................................................................4
1.1.2.Otrosparmetrosimportantes....................................................................................................5
1.1.3.Modosdetrabajo .......................................................................................................................6
1.1.4.Avalanchasecundaria.CurvasSOA. ..........................................................................................7
1.1.5.Efectoproducidoporcargainductiva.Protecciones. ..................................................................8
1.1.6.Clculodepotenciasdisipadasenconmutacinconcargaresistiva ...........................................9
1.1.7.Clculodepotenciasdisipadasenconmutacinconcargainductiva ........................................11
1.2. DISPAROYPROTECCINDELTRANSISTORDEPOTENCIA ........................................................................11
2.TRANSISTORDEPOTENCIA(BJ TOBPT)....................................................................................14
2.1. MODELODELESTADODEENCENDIDO ...................................................................................................14
2.2. MODELODELESTADODEAPAGADO ......................................................................................................14
2.3. READE OPERACINSEGURA ..............................................................................................................14
2.4. REQUERIMIENTOSDINMICOSDELACORRIENTEDEBASE ....................................................................15
3.MOSFETDEPOTENCIA...................................................................................................................16
3.1. MODELADODELMOSFET...................................................................................................................16
3.2. CARACTERSTICASENRGIMENPERMANENTE .......................................................................................17
3.2.1.ParmetrosdelMOSFET.........................................................................................................20
3.3. CONEXINDE MOSFETSENPARALELO ...............................................................................................21
3.4. CARACTERSTICASDECONMUTACINDELOSMOSFETS......................................................................21
3.5. CIRCUITOSDEDISPARODECOMPUERTA ................................................................................................23
4.IGBTS ..................................................................................................................................................24
4.1. INTRODUCCIN ....................................................................................................................................24
4.2. DESCRIPCINDEL IGBT.......................................................................................................................24
4.3. CARACTERSTICADECONMUTACINDELOS IGBT ..............................................................................25

4.3.1.TransicinenelEncendido(turnon) .......................................................................................25
4.3.2.TransicinenelApagado(turnoff)..........................................................................................26
4.4. AREADE OPERACINSEGURAENEL IGBT...........................................................................................28
4.5. REQUERIMIENTOSDECIRCUITOSDEDISPAROENLOS IGBT ...................................................................29
4.6. CONSIDERACIONESENLACOMPUERTADURANTEELDISEO ..................................................................31
5.BIBLIOGRAFIADEREFERENCIADELCAPITULO....................................................................31

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0.ELTRANSISTORDEPOTENCIA
Elfuncionamientoyutilizacindelostransistoresdepotencia odeconmutacinesidnticoalde
lostransistorescomunes,teniendocomocaractersticasespecialeslasaltastensioneseintensidades
quetienenquesoportary,portanto,lasaltaspotenciasadisipar.
Los transistores de potencia poseen caractersticas controladas de activacin (turnon) y
desactivacin(turnoff).Lostransistores,queseutilizancomoelementosconmutadores,seoperan
enlaregin desaturacin, loque da comoresultadouna cada detensin muybaja enestadode
conduccin. La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mayor que la de los
tiristores, por lo que son muy utilizados en convertidores de CC/CA o CA/CC, con diodos
conectados enantiparaleloparaproporcionar un flujode corrientebidireccional. No obstantelas
aplicacionesentensinycorrientesonmenoresqueladelostiristores.Porloexpuestosededuce
quelostransistoresdeconmutacinseutilizanenelcampodebajaymedianapotencia.
Existentrestiposdetransistoresdepotencia:
Transistoresbipolaresdejuntura................................................................. BJT.
Transistoressemiconductoresdemetaldexidodeefectodecampo......... MOSFET.
Transistoresbipolaresdecompuertaaislada................................................ IGBT.
Losparmetrosfundamentalesaconsiderarson:
Par metr os
Impedanciadeentrada
Gananciaencorriente
ResistenciaON(saturacin)
ResistenciaOFF(corte)
Tensinaplicable
Mximatemperaturadeoperacin
Frecuenciadetrabajo
Costo

MOS
Alta
Alta
Media/alta
Alta
Alta
Alta
Alta
Alto

Media
Media
Baja
Alta
1000V
Alta
200C
Media
100500Khz Baja
Medio
1010 W
107

Bipolar
104 W
10100

1200V
150C
1080Khz

El IGBT ofrece las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los
transistoresbipolares:
Trabajacontensin.
Tiemposdeconmutacinbajos.
Disipacinmuchomayor(comolosbipolares).
Es importante que las caractersticas de los transistores en potencia se aproximen a las
caractersticasdeuntransistorideal,talescomo:
Corrientesdefugaspequeas.
Manejaraltapotencia.
Bajostiemposdeconmutacin(ton,toff),paraconseguirunaaltafrecuenciadefuncionamiento.
Altaconcentracindeintensidadporunidaddesuperficiedelsemiconductor.
Queelefectoavalanchaseproduzcaaunvalorelevado(VCE mximaelevada).
Quenoseproduzcanpuntoscalientes(grandesdi/dt).
Unalimitacinimportantedetodoslosdispositivosdepotenciayconcretamentedelostransistores
bipolares, es que elpaso debloqueo a conduccin y viceversa nosehaceinstantneamente, sino
que existe un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades
asociadasalasunionescolectorbaseybaseemisorylostiemposdedifusinyrecombinacin
delosportadores.

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0.0. Pr incipiosbsicosdefuncionamiento
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin
sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectaruna corriente de base para
regularlacorrientedecolector,mientrasqueenelFETelcontrolsehacemediantelaaplicacinde
una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de
ambosdispositivos,quesonsubstancialmentedistintas.
Esunacaractersticacomn,sinembargo, elhechodequelapotenciaqueconsumeelterminalde
control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos
terminales.
Enresumen,sedestacantrescaractersticasfundamentales:
EnuntransistorbipolarIB controlalamagnituddeIC.
EnunFET,latensinVGS controlalacorrienteID.
Enamboscasos,conunapotenciapequeapuedecontrolarseotrabastantemayor.
0.0.0.Tiemposdeconmutacin

Fig.1 Conmutacinenlostransistoresdepotencia

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Teniendo en
cuentalosefectosderetardodeconmutacin,alcambiardeunestadoaotroseproduceunpicode
potenciadisipada, yaqueenesosinstanteselproductoIC xVCE vaatenerunvalorapreciable,por
loquelapotenciamediadeprdidaseneltransistorvaasermayor.Estasprdidasaumentanconla
frecuencia detrabajo, debidoaque alaumentar sta,tambinlo hace el nmero de vecesquese
produceelpasodeunestadoaotro.
Sepuedendistinguirentretiempodeexcitacinoencendido(ton)ytiempodeapagado(toff).Asu
vez,cadaunodeestostiempossepuededividirenotrosdos(verFig.2).

Tiempoderetardo(DelayTime)

td

Tiempodesubida(Risetime)

tr

Tiempodealmacenamiento(Storagetime) ts
Tiempodecada(Falltime)

tf

Es el tiempo que transcurre desde el instante en que

se aplica la seal de entrada en el dispositivo
conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el
10%desuvalorfinal.
Tiempoqueemplealasealdesalidaenevolucionar
entreel10%yel90%desuvalorfinal.
Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacindeentradayelinstanteenquelasealde
salidabajaal90%desuvalorfinal.
Tiempoqueemplealasealdesalidaenevolucionar
entreel90%yel10%desuvalorfinal.

Portanto,sepuedendefinirlassiguientesrelaciones:

ton = td +tr
toff = ts +t f
Ntese que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo de encendido (ton).

toff > ton

4

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Fig.2Tiemposdeencendidoydeapagadoenlostransistores

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede
conmutareltransistor:

Fig.3Diagramadecorriente,tensinypotenciaenelencendidoyapagadoenuntransistor

0.0.0.Otr ospar metr osimpor tantes

Fig.4ParmetrosdelosTransistoresBipolares
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Corrientemedia :

I CAV

Corrientemxima :

I CM

Tensinmxima :

VCEmax

Tensincolectorbase

VCBO

Tensinemisorbase

VEBO

Estadodesaturacin :

VCEsat

Relacin corriente de salida

h F E
controldeentrada

Es el valor medio de la corriente que puede circular por un

terminal(ej.ICAV,corrientemediaporelcolector).
Es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de
drenador (IDM). Con este valor se determina la mxima
disipacindepotenciadeldispositivo.
Es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del
dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los
bipolares,drenadoryfuenteenlosFET).
Tensinentrelosterminalescolectorybasecuandoelemisor
estencircuitoabierto.
Tensinentre losterminales emisor ybase conelcolectoren
circuitoabierto.
Queda determinado por una cada de tensin prcticamente
constante. VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y
resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este valor, junto
coneldecorriente mxima,determinalapotencia mximade
disipacinensaturacin.
hFE paraeltransistorbipolar(gananciaestticadecorriente)y
gds paraelFET(transconductanciaendirecta).

0.0.0.Modosdetr abajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de las
tensionesdepolarizacinencadaunadelasunionesdeltransistor(Fig.5).

Fig.5Polarizacionesdeuntransistor
Correspondeaunapolarizacindirectadelauninemisor Estaeslareginde
base y auna polarizacininversadela unincolector operacinnormaldel
Reginactivadirecta : base.
transistorpara
amplificacin.
Corresponde a una polarizacin inversa de la unin

Esta regin es usada

Reginactivainversa : emisor base y a una polarizacin directa de la unin raramente.
colectorbase.

Regindecorte:

Corresponde a una polarizacin inversa de ambas

uniones. La operacin en sta regin corresponde a
Estadodellaveabierta.
aplicacionesdeconmutacinenelmodoapagado,puesel
transistoractacomouninterruptorabierto(IC =0).

Correspondeaunapolarizacindirectadeambasuniones.
Laoperacinenestaregincorrespondeaaplicacionesde
Regindesaturacin : conmutacin en el modo encendido, pues el transistor Estadodellavecerrada.
actacomouninterruptorcerrado(VCE =0).

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0.0.0.Avalanchasecundar ia.Cur vasSOA.

El rea de operacin segura de un transistor se representa por las curvas SOA (Safe Operating
Area).
Sisesobrepasalamximatensinpermitidaentrecolectorybaseconelemisorabierto (VCBO),ola
tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector
base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominadoavalanchaprimaria.

Fig.6 CurvasdeavalanchasecundariacurvasSOAdeuntransistor

Sinembargo,puededarseuncasodeavalanchacuandosetrabajacontensionespordebajodelos
lmitesanterioresdebidoalaaparicindepuntoscalientes(focalizacindelaintensidaddebase),
que se produce cuando se polarizada la unin base emisor en directo. En efecto, con dicha
polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que reduce el paso de
portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular). La densidad de
potenciaqueseconcentraendichazonaesproporcionalalgradodepolarizacindelabase, ala
corriente de colector yalaVCE, y alcanzando cierto valor, seproduce enlos puntos calientes un
fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la temperatura. A este
fenmeno,conefectoscatastrficosenlamayorpartedeloscasos,seleconoceconelnombrede
avalanchasecundaria otambin segundaruptura .

Fig.7Areadefuncionamientoseguro(FBSOA)enrgimencontinuoypulsanteparaencendido(t on)

Elefectoqueproducelaavalanchasecundariasobrelascurvasdesalidadeltransistoresproducir
unoscodosbruscosquedesvanlacurvadelasituacinprevista(verFig.6).

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El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmitesenlazonaactivaconlostiemposlmitesdetrabajo,conocidascomocurvasFBSOA.
Sepuede ver comoexiste una curvapara corriente continua y unaserie de curvas para corriente
pulsante,cadaunadelascualesesparauncicloconcreto.
Todo lo descripto anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con
polarizacininversadelauninbase emisorseproducelafocalizacindelacorrienteenelcentro
delapastillade Si,en unrea ms pequeaque enpolarizacindirecta,por loque laavalancha
puedeproducirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites deIC yVCE durante eltoff vienen
reflejadoenlascurvasRBSOAdadasporelfabricante.

0.0.0.Efectoproducidoporcar gainductiva.Pr otecciones.

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables
dentrodelazonaactiva.

Fig.8 Circuitoconcargainductivaycaractersticadetransferencia

Eneldiagramadela Fig.8sehanrepresentadolosdiferentespuntosidealizadosdefuncionamiento
del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a
saturacinporlarectaquevadesdeAhastaC,ydesaturacinacortedesdeCaA.Sinembargo,
conunacargainductivacomo enelcircuitoanterioreltransistorpasaasaturacinrecorriendola
curvaABC, mientras que elpasoa cortelo hacepor eltramoCDA. Puede verseque esteltimo
pasolohacedespusdeunaprofundaincursinenlazonaactivaquepodrafcilmentesobrepasar
ellmitedeavalanchasecundaria,convalorVCE muysuperioralvalordelafuente(VCC).
Paraprotegeraltransistoryevitarsudegradacinseutilizanenlaprcticavarioscircuitos,quese
muestranenlaFig.9

Fig.9 Circuitosdeproteccindetransistores

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A)Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la
tensindelafuenteVcc).
B)DiodoenantiparaleloconlacargaRL.
C)RedRCpolarizadaenparaleloconeltransistor(redsnubberoreddeamortiguamiento).
Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte,
proporcionandoatravsdelosdiodosuncaminoparalacirculacindelaintensidadinductivadela
carga.
Enlaterceraproteccin,alcortarseeltransistorlaintensidadinductivasiguepasandoporeldiodo
yporelcondensadorCS,elcualtiendeacargarseaunatensinVCC.Diseandoadecuadamentela
red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la conmutacin sea inferior a la de la
fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites por disipacin y por avalancha secundaria.
CuandoeltransistorpasaasaturacinelcondensadorsedescargaatravsdeRS.
Elefectoproducidoalincorporarlaredsnubber eslaquesepuedeapreciarenlaFig.10,dondese
observaque con estared, elpaso desaturacin(punto A)a corte(puntoB)seproduce de forma
msdirectaysinalcanzarvaloresdeVCE superioresalafuenteVcc.

Fig.10 Efectodeincorporarredsnubbler

ParaelclculodeCS sepuedesuponer,despreciandolasprdidas,quelaenergaalmacenadaenla
bobinaLantesdelbloqueodebehabersetransferidoaC S cuandolaintensidaddecolectorseanule.
Porlotanto:

1
1
2
L I C2 ( sat ) = CS VCC
2
2
dedonde:

CS =

L IC2( sat)
2
VCC

Para calcular el valor de RS se debe tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado
totalmenteenelsiguienteprocesodebloqueo,porloquelaconstantedetiempodeR S yCS hade
sermenor(porejemplounaquintaparte)queeltiempoquepermaneceensaturacineltransistor:

t S = RS CS

tiempoconBJTsaturado
5

0.0.0.Clculodepotenciasdisipadasenconmutacinconcargar esistiva
Las grficas dela Fig. 11muestranlas seales idealizadas delos tiempos de conmutacin(ton y
toff)paraelcasodeunacargaresistiva.

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Fig.11 Tiemposdeconmutacinparacargaresistiva

Supngaseelmomentoorigenenelcomienzodeltiempodesubida(tr)delacorrientedecolector.
Enestascondiciones(0<t<tr)setendr:

t
ic = Icmax
tr
donde ICmax vale:

V
ICmax = CC
R
Tambinsetienequelatensincolectoremisorvienedadacomo:

VCE = VCC - R iC
Sustituyendo,seobtieneque:

VCE = VCC -

VCC t
t
= VCC 1-
R tr
tr

Se asumir que la VCE en saturacin es despreciable en comparacin con Vcc. As, la potencia
instantneaporeltransistorduranteesteintervalovienedadapor:

t
t
p = VCE iC = VCC ICmax 1-
tr tr
Laenerga,Wr,disipadaeneltransistorduranteeltiempodesubidaestdadaporlaintegraldela
potenciaduranteelintervalodeltiempodesubida,conelresultado:

VCC ICmax 2 tr

Wr =

Deformasimilar, laenerga(Wf)disipadaeneltransistorduranteeltiempodecada,vienedado
como:

VCC ICmax 2 tf

Wf =

Lapotenciamediaresultantedependerdelafrecuenciaconqueseefectelaconmutacin:

PAV = f (Wr + Wf )
10

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no se cometera un error
apreciablesifinalmentesedejalapotenciamedia,trassustituircomo:

PC ( AV ) =

V CC ICmax
t f f
6

0.0.0.Clculodepotenciasdisipadasenconmutacinconcargainductiva
La Fig. 12 muestra la grfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga inductiva. La energa perdida
duranteenton vienedadaporlaecuacin:

Wton = V I C ( sat) ( t1 +t2 )

2
Duranteeltiempodeconduccin(t5)laenergaperdidaes despreciable,puestoqueVCE esdeun
valornfimoduranteestetramo.

Fig.12 CurvasdecorrientetensinypotenciaparacargaInductiva

Duranteeltoff,laenergadeprdidaseneltransistorvendrdadaporlaecuacin:

Wtoff = V I C ( sat) ( t'3 +t4 )

2
Lapotenciamediadeprdidasdurantelaconmutacinserportanto:

PTOT ( AV ) =

Wt + Wtoff
on

= f Wton +Wtoff

Siloquesequiereobtenereslapotenciamediatotaldisipadaporeltransistorentodoelperiodose
debemultiplicarlafrecuenciaconlasumatoriadeprdidasalolargodelperiodo(conmutacin+
conduccin).Laenergadeprdidasenconduccinseexpresacomo:

Wcond = VC ( sat ) I C ( sat) t5

0.0.Dispar oypr oteccindeltransistor depotencia
Comose vioanteriormente, los tiempos de conmutacinlimitan el funcionamiento deltransistor,
por lo que interesa reducir su efecto en la medida de lo posible. Los tiempos de conmutacin

TransistoresdePotencia

11

Capitulo2ElectrnicadePotencia

pueden serreducidos medianteuna modificacin enlaseal debase, comose muestra enlaFig.

13.
Puedeversecomoelsemiciclopositivoestformadoporuntramodemayoramplitudqueayudeal
transistorapasarasaturacin(yportantoreduceelton)yunodeamplitudsuficienteparamantener
saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de
almacenamientonoaumentar).Elotrosemiciclocomienzaconunvalornegativoquedisminuye
eltoff,yunavezqueeltransistorestencorte,sehaceceroparaevitarprdidasdepotencia.

Fig.13 Sealdebasedeuntransistor

En consecuencia, si se quiere que un transistor que acta en conmutacin lo haga lo ms

rpidamenteposibleyconmenoresprdidas,loidealseradispararlabasedeldispositivoconuna
sealcomoeldelaFig.13.ParaestosepuedeemplearelcircuitodelaFig.14.

Fig.14 Circuitodedisparodeuntransistor

Enestascondiciones,laintensidaddebaseaplicadatendrlaformaindicadaenlaFig.15

Fig.15 Formadelacorrientedebaseparaeldisparodeuntransistor

Durante elsemiperiodot1,latensin de entrada (Ve) se mantienea un valorVe (mx). En estas

condicioneslaVBE esdeunos0.7vyelcondensadorCsecargaaunatensinVC devalor:

debidoaquelasresistenciasR1 yR2 actancomoundivisordetensin.

12

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Capitulo2ElectrnicadePotencia

Laconstantedetiempoconquesecargarelcondensadorseraproximadamentede:

ConelcondensadoryacargadoaVC,laintensidaddebaseseestabilizaaunvalorIB quevale:

En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer Ve(min), el condensador se encuentra

cargadoaVC, ylaVBE=0.7v.Ambosvaloressesumanalatensindeentrada,loqueproduceel
piconegativodeintensidadIB (mn):

ApartirdeeseinstanteelcondensadorsedescargaatravsdeR1 conunaconstantedetiempode
valor.
(1.1)

t 2 = C R1
Paraquetodoloanteriorsearealmenteefectivo,debecumplirseque:

con esto se aseguraque el condensador est cargado cuando se aplica la seal negativa. As, se
obtienefinalmenteunafrecuenciamximadefuncionamiento:

TransistoresdePotencia

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Capitulo2ElectrnicadePotencia

0.Tr ansistordepotencia(BJ ToBPT)

El transistor de unin bipolar (BJT), en su versin de potencia es usado ampliamente como un
dispositivodeconmutacin,tienecaractersticasqueseaproximanaunswitchideal.Los estados
decorteysaturacinsonregionesdeoperacinprimariasestosdosestadoscorrespondenalestado
cerradoyabiertodeunswitchideal.
0.0. Modelodelestadodeencendido
Enlaregindeconduccin,eltransistorestyaseaenestadodesaturacinoenestadodequasi
saturacin.Latransicindelareginlinealalestadodesaturacinnoesabrupta,existeunaregin
dequasisaturacin,enlacualVCE decrececonelincrementodecorrientedebase,yenstanoes
vlidoelconceptodegananciadecorriente.
Para un valor dado de corriente de colector en la regin de saturacin, el valor de VCE es casi
independientedelacorrientedebase,enlaregindequasisaturacin,elvalordeVCE espequeo
yesfuncindelacorrientedebase.
La distincin entre estas dos regiones no es precisa, y conforme la corriente de base sea variada
existeuncambiogradualdeunacondicinalaotra.Ladistincinesimportanteporelefectodelas
prdidasdeltransistorylavelocidaddeconmutacin.Paraelpropsitodeoperacindentroocerca
delaregindesaturacin,lagananciaforzadaesdefinidaenlaecuacin (1.2)
Gananciaforzada= b F =I C I B

(1.2)

En dicha saturacin, la corriente de colector est determinada casi por completo por el circuito
externoysoloenungradomuypequeoporlacorrientedebase.Mientrasmsbajoseaelvalorde
lagananciaforzada, eltransistoroperamsprofundamentedentrodelaregindesaturacin yes
menorelvalordeVCE.Paraalcanzarlaregindesaturacin,serequieredeunvalorrelativamente
grandedecorrientedebase,deahquelagananciaforzadadecorrienteseanormalmentepequea
yenelrangode3a10.
Lagananciadecorrienteenlostransistoresdepotenciavariaenrelacindirectaconllacorrientede
colectorylatemperatura.
0.0. Modelodelestadodeapagado
En muchas situaciones, el estado deapagado de unBJTequivale aproximadamentea un circuito
abierto. Pero existe una pequea corriente de colector casi independiente del VCE pero altamente
dependiente de la temperatura de la unin. Que este transistor constituya una aproximacin
suficientemente cercana a un circuito abierto de un conmutador ideal, depende de los
requerimientosespecficosdeldiseo.
0.0. r eadeOperacinSegur a
Haylmitessobreelpuntodeoperacinidentificadosporunreadeoperacinsegura(SOA).Uno
de estos es el rea de operacin segura bajo polarizacin directa (FBSOA). Este requerimiento
resulta de la necesidad de evitar una condicin conocida como "segundo rompimiento", o un
calentamientodelaunindebasecolector,loquedaporresultado,unadistribucinnouniforme
delacorrientedecolectoratravsdelaseccintransversaldeltransistor.Valoresmuygrandesde
VCE puedencausarunainterrupcininmediatadeltransistor.Losfabricantesdetransistoresdealta
tensin publican curvas de FBSOA, que establecen las especificaciones idneas para una buena
14

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

operacin.Hay,dehecho,variascurvasquedependendeladuracindelacorrientedecolectora
unvalordadodeVCE.
Otra restriccin que es importante es el rea segura de operacin bajo polarizacin inversa
(RBSOA). Estos lmites se aplican durante la transicin al estado de apagado cuando se aplica
polarizacininversaalauninbaseemisorylacorrientedecolectorannoadecadohastacero.
El diseador debe asegurarse que el transistor permanezca dentro de estos lmites, en muchas
ocasiones se tiene que aadir componentes auxiliares al circuito y con un diseo adecuado del
circuitoenlabase.Estoscircuitosauxiliaressondenominadosredes"snubber".
0.0.Requer imientosDinmicosdelaCor rientedeBase
LacorrientedebaseidealparaunBJTesmostradaenlaFig.16.Unvalorpositivodecorrientede
valor IB1 es requerido para encender el transistor y alcanzar el nivel de saturacin deseado. Para
apagar el transistor transcurrido un tiempo, es usual invertir la corriente de base por un corto
intervalo.La corrienteinversademagnitudIB2 causa queeltransistorseapaguemsrpidamente
quesisolamentesereducelacorrienteacero.

Fig.16 CorrientedebaseidealparaunBJT

Unvalorgrande deIB1 reduceeltiemporequeridoparaquelacorrientedecolectorcambiedesu

valorinicial asu valor final. El valor deltensin colectoremisor desaturacintambin decrece.
As, el dispositivo opera en una condicin ms saturada con menores prdidas de potencia. El
efecto no deseado es que el transistor requiere un tiempo mayor para apagarse. En particular
aumenta el tiempo de almacenamiento. El tiempo de almacenamiento est definido como el
intervalo, despus de aplicar la corriente de base inversa, durante el cual la corriente permanece
prcticamente constante. De aqu que se requiere un diseo adecuado que mantenga un buen
equilibrioentreeltiempodealmacenamientoyelincrementodepotenciarequeridaparamanejarla
basedeltransistor.

TransistoresdePotencia

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Capitulo2ElectrnicadePotencia

2.MOSFETdePotencia
Los MOSFETdepotenciason dispositivos controlados portensin, que requiere de unapequea
corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muyaltasiendo eltiempo de conmutacin
del orden delos nanosegundos.Los transistores MOSFETencuentransu campodeaplicacin en
los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. El MOSFET requiere solo de una pequea
corrientedeentrada.Lavelocidaddeconmutacinesmuyaltasiendolostiemposdeconmutacin
delordendelosnanosegundos.
ElsurgimientodelosMOSFETsdepotenciaenaosanterioreshancausadoeldesplazamientodel
BJT en algunas aplicaciones. En situaciones en las cuales son requeridas altas frecuencias de
conmutacin, el MOSFET podr tener menos prdidas de potencia que el correspondiente BJT,
aunquesusprdidasporconduccinseanmayores.LosMOSFETnotienenelproblemaderuptura
secundaria que tienen los BJT. No obstante los MOSFET tienen problemas de descargas
electroestticas,estoimplicaquetienequeprestarsecuidadoensumanipulacin.Adems,selos
debeprotegerbajocondicionesdefallaporcortocircuitoTienenlaventajadequelasprotecciones
contracortocircuitosonrelativamentesencillas.
0.0. ModeladodelMOSFET
El MOSFET tiene tres terminales denominados: G: Compuerta (gate), D:Drenaje (drain) y
S:Fuente(source)
LosMOSFETsondedostipos
MOSFETdeagotamiento
MOSFETdeenriquecimiento
Un MOSFET tipo agotamiento canal tipon se forma en un substrato de silicio de tipop, como
muestralaFig.17condossiliciosn+ fuertementedopadosparatenerconexionesdebajaresistencia
.

Fig.17 MOSFETtipoagotamiento

16

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Lacompuertaestaaisladadelcanalmedianteunadelgadacapadeoxido.Normalmenteelsubstrato
se conecta a la (S) fuente. La tensin de compuerta (G) a fuente (S) VGS, puede ser positivo o
negativo.
SiVGS es negativo, algunos delos electrones delreadel canalnsern repelidos yse crearuna
regin de agotamiento por debajo de la capa de oxido, que resultar en un canal efectivo ms
angostoyenunaelevadaresistenciadedrenaje(D)afuente(S)R DS,IDS=0.Cuandoestoocurreel
valorVGS seconocecomotensindeestrechamiento,Vp.PorotrapartesiVGS sehacepositivo,el
canalseestrecha,e IDS aumentadebidoalareduccinde RDS.
ConunMOSFETtipoagotamientodecanalp,seinviertenlaspolaridadesde VDS,IDS y VGS.
Donde RDS sedefine:

RDS =

DVDS
DI D

Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, no tiene un canal fsico, tal y como se puede
observarenlaFig.18.SiVGS espositiva,unatensininducidaatraerloselectronesdelsubstrato
p, ylos acumular enlasuperficiepor debajo dela capade oxido.Si VGS es mayor oigualaun
valorconocidocomotensindeumbral,VT,seacumularunnmerosuficientedeelectronespara
formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje (D) a la fuente (S). Si se trata de un
MOSFETtipoenriquecidodecanalp,laspolaridadesde VDS,IDS y VGS seinvierten.

Fig.18MOSFETtipoenriquecimiento

0.0.Car actersticasenr gimenper manente

LosMOSFETsondispositivoscontroladosportensinporloquetienenunaimpedanciadeentrada
muyalta.Lacompuertautilizaunacorrientedefugamuypequea,delordendelosnanoamperes.
La ganancia de corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje, ID, y la corriente de
entradadecompuerta,IG,estpicamentedelordende109.Sinembargo,lagananciadecorrienteno
TransistoresdePotencia
17

Capitulo2ElectrnicadePotencia

esunparmetrodeimportancia.Latransconductancia ,queeslarelacindelacorrientededrenaje
a la tensin de compuerta, define las caractersticas de transferencia, siendo un parmetro muy
importante.

Latransconductanciasedefinecomo:

gm =

DID
DVGS V

DS = constante

LascaractersticasdetransferenciadelosMOSFETdecanalnydecanalpaparecenenlaFig.19.
Puede apreciarse la caracterstica de salida de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.
Existentresregionesdeoperacin:
(0) regindecorte,dondeVGS VT
(0) regindeestrechamientoodesaturacin,donde VDS VGS -VT
(0) reginlineal,donde VDS = VGS -VT .
Elestrechamientoocurreen VDS = VGS -VT .Enlareginlineal,lacorrientededrenajeID varaen
proporcinalatensindrenajefuente VDS.Debidoalaaltacorrientededrenajealabajatensinde
drenaje,losMOSFETdepotenciaseoperanenlareginlinealparaaccionesdeconmutacin.
En la regin de saturacin, la corriente de drenaje se conserva prcticamente constante para
cualquier incremento en el valor de VDS, y los transistores se utilizan en esta regin para la
amplificacindetensin.Debehacersenotarquelasaturacintieneelsignificadoopuestoqueen
elcasodelostransistoresbipolares.

Fig.19CaractersticasdetransferenciadelosMOSFET

Elvalor deVDS est relacionadoaID por un valor de resistenciadesalidar 0=RDS (ON), lacual es
casi constante y devalor elevadodel orden delos megaohms y muypequea enlareginlineal,
tpicamente del orden de los miliohms. sta regin de conduccin corresponde a la regin de
saturacindeltransistordeuninbipolar:

18

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

VDS(ON)=RDS(ON) ID

(1.3)

En cualquier estado de encendido o apagado, el terminal de compuerta requiere esencialmente

corrientecero.Existeunaislamientoentrelacompuertayel restodelMOSFET,loque da como
resultado una capacitancia de entrada nolineal. ElMOSFETno esun conmutadorideal, perose
asemeja lo suficientemente para ser muy til en dispositivos prcticos. El MOSFET tiene ms
velocidadenlatransicindelosdos estadosqueeltransistordeuninbipolaryestolohacems
tilenaltasfrecuenciasdeconmutacin.
Paralos MOSFETtipoagotamiento, latensin de compuerta (o de entrada)puedeserpositiva o
negativa. Pero los MOSFET tipo enriquecimiento slo responden a tensiones positivas de
compuerta.
LosMOSFETdepotenciasongeneralmentedeltipoenriquecimiento.Sinembargo,losMOSFET
tipoagotamientopodranserventajososysimplificareldiseolgicoenalgunasaplicacionesque
requieren dealgntipo deinterruptor deCA oCC compatible conlalgica, yquese mantenga
activo cuando elsuministrolgico caiga yVGS se hagacero. Las caractersticasdelos MOSFET
tipoagotamientonoseanalizarnconmayordetalle.
Los MOSFETs poseen la limitacin de no administrar grandes corrientes y grandes tensiones y
puedendesarrollarelevadastensionesVDS cuandoconducen(ON)comparadosalVCE desaturacin
deunBJT.AlgunosparmetrostpicosparalosMOSFETsson:
Tabla1ParmetrostpicosdeMOSFET
ID

VDSS

1A
2A
9A
13A
45

900V
500V
200V
500V
60V

RDS
tpica(max)
7(9)
3(4)
0.25(0.4)
0.3(0.4)
0.024(0.03)

VGS (paraID )

VT

10V(0.5A)
10V(1A)
10V(5A)
10V(7A)
10V(25A)

1.53.5V
24V
24V
24V
24V

Lostiemposdeconmutacintpicosson:

ton = td ( on ) + tr = retardo+tiempodesubida =18nS+25nS=43nS

toff = td ( off ) + t f =retardo+tiempodecaida=35nS+12nS=47nS
Un diodoparsito dentro dela estructura deMOSFETpuedetener untiempo dela recuperacin
inversodetrr=350nS y,comosediscutirposteriormente,amenudonecesitaserdesviadoconun
diodorpidoconectadoenparalelo.
ComercialmenteseproveenpackdeMOSFETenmduloscomolosmostradosenlaFig.20

Fig.20 AlgunosmdulosdepackconMOSFETconconfiguracionescondiodosinternosdederivacinde
librecirculacin

Enlaprctica, una corrientebastante grande en el orden de12Apuede exigirsepara cargarla

capacitancia de compuerta (G) cuando se activa el MOSFET para asegurar que el tiempo de
conmutacinespequeo.Debidoalacorrientedefugadecompuerta,senecesitannanoamperes
TransistoresdePotencia
19

Capitulo2ElectrnicadePotencia

para mantener la tensin de la compuerta una vez que el dispositivo es activado. Una tensin
negativadebeseraplicaseparadesactivar(off)eldispositivo,paradescargarlacompuertacongran
velocidaddeconmutacin.
Es obvio que pueden obtenerse velocidades de conmutacin ms rpidas dependiendo del buen
diseodeloscircuitosdedisparo.
Al contrario del Transistor de la Unin Bipolar (BJT) qu tiene un coeficiente de temperatura
negativo, el MOSFET tiene un coeficiente de temperatura positivo. Esto significa que como las
temperaturas elevadas del MOSFET bajo condiciones de corrientes altas o una velocidad de
crecimientodecorrienteelevadaentreeldrenaje(D)ylafuente(S),laimpedanciadeldispositivo
aumentalimitandoasunfuturoaumentoexcesivoenlacorriente.Laaverasecundarianoespor
consiguienteposibleconunMOSFET.
LascaractersticasdedrenajefuentecompuertadeunMOSFETmostradoenFig.21(a)ilustrapor
quserequiereunatensin VGS paramantenerlaVDS defugaenunmnimo.
ComoconunBJT,latransicinentreconduccin(ON)yapagado(OFF)yatravsdereginID
VDS debeserrpidaparaevitarlasprdidasdeconmutacingrandes.
Elreadeoperacinsegura(SOA)semuestraenFig.21(b)dondelastransicionesenlasregiones
de altas potencias en el lado derecho superior del grfico tiene un tiempo limitado (accesible en
modopulsante).ElMOSFETpuedeoperarseenformacontinuaenlaregininferiorizquierda.

Fig.21 (a)CaractersticadelMOSFETcanalny(b)AreadeOperacinSegura(SOA)(escalaloglog)

0.0.0.Par metr osdelMOSFET

Tensinmximadedrenajefuente

VDS

Corrientecontinuadedrenaje

ID

VDS es la tensin mxima de operacin

instantnea.

ID eslacorrientemximaqueelMOSFET
a veces puede llegar y est especificada
aunatemperaturaparticulardelaunin.

IDM es mayor que ID y se especifica para

CorrientemximadedrenajePulsante IDM

Tensinmximadecompuertafuente VGS
TensindeUmbraldecompuerta

20

VT
{ VTH,VGS(t h)}

un ancho de pulso especfico y ciclo de

servicio.
VGS es la tensin mxima que puede
aplicarse entre la compuerta y la fuente
sindaarelaislamientodelacompuerta.

VT eslatensinmnimadecompuertaen
laqueeltransistorencender(ON).

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

0.0.ConexindeMOSFETsenpar alelo
LaconexinenparalelodeMOSFETspermitemanejarcorrientesdecargamsaltascompartiendo
lacorrienteentrelosinterruptoresindividuales.DebidoaquelosMOSFETstienenuncoeficiente
detemperaturapositivoellospuedenserconectadosenparalelosinlanecesidadderesistenciasde
fuente (los BJTs necesitan pequeas resistencias de emisor que proporcionan la regeneracin
negativa). Si un MOSFET comienza a conducir una corriente ligeramente ms elevada que los
otros,estesecalientaysuimpedanciaaumenta,loquedacomoresultadoquelacorrienteatravs
de l disminuya. Los MOSFETs en paralelo deben montarse intimamente juntos para que las
impedanciasdecompuertaseanlasmismasytodoslostransistoresconmutenalmismotiempo.

Fig.22 ConexinenParalelodeMOSFETsparaaumentarlacapacidaddetransportedecorriente

0.0.Car actersticasdeconmutacindelosMOSFETs
ElcircuitodepruebaparaunMOSFETconcargainductivasemuestraenlaFig.23.Laaccinde
conduccin(turnon) del MOSFETse muestra enla Fig. 24.Comose muestra en esta figura, la
tensindecompuertacambiadela manera defuncindepasode0aVGG elcualesanteriorala
tensindeumbralVGS(th).Duranteeltiempoderetardotd(ON)latensindecompuertafuentevgs
subede0aVGS(th) enmodosimilarauncircuitoRC.Estoesdebidoalaresistenciaenelcaminode
la corriente adems de la capacitancia de entrada equivalente del MOSFET (Cgs y Cgd). La
constante de tiempo de subida se da por t1 = RG (Cgs + Cgd1). Ms all deVGS(th), vgs sigue
subiendocomoanteseIdsempiezaaincrementarse.
UnavezqueelMOSFETestconduciendolatotalidaddelacorrientedelacargaIo,latensinde
compuertafuenteestemporalmentesujetaaVgs,Io.Aestasalturas,lacorrientedecompuertaslo
fluiratravsdeCgd.Comoresultado,latensindedrenajefuentecomienzaadisminuirhastaque
alcance la cada debido a la resistencia del estado de conduccin. En este instante, la tensin de
compuertafuentesedevuelveysubedenuevoaVGGconuntiempoconstantede:
t2=RG(Cgs+Cgd2).
Nteseaqu,quehaydosvaloresdeCgddebidoalanaturalezanolinealdeestacapacitancia.

Fig.23 CircuitodelapruebaporCambiarCaractersticasdelMOSFET
TransistoresdePotencia

21

Capitulo2ElectrnicadePotencia

ElapagadodelMOSFETinvolucraunasecuenciainversadeeventosloscualesocurrenduranteel
procesodeturnoff.EsteprocesosemuestraenelFig.24
ElprocesodeapagadocomienzaaplicandounatensindecompuertadepasodeVGG..Duranteel
encendido (turnon) y el apagado (turnoff), la potencia instantnea de prdida en el MOSFET
ocurreprincipalmenteduranteeltiempotcdecruzamientoindicadoenlasFig.24y Fig.25donde
p (t )= vDS iD esalto.

Fig.24 Caractersticasdeencendido(turnon)delMOSFET

Desde que la capacitancia de la juntura no vara con la temperatura, la potencia de prdida de

conmutacin en el MOSFET es independiente de la temperatura de la juntura. De hecho, las
prdidas deturnoff son algo menores que las perdidas de turnon de este modo la velocidad de
cambiodelatensinduranteturnoffescontrolaporlacapacitanciadesalidadelMOSFET.

Fig.25Caractersticadeapagado(turnoff)delMOSFET

Para las prdidas durante la conduccin, la disipacin de potencia instantnea durante el estado
(onstate)enelMOSFETsedapor:

PC = I C2 rDS
La resistencia del estado de conduccin (onstate) tiene varios componentes y varan con la
temperaturadelajuntura. As,lasprdidasdelaconduccintambinvariarnconlatemperatura
delaunin.

22

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Nteseaququelacorrientecalculadaparalasprdidasdeconduccineslacorrienteeficaz(rms)
circulandoporelMOSFET.
0.0.Cir cuitosdedisparodecompuer ta
ExistendiferentescircuitosdedisparodeBJTquerequierenunaresistenciadebaseparacontrolar
lacorriente debase, un circuitode disparo de unMOSFETsediseapara conectarlacompuerta
(G)directamenteaunbusdetensinofuentesinintervencindelaresistenciaintermediamasque
la impedancia del circuito de conmutacin. En muchos casos los circuitos que manejan los
MOSFET necesitan tener niveles de tensin diferentes y estar aislados de los terminales de la
fuente del MOSFET, los cuales pueden estar flotantes como se requiere en un circuito puente
(bridge).
La lgica de los circuitos CMOS pareceran ser inicialmente, los circuitos de manejo de
conmutacin ideales porque ellos operan por encima de los 15V. Desgraciadamente, ambos la
impedancia de salida y la capacidad limitada de transporte de corriente (sumidero 4mA, fuente
4mA)deunchipCMOSpromedioquenopuedeusarsecuandoserequierenaltasvelocidadesde
conmutacin(switching). Sedebetenerpresentequeunacorrienteinicialgrandesenecesitapara
cargarelcapacitordelacompuerta.
EldiseodeuncircuitodedisparoporcompuertadeunMOSFETesrelativamentesimpleperola
disponibilidadactualdecircuitosintegradosparaeldisparodeMOSFETcomercialesylafacilidad
de usarlos han llevado a utilizar estos ltimos y no realizar la implementacin discreta de los
mismos.Lamayoradeloscircuitoscomercialesdisponiblespuedensercontroladosdirectamente
desde seales TTL, CMOS y circuitos con lgica de microprocesadores. Adicionalmente, si el
circuito del disparo no proporciona aislacin flotante es necesario incluir fuentes de potencia
flotantes.

TransistoresdePotencia

23

Capitulo2ElectrnicadePotencia

3.IGBTs
0.0. Intr oduccin
Enlosrecientesavancesdelatecnologadeelectrnicadepotenciasehaavanzadoprincipalmente
enlas mejoras enlosdispositivossemiconductores depotencia,comolos "TransistoresBipolares
concompuertaaislada"denominadosIGBT(Insulated Gate BipolarTransistor).
Los IGBTs ofrecen muchas propiedades deseables incluso una entrada de compuerta MOS, alta
velocidad de conmutacin, baja cada detensin en conduccin,alta capacidad de circulacin de
corriente, y un alto grado de robustez. Los dispositivos se encuentran muy cerca de una llave
(switch)deconmutacinideal,conrangosdetensintpicode6001700Volt,tensinenestado
de conduccin de 1.7 2.0 Volt para corrientes superiores a 1000 Amp, y velocidades de
conmutacin de 200 500 ns. La disponibilidad de IGBTs ha bajado el costo de sistemas y ha
reforzadoelnmerodeaplicacioneseconmicamenteviables
0.0. Descr ipcindelIGBT
El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) combina los atributos positivos de BJTs y
MOSFETs.LosBJTstienenlas msbajasprdidas enelestadodeconduccin,sobretodoenlos
dispositivos contensiones de bloqueo elevadas, pero tienentiempos de conmutacin mucho mas
lentos,sobretodoalpasardelestadodeconduccinabloqueo.
LosMOSFETspuedeencenderseyybloquearsemuchomsrpido,perosusprdidasenelestado
de conduccin son ms grandes, sobre todo en dispositivos que manejen tensiones de bloqueo
elevadas.
LosIGBTstienenla msbajatensinenelestadodeconduccinconlascapacidades debloqueo
detensinmaselevadaademsdeposeerlamayorvelocidaddeconmutacin.
LosIGBTstienenunaestructuraverticalcomosemuestraenelFig.26.Estaestructuraesbastante
similar a la del MOSFET con difusin vertical salvo la presencia de la capa p+ que forma el
colector(drain)delIGBT.Estacapa forma unajunturadePN(J1enlaFig. 26)queinyectalos
portadores minoritarios enloqueseralaregindedrenajedecolector(draindrift)delMOSFET
vertical.

Fig.26 EstructurafsicadeunIGBT
La estructura del IGBT se muestra en laFig. 26. Se compone de un tiristor parsito interno que
permiteretener(latchup)alIGBTscuandoesteenciende(conduccin).Lacapadebuffern+entre
la capa p+ del colector y la capa n, con el espesor y la densidad de dopando apropiada, puede
mejorarsignificativamenteelfuncionamientodelIGBT,endosaspectosimportantes.Latensinde
conduccindeldispositivoy,elreducidotiempodeconmutacinparaelapagado.Porotrolado,la
presenciadeestacapareducegrandementelacapacidaddelbloqueoinversadelIGBT.Elsmbolo
delcircuitoparaunIGBTdecanaln,semuestraenelFig.27.

24

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Fig.27 SmbolodelIGBT
0.0.Car actersticadeConmutacindelosIGBT
Una delas caractersticas ms importantes de desempeo de cualquier dispositivosemiconductor
quetrabajaenconmutacineslascaractersticasdeconmutacin(switching).
La principal caracterstica de dispositivos semiconductores de potencia que conmutan es la
transicindeencendido(turnon)aapagado(turoff)ademsdelreaseguradeoperacin(SOA)
deldispositivo.
Lamayoradelas cargassoninductivaspornaturaleza,estosometealos dispositivosatensiones
muyelevadas,latransicindeencendido(turnon)aapagado(turoff)delIGBTseobtieneconun
circuito de prueba de carga inductiva como muestra la Fig. 28. Se asume que la inductancia de
carga es lo bastante alta como para sostener la corriente constante sobre la carga durante la
transicin dela conmutacin. El diodo deretorno(freewheeling clamp diode) es necesariopara
mantener el flujo de corriente sobre la inductancia cuando el dispositivo bajo prueba (DUT)
(DeviceUnderTest)seapaga.

Fig.28 Circuitodepruebaconcargainductiva
0.0.0.Tr ansicinenelEncendido(turnon)
LaconmutacindeencendidodeunIGBTconunacargainductivasemuestranenelFig.29.La
transicinaconduccindelosIGBTssonmuysimilaresalasdelos MOSFETsdeechoelIGBT
est actuando esencialmente como un MOSFET durante la mayora del intervalo de encendido.
Cuandoseaplicatensinenlacompuerta(gate)respectodelemisordelIGBT,latensinentrela
compuertayelemisorsubeconunaformaexponencialdesdeceroaVGE(th) debidoalaresistencia
de compuerta de circuito (R G) y la capacitancia entre la compuerta y el emisor (Cge). La
capacitancia por efecto Miller (Cgc) es muy pequea debido a la elevada tensin entre los
terminalesdeldispositivo.

TransistoresdePotencia

25

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Fig.29 TransicinenlaconduccindelosIGBTconcargainductiva
Ms all de VGE(th), la tensin entre compuerta y emisor contina subiendo como antes y la
corriente del emisor empieza a aumentar linealmente como se muestra. Debido al diodo de
circulacininversa,latensindecolectoraemisorpermaneceaVdc comolacorrientedeIGBTes
menorqueIo.UnavezqueporelIGBTcirculalacorrientetotaldecargaesteseencuentratodava
enlareginactiva,latensinentre compuerta y emisorse mantienetemporalmenteaVGE, Io,lo
cualeslatensinrequeridaparamantenerlacorrienteIGBTaIo.Enestafase,latensincolector
emisor comienza a disminuir en dos intervalos distintivos tfv1 y tfv2. El primer intervalo
corresponde al pasaje a travs de la regin activa mientras que el segundo intervalo de tiempo
correspondealpasajedeltransitorioenlaregindelohmica.Duranteesteintervalo,lacapacitancia
de Miller se pone significativa donde esta descarga para mantener la tensin entre compuerta y
colector constante. Cuando la capacitancia de Miller se descarga totalmente, la tensin de
compuerta y emisorse vaaVG y elIGBTentra enlasaturacinplena.Elefectoresultantedela
conmutacindeencendidoproduceprdidasquesemuestranenlaFig.29.Laprdidadeenerga
seestimaaproximadamentepormediodelaecuacin:

Las formas de ondas anteriormente mostradas son ideales donde los efectos de recuperacin
inversadeldiodonoseconsideran.Siestos efectosseconsideran,apareceunpicoadicionalenla
forma de onda de la corriente como el mostrado en la Fig. 29. Como resultado, se producen
prdidasdeenergaadicionalesdentrodeldispositivo.
0.0.0.Tr ansicinenelApagado(tur noff)
LatransicinenlaconmutacindeapagadoenIGBTconunacargainductivasemuestraenelFig.
30.
Cuandounasealnegativaes aplicadaalacompuertarespectodelaunindelemisor,latensin
entre compuerta y emisor empieza a disminuir en modo lineal. Una vez que la tensin entre
compuerta y emisor cae por debajo de la tensin de umbral (VGE(th)), la tensin entre colector y
emisorcomienzaaaumentarlinealmente.
26

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Fig.30 TransicindeapagadoenunIGBTconlacargainductiva

La corriente remanente IGBT es constante durante este modo desde que el diodo clamp est
bloqueado.Cuandolatensin colectora emisoralcanzalatensin de entrada dc, el diodo clamp
comienzaaconducirylacorrientedeIGBTsecaelinealmente.Lacadarpidaenlacorrientedel
IGBT ocurre durante el de intervalo de tiempo tfi1 el cual corresponde al apagado de la parte de
MOSFETdelIGBT(Fig.31).
Lacorrientedecoladecolectorduranteelsegundointervalot fi2 esdebidoalascargasalmacenadas
enlareginndeldispositivo.EstoesdebidoalhechoqueelMOSFETestapagado ynoexiste
ningunatensininversa aplicadaenlosterminales delIGBTquepodrangenerar una circulacin
de corriente negativa para quitar la carga almacenada. El nico modo para remover la carga
almacenadaestdadaporlarecombinacindentrodelareginn.Yaqueesdeseablequelavida
delos portadores en excesosea tan grande comoparareducirla cada detensin en el estadode
conduccin, la duracin de la corriente de cola se extiende. Esto producir prdidas de
conmutacinadicionalesdentrodeldispositivo.Esteincrementodetiempotambinaumentaconla
temperatura similar al efecto de cola en BJTs. Por lo tanto, debe considerarse una situacin de
compromisoentrelacadadetensinenelestadodeconduccinyrapidezenelapagado.
Laremocindelas cargas almacenadas pueden reforzarse en gran medida con la adicin de una
capabuffern+lacualactacomounapilaparaelexcesodehuecosyacortasignificativamenteel
tiempodecola. Estacapatieneunexcesoportador detiempodevidams cortoqueproduceuna
mayorrecombinacindentrodeestacapa.

Fig.31 CircuitoequivalentedelIGBT
TransistoresdePotencia

27

Capitulo2ElectrnicadePotencia

La pendiente resultante en la densidad de huecos en la regin de drenaje causa un gran flujo de

huecos difundidos hacia la regin de buffer de ante que refuerza la velocidad del remocin de
huecos de la regin de drenaje y reduce el tiempo de cola. Esta estructura del dispositivo es
llamada"PunchThrough"(PT)IGBTmientraslaestructurasinlaregindebuffern+esllamada
"NonPunchThrough"(NPT)IGBT(Fig.32).

Fig.32 (a)NonPunchThrough(NPT)IGBT(b)PunchThrough(PT)IGBT

Laenergadeperdidaenelapagado,mostradoenlaFig.30,puedeevaluarsedeunmodosimilaral
delasprdidasenelencendidocomo:

0.0. Ar eadeOperacinSegur aenelIGBT

El rea de operacin segura (Safe Operating Area SOA) de un dispositivo semiconductor de
potenciaesunarepresentacingrficadelamximatensindeoperacinycorrienteslmites(iv)
deldispositivosujetoarestricciones.Elreaseguradeoperacinconpolarizacindirecta(Forward
biassafeoperatingareaFBSOA)yelreaseguradeoperacinconpolarizacininversa(Forward
biassafeoperatingareaRBSOA)representalaSOAdeldispositivoconlajunturadecompuerta
emisorconpolarizacindirectaopolarizacininversa,respectivamente.
El IGBT tiene un SOA robusto tanto durante en el encendido como en el apagado. El FBSOA,
mostrado en el Fig. 33(a), es cuadrado para cortos tiempos de conmutacin, similar al de los
MOSFETsdepotencia.ElIGBTestlimitadotrmicamenteparagrandestiemposdeconmutacin
comosemuestraenlafiguradeFBSOA.
El RBSOA de los IGBTs, mostrado en el Fig. 33(b), es diferente que el FBSOA. La esquina
superiordelRBSOAestprogresivamentecortadareduciendoelRBSOAcuandoseincrementala
velocidaddecambiodVce/dtdelatensincolectoremisoratravs deldispositivo.ElRBSOAse
reducecuandoladVce/dtaumentaparaevitarunautodisparodentrodeldispositivo.Lacondicin
anterior existe cuando se aplican valores elevados de dVce/dt lo que puede dar lugar a la
generacin de un pulso de corriente directa en la regin principal del dispositivo. Esta corriente
acta como un pulso de corriente de compuerta que puede encender el dispositivo.
Afortunadamente, los valores del dVce/dt que causaran el autodisparo en los IGBTs son mucho
msaltoscomparadoconotrosdispositivos.
ElvalormximodeICMesfijoparaevitareldisparoinvoluntarioysedeterminabasndoseenla
condicin dinmica de autodisparo. Adems, se especifica una tensin mxima de VGE para
limitarlacorrienteduranteunacondicindefaltadeICMforzandoaldispositivoasalirdelestado
deconduccinenlareginactivadndelacorrienteesconstantesintenerencuentaeldrenajede
la tensin de la fuente. El IGBT debe apagarse tan rpidamente como sea posible bajo estas
condicionesparaevitarladisipacinexcesiva.Laanulacindelautodisparoyelcotinuocontrolde
compuertasobrelacorrientedelcolectorsoncaractersticasmuydeseables.
28

TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Fig.33 (a)FBSOA(b)RBSOAdeunIGBT
0.0.Requer imientosdecir cuitosdedisparoenlosIGBT
Los IGBTs son dispositivos controladores de tensin y requieren una tensin de compuerta para
establecerlaconduccindecorrientedecolectoraemisor.Lacircuiteradedisparodecompuerta
recomendadadebeincluirprovisindecorrienteybiasdeescapecomomostradoenlaFig.34.

Fig.34 CircuitotpicodedisparodecompuertadeunIGBT
DebidoalaaltacapacidadesdeentradadecompuertaaemisordelosIGBTs,puedenutilizarselas
tcnicasdeoperacindelosMOSFET.Sinembargo,elllevarloalcorterequieresermsrobusto.
Se recomienda normalmente una tensin positiva de +15 V en la compuerta para garantizar la
saturacinplenaylimitarlacorrientedecortocircuito.Unatensinnegativaseusaparamejoraren
elIGBTlainmunidadenelcolectoraemisoralainyeccinderuidodv/dtyreducelasperdidasen
elapagadocomosemuestraenlaFig.35.

Fig.35 Efectodepolarizacininversaenlasprdidasdeapagado

Elvalordelaresistenciadecompuertatieneunimpactosignificativoeneldesempeodinmicode
losIGBTs.Unaresistenciadecompuertamspequeacargaydescargaelcapacitordeentradadel
IGBT mas rpido reduciendo los tiempos de conmutacin y prdidas de conmutacin, adems
TransistoresdePotencia

29

Capitulo2ElectrnicadePotencia

mejoralainmunidadaladv/dtcuandoenciende(Fig.36).Sinembargo,unaresistenciapequeade
compuertapuedellevaraoscilaciones entrela capacitanciade entrada delIGBT ylainductancia
parsitaprincipal.

Fig.36 PerdidasdeconmutacinenlosIGBTsenfuncinderesistenciadecompuerta,RG,()

El pico minimo de corriente sobre la compuerta que debe proveer la fuente de alimentacin del
circuitodedisparoylapotenciapromediorequeridaestadadapor:

PAVG =VGE.QG.fs
donde,
VGE =VGE_ON+|VGE_OFF|
QG =Cargatotaldelacompuerta(especificadoporelfabricante)
fs =frecuenciadeconmutacin

Fig.37 CargatotaldecompuertadeunIGBTdurantelaconmutacin

Enmuchasaplicaciones,elcircuitodedisparodelIGBTnecesitaseraisladodelcircuitodelmando
decompuertaparaproporcionardesplazamientosdenivelesymejorarlainmunidaddelruido.Los
requisitosdeaislacinpuedencubrirseusandotransformadoresdepulsoparacompuerta(Fig.11)o
aislamientoptico.

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TransistoresdePotencia

Capitulo2ElectrnicadePotencia

Fig.38 TpicocircuitodedisparodeIGBTBipolarusandotransformadordepulsoencompuerta

En las aplicaciones bipolares, deben separarse las resistencias de la compuerta de encendido y

apagadoparaprevenircortocicuitodeunpardeIGBT(Fig.39).Conlaoptoaislacin,serequiere
unafuentedepotenciaaisladaparaproporcionarlapotenciaenlacompuertadelIGBT.

Fig.39Tpicaoptoaislacindecompuerta

0.0.Consider acionesenlacompuer tadur anteeldiseo

Minimice la inductancia parasitaria entre la salida del circuito de disparo y el IGBT

(minimizandoelreadellazo)
Minimiceacoplamientoderuidoaplicandolastcnicasdeapantallamientoapropiadas
Utiliceprotectoresdecompuerta(TVS)paraminimizarsobretensionesatravsdelterminalde
lacompuerta
Utilicepartrenzado, preferentementeapantallado, parala conexinindirecta entre el circuito
dedisparoyelIGBT
Conelaislamientooptico,debeproporcionarseunmnimode10.000V/msdeinmunidadalos
transitorios(encondicionesdeconmutacinexigentes).

0.BibliografiadereferenciadelCapitulo
Rectificador es,tir istor esytr iacsM.GaudryEd.Paraninfo,Madrid
Power electr onicsM.J.FisherPWSKENT
Power Electr onics:Conver ter s,AplicationsandDesing. Mohan,Underland,RobinsEditorial:
JohonWiley&Sons,IncISBN:0471505374.(1989)
Electr nicadePotencia. Cir cuitos,DispositivosyAplicaciones(segundaEdicion) Muhammad
H.Rashid.Editorial:PrenticeHall.ISBN:9688805866(1995)

B,B
TransistoresdePotencia

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