E0:RESISTENCIAS SEMICONDUCTORAS

INFORME FINAL
1. Hacer una introduccin terica del fundamento de conduccin de los
semiconductores

MATERIALES SEMICONDUCTORES:

Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos
empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como
de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de
plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras
de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la
superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de
radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra
para que pudiera captarlas

Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con.

caractersticas de semiconductores, identificados con su
correspondiente. nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los
que aparecen con fondo.
gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y
los de. fondo azul a no metales.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la

materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar diodos detectores y
rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No
obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el
germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el
equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos
tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de
los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la
corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial
o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se
comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Nmero
Atmico
48

Nombre del
Elemento
Cd (Cadmio)

B (Boro)

13

Al (Aluminio)

31

Ga (Galio)

49

In (Indio)

14

Si (Silicio)

32

Ge (Germanio)

15

P (Fsforo)

33

As (Arsnico)

51

Sb (Antimonio)

16

S (Azufre)

34

Se (Selenio)

52

Te (Telurio)

Grupo en la
Tabla Peridica

Categora

Electrones en la
ltima rbita

Nmeros de
valencia

IIa

Metal

2 e-

+2

3e

+3

4 e-

+4

5 e-

+3, -3, +5

6 e-

+2, -2 +4, +6

Metaloide
IIIa

IVa

Metal

Metaloide
No metal

Va

VIa

Metaloide
No metal
Metaloide

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales
semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales,
a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta,
disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores,
pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de

los siguientes mtodos:

Elevacin de su temperatura

Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina

Incrementando la iluminacin.

MATERIAL INTRINSECO
Se le llama as al cristal del semiconductor que es qumicamente puro, y que adems no
presenta defectos en su red cristalina. A 0k no existen portadores de carga libres, y el
semiconductor se comporta como un aislante, pero al incrementarse la temperatura empiezan a
generar pares electrn - hueco.
Estos pares electrn - hueco se generan al romperse los enlaces entre los tomos. Igualmente
puede ocurrir aniquilaciones de pares electrn hueco cuando un electrn de la banda de
conduccin hace una transicin a la banda de valencia y ocupa un estado vaco (hueco), este
proceso es denominado recombinacin.
En la siguiente figura se muestra lo descrito anteriormente con un modelo de

enlace

covalente para el silicio:

EL SEMICONDUCTOR INTRNSECO
En una muestra semiconductora de este tipo existen tanto electrones como huecos.

El incremento de temperatura hace que se rompan los enlaces y que los electrones vaguen
libremente por toda la red cristalina.

MOVIMIENTO TRMICO

MATERIAL EXTRINSECO

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su
cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de
otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el
galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el
antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la
industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de
obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la
arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria
el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm
aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal

semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la
fabricacin de transistores y circuitos. integrados. A la derecha aparece la
cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minsculos dados o chips,
que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que despus de pasar
por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en. transistores o
circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o
circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro. de una
cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos.

El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el
silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar

diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que
combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para
rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da,
adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones
de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.
Placa individual de 2 x 2 cm de rea,
correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada
para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser
empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio.

Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra

instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado
para leer datos de texto, presentaciones multimedia o msica
grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por un
disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir,
como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando
"enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan
siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el
nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima
rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los
cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita
externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento
semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro,
como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos
cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente
elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones
libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que
quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin.

Cuando aplicamos una diferencia de potencial

a un. elemento semiconductor, se establece
una. corriente de electrones en un sentido y
otra. corriente de huecos en sentido
opuesto.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento

semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos
o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un
elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas
positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para
las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas
positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".
EFECTO DE UN CAMPO ELCTRICO EXTERNO
MECANISMO DE CONDUCCIN INTRNSECA
Al aplicarle a la una muestra semiconductora una excitacin externa, se logra un flujo ordenado
de los electrones y de los huecos.
Son los electrones libres los que realmente se mueven, pero el sentido de la corriente elctrica,
por convenio, se toma sentido contrario.

MECANISMO

DE CONDUCCION
EXTRNSECA

El semiconductor extrnseco se obtiene de mezclarlo con elementos del grupo IIIA o VA del
sistema peridico. A este proceso se le denomina dopaje del semiconductor extrnseco.

EL DOPAJE CON ELEMENTOS DEL GRUPO IIIA DEL SISTEMA

PERIDICO se hace regularmente con aluminio (Al), con galio (Ga) o con indio (In). Estas
impurezas aportan tres electrones para lograr los enlaces, por eso se denominan aceptores.
Los semiconductores dopados con estos elementos reciben el nombre de " Material tipo p " y
en ellos existen ms huecos que electrones.
Al establecer un campo elctrico en una muestra de este tipo, son los huecos los que funcionan
como puente para los electrones que se desplazan de la regin de menor potencial a la de
mayor potencial dando origen a la corriente elctrica.

EL DOPAJE CON ELEMENTOS DEL GRUPO VA DEL SISTEMA PERIDICO

se hace regularmente con fsforo (P), con antimonio (Sb) o con arsnico (As). Estas impurezas
aportan cuatro electrones para formar los enlaces, por eso se denominan dadores. Los
semiconductores dopados con estos elementos reciben el nombre de " Material tipo n " y en
ellos existen ms electrones que huecos. Los materiales de este tipo se comportan como los
metales, pues requieren de poca energa para conducir corrientes elctricas, esto se debe al
exceso de electrones provocado por las impurezas

2. explicar la variacin de la resistencia del filamento conductor en el

foquito incandescente
Filamento de tungsteno de un foco incandescente est formado por
un alambre extremadamente fino, mucho ms que el de un cable
cualquiera. Por ejemplo, en una lmpara de 60 watt, el filamento
puede llegar a medir alrededor de 2 metros de longitud y de grueso
solamente 3 x 10-3 = 0,003 mm . Para que la longitud total del
filamento ocupe el menor espacio posible, el alambre se reduce por
medio de un doble enrollado.
El filamento de tungsteno presenta un problema y es que el metal se
evapora al alcanzar temperaturas tan altas como la que produce la
incandescencia. En ese estado, algunos tomos de tungsteno se
excitan tan violentamente que saltan al vaco dentro de la bombilla y

se depositan en la pared interna del cristal, ennegreciendo y

volvindolo opaco a medida que ms se utiliza la lmpara.
Debido al propio proceso de evaporacin, el filamento de tungsteno
se va desintegrando con las horas de uso y la vida til de la lmpara
se reduce. Cuando ese proceso llega a su lmite, el filamento se parte
por el punto ms dbil y deja de alumbrar. Decimos entonces que la
lmpara se ha fundido.
Para evitar el rpido deterioro del filamento por evaporacin, desde
1913 se adopt el uso del gas argn en el interior de las bombillas.
De esa forma se logra disminuir en cierta medida la evaporacin del
metal, pues los tomos del tungsteno evaporados al impactar con los
tomos del gas argn rebotan hacia el filamento y se depositan de
nuevo en su estructura metlica sin que se produzca una reaccin de
combustin.
ltimamente, las bombillas con metal de tungsteno, conocido
tambin por el nombre qumico de wolframio (W), eran recubiertas de
calcio (Ca) y magnesio (Mg) y su funcin principal en los tubos de las
Lmparas incandescentes es calentar previamente el gas argn que
contienen en su interior para que se puedan encender.

UTILIZACION

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como

fotorresistor o clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de
disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de
luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material
o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su
principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del
alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la
luz solar.

En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales
semiconductores se comportarn como conductores o como aislantes.