Emmanuel Moya

Emmanuel Moya

PRCTICA 1
CARACTERSTICAS DEL DIODO
CURVA CARACTERSTICA

1. OBJETIVOS GENERALES

Fig. 1.2. Circuito para obtener iD-vD.

El alumno simular y evaluar las caractersticas de un diodo de silicio.

4.1.2.2. Con el simulador obtn las grficas de iD y vD contra el tiempo, para 0 < t
2T0.

2. INTRODUCCIN
El conocimiento de las caractersticas de los diodos es de suma importancia en su
aplicacin en rectificadores y los convertidores de CA a CD, entre otros. Es por ello que se
evaluarn las caractersticas del diodo de forma simulada, esttica y dinmica.

4.1.4. La ejecucin del trabajo previo es de suma importancia para el buen desarrollo
de la parte experimental de la prctica, por lo que tu equipo no podr ingresar a
la sala de laboratorio si no la realiz completamente.

3. EQUIPO Y MATERIAL

Computadora con simulador de circuitos elctricos como Tina, PSpice, etc.

Osciloscopio de doble canal
Fuente de alimentacin triple
Multmetro digital.
Transformador de 6 V a 500 mA, diodos y resistores.

4. DESARROLLO

4.1. Trabajo previo

4.1.1. Simula el circuito de la figura P1.1(a) con un diodo del tipo 1N4001.
4.1.1.1. Ajusta el valor de VEN de tal suerte que vayas obteniendo los valores de la
Tabla 1.1. Registra los valores seleccionados de VEN y los valores de VD e
ID correspondientes a cada valor de VEN.
Tabla 1.1

VEN (V)
vD (V)
iD (mA)
vR (V)

10

12

14

16

18

20

4.1.1.2. Obtn la grfica de iD contra vD, obtn con ajuste exponencial la lnea de
tendencia y su ecuacin (se recomienda el uso de Graphical Analysis de
la empresa Vernier o equivalente).
+ vD

R = 1 k
VEN
D
iD

(a)

+
vD

+
vEN

D
iD

vR
+

4.1.3. Con diodos 1N4001 construye los circuitos de la figura P1.1 antes de la sesin
de laboratorio correspondiente a esta prctica.

4.2. Trabajo en el laboratorio

4.2.1. Para el circuito de la figura P1.1(a) emplea una fuente regulada ajustable para
proporcionar VEN, ajusta su valor de tal suerte que vayas obteniendo los valores
de VR en la Tabla 1.1.
4.2.1.1. Con el multmetro digital mide y registra en la Tabla 1.1 los valores de VEN y
los valores de vD e iD correspondientes a cada valor de VEN.
4.2.1.2. Obtn la grfica de iD contra vD.
4.2.1.3. Compara los resultados experimentales con los obtenidos en la simulacin,
reporta tus conclusiones.
4.2.2. Para el circuito de la figura P1.1(b):
4.2.2.1. Obtn las grficas de vD y vR en funcin del tiempo.
4.2.2.2. Obtn la grfica de vR en funcin de vD, poniendo vD en el canal 1, vR en el
canal 2 invirtiendo el despliegue de la seal, y la funcin para graficar en
XY.
4.2.2.3. Compara los resultados del punto 4.2.2 con los del punto 4.2.1, registra tus
comentarios.
4.3. Evaluacin
En equipo evala los resultados obtenidos en las simulaciones y en los experimentos,
compara resultados y den sus conclusiones, tanto en equipo como en forma individual.
4.4. Bibliografa y referencias
No olvides dar crdito y formalidad a las citas que hagas, no hacerlo puede ser
considerado como plagio.
Indica la bibliografa y referencias usadas: libros, revistas, pginas de la WEB con su
URL especificado.

R = 1 k

(b)
Fig. P1.1. Circuitos de prueba.

4.1.1.3. Observa el comportamiento del diodo para valores de vD negativos y

compralo con el comportamiento para valores de vD positivos. Comenta y
registra los resultados de la comparacin.
4.1.1.4. Con los valores de vD obtenidos en la Tabla 2.1 y usando la ecuacin de
Schokley grafica iD contra vD y compara esta grfica con la obtenida en el
punto 4.1.1.2. Del simulador obtn los datos de IS y n para el diodo simulado
o bien de la ecuacin de la lnea de tendencia obtenida en el punto 4.1.1.2.
4.1.1.5. Con el simulador obtn las grficas de iD y vD contra el tiempo, sustituyendo
la fuente VEN por una fuente de tensin alterna de 12 V eficaces.

5. REPORTE
Reporta tus resultados siguiendo la secuencia de este documento hasta el punto 4.5.

6. BIBLIOGRAFA

Rashid, M.H. (2003). Power electronics: circuits, devices and applications. Pearson
Education, Inc., Tercera edicin. TK7881.15.R37 2003.
Sedra, A.S.; Smith, K.C. (2003). Microelectronic Circuits. Oxford University Press,
Quinta edicin. TK7867 .S39 2003.

4.1.2. Simula el circuito de la figura P1.1(b) con un diodo del tipo 1N4001.
4.1.2.1. Obtn la grfica de la caracterstica iD-vD. (Conecta el circuito de la figura
P1.1b como se muestra en la figura P1.2 y pon el osciloscopio en la opcin
para graficar Y/X).

ITESM, CCM
Departamento de Ingeniera Mecatrnica

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