IUFM Prparation CAPET Gnie Electrique

Amplification Linaire Transistor Bipolaire

1 - Structure gnrale dun circuit damplification :

Signal amplifier

X1

X2

Charge

Amplificateur
(Bas niveau)

(Haut niveau)

Source de puissance
(Fournie par E0)

v
X Lamplification ne concerne que le signal alternatif.
i

Signal continu : POLARISATION (point de repos)

Signal alternatif : AMPLIFICATION (point de fonctionnement qui se dplace autour de sa position de repos)
Lamplification est LINEAIRE si A, le gain de lamplificateur se met sous la forme : A =
On parle de SATURATION si X1 augmente mais X2 reste constant, dans ce cas A

X2
.
X1

X2
.
X1

2 - Diffrents types damplificateurs :

Ces types sont fonction de la nature de X1 et X2. Il existe quatre types damplificateurs
2-1 Amplificateur de tension X 1 = v1 ; X 2 = v 2 et A = Av .

Lamplificateur de tension est idal si :

v 2 = Av . e g .

v1 =

e g Ri

e g si rg pp Ri .
rg + Ri
A v1 R L
v2 = v
Av v1 si Ro pp R L
Ro + R L
Donc v 2 = Av . e g si les deux conditions

prcdentes sont respectes.

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2-2 Amplificateur de courant X 1 = i1 ; X 2 = i2 et A = Ai .

Lamplificateur de courant est idal si :

i L = Ai . i g .
On a : iL = v2 .

RL

Donc : i g =

Ai .i1 =

v1 v1 v1
+
=
rg Ri Ri

1+

Ri
R
= i1 1 + i i1 si rg ff Ri .

rg
rg

v2 v 2
v2
RL
RL
+
=
1+
= iL 1 +
i L si Ro ff R L
Ro R L R L
Ro
Ro

Donc i L = Ai . i g si les deux conditions prcdentes sont respectes.

2-3 Amplificateur transconductance X 1 = v1 ; X 2 = i2 et A = gm (La TRANSCONDUCTANCE).

Lamplificateur transconductance est idal

si : i L = g m . e g .

v1 =

e g Ri
rg + Ri

e g si rg pp Ri

iL = v2 .
RL

g m . v1 =

v2
v2
v2
RL
RL
1+
= iL 1 +
i L si Ro ff R L
+
=
Ro R L R L
Ro
Ro

Donc i L = g m . e g si les deux conditions prcdentes sont respectes.

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2-4 Amplificateur transrsistance X 1 = i1 ; X 2 = v 2 et A = Rm .(La TRANSRESISTANCE).

Lamplificateur transrsistance est idal

si : v 2 = Rm . i g .

ig =

v1 v1 v1
R
R
1 + i = i1 1 + i i1 si rg ff Ri .
+
=

rg Ri Ri
rg
rg

v2 =

Rmi1 R L
Rmi1 si Ro pp R L .
Ro + R L

Donc v 2 = Rm . i g si les deux conditions prcdentes sont respectes.

3 - Paramtres considrer pour lutilisation dun Transistor Bipolaire en alternatif:
3-1 Les capacits de jonction
Si la jonction est polarise en sens direct C D : Capacit de diffusion.
Si la jonction est polarise en sens inverse CT : Capacit associe la charge despace.
Avec C D ff CT .
Dans le Transistor Bipolaire :

J BE est polarise en sens direct donc prsence dune capacit Cbe

J BC est polarise en sens inverse donc prsence dune capacit Cbc
Donc on aura : Cbe ff Cbc avec pour ordre de grandeur : Cbe 100 pF et Cbc 2 3 pF .
Ces capacits ont une impdance

En continu :

1
.
C

1
1
, et en B.F,
est trs leve.
C
C

Ces capacits sont en parallle sur des rsistances plus faibles et de ce fait peuvent tre ngliges, sauf dans le
cas dune utilisation haute frquence (F>1Mhz), o elles prennent une relles importance.

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3-2 La transconductance g m du transistor.

Pour avoir une amplification linaire, on considre dans le cas gnral des signaux alternatifs de faible
amplitude par rapport aux valeurs de repos.
Dans chaque branche du circuit, il existera un signal composite :

I c (t ) = I C 0 + i c (t ) = I C 0 + I c (t ) = I C 0 + dI c (t ) .
Vce (t ) = VCE 0 + v ce (t ) = VCE 0 + Vce (t ) = VCE 0 + dVce (t ) .
I c (t )

ic ( t )

I B

P0

I C0

I B0

V CE 0
V ce ( t )

v ce (t )

Montage fondamental pour amplification Transistor Bipolaire :

I C 0 + ic ( t )
I B 0 + ib ( t )

Pour lamplification, on ne considrera que les

grandeurs alternatives, ici :

V CE 0 + v ce ( t )

Tension dentre vbe ( t ) et Courant de sortie

ic (t ) .

V BE 0 + vb e ( t )

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Par dfinition la transconductance g m du transistor Bipolaire est gale : g m =

I c
ic (t )
dI c (t )
=
=
vbe (t ) Vbe dVbe (t )

g m est dtermine graphiquement partir de la tangente au point de repos de la caractristique

I c (t ) = f (Vbe (t )) .
Remarque :
La valeur de g m dpend de la position du point de repos, donc de I C0 .

On admet que pour la polarisation I C 0 = I E 0 .

J BE est polarise en sens direct donc I c (t ) I e (t ) = I S . e

I C0 I S . e

VBE 0
VT

et comme dI c (t ) repos = I S . e

V BE 0
VT

Vbe ( t )
VT

dVbe (t )
VT

gm =
repos

dI c (t )
dVbe (t )

=
repos

I C0
VT

On ne peut pas utiliser g m pour faire un calcul de polarisation ; cette grandeur est seulement utilisable avec
des grandeurs alternatives.

4 - Etude des gnralits sur le montage Emetteur Commun :

4-1 Circuit type

I c (t ) = I C 0 + i c (t ) = I C 0 + I M sin t avec I M pp I C 0 Pour amplification linaire.

Vce(t)=VCE0 + vce(t)=VCE0 +VM sint avec VM ppVCE0 Pour amplificat ion linaire.
I c (t )
R1

CI

RC

I b (t )
E0

I e (t )

rg

R2
eg

V2 ( t )

V1 (t )
RE
CE

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4-2 Les deux circuits considrer pour les calculs :

Lamplification tant linaire, on peut utiliser le thorme de superposition. On traite dune part la composante
continue, et dautre part la composante alternative. Il faut donc considrer deux circuits, et deux schmas
quivalents diffrents.
4-2-1 Schma quivalent pour la composante continue :
Cest le circuit considrer pour faire le calcul
de la polarisation. On remplace tous les
condensateurs par des circuits ouverts

I C0
R1

RC

I B0

V CE 0

IC0
rg

1
1

= .
C 0

E0

I E0

RE

R2
eg

Equation de la Droite de Charge Statique (DCS) :

E 0 = ( RC + R E ) I C + VCE I C =

E0
1
VCE +
RC + RE
RC + R E

4-2-2 Schma quivalent pour la composante alternative :

ic ( t )
R1

RC
ic ( t )

Avec RB=R1//R2

ib ( t )

ib ( t )

rg

rg

ie ( t )

ie ( t )

R2

eg

v c e (t )

RB

v be ( t )

eg

convenablement dcouple pour la frquence de travail, alors dE 0 = 0 .

RC

On
remplace
les
condensateurs par des
courts-circuits (Attention
la valeur de limpdance
la frquence de travail), et
la source de tension
continue E 0 par ses
variations dE 0 . Le cas
chant, on tiendra compte
de la rsistance interne.
Si la source de tension
continue
est

Le signal alternatif ne voit pas la mme maille en sortie que le signal continu. RE disparu.
Equation de la Droite de Charge Dynamique (DCD) :
Lcriture de la loi dOhm dans la maille de sortie conduit :

dVce (t ) = RC . dI c (t ) , donc vce(t)=RC.ic(t) .

La droite de charge dynamique passe par le point de repos P0 et a pour pente

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dI c (t )
1
=
dVce (t )
RC

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Pour tracer la DCD, on dtermine K qui est lintersection avec laxe VCE .
I c (t )
DCD pente

1
R

On passe de P0 K par une

variation I c ( t ) = I C 0 ,

E0
RC + R E

variation correspondant
P0

IC 0

Vce (t ) = RC I c (t ) = RC I C 0
DCS pente

VCE 0
RC I C 0

VC E 0

E0

1
RC + RE

V ce ( t )

RE IC 0

Equation complte :

dI c (t )
1
1
1
=
donc dI c (t ) =
dVce (t ), d'o I c (t ) =
V (t ) + cte
dVce (t )
RC
RC
RC ce
Dtermination de la constante :

VCE 0

C0
On crit que la DCD passe par P0 VICE
, cest dire I c ( t ) =

V (t ) + I C 0 +
0
RC
RC ce

4-3 Attaque en courant - Attaque en tension :

On travaille sur le circuit vu par le signal alternatif.

ic (t )

R1

R iT

ib ( t )
rg

ic ( t )

ib (t )

ce

(t)

rg

eg

v be ( t )

eg

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Attaque en courant :

R iT

ic ( t )

Source de NORTON

ib ( t )

v ce ( t )

ig =

eth
rth

rth ff RiT
ig

v be ( t )

rt h

RC

ig =

1
vbe
v
v
1 vbe

+ ib = be + be = vbe +
= ib
rth
rth RiT
rth RiT RiT

Attaque en tension :

R iT

ic ( t )

Source de Thvenin

eth =
ib (t )

v ce ( t )

rth
+

eg RB
rg + RB

et rth = rg / / RB =

rg RB
rg + RB

rth pp RiT
eth = rthib + vbe or vbe = RiT ib

vbe ( t)

e th

donc eth = (rth + RiT )ib RiT ib eth = vbe

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Comparaison :
Pour lattaque en courant, on considre ib qui introduit une faible distorsion sur la tension de sortie v ce .
I c (t )

i c (t )
P0

IC0

B3

V CE

B 0

B2

B1

DCD

V ce ( t )

Ib (t)

ib ( t )
v ce ( t )

(Distorsion car lgre pente)

BE 0

V be ( t )

Pour lattaque en tension, on considre vbe qui introduit une distorsion notable par le passage de vbe ib , et
qui sajoute celle de lattaque en courant.

I c (t)

i c (t )
I
t

P0

IC0

B 3

V CE

B 0

B 2

B1

DCD

V ce (t )

Ib (t)

ib ( t )

V BE

v ce ( t )

(Grande Distorsion car non linarit)

V be ( t )

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4-4 Ecrtage :
Tension de sortie TOTALE : Vce ( t ) = VCE 0 + v ce ( t )
Sous linfluence du signal alternatif, le point de fonctionnement quitte sa position de repos P0 et se dplace sur

1
.
RC

la DCD, de pente

Les limites de son dplacement (pour une amplification) sont M1 et M2.

Pour viter le phnomne dcrtage, il faut choisir le point de repos P0 au milieu du segment M1M2.
Il y a deux types dcrtages :
I c(t )

I c (t)

Ecrtage p ar Saturatio n

DCD pente

M1

1
R C

DCD pente

M1

E0

Ecrtag e pa r Blocag e

1
R C

E0

RC + R E

DCS pente

P0

I C0

RC + R E

1
RC + R

VCE 0

E0

RC I C 0

DCS pente

1
RC + RE

M2

VCE 0

P0

IC0

V ce ( t )

VCE 0
VCE 0

RE I C 0

RC I C 0

RE I C 0

VCESAT
VCESAT

4-5 Influence de la frquence dutilisation :

R1

rg

V
+

R
eg

S O R T IE

Dans un montage Transistor Bipolaire, on trouve :

Les capacits des jonctions du transistor : Cbe et Cbc .
Les capacits du montage : C E et C I . (On a le choix de la valeur)

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V ce ( t )

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Gain en tens ion
BF ou M F

HF

TBF

f1

Prise en compte
des capacits
extrieures C I et C E

Ici on nglige

f2 Pris e en compte

C I , C E et C be , C bc

Frquence

de C be , C bc

f 1 et f 2 : frquences de coupure.
En Basse Frquence (B.F) : f1 f f2 1

Cbe

et 1 et 1 et 1 trs faibles .
Cbc
CE CI

En Trs Basse Frquence (T.B.F) :

f f1

1
1
1
1
et
reste trs grands, et
et
ne sont plus trs faibles.
Cbe
Cbc
CE
CI

En Haute Frquence (H.F) :

f f2

1
1
1
1
ne sont plus trs grands , et
et
et
restent trs faibles.
Cbe
Cbc
CE
CI

4-6 Etablissement dun Schma quivalent BF (ou MF) du Transistor Bipolaire :

4-6-1 Paramtres Hybrides (En alternatif)
Equation de fonctionnement du transistor en alternatif :

vbe = hie ib + hre v ce

(1)

ic = h fe ib + hoe v ce

(2)

Il existe donc par dfinition 4 paramtres hybrides :

h11 = hie , h21 = h fe , h12 = hre , h22 = hoe

Dtermination des paramtres hybrides : On peut les dterminer en fonction du point de repos.
? Si v ce = 0 , alors Vce ( t ) = 0 donc Vce ( t ) = Cte = VCE 0 (Point de repos)
De (1) on tire : hie =

De (2) on tire : h fe =

vbe
ib
ic
ib

=
v ce = 0

: hie est donc analogue une rsistance.

ce =VCE 0

=
vce = 0

Vbe (t )
I b (t ) V
I c (t )
I b ( t ) V

: h fe est donc sans unit cest le GAIN en COURANT.

ce =VCE 0

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? Si ib = 0 , alors I b ( t ) = 0 donc I b ( t ) = Cte = I B 0 (Point de repos)
De (1) on tire : hre =

De (2) on tire : hoe =

vbe
v ce
ic
v ce

=
ib = 0

=
ib = 0

Vbe (t )
Vce (t )
I c (t )
Vce (t )

: hre est donc sans unit.

Ib = I B 0

1
est la
hoe

: hoe est donc analogue une admittance.

Ib = I B 0

rsistance de sortie.
4-6-1-a : Dtermination graphique des paramtres hybrides
Les paramtres h fe

et hoe seront

dtermins partir de la caractristique

de sortie.

I c(t)

IC3

h fe =

V ce ( t )

IC1

B 2

B1

h fe =

ce =VCE 0

B 3

Ic(t)

IC0

I c ( t )
I b (t ) V

= IB0

V CE 0

hoe =

I c ( t )
Vce (t )

I C 3 I C1
I B 3 I B1

trs faible
Ib = I B 0

1
car
est leve.
hoe

V ce (t )

Les paramtres hie et hre seront dtermins partir de la caractristique dentre.

V be ( t )
V BE

VCE

hie =

V be ( t )

V BE

VCE

= V CE

VCE

hre =
1

Ib (t)

B 0

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Vbe (t )
Vce (t ) I

b = I B0

. hie pas trs

lev.

hre =
I

ce =VCE 0

Ib (t)

V BE

Vbe (t )
I b ( t ) V

, donc

VBE 3 VBE 1
est trs faible si
VCE 3 VCE 1

Vbe (t ) pp Vce (t )

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4-6-1-b : Schma quivalent du transistor en alternatif

vbe = hie ib + hre v ce Source de Thvenin pour le circuit dentre.

ic = h fe ib + hoe v ce Source de Norton pour le circuit de sortie qui se comporte en source de courant.
ic

ib

h ie

v be

1
v ce

ho e

h re v c e

h fe i b
-

4-6-1-c : Ordre de grandeur des paramtres hybrides :

En toute rigueur les paramtres hybrides varient avec le point de repos.

hre 104 donc, vbe = hieib + hrevce hieib car hre vce pp hieib
Do le schma le plus utilis : (Vrai le type de transistor PNP ou NPN)
E-C

ic

ib

1
v be

hie

v ce

ho e
h

fe i b

Si RL pp

1
1
avec
105
hoe
hoe
E-C

ic

ib

v be

v ce

hie
h

fe i b

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hie qqk (1 3 k ) , vbe = hieib et ic = h feib or comme ic = gmVbe

alors, gm =

h fe
hie

, ce qui conduit au schma suivant :

E-C

ic

ib

v be

v ce

hie
g m v be

5 - Les Montages Amplificateurs :

5-1 Le montage Emetteur Commun (Vrai)

R1

V
rg

V1

R
R

eg

Les trois condensateurs du montage

sont choisis de faon se comporter
comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de
lamplificateur.

Schma quivalent du montage en alternatif :

i1
iL

rg

+
eg

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En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

B
rg

RB = R1//R2
v1

ic

ib

1
hie

Rch=RC//RL

v2

h oe
h fe i b

eg

Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Travail demand :

v2
; (Rponse : Av =gm Rch
)
1+ Rchhoe
v1
v2
; (Rponse : Avc = v2 v1 = Av RB // hie )
Calculer lamplification en tension (composite) Avc =
rg +(RB // hie)
v1 eg
eg
h fe Rch
)
Calculer lamplification en courant Ai = iL ; (Rponse : Ai =
RL(1+ Rchhoe)
ib
iL
Calculer lamplification en courant (composite) Aic =
; (Rponse : Aic = iL ib = Ai RB // hie )
ib ig
hie
ig

Calculer lamplification en tension Av =

Calculer la rsistance dentre du montage RiM = v1 ; (Rponse : RiM = RB // hie )

i1
Calculer la rsistance de sortie du montage RoM = v2
)
; (Rponse : RoM = Rc
iL eg =0
1+ Rc hoe
En rsum :
Amplification leve en tension et en courant ; Dphasage de entre lentre et la sortie.
5-2 Le montage Emetteur Commun charge rpartie.

R1

V
rg

V1

R
eg

R
R

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Schma quivalent du montage en alternatif :

R B = R1 / / R 2
V
rg

V1

RC / / R L

RB

eg

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

ic

ib

1
v be

rg

eg

hie
ib

RB

v ce

h oe
h fe i b

ic

v2

RC / / RL

ib + ic

v1

ve

RE

5-3 Le montage Base Commune

R1

C
E

R
R

rg

V1

+
eg

Les trois condensateurs du montage sont choisis de faon se comporter comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de lamplificateur.

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Schma quivalent du montage en alternatif :

R1

iL

R
R

rg

V1

+
eg

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

h
ig

ie = i1

fe b

ic

ic

Rch=Rc//RL
iL

rg

ib

RE

v1

eg

1
h oe

h ie

RC

v2

RL

Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

Travail demand :

1
est suffisamment grand pour pouvoir crire : ic h fe ib . Ce qui permet
hoe
1
donc de ngliger le courant qui circule dans
.
hoe
Si ncessaire, on considrera que

v2
; (Rponse : Av = gm Rch )
v1
iL iL
Rchh fe
)
Calculer lamplification en courant Ai =
=
; (Rponse : Ai = iL ic =
i
c
i
e
(
R
c
R
+ L)+(1+ h fe)
i1 ie
v1 v1
Calculer la rsistance dentre RiT =
=
( sur lmetteur ) ; (Rponse : RiT = hie )
1+ h fe
i1
ie
r'g (hie + h fe ) )
Calculer la rsistance de sortie RoT = v2
( sur le collecteur ) ; (Rponse : RoT = 1 +
ic eg = 0
hoe r'g +hie
hoe

Calculer lamplification en tension Av =

En rsum :

Amplification leve en tension, Amplification en courant 1 ;

Rsistance dentre faible et de sortie leve.

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5-4 Le montage Collecteur Commun

R1

rg

V1

eg

Les deux condensateurs du montage sont choisis de faon se comporter comme des courts-circuits la plus
basse frquence de travail de lamplificateur.
Schma quivalent du montage en alternatif :

R1

rg

V1

iL

eg

En utilisant les paramtres hybrides on obtient :

B

hie

ib

ie

Rch=RE//RL

rg

RB
+

eg

v1

RE

1
h fe i b

h oe

v2

RL

Ce circuit permet de calculer la valeur des amplifications en courant et en tension.

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Travail demand :

1
est suffisamment grand pour pouvoir crire : ic h fe ib . Ce qui permet
hoe
1
donc de ngliger le courant qui circule dans
.
hoe
v2
Calculer lamplification en tension Av =
; (Rponse : Av =1+ 1 )
gm Rch
v1
iL
(1+h fe)RE
Calculer lamplification en courant Ai =
; (Rponse : Ai = iL ie =
)
ie ib (RE + RL)
ib
v1
h fe RE RL )
( sur la Base ) ; (Rponse : RiT =hie +
Calculer la rsistance dentre RiT =
RE + RL
ib
hie(rg // RB)
Calculer la rsistance de sortie RoT = v2
( Vue sur lmetteur ) ; (Rponse : RoT =
)
ie eg = 0
1+ h fe
Si ncessaire, on considrera que

En rsum :

Amplification en tension 1 , Amplification en courant leve ;

Rsistance dentre leve et de sortie faible.

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