Instituto Tecnolgico de Tuxtla Gutirrez

Maestra en Ciencias en Ingeniera Mecatrnica

Electrnica bsica
Diodos y transistores

M.C. Jos ngel Zepeda Hernndez

Leonardo Daniel Zapata Hernndez

M14270283

1 Semestre

Tuxtla Gutirrez, Chiapas. A 04 de Enero del 2014

Tabla de comparacin de Diodos

CARACTERISTICAS
Aplicacin
DIODO
1N4007
1N4148
1N5408
1SS184
US1M

Mxima
tensin
inversa
continua

Rectificador
Conmutador
de alta
velocidad
Rectificador
Conmutador
de alta
Velocidad
Rectificador
de alta
velocidad

Empaquetado

tensin
inversa
RMS

Corriente
mxima

Rango de
Temperatura
en operacin

1000V

DO-41

700V

1A

-65C a 150C

100V

DO-35

200mA

-65C a 200C

1000V

DO-201AD

3A

-65C a 150C

85V

TO-236MOD

100mA

-55C a 125C

1.6ns

1000V

SMA

1A

-65C a 150C

75ns

700V

700V

Mxima
velocidad de
conmutacin

4ns

Potencia
de
disipacin

500mW

150mW

Diodo Zener 1W a 12V

CARACTERISTICAS
Aplicacin

Voltaje
Nominal

Diodo Zener

3.3V-75V

DIODO
1N4742A

Empaquetado

Corriente
mxima

Rango de
Temperatura en
operacin

Potencia de
disipacin

DO-41

5uA

-65C a 175C

1W

Tabla de comparacin de transistores tipo BJT y Darlington

CARACTERISTICAS
Tipo de
transistor

Max.
voltaje
basecolector

Empaquetado

Max.
voltaje
colectoremisor

Max.
voltaje
Baseemisor

2N2222

NPN

60V

TO-18

30V

5V

PNP

-60V

-40V

-5V

2N3055

NPN

100V

70V

7V

MJ2955

PNP

100V

70V

TIP112
TIP115

NPN
PNP

100V
-1000

TO-18
TO-204AA
(TO-3)
TO-204AA
(TO-3)
TO-220
TO-220

800mA
(DC)
-0.6A

2N2907

100V
-100V

Transistor

Corriente
mxima
de
colector

Corriente
mxima
de base

Rango de
Temperatura
en operacin

Mxima
velocidad de
conmutacin

Potencia
de
disipacin

Ganancia
mxima

200mA

-65C a 150C

250ns

500mW

300

-50nA

-65C a 200C

40ns

1.8W

300

15A

7A

-65C a 200C

300us

115W

70

7V

15A

7A

-65C a 200C

300us

115W

70

5V
-5V

2A
-2A

50mA
-50mA

-65C a 150C
-65C a 150C

300us
300us

50W
50W

1000
1000

Tabla de especificaciones de un transistor MOSFET

CARACTERISTICAS
Transistor
STP6NB50

Max.
Max.
Max.
Corriente Corriente
Rango de
Mxima
Tipo de voltaje
voltaje voltaje
Empaquetado
mxima
mxima Temperatura velocidad de
transistor draindraingatede drain
de gate en operacin conmutacin
source
gate
source
-65C a
Canal N
500V
TO-220
500V
+-30V
5.8A
5V
16ns
150C

Potencia
de
disipacin
100W

Tabla de especificaciones de transistor un transistor IGBT

CARACTERISTICAS
Transistor
STP6NB50

Tipo de
transistor
IGBT

Max.
voltaje
colectoremisor
600V

Empaquetado
TO-220

Max.
voltaje
gateemisor
+-20V

Corriente
mxima de
colector

Rango de
Temperatura en
operacin

Potencia
de
disipacin

14A

-55C a 150C

69W

Bibliografa

DIODES INCORPORATED, 1N4001-1N4007 Data Sheet.

DIODES INCORPORATED, 1N4728A - 1N4761A Data Sheet.
DIODES INCORPORATED, 1N5400 - 1N5408 Data Sheet.
DIODES INCORPORATED, US1A - US1M Data Sheet, Octubre del 2011
TOSHIBA, 1SS184 Data Sheet, 18 de Noviembre del 2008.
DISCRETE SEMICONDUCTORS, 1N4148; 1N4448 Data Sheet, 10 de Agosto del 2004
DISCRETE SEMICONDUCTORS, 2N2222; 2N2222A Data Sheet, 29 de Mayo de 1997.
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, 2N2905; 2N2907 Data Sheet, Noviembre de 1997.
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, STP6NB50; STP6NB50FP Data Sheet, Marzo de 1998.
ON SEMICONDUCTOR, 2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Data Sheet, Diciembre del 2005.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, TIP110/TIP111/TIP112 Data Sheet, Noviembre del 2008.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, TIP115/TIP116/TIP117 Data Sheet, Noviembre del 2008.
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, FGP7N60RUFD Data Sheet, Octubre del 2006.