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https://sites.google.com/site/ingcesaragonzalez/

UNEFA Ncleo Maracay


Dpto. de Telecomunicaciones

Prof. Csar Gonzlez


Laboratorio de Electrnica II
Prctica No 2

AMPLIFICADOR BJT MULTIETAPAS CON ACOPLAMIENTO DIRECTO


Los amplificadores multietapas con acoplamiento capacitivo tienen la ventaja de que la
polarizacin de sus etapas queda independiente una de la otra y su diseo se puede hacer por
separado. Sin embargo, este tipo de amplificadores tiene dos desventajas:

Las reactancias capacitivas a bajas frecuencias se comportan como altas impedancias,


degradando la ganancia total del amplificador. Esto hace que el diseo sea imprctico para el
procesamiento de seales analgicas lentas o de corriente continua, donde se requiere de una
respuesta frecuencial plana a bajas frecuencias.

El acoplamiento capacitivo slo tiene aplicacin prctica en amplificadores discretos. En


amplificadores de circuito integrado los capacitores ocuparan grandes cantidades de valiosa
superficie dentro del microcircuito.
En amplificadores multietapas con acoplamiento directo, la polarizacin de cada etapa no es
independiente de las otras. Ms an, el nivel DC de cada etapa se va trasladando a la
siguiente, producindose un problema de apilamiento de voltaje que termina saturando a las
etapas finales. Esto se puede corregir, empleando estrategias de desplazamiento del nivel DC.
Objetivo: El objetivo de esta prctica es estudiar un amplificador de dos etapas inversoras BJT
npn con acoplamiento directo, enfrentarse al problema del apilamiento de voltaje y resolverlo,
implementando las tcnicas disponibles.
Materiales: Transistores BJT de baja potencia (2N3904
condensadores electrolticos, protoboard, cables y herramientas.

2N2222),

resistencias,

Pre-Laboratorio:
1. Dado el circuito de la figura,
demostrar y verificar por simulacin
que Q2 est saturado por el
exagerado valor del voltaje en su

10V
Vcc

pudiera funcionar sin problemas de


polarizacin, con la misma corriente
que Q1.

2.2kohm
Rc

2.2kohm
Rc

Vo

base.
2. Calcular el valor de la ganancia de
tensin del amplificador, si Q2

51kohm
R1

Q1

10uF

Q2

Vi
13kohm
R2

750ohm
Re

750ohm
Re

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Dpto. de Telecomunicaciones

Prof. Csar Gonzlez


Laboratorio de Electrnica II

A continuacin se presentan dos tcnicas usadas en circuitos integrados, orientadas a resolver


el problema de polarizacin del transistor Q2.
3. Calcular el valor del voltaje
Zener (Vz) necesario para
polarizar correctamente al

10V
Vcc

51kohm
R1

transistor Q2.

2.2kohm
Rc
Dz

2.2kohm
Rc

Vo

4. Determinar el valor de Rs
para polarizar al diodo,

Q1

10uF

tomando en cuenta la
potencia del Zener y su
influencia en la ganancia
total del amplificador.

Vi
13kohm
R2

750ohm
Re

Q2

Rs

750ohm
Re

Esta segunda tcnica es ms sofisticada que la anterior, ms costosa pero permite mejorar la
polarizacin con un circuito transistorizado que desplaza el corrimiento del nivel DC, sin afectar
la ganancia total del amplificador.

10V
Vcc

51kohm
R1

2.2kohm
Rc

2.2kohm
Rc
Qa

Vo
Q1

10uF

Q2

Ra

Vi
13kohm
R2

750ohm
Re

750ohm
Re

Qb
10kohm
Rx
10V
Vcc

10kohm
Ry

2mA
Rb

5. Calcular Ra y Rb de modo que


Q2
quede
correctamente
polarizado, ajustando la corriente
del desplazador DC a unos 2mA.
Procedimiento:
Montar
todos
los
circuitos
diseados y medir todas las
variables necesarias, en DC y en
AC
para
comprobar
su
funcionamiento.
Post-Laboratorio:
Comparar los resultados
prcticos
con
los
obtenidos
mediante
clculos y simulaciones.
Analizar y concluir.

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