TRABAJO COLABORATIVO N1

INTEGRANTES:
ERNESTO QUINTERO
JUAN GUILLERMO CLEVES
CARLOS ALBERTO ARBOLEDA
JUAN CLIMACO PINILLA
GRUPO 299002_28

TUTOR:
IVAN CAMILO NIETO SANCHEZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y ADISTANCIA UNAD

CEAD: ACACIAS-META
OCTUBRE DE 2015

INTRODUCCION

La implementacin del diseo del problema propuesto nos permite afianzar nuestros
conocimientos sobre las diferentes aplicaciones de los semiconductores entre los que
encontramos la fotorresistencia, instrumento electrnico muy usado en el diseo de circuitos
que manejan sensores de luz cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad
de luz incidente, desarrollndolo en dos fases una de potencia en donde encontramos el
sensor de luz, el motor, las persianas y la fase de control donde se ejecuta los led que nos
muestran la luz encendida o apagada y la persianas abiertas o cerradas.

OBJETIVOS

Reconocer las principales caractersticas de los semiconductores y su aplicabilidad

en el mundo.
Disear e implementar un circuito electrnico en el cual se encienda una luz de 110
V AC, y se activ un motor DC, este circuito ser activado por un foto-resistor.

Principales caractersticas de los elementos semiconductores, su funcionamiento y

aplicaciones.
Los semiconductores son elementos que tienen la propiedad de comportase de dos maneras,
como lo es siendo aislante o comportndose como conductor. Esta cualidad se logra
mediantes diversos factores que inciden en el componente, como lo es la temperatura, la
tensin elctrica aplicada o el campo magntico.
Los ms utilizados son el silicio y el Germanio, como base principal de los componentes
electrnicos semiconductores para toda clase de prcticas.
Estos elementos estn extremada pureza, son dopados con impurezas para cambiar sus
propiedades elctricas y llamados como intrnseco, o cuando las impurezas son bajas se les
denomina como extrnsecos.

El dopaje en los semiconductores aparecen las regiones denominadas tipo p y tipo n. esto es
casi decir positivo y negativo, estas regiones estn constituidas por tomos los cuales en el
tipo N son los que permiten la aparicin de electrones sin huecos, o donantes de electrones.
Los denominados tipo P son los que permiten la aparicin de huecos que toman un electrn.
Universal y esto da lugar a los siguientes componentes:
Una unin N-P da lugar al Diodo.
Una unin N-P-N o P-N-P da lugar al Transistor.
Una unin N-P-P-N o P-N-N-P da lugar al Tiristor y al Triac.
La razn por la que los materiales semiconductores tienen comportamiento de aislante o de
conductor es porque los electrones de valencia estn ligeramente ligados a sus respectivos
ncleos atmicos, pero no lo suficiente, pues al aadir energa elevando la temperatura son
capaces de abandonar el tomo para circular por la red atmica del material.
El dispositivo que nace a partir de la unin N y P es el diodo el cual es el ms simple en su
funcionamiento, este se comporta como un interruptor el cual mediante la tensin que se le
aplica se controla.
Cuando los electrones giran en una direccin de acuerdo al circuito, el diodo se comporta
como un interruptor cerrado, esto pasa cuando se supera el voltaje de umbral de 0.7V. Cuando
la circulacin es al contrario y esta quiere ingresar por el ctodo, no es permitida de manera
que se comporta con un interruptor abierto.
Es de esta manera que los semiconductores son capaces de comportarse como aislantes o
conductores en un circuito electrnico.

Los semiconductores son utilizados en diferentes configuraciones

Diodos rectificadores: estos diodos convierten la corriente alterna en corriente

continua y se conoce como rectificacin, mediante una configuracin la seal
pasa cuando es positiva a travs de la regin P de media onda.
Diodos de avalancha: Tambin se les llama diodos zener; este funciona como
un dispositivo limitador de voltaje, teniendo en cuenta al dopar las regiones
se selecciona el volteje de ruptura.

Teora Elemental del Semiconductor

Los electrones exhiben una naturaleza dual: se comportan en algunos casos como partculas
y en otros como ondas. La representacin como partcula es til al describir el
funcionamiento de los transistores y de la mayor parte de diodos.

Estructura Atmica
La estructura de un tomo como partcula es similar a la del sistema solar. En el centro del
tomo se encuentra el ncleo, constituido por partculas con carga positiva llamada protones
y por muchas partculas elctricamente llamadas neutrones.
Los materiales denominados semiconductores, como su nombre lo indica, conducen la
corriente bajo ciertas condiciones. Su caracterstica principal es la de conducir la corriente
slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en
este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slida est basada. La estructura
atmica de dichos materiales presenta una caracterstica comn: est formada por tomos
tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es fcil ganar
cuatro o perder cuatro.
Niveles De Energa
Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico. La gran
proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima capa sufran
la
interaccin
de
los
tomos
vecinos.
El nivel energtico de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de
valencia" o en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro
de la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente por
l mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin, el electrn puede
moverse libremente por todo el cristal, pudiendo Formar parte de una corriente elctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos niveles

no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Segn la magnitud de esta banda, los
cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores.
Aislantes.
La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que todos los electrones
del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al
no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula. Un ejemplo
es el diamante.
Conductores.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace
que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy
elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de
las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Un ejemplo son todos los metales.
Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas
son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando
niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra
forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa
dentro
de
la
banda
prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.
Aceptadores y Donadores
Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del
mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un
semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea cantidad de
tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc). Se transforma en un semiconductor
impuro. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras. Ahora, bien para
aumentar la conduccin de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado
"dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la
cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del
mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores) El dopado del cristal es realizado
con tomos trivalentes (con tres electrones en su ltima rbita) o pentavalentes (con cinco).
Semiconductores Tipo P y Tipo N
Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes
electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin
una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de
impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del
tipo n.
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino
que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro.

Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres
electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la
unin incompleta dar lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que
pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o
impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor
con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin,
con
los
que
tena
el
semiconductor
puro.
Polarizacin Directa E Inversa De La Unin P-N
El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado
de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la
otra con impurezas aceptadoras (tipo P). De esta forma, en la parte P existe mucha mayor
concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo
elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa
y polarizacin directa.
Polarizacin inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que
a la parte P. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los
huecos
tendern
a
circular
en
ese
sentido
Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que
circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son
mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que
tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios
(Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo
totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido
contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total
Prcticamente
nula.
La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denominan Corriente
inversa de saturacin (Is ). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo (del
orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar
sta.
Polarizacin directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta
forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que
circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son
minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De
esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la
corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma
un valor elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin umbral, V) que depende
del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de

0,2 V). Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que
permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.

Rectificadores
Diodo de Unin y Diodo Zener (Smbolo, Comportamiento Y Curva Caracterstica)
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole
un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula
que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona
P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el
polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma
si se realiza la conexin opuesta.

Diodos Zener
Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una
tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los
atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta
la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado
nivel.
Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente
o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada
tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de
forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente
constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo
atraviesa.

Funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con transformador con

PUNTO MEDIO.
Se puede considerar a este circuito como dos rectificadores de media onda, donde la
alimentacin a la carga esta en contratase es decir que las tensiones sobre el secundario del
transformador estn desfasadas 180 entre s, es decir durante el semiciclo positivo de VAC,
se enciende el diodo D1, donde la corriente se cerrar a travs de la carga y en semiciclo
negativo se pone en inversa D1 pero se pone en directa D2 manteniendo la corriente sobre la
carga. Otro detalle interesante es estudiar cual es la tensin que debe soportar los diodos
cuando no estn conduciendo, por ejemplo cuando conduce D1 se puede ver que la tensin
del punto A menos 0,7 Volt aparece sobre el ctodo del diodo D2, debiendo soportar el
mximo de la tensin VAB-0.7 en inversa.

Rectificador de onda completa tipo PUENTE.

La tensin VAB es positiva quedan polarizados en directa los diodos y D2 circulando la
corriente desde D1 pasando por la resistencia de carga y cerrndose por D2, en el prximo
semiciclo se cortan los diodos D1 y D2 pero se ponen en directa los diodos D3 y D4
establecindose una corriente que sale de D3 pasa por la resistencia y se cierra a travs de
D4 circulando por la resistencia la corriente en una sola direccin. Si se coloca un capacitor
en paralelo con la carga tendremos como resultado algo similar al rectificador de media onda,
con la salvedad que ahora la frecuencia de las ondas ser el doble y una forma de
aproximacin para la determinacin del riple es tomando la relacin entre el V y el valor Vdc
de tensin continua para este circuito tenemos las siguientes formulas:
Vcd = (0.9) ( V. Eficaz del secundario)
Vcd = (0.636) (voltaje pico rectificado)
Transistores
Transistor
(smbolo,
tipos,
curva
caracterstica
y
funcionamiento)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
Para la polarizacin las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para
el colector y B para la base. Se desarrollar una apreciacin de la eleccin de esta notacin
cuando se analice la operacin bsica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar
de unin (del ingls, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres
terminales. El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan
en el proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta. Si slo se utiliza
un portador (electrn o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Configuracin de Base Comn
Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN. La terminologa de la base
comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la
configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra
en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de corriente harn
referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al flujo de electrones.
Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor
(flujo convencional) a travs del dispositivo.

Configuracin de Colector Comn

La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de
impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de
salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.

Polarizacin En Configuracin Emisor Comn

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo para los transistores PNP y
NPN. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o
hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto
a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de
caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor
comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o
colector-emisor.
En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra
polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada
directamente.
Reguladores De Voltaje
Regulador de transistor con diodo zener.
Como los diodos zener presentan una zona de ruptura tpica a una determinada tensin
inversa ( Vz ) .- Si se utiliza esta propiedad que corresponde a una fuente ideal de voltaje
para entregar una tensin constante o estabilizada a una carga que presenta como
caracterstica
un
consumo
variable,
para
su
funcionamiento.
Tambin este dispositivo debe resguardar las posibles fluctuaciones o variaciones de la
tensin ondulatoria residual de entrada. Este circuito es el ms sencillo de los reguladores y
es el de alimentacin de potencia regulada, que est hecho a base de diodo zener.
Regulador serie con transistor.
Anlisis funcional.
El ms utilizado de los de los reguladores de tensin, es el regulador tipo serie.
El transistor es la etapa de control y RL es la carga. El diodo zener alimentado a travs de R
y del transistor y su corriente de base, suministra una tensin constante de referencia aplicada
a la base del transistor. Al aumentar la corriente consumida por la carga IL, por cualquier
razn, la tensin VL sube e incrementa el valor de VBE llevando el emisor a un potencial
ms
positivo
con
respecto
a
base.
Por tanto la polaridad directa base emisor se reduce y la corriente de colector disminuye,
disminuyendo as la corriente de carga IL. Se ve que a un aumento de la corriente IL,
corresponde un efecto de control que disminuye el valor de IL. Existe entonces un efecto de
compensacin
o
de
regulacin.
El circuito detector de error, en este regulador, acta por la caracterstica base emisor del
circuito,
y
el
mismo
transistor
hace
las
veces
de
amplificador.
Circuitos Amplificadores
Redes de acoplamiento.

Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es necesario

conectar, o acoplar, los transistores entre s. Existen muchas formas comunes de lograr
esta interpretacin entre amplificadores. En las siguientes secciones se analizan los
acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico.
Acoplamiento directo
Dos amplificadores estn acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se
conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de
la primera etapa est superpuesta con el nivel de cd esttico de la segunda etapa. El nivel de
cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarizacin de la segunda etapa.
Para compensar los cambios en los niveles de polarizacin, en amplificador utiliza
diferentes valores de fuentes de tensin de cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla.
El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC
a uno ES. El amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias
pues no existen elementos de almacenamiento en serie (sensibles a la frecuencia) que afecten
la seal de salida en baja frecuencia.
Acoplamiento capacitivo
Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la
primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el
componente de cd de la seal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarizacin de
la siguiente. Para asegurar que la seal no cambie de manera significativa por la adicin de
un capacitor, es necesario que est se comporte como cortocircuito para todas las frecuencias
a amplificar.
Acoplamiento por transformador
Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de
acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican seales de alta frecuencia. Las
transformaciones son ms costosos que los capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar
el costo adicional. A travs de una eleccin adecuada de la razn de vueltas, se puede utilizar
un transformador para aumentar ya sea la ganancia de tensin o bien la de corriente fondo.
Por ejemplo, encima etapa de salida del amplificador vez potencia, en transformador se
utiliza para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso
de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de
manera que se convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y
atena las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida).
Acoplamiento ptico
Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento ptico de circuitos electrnicos. Estas
aplicaciones se pueden clasificar como sigue:
- dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz.
- detectores y emisores discretos para sistemas de fibra ptica.

- mdulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz.
- aisladores /acopladores que transmiten seales elctricas sin conexiones elctricas.
DESCRIPCION DETALLADA DE LA PROPUESTA
Diseo de Circuito Electrnico

Componentes
1 Fotorresistor
1 Motor 12 v
2 bacterias de 12 v
2 Relay de 12 v
3 Compuertas NOT
5 Led de Diferentes colores.
1 Compuerta AND
1 Compuerta OR
1 Fuente DC 8 v
2 Button
2 Switch
2 Transistor Bipolar NPN TIP122
1 Relay G2RL-1A-CF-DC5

Fase Potencia
1. Sensor con Luz.

Como podemos observar en la figura el fotorresistor est encendido, el motor gira hacia la
derecha y la bombilla representada por el led est apagada, las persianas representadas por
el button estn cerradas.
2. Sensor con oscuridad

En la figura se muestra al fotorresistor apagado, el motor girando hacia la izquierda,

la luz de la bombilla encendida y las persianas abiertas.
Fase de Control
Led Rojo = Luz Encendida

Led Verde = Luz Apagada

Led Azul = Persianas Cerrada

Led Amarillo= Persianas Abierta

CONCLUSIONES

La fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el

aumento de intensidad de luz incidente muy usada en el diseo de circuitos para
simular la luz de da y noche, est hecho de un semiconductor de alta resistencia
como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de
alta frecuencia, los fotones son absorbidos por las elasticidades
del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de
conduccin.
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior
a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la
naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el selenio.
La implementacin del diseo solicitado nos permiti conocer los tipos de
semiconductores ms utilizados como por el ejemplo el transistor bipolar, la
fotorresistencia entre otros, en la creacin de un circuito electrnico en el cual se
prende una luz de 110 V AC, y se activa un motor DC.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
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