Transistores

Obje%vos
Entender la distribucin y movimientos de carga en los
transistores
Conocer las estructuras, funcionamiento y caracters:cas de los
diferentes :pos de transistor
Ser capaz de explicar les diferencias entre el transistor de
unin, el JFET y el MOSFET
Conocer algunas aplicaciones

Transistor BJT

Introduccin

Transistor bipolar de unin (BJT = Bipolar Junction Transistor)

Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente:
npn (o pnp)
Accin transistor: Captacin de portadores mayoritarios procedentes de una unin
p-n polarizada en directa que los emite por otra unin p-n inversamente polarizada y
muy cercana a la anterior
Dos tipos:

BJT npn

BJT pnp

Transistores

Transistor BJT

Introduccin

Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector

No es simtrico: la concentracin de portadores en E es generalmente
bastante mayor que en C
La regin central (B) es estrecha
Slo 2 tensiones y 2 corrientes independientes (leyes de Kirchhoff)

Unin no polarizada
p

V0

El transistor polarizado (saturacin)

IE

IB

similar a dos diodos con polarizacin directa

IC

V0

IB + IC = IE

Regin de Saturacin

En la regin de saturacin las uniones de emisor y colector estn

polarizadas en directa; la VBE y la VBC :enen tensiones superiores
100mV.

La cada de tensin entre el colector y emisor es muy baja debido a

que ambas uniones pn se encuentran directamente polarizadas. De
esta manera, se verica que:

Regin de Saturacin

Los valores Qpicos de la VCE(sat) estn prximos a 0.1 o 0.2 V y la

VBE(sat) es ligeramente superior a la de la regin lineal (0.8 V).

El transistor est operando con una relacin F(sat)=IC/IB variable e

inferior a la F de la regin lineal.

En la figura 1.6 aparece una curva tpica

que proporciona el fabricante relacionando
la VCE(sat) con la IC realizada con una
F(sat)=20. La VCE(sat) est comprendida
entre 70mVy 200mV,y por ello, en muchos
circuitos se considera prcticamente 0 V.
En esta regin el transistor se comporta
de una manera no lineal.

El transistor polarizado (corte)

p

V
V0

similar a dos diodos con polarizacin inversa

IE = IC = IB = 0

Regin de Corte

En la regin de corte las uniones de emisor y colector estn

polarizadas en inversa; la VBE y la VBC :enen tensiones inferiores a
100mV.

Las corrientes IE, e IC son extremadamente bajas y pueden ser

despreciadas; a efectos prc:cos se puede considerar al transistor
como si no exis:ese.

Es decir, el transistor est en la regin lineal cuando :ene corrientes

signica:vas en sus terminales y est en corte cuando esas
corrientes son muy bajas.

Region de Corte

Normalmente, se asigna una VBE umbral (VBE ) a par:r de la cual

las corrientes :enen un valor sucientemente alto; esta VBE suele
estar comprendida entre 0.4 y 0.5 V.
En la figura 1.5 se muestra grficamente
la relacin entre la VBE y la IC en donde
se puede observar como por debajo de
0.58 V (typ) la corriente de colector es
de bajo valor (<100)

Transistor polarizado en forma ac%va

(P) Emisor

(N) Base

(P) Colector

IpB
IE

IC
InB

InC
IBB
IB

Transistor polarizado en forma ac%va

(P) Emisor

(N) Base

(P) Colector

IpB
IE

IC
InB

InC
IBB
IB

BC inversa puede conducir si BE directa

Los huecos que se difunden de E a B llegan a C

factor de ganancia

Transistor BJT

Introduccin

4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las 2 uniones p-n

BJT npn

Transistor BJT

Modos de operacin

4 modos de operacin en funcin de la polarizacin de las 2 uniones p-n

Activa directa: El BJT acta como amplificador de intensidad:

IC = FIB con F ~ 100.
Fluyen corrientes por la unin BE y casi todos los e- emitidos por E son colectados en C.
Activa inversa: El BJT acta como amplificador de intensidad: IE = -RIB con R ~ 1.
Fluyen corrientes por la unin BC y casi todos los e- emitidos por C son colectados en E,
pero son menos que en ZAD.
Saturacin: La ganancia en intensidad decae notablemente y la tensin entre C y E es
baja (~corto).
Corte: Corrientes muy bajas en los tres terminales (~abiertos).

Transistor BJT
Caracterstica de entrada

Caracterstica de salida

Caractersticas I-V

(P) Emisor

IpB, huecos que por difusin IpB

I
pasan del emisor a la Ebase.

(N) Base

InB

(P) Colector

InC

IC

IBB
InB, electrones que pasan
de la base al emisor.

IB

IBB, electrones procedentes del

circuito para cubrir las
recombinaciones.
IE = IpB + InB

InC, dbil corriente de electrones del

colector a la base.

IB = -InC + IBB +InB

IC = IpB - IBB + InC

Conguraciones del transistor

Hay 4 variables que dependen el :po de conexin:
Vsalida, Ventrada, Isalida, Ientrada.
E

Emisor comn

E
C

Base comn

Colector comn

Variables:

Variables:

Variables:

VBE, VCB, IE, IC

VBE, VCE, IB, IC

VCB, VCE, IB, IE

Conguracin en emisor comn

C

RB

VBB

RC

B
IB

VBE

IC = 99 mA
C

IC
E

VCE

VCC

RC

RB

99 %

B p

1 %

VCC

IB = 1 mA
100 %

VBB

IE = 100 mA

Conguracin Emisor Comn (EC)

Se le denomina configuracin de emisor comn (EC) debido a que el
emisor es comn o hace de referencia a los terminales tanto de entrada
como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a
la de colector).
Se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por
completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno
para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o
colector-emisor.

Curva caracters%ca de entrada

IB

RB

VBB

RC

B
IB

IC
VBE

VCE
E

VBE = VBB - IB RB
VBE 0,7 V

VCC

0,7 V

VBE

Curva caracters%ca de salida

RB

VBB

B
IB

IC
(mA)

RC
IC

VBE

VCE
E

IB = 60 A
IB = 40 A

VCC

IB = 20 A

VCE (V)

VCE = VCC - IC RC

Emisor comn: variables

RC

Variables: VBE, VCE, IB, IC

VBE 0,7 V para silicio

RB
VBB

IC

IB

VBE

VCE

VCC

VBE = VBB - IB RB
+VCC
IC

IC = IB
RB

VCE = VCC - IC RC

Ventrada

RC
Vsalida

IB

IC ( mA)

Curvas caracters%cas del transistor

CE

IB = 80 A

Regin de saturacin

Regin ac%va

IB = 60 A

Regin de corte

IB = 40 A

IB = 20 A

Ruptura
RC

RB

IB = 0 A

VBB

VBE

VCE

VCC

VCE (V)

En regin ac@va: unin EB con polarizacin directa, BC con

polarizacin inversa. Aplicacin en amplicacin.
En regin de corte: las dos uniones polarizadas inversamente: circuito
abierto.
En regin de saturacin: las dos uniones polarizadas directamente:
cortocircuito.

Regin de ruptura

Las tensiones mximas que pueden soportar las uniones pn inversamente

polarizadas se denominan tensiones de ruptura.

Cuando se alcanza estas tensiones existe peligro de ruptura del transistor

debido a dos fenmenos: ruptura por avalancha y ruptura por
perforacin.

El fabricante proporciona dos tensiones mximas (VCEO, VCES) que

limitan de alguna manera las tensiones mximas de polarizacin en
con:nua los transistores.

La VCEO dene la tensin mxima entre el colector y emisor, estando la

base en circuito abierto, antes de que se produzca fenmenos de
mul:plicacin de avalancha que incrementa exponencialmente la ICO a
travs de la unin de colector.

Regin de ruptura

La VCES dene la tensin mxima del colector, estando la base en

cortocircuitada al emisor, antes de que la anchura de la regin de
transicin alcance el emisor perforando la regin de base.

Zona inversa.
En la regin inversa los terminales colector y emisor se intercambian, las
prestaciones del transistor sufren una gran disminucin al carecer de
simetra; el colector est menos dopado y tiene mayor tamao que el
emisor. El efecto ms importante es la disminucin de la ganancia en
corriente en continua que pasa a tener valores altos (p.e., =200) en la
regin directa lineal a valores bajos (p.e., =2) en la regin inversa
lineal.

Punto de funcionamiento: IB
IC
IB4
RC

IB3

RB

IB2

VBB

IB1
VCC VCE

IB

IC
VBE

VCE

VCC

Punto de funcionamiento: RC
IC
IB4
RC

IB3

RB

IB2

VBB

IB1
VCC VCE

IB

IC
VBE

VCE

VCC

Punto de funcionamiento: VCC

IC
IB4
RC

IB3
IB2

RB
VBB

IB1
VCC1

VCC2

VCC3 VCE

IB

IC
VBE

VCE

VCC

El transistor como conmutador

Si VBB , IB = , IE IC = VCC/RC

IC

zona de saturacin
cortocircuito CE VCE = 0

C
B
B

Si VBB = 0 o < 0,7 V, IB = 0,

IE IC 0, VCE = VCC
Zona de corte
circuito abierto VCE = VCC

VCC

VCE

Circuito inversor simple

+VCC
RC
RB

Vsalida

Ventrada

INVERSOR

A
Ventrada

Vsalida

Y = not A
Y

Transistor de unin: amplicador

IE
E

P
Emisor

N
Base

P
Colector

IC
A

B
IB

RL
D

VEB

V
VAD = RLIC

(-IC) = gm VEB
gm : transconductancia

Potencia de disipacin est%ca

Un transistor de unin polarizado :ene tensiones y corrientes en sus

terminales que le hacen disipar energa. Esta potencia de disipacin se
puede obtener aplicando la denicin de potencia absorbida por un
elemento tri-terminal, que en caso del transistor, se expresa como:

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino

de esta ecuacin es despreciable frente al segundo, resultando que

Potencia de disipacin est%ca

mxima(PCMAX)

Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (VCE, IC) de las

curvas caracters:cas del transistor. El fabricante proporciona como
dato la potencia de disipacin mxima de un transistor; como
ejemplo, el BC547 :ene una PCMAX=500mW. En la gura se
representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor. Es
preciso que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya
que sino el transistor se daara por efecto Joule.

Tiempos de conmutacin del

transistor

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son

despreciables. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de
conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el
transistor va a ser mayor. Estas prdidas aumentan con la frecuencia de
trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero de
veces que se produce el paso de un estado a otro.

Tiempos de conmutacin del

transistor

Podremos dis:nguir entre :empo de excitacin o encendido (ton) y

:empo de apagado (to). A su vez, cada uno de estos :empos se puede
dividir en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que
transcurre desde el instante en que se aplica la seal de
entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal
de salida alcanza el 10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la
seal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de
su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo
que transcurre desde que se quita la excitacin de entrada
y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su
valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la
seal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de
su valor final.

Tiempos de conmutacin del

transistor

Por tanto, se pueden denir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser

siempre mayor que el tiempo de encendido (ton). Los tiempos de
encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima
a la cual puede conmutar el transistor:

Hoja tcnica del transistor