Informe Laboratorio Electronica N°6

INFORME DE LABORATORIO N6
CIRCUITOS CON TRANSISTORES BIPOLARES
Integrantes
: Felipe Gacitua
Dennis Vidal
Docente
: Luis Silva O.
Fecha de entrega
: 21/10/2015
Ingeniera Civil en Automatizacin

Depto. Ingeniera Elctrica y Electrnica
Universidad del Bio Bio
Laboratorio de Electrnica
Informe N6 Circuitos con Transistores Bipolares
NDICE
Pg.
1
Resumen
Objetivos
Bases Tericas
5-7
Procedimiento experimental, anlisis y resultados
8-18
Conclusin
19
Lista de materiales
20

1. Resumen
Circuito de polarizacin en saturacin/corte
Se implementa un circuito en una protoboard con un transistor bipolar 2N2222, donde
se midien los parmetros en estado de saturacin. Luego se conmuta agregndole un
switch, cambiando su estado de saturacin a corte donde se midi sus parmetros a
tal condicin.
Finalmente para una seal de tipo TTL a la entrada del circuito se calcul el voltaje
colector emisor.
Circuito de polarizacin en regin activa

Se implement el circuito de la figura N11 en la protoboard bajo la topologa de un
divisor de tensin, donde se miden los parmetros para el clculo del punto Q (punto
de trabajo) y se verific si tal punto se ubicaba en la zona media de operacin del
transistor.
Circuito amplificador en emisor comn

Utilizando el circuito de polarizacin de la actividad anterior, construimos un
amplificador en emisor comn, con una seal de sinusoidal en la entrada, con una
frecuencia de 5 Khz. Variamos la amplitud de la seal de entrada hasta encontrar
observar la mxima amplitud de la seal de salida sin distorsin.
Circuito amplificador en emisor comn modificado

Utilizando el circuito anterior, con la diferencia de que se modifica colocando una
resistencia (by pass) para crear una realimentacin negativa. Calculamos el valor
terico del punto de trabajo para poder comprarlo con el valor obtenido en el
laboratorio.

2. Objetivos
Disear y ensayar circuitos de polarizacin para operar en conmutacin y en zona activa.

Disear y ensayar circuitos amplificadores en rgimen de seales pequeas, medir sus
parmetros de operacin en frecuencias medias.

3. Bases Tericas
Transistor Bipolar
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales.
Estos transistores es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor.
Figura N1: Ejemplo de transistor BJT
Tipos de configuracin de un transistor BJT
Figura N2: Configuracin PNP
Figura N3: Configuracin NPN

Zonas de Trabajo de un Transistor Bipolar

Zona de Saturacin
Corresponde a un punto Q con una IC elevada (depende de la RC) y un voltaje VCE muy pequeo no
menor a un valor denominado de saturacin VCEsat. Los valores tpicos de VCEsat son del orden de
0,3 [V].
Cuando el transistor est saturado, se puede comparar a un interruptor cerrado entre colector y
emisor.
Zona de Corte
Corresponde a un punto Q con una IC prcticamente nula y un voltaje VCE elevado. Si hacemos nula
la IB, la IC=ICEO, es decir tendr un valor muy pequeo, y por lo tanto la cantidad de tensin en RC
ser mnima con lo que VCE=VCC.
El transistor en corte se puede comparar con un interruptor abierto entre colector y emisor. La
potencia que disipa el transistor tanto en corte como en saturacin es mnima, ya que uno de
los coeficientes en ambos casos es prcticamente nulo.
Zona Activa
Es una amplia regin de trabajo comprendida entre la zona de corte y la de saturacin, con unos
valores intermedios tanto de IC como de VCE.
La potencia disipada ahora es mayor, ya que ambos trminos (IC y VCE) tienen un valor intermedio.
Figura N4: Grafico de zonas de trabajo del transistor bipolar

6

Transistor 2N222
El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de
uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar pequeas
corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar potencias bajas (no
mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.
Figura N5: Transistor BJT 2N222
Parmetros de operacin (Transistor BJT 2N2222)

-
Polaridad:
Disipacin de potencia mxima de colector (Pc):
Mxima tensin colector-base (VCE):
Tensin mxima de colector-emisor (VCE):
Mxima tensin emisor-base (VEB):
Corriente mxima de colector (IC mx):
Mxima temperatura (Tj):
Frecuencia de transicin (ft):
Velocidad de transferencia de corriente directa (hFE):
NPN
0.5 [W]
60 [V]
30 [V]
5 [V]
0.8 [A]
175C
250 [MHz]
100 min

4. Procedimiento experimental, anlisis y resultados

a) Circuito de polarizacin en saturacin/corte
Se implementar un circuito de polarizacin en saturacin, para ello se necesitarn los siguientes

componentes:
-
Transistor BJT 2N222

Resistencia de 10 [k]
Resistencia de 1 [k]
En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

-
La resistencia de 1 [k] se conectar al terminal colector del transistor y a esta se le

aplicar una seal Vcc = 12 [V].
La resistencia de 10 [k] se conectara al terminal base del transistor y al mismo nodo
en el que est conectado al resistencia de 1 [k].
El terminal emisor de 2N22 se conecta a tierra.
Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N6:
Figura N6: Circuito de polarizacin en saturacin

Luego se conmut agregndole un switch, cambiando su estado de saturacin a corte donde

nuevamente se midi sus parmetros.
Figuras N7 y N8: Circuitos de polarizacin en saturacin/corte
Para el ensayo del circuito de polarizacin en saturacin/corte se obtuvieron los siguientes

resultados:
Tabla N1: Valores circuito de polarizacin en saturacin

Voltajes [V]
Voltaje Colector Emisor
Voltaje Resistencia 1 [k]
Valor terico
0[V]
12.0[V]
Valor practico
0.060[V]
11.89[V]
11.23[V]
11.3[V]
Tabla N2: Valores circuito de polarizacin en corte

Volates [V]
Voltaje Colector Emisor
Valor teorico
Valor practico
12[V]
11.95[V]
0 [V]
0[V]
12[V]
11.94[V]

Finalmente se le aplic una seal cuadrada tipo TTL a la entrada del circuito, donde se procedi a
calcular el voltaje colector emisor.
Figura N9: Circuito de polarizacin en saturacin con seal TTL

Se muestra la imagen de la seal TTL 5[V] de entrada (arriba) y la seal amplificada (abajo)
Figura N10: Visualizacin de las seales TTL

10

b) Circuito de polarizacin en regin activa
Se implementar un circuito de polarizacin en regin activa, para ello se necesitarn los

siguientes componentes:
-

Resistencias de 1.5 [k], 1 [k], 27 [k] y 57 [k]

-
La resistencia de 1.5 [k] se conectar al terminal colector del transistor y a esta se le

aplicar una seal Vcc = 12 [V].
La resistencia de 57 [k] se conectara al terminal base del transistor junto con el de
27 [k], y al mismo nodo en el que est conectado al resistencia de 1.5 [k].
Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [k], de 2N22 se conecta a tierra.
Figura N11: Circuito de polarizacin en regin activa
11

Para encontrar los valores tericos del transistor en la regin activa, es necesario hacer un circuito
equivalente del circuito anterior, para ello se debe encontrar un voltaje y una resistencia
equivalente, la cual quedara como en la figura:
Figura N12: Circuito equivalente
Para determinar los valores de dicho circuito, procedemos a realizar los siguientes clculos:
1 2
57 [] 27 []
=
= 18.3 []
1 + 2
57 [] + 27 []
2
27 []
=
12[] = 3.87 []
1 + 2
57 [] + 27 []
( + 1) = 1 [] (100 + 1) = 101 []
Figura N13: Circuito equivalente con valores calculados
12

Despus de obtener los valores correspondientes al circuito equivalente, se calcula la corriente IBQ
y a su vez ICQ:

3.87 [] 0.7 []
=
= 26.5 []
+ ( + 1)
101 [] + 18.3 []
= = 26.5 [] 100 = 2.65 []
Al obtener el valor de ICQ, se puede obtener el valor de VCEQ:
= ( + ) = 12 [] 2.65 [] (1.5 [] + 1[]) = 5.37 []
Los valores obtenidos en la prctica se presentan mediante los siguientes clculos y en su tabla
correspondiente:
Valor prctico de VCargaCC:
4.4 [V]
Valor prctico de ICQ:

=
4.4 []
=
= 2.93 []
1.5 []
Valor prctico de VCEQ:
4.78 [V]
13

Tabla N3: Valores tericos y prcticos de parmetros de Q

Parmetros de Q
VCEQ
ICQ
Valores tericos
5.37 [V]
2.65 [mA]
Valores prcticos
4.78 [V]
2.93 [mA]
Figura N14: Grfico de punto Q en la recta de carga
* A partir de los valores de tabla se puede ver que el valor practico de V CEQ = 4.78 [V]
result ser ms desviado hacia saturacin en la zona de operacin del transistor.
14

c) Ensayo de un Amplificador en Emisor Comn
Se implementar un circuito amplificador en emisor comn, para ello se necesitarn los siguientes
componentes:
-

Resistencias de 1.5 [k], 1 [k], 27 [k] y 57 [k]
Capacitores de 10 [F], 10 [F] y 47 [F]

-
Al terminal colector del transistor se conectar una resistencia de 1.5 [k] junto con
un capacitor de 10 [F], y a est resistencia se le aplicar una seal Vcc = 12 [V].
La resistencia de 57 [k] se conectara al terminal base del transistor junto con una de
27 [k] (sta conectada a tierra), y al mismo nodo en el que est conectado al
resistencia de 1.5 [k].
A la misma terminal base, se conectar un capacitor de 10 [F], a la cual se le aplica
una seal senoidal de 10 [mV].
Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [k], y en paralelo a sta, un
capacitor de 47 [F], ambos conectados a tierra.
Figura N15: Amplificador en emisor comn
15

Se muestra la imagen de la seal de entrada aplicada en el amplificador (arriba) y la seal

amplificada (abajo).
Figura N16: Seal de entrada Sinusoidal, 10[mV/div], Seal de salida, 2[V/div]
Figura N17: Figura de Lissajous del circuito en relacin de fase entre seal de entra y
salida
16

d) Ensayo de un Amplificador en Emisor Comn Modificado
Se implementar un circuito amplificador en emisor comn modificado, para ello se necesitarn

los siguientes componentes:
-

Resistencias de 1.5 [k], 1 [k], 27 [k], 57 [k] y 100 []
Capacitores de 10 [F], 10 [F] y 47 [F]

-
Al terminal colector del transistor se conectar una resistencia de 1.5 [k] junto con
un capacitor de 10 [F], y a est resistencia se le aplicar una seal Vcc = 12 [V].
La resistencia de 57 [k] se conectara al terminal base del transistor junto con una de
27 [k] (sta conectada a tierra), y al mismo nodo en el que est conectado al
resistencia de 1.5 [k].
A la misma terminal base, se conectar un capacitor de 10 [F], a la cual se le aplica
una seal senoidal de 320 [mV].
Al terminal emisor se le conecta una resistencia de 1 [k], y en paralelo a sta, un
capacitor de 47 [F], ambos conectados a tierra.
La nica modificacin aplicada al circuito, es una resistencia de 100[], entre el emisor
y la resistencia de 1 [k].
Figura N18: Amplificador en emisor comn modificado
17

Se muestra la imagen de la seal de entrada aplicada en el amplificador (arriba) y la seal

amplificada (abajo).
Figura N19:Seal de entrada Sinusoidal, 320[mV/div], Seal de salida, 4[V/div]
Figura N20: Figura de Lissajous del circuito en relacin de fase entre seal de entra y
salida
Tabla N4: Valores prcticos en amplificador en emisor comn modificado

Mtodo Tensin mx Vi Tensin mx Vo Ganancia Vo/Vi Frecuencia
Practico
320 [mV]
4[V]
12.5
18
5[Khz]
Desfase
Aprox 180

5. Conclusin
En el desarrollo del laboratorio, se pudo analizar el comportamiento de un transistor en cada

circuito empleado, el cual nos permiti comprender algunas funciones que cumple este
dispositivo.
En el ensayo nmero 1, correspondiente a circuito de polarizacin en saturacin (y corte) los
valores prcticos, fueron muy cercanos a los valores tericos. Dichos valores daban a conocer el
comportamiento de este tipo de circuito. Al estar el circuito en zona de saturacin o de corte, su
comportamiento es similar a la de un interruptor. Ya que al hacer tender dicho circuito a
saturacin, este actuaba como si el interruptor estuviera abierto, sin conexin, lo que su voltaje
tomaba un valor aproximado a 0 [V], simulando un corto circuito ideal, y si tenda el circuito a zona
de corte, este actuaba como si se cerrara. Dichos valores fueron los esperados, ya que son muy
cercanos a los valores ideales, mostrados en el conocimiento terico.
En el circuito nmero 2, en el que se analiz un circuito en polarizacin en la regin activa, en el
cual se peda determinar los parmetros del punto Q, en la recta de carga, los valores obtenidos
mediante la prctica estn en el rango de valores presentes en dicha regin de trabajo del
transistor. Dichos valores tendan a irse a zona de saturacin ms que a zona de corte. Tambin se
dedujo que si al modificar el circuito de cierta manera a travs de uno de los resistores, se poda
hacer tender el punto Q tanto a zona de saturacin como de corte.
Luego se estudi un circuito amplificador en la configuracin de emisor comn, el cual se le
agregaron capacitores que ayudaban a modificar las tensiones, para as obtener una seal de
entrada amplificada a la salida de dicho circuito. Los valores fueron los esperados y se dio a saber
que se puede amplificar hasta cierto rango de voltajes.
Finalmente se analiz el mismo circuito en emisor comn, pero modificado de tal manera de que
la seal de salida pudiera aumentar en mayor nmero de ganancia, ante una seal de entrada
especifica.
Se aplic una seal de entrada de 320 [mV], cuyo valor de salida es de 4 [V]; esto se hizo para
mostrar el punto de partida en el que la seal amplificada por el circuito empezaba a deformarse
en sus extremos. En la parte superior apareca una seal saturada y en la parte inferior de la seal,
esta mostraba un pick en corte. Lo que significa que en el circuito, al modificar los parmetros de
los componentes, se puede cambiar el rango de amplificacin, para as modificar la seal, aunque
esto trae consigo una disminucin en el rango de ganancia amplificada en la seal de salida del
circuito.
19

6. Lista de Materiales
Dispositivo e instrumentos
Transistor NPN 2N2222
Resistores (10 [], 1[k], 10 [k], 1.5 [k],
1 [k], 27 [k], 57 [k])
3 Capacitores (2 de 10 [uF] y 1 de 47[uF])
Osciloscopio Anlogo/ Digital
Entrenador Digital
Potencimetro (10kOhm)
Protoboard
Alicate de punta
Alicate de corte
Alambres
20

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Parmetros de operacin (Transistor BJT 2N2222)

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Se implementar un circuito de polarizacin en saturacin, para ello se necesitarn los siguientes

Transistor BJT 2N222

En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

La resistencia de 1 [k] se conectar al terminal colector del transistor y a esta se le

Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N6:

Figura N6: Circuito de polarizacin en saturacin

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Luego se conmut agregndole un switch, cambiando su estado de saturacin a corte donde

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En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera:

La resistencia de 1.5 [k] se conectar al terminal colector del transistor y a esta se le

Nuestro circuito queda conectado como se muestra en la figura N11:

Figura N11: Circuito de polarizacin en regin activa

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Figura N12: Circuito equivalente

Figura N13: Circuito equivalente con valores calculados

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= = 26.5 [] 100 = 2.65 []

Al obtener el valor de ICQ, se puede obtener el valor de VCEQ:

= ( + ) = 12 [] 2.65 [] (1.5 [] + 1[]) = 5.37 []

Valor prctico de VCargaCC:

Valor prctico de ICQ:

Valor prctico de VCEQ:

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Tabla N3: Valores tericos y prcticos de parmetros de Q

Figura N14: Grfico de punto Q en la recta de carga

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En una placa de ensayo se conectaran los componentes de la siguiente manera: