Universidad nacional

Pedro Ruz Gallo

Facultad de Ciencias Fsicas y
Matemticas
Escuela profesional de Ingeniera
Electrnica

Teora de Diodo de Unin y data

sheet
Curso:
Circuitos Electrnicos I
Profesor:

Ing. Luis Mostacero Arragui

Alumno:
Diaz Collantes Juseph Andersson
129087J
Neciosup Vera Oscar William
129088F
Ramrez Gramber Jeffrey Javier
129090K
Mesones Diaz Francisco Antonio
124066D
Ciclo Acadmico:
2013 - II

Lambayeque, Marzo 21 del 2014.

Introduccin
Para poder comprender cmo funcionan
los diodos, los transistores y los circuitos
integrados es necesario estudiar primero
los semiconductores: materiales que no
son ni conductores ni aislantes. Los
semiconductores contienen algunos
electrones libres, pero lo que les hace
especiales es la presencia de huecos. Aqu
se estudiaran los semiconductores, los
huecos y ms. As como tambin la
importancia del diodo, sus funciones y sus
respectivas aproximaciones.

Objetivos:
Describir la estructura de un cristal de silicio.
Enumerar los dos tipos de portadores y
nombrar el tipo de impureza que hace que
sean portadores mayoritarios.
Explicar las condiciones de una unin pn de
un diodo no polarizado, un diodo polarizado
en directa y un diodo polarizado en inversa.
Describir los tres tipos de corriente de
disrupcin causadas por la aplicacin de una
tensin inversa excesiva de un diodo.
Dibujar la curva caracterstica del diodo,
describiendo todas las partes y puntos ms
significativos.
Describe el diodo ideal.
Explicar la segunda aproximacin.
Explicar la tercera aproximacin.
Explicar las caractersticas de un DATA
SHEET.

Semiconductores

Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un electrn de valencia, mientras que
los mejores aislantes poseen ocho electrones de valencia. Un semiconductor es un elemento
con propiedades elctricas entre las de un conductor y las de un aislante. Como cabra
esperar, los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia.
Son ejemplos de dispositivos semiconductores: Los transistores, los diodos de unin, los
diodos Zener, los diodos de tnel, los circuitos integrados y los rectificadores metlicos.
Germanio:
El germanio es un ejemplo de semiconductor. Tiene cuatro electrones en su orbital de
valencia. Hace unos aos el germanio era el nico material adecuado para la fabricacin de
dispositivos de semiconductores. Sin embargo, estos dispositivos de germanio tenan un
grave inconveniente, que no pudo ser resuelto por los ingenieros: su excesiva corriente
inversa. Ms tarde, otro semiconductor, el silicio, se hizo ms prctico dejando obsoleto al
germanio en la mayora de las aplicaciones electrnicas.
Silicio:
Despus del oxgeno, el silicio es el elemento ms
abundante de la tierra. Sin embargo, existieron
algunos problemas que impidieron su uso en los
primeros das de los semiconductores. Una vez
resueltos, las ventajas del silicio lo convirtieron
inmediatamente en el semiconductor a elegir. Sin l,
la electrnica moderna, las comunicaciones y los
ordenadores seran imposibles.
Un tomo de silicio aislado tiene 14 protones y 14
electrones. En la Figura a) el primer orbital contiene 2
electrones y el segundo 8. Los 4 electrones restantes se
encuentran en el orbital de valencia. En la Figura a), la
parte interna tiene una carga resultante de +4 porque
contiene 14 protones en el ncleo y 10 electrones en los
dos primeros orbitales.
La Figura b) muestra la parte interna de un tomo de
silicio. Los 4 electrones de valencia nos indican que el
silicio es un semiconductor.

Cristales de Silicio:

Cuando los tomos de silicio se combinan para formar un slido,

lo hacen en una estructura ordenada llamada cristal. Cada tomo
de silicio comparte sus electrones de valencia con los tomos de
silicio vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en el orbital
de valencia. Por ejemplo, la Figura a) muestra un tomo central
con 4 vecinos. Los crculos sombreados representan los cinco
ncleos de silicio. Aunque el tomo central tena originalmente 4
electrones en su orbital de valencia, ahora posee 8.
Enlaces covalentes:
Cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo central. De esta forma, el tomo
central parece tener 4 electrones adicionales, sumando un total de 8 electrones en su orbital
de valencia. En realidad, los electrones dejan de pertenecer a un solo tomo, ya que cada
tomo central y sus vecinos comparten electrones. La misma idea es vlida para todos los
dems tomos de silicio. En resumen, cada tomo dentro de un cristal de silicio tiene cuatro
vecinos.
En la Figura a), cada ncleo presenta una carga +4. Obsrvese la parte interna central y la
que est a su derecha. Estas dos partes mantienen el par de electrones entre ellas
atrayndolos con fuerzas iguales y opuestas. Este equilibrio entre las fuerzas es el que
mantiene unidos a los tomos de silicio. La idea es similar a la del juego de tirar de la
cuerda. Mientras los equipos tiren con fuerzas iguales y opuestas, permanecern unidos.
Como cada uno de los electrones compartidos en la Figura a)
est siendo atrado en direcciones opuestas, el electrn
constituye un enlace entre los ncleos opuestos. A este tipo de
enlace qumico se le da el nombre de enlace covalente. La
Figura b) es una forma simple de mostrar el concepto de
enlaces covalentes. En un cristal de silicio hay miles de
millones de tomos de silicio, cada uno con 8 electrones de
valencia. Estos electrones de valencia son los enlaces
covalentes que mantienen unido el cristal, dndole solidez.

Saturacin de valencia:
Cada tomo en un cristal de silicio tiene 8 electrones en su orbital de valencia. Estos 8
electrones producen una estabilidad qumica que da como resultado un cuerpo compacto de
material de silicio. Nadie est seguro por qu el orbital exterior de todos los elementos tiene
una predisposicin a tener ocho electrones. Cuando no existen ocho electrones de forma
natural en un elemento, ste tiende a combinarse y a compartir electrones con otros tomos
para obtener ocho electrones en el orbital exterior.
Hay ecuaciones matemticas complicadas que explican parcialmente por qu ocho
electrones producen estabilidad qumica en diferentes materiales, pero no se sabe la razn
intrnseca por la cual el nmero ocho es tan especial. Se trata de una ley experimental,
como la ley de la gravedad, la de Coulomb y otras leyes que observamos pero no podemos
explicar completamente Establecindolo como una ley tenemos:
Saturacin de valencia: n=8
Dicho de otro modo, el orbital de valencia no puede soportar ms de ocho electrones.
Adems, los ocho electrones de valencia se llaman electrones ligados por encontrarse
fuertemente unidos a los tomos. Debido a estos electrones ligados, un cristal de silicio es
casi un aislante perfecto a temperatura ambiente (aproximadamente 25C).
El hueco:
La temperatura ambiente es la temperatura del aire
circundante. Cuando dicha temperatura es mayor que
el cero absoluto (-273C), la energa trmica del aire
circundante hace que los tomos en un cristal de silicio
vibren dentro del cristal. Cuando mayor sea la
temperatura, ms intensas sern las vibraciones
mecnicas de estos tomos. Si se toca un objeto, el
calor que transmite proviene de la vibracin de los
tomos.
Las vibraciones de los tomos de silicio pueden,
ocasionalmente, hacer que se desligue un electrn del
orbital de valencia. Cuando esto sucede, el electrn
liberado gana la energa suficiente para situarse en un orbital de nivel energtico mayor,
como se muestra en la Figura a). En dicho orbital, el electrn es un electrn libre.
Pero eso no es todo. La salida del electrn deja un vaco, que se denomina hueco, en el
orbital de valencia (Figura a)), y que se comporta como una carga positiva porque, como ya
se ha visto, la prdida de un electrn produce un in positivo.
Recombinacin y tiempo de vida:

En un cristal de silicio puro se crean igual nmero de

electrones libres que de huecos debido a la energa trmica
(calor). Los electrones libres se mueven de forma aleatoria
a travs del cristal. En ocasiones, un electrn libre se
aproximar a un hueco, ser atrado y caer hacia l. Esta
unin de un electrn libre y de un hueco se llama
recombinacin (Figura b)).
El tiempo que transcurre entre la creacin y la desaparicin
de un electrn libre recibe el nombre de tiempo de vida,
que vara desde unos cuantos nanosegundos a varios
microsegundos, segn la perfeccin del cristal y otros
factores.
Ideas principales
En todo instante, lo que est sucediendo dentro de un cristal de silicio se puede resumir en
los siguientes puntos:
1.- Se estn creando electrones libres y huecos por la accin de la energa trmica.
2.- Otros electrones libres y huecos se estn recombinando.
3.- Algunos electrones libres y huecos existen temporalmente esperando una
recombinacin.

Tipos de semiconductores:

Semiconductores intrnsecos:
Se les llama as a los semiconductores puros. Un cristal de silicio intrnseco (puro) a
temperatura ambiente tiene energa calorfica (trmica) suficiente para que algunos
electrones de valencia salten la banda prohibida desde la banda de valencia hasta la
banda de conduccin, convirtindose
as en electrones libres, que tambin
se conocen como electrones de
conduccin.
Cuando un electrn salta a la banda
de conduccin, deja un espacio vaco
en la banda de valencia dentro del
cristal. Este espacio vaco se llama
hueco. Por cada electrn elevado a la
banda de conduccin por medio de
energa externa queda un hueco en la
banda de valencia y se crea lo que se
conoce como par electrn-hueco;
ocurre una recombinacin cuando un
electrn de banda de conduccin
pierde energa y regresa a un hueco en
la banda de valencia.

En un semiconductor intrnseco tiene el mismo nmero de electrones libres que de

huecos. Esto se debe a que la energa trmica crea los electrones libres y los huecos

por pares. La tensin aplicada forzar a los electrones libres a moverse hacia la
izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones libres llegan al
extremo izquierdo del cristal, entran en el cable externo y fluyen hacia el terminal
positivo de la batera. Como se ver, los electrones libres y los huecos se mueven en
direcciones opuestas. Es por esto que se dan dos tipos de flujos:
El flujo de los electrones libres en una direccin.
El flujo de huecos en la direccin opuesta.
Semiconductor Extrnseco:
Se les denomina as a los semiconductores dopados. El dopaje consiste en aadir
tomos de impurezas a un cristal intrnseco con el fin de alterar su conductividad
elctrica. Contienen impurezas.
Para estar dopados correctamente con el silicio o el germanio, recordemos que
tienen cuatro electrones de valencia, necesitan impurezas o bien pentavalentes o
trivalentes. Es por eso que existen dos tipos de semiconductores extrnsecos:
Semiconductor tipo n:
Se le denomina de esta manera al semiconductor cuyas impurezas son tomos
pentavalentes (arsnico, antimonio o fsforo) que dan como consecuencia, el
aumento del nmero de electrones libres. Son llamados tambin a estas impurezas
como donadoras.
Se le pone tipo n para hacer referencia a iones negativos (electrones libres).
Dado que la cantidad de electrones libres superan a los huecos en este tipo de
semiconductor, los electrones libres son los portadores mayoritarios y los
huecos, portadores minoritarios.

La siguiente imagen muestra un ejemplo de semiconductor tipo n:

Semiconductor tipo
p:
Se le denomina de esta manera al semiconductor cuyas impurezas son tomos trivalentes
(aluminio, boro, galio) que a su causa originan un aumento del nmero de huecos. Son
llamados a estos dopadores como impurezas aceptoras.
Son llamados de tipo p para hacer referencia a positivo. Dado que la cantidad de huecos
excede al nmero de electrones libres, Se les denomina portadores mayoritarios a los
huecos y portadores minoritarios a los electrones libres.
La siguiente imagen muestra un ejemplo de semiconductor tipo p:

Ejercicio:

En un semiconductor dopado tiene 10 000 millones de tomos de silicio

y se le aaden 5 millones de tomos trivalentes. Hallar el nmero de
huecos que habr en su interior del semiconductor.

Resolucin:
En un semiconductor dopado hay un aumento de huecos
(impurezas aceptoras) o de electrones libres (impurezas
donadoras).
Cada tomo trivalente contribuyen con un hueco.
Electrones libres escasos, producido por efecto trmico.
Por tal motivo habrn aproximadamente 5 millones el nmero de
huecos.

El Diodo No Polarizado:
Por s mismo, un cristal semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia
de carbn; lo que tambin se puede decir de un semiconductor tipo p. Pero ocurre algo
nuevo cuando un fabricante dopa un cristal de tal manera que una mitad sea tipo p y la otra
mitad sea tipo n.
La separacin o frontera fsica entre un semiconductor tipo n y uno tipo p se llama
unin pn. La unin pn tiene propiedades tan tiles que ha propiciado toda clase de
inventos, entre los que se encuentran los diodos, los transistores y los circuitos integrados.
Comprender la unin pn permite entender toda clase de dispositivos fabricados con
semiconductores.
El diodo no polarizado
Como se ha expuesto en la seccin anterior, cada tomo trivalente en un cristal de silicio
produce un hueco. Por esta razn puede representarse un cristal de semiconductor tipo p
como se aprecia en el lado izquierdo de la Figura 2-11. Cada signo menos (-) encerrado en
un crculo representa un tomo trivalente y cada signo ms (+) es un hueco en su orbital de
valencia.
De manera similar, los tomos pentavalentes y los huecos en un semiconductor tipo n
se pueden representar como se aprecia en el lado derecho de la Figura 2-11. Cada signo
ms encerrado en un crculo representa un tomo pentavalente y cada signo menos es el
electrn libre con que contribuye al semiconductor. Obsrvese que cada cristal de material
semiconductor es elctricamente neutro porque el nmero de signos menos y ms es igual.

La
zona de deplexin

Debido a su repulsin mutua, los electrones libres en el lado n de la Figura 2-12 tienden a
dispersarse en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden atravesando la
unin. Cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador
minoritario. Con tantos huecos a su alrededor, este electrn tiene un tiempo de vida muy
corto. Poco despus de entrar en la regin p, el electrn libre cae en un hueco. Cuando esto
sucede, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en un electrn de valencia.
Cada ocasin en la que un electrn se difunde a travs de la unin, crea un par de iones.
Cuando un electrn abandona el lado n, deja un tomo pentavalente al que le hace falta una
carga negativa; este tomo se convierte en in positivo. Una vez que el electrn cae en un
hueco en el lado p, el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte en ion negativo.
En la Figura 2-13a se muestran estos iones a cada lado de la unin. Los signos ms (+)
encerrados en crculos representan los iones positivos, mientras que los signos menos (-)
encerrados en crculos representan los iones negativos. Los iones se encuentran fijos en la
estructura del cristal debido a los enlaces covalentes y no pueden moverse de un lado a
otro como los electrones libres y los huecos.
Cada pareja de iones positivo y negativo en la unin se llama dipolo. La creacin de un
dipolo hace que desaparezcan un electrn libre y un hueco. A medida que aumenta el
nmero de dipolos, la regin cercana a la unin se vaca de portadores. A esta zona sin
portadores se la conoce como zona de deplexin (Fig. 2-13).
Barrera de potencial

Cada dipolo posee un campo elctrico entre los iones positivo y negativo que lo forman;
por tanto, si entran electrones libres adicionales en la zona de deplexin, el campo elctrico
trata de devolver estos electrones hacia la zona n. La intensidad del campo elctrico
aumenta con cada electrn que cruza hasta que se alcanza el equilibrio. En una primera
aproximacin, esto significa que el campo acabar por detener la difusin de electrones a
travs de la unin. ;

En la
Figura 2-13 el campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada barrera de potencial. A 25 C la barrera de potencial es aproximadamente de 0,3 V
para diodos de germanio y de 0,7 V para diodos de silicio.

POLARIZACIN DIRECTA
En la Figura 2-14 se ve una fuente de corriente continua conectada a un diodo. El terminal
negativo de la fuente est conectado al material tipo n, y el terminal positivo al material
tipo p. Esta conexin se llama polarizacin directa

Flujo de electrones libres

En la Figura 2-14 la batera empuja huecos y electrones libres hacia la unin. Si la tensin
de la batera es menor que la barrera de potencial, los electrones libres no tienen suficiente
energa para atravesar la zona de deplexin. Cuando entran en esta zona, los iones se ven
empujados de regreso a la zona n. A causa de esto no circula corriente a travs del diodo.

Cuando la fuente de tensin continua es mayor que la barrera de potencial, la batera

empuja de nuevo huecos y electrones libres hacia la unin. Esta vez los electrones libres
tienen suficiente energa para pasar a travs de la zona de deplexin y recombinarse con
los huecos. Para hacerse una idea bsica, imaginemos todos los huecos en la zona p
movindose hacia la derecha y todos los electrones libres desplazndose hacia la izquierda.
En algn lugar prximo a la unin estas cargas opuestas se recombinan. Como los
electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo y continuamente
se crean huecos en el extremo izquierdo, existe una corriente continua a travs del diodo.

El flujo de un electrn
Sigamos a un nico electrn a lo largo del circuito completo. Despus de
que el electrn libre abandona el terminal negativo de la batera entra en el extremo
derecho del diodo. Viaja a travs de la regin n hasta que alcanza la unin. Cuando la
tensin de la batera es mayor que 0,7 V, el electrn libre tiene
energasuficiente
para atravesar la zona de deplexin. Poco despus de entrar en la regin p se recombina
con un hueco.
En otras palabras, el electrn libre se convierte en un electrn de valencia. Como tal
contina su viaje hacia la izquierda, pasando de un hueco al siguiente hasta que alcanza el
extremo izquierdo del diodo. Cuando deja este ltimo, aparece un nuevo hueco y el
proceso comienza otra vez. Como hay miles de millones de electrones haciendo el mismo
viaje, tenemos una corriente continua a travs del diodo.

Recordatorio
La corriente circula fcilmente en un diodo de silicio polarizado en directa. Cuando la
tensin aplicada sea mayor que la barrera de potencial habr una gran corriente continua en
el circuito. En otras palabras, si la fuente de tensin es mayor que 0,7 V, un diodo de silicio
produce una corriente continua en la direccin directa.

POLARIZACIN INVERSA
Si se invierte la polaridad de la fuente de continua, entonces el diodo quedar polarizado
en inversa, como se ve en la Figura 2-15. En este caso, el terminal negativo de la batera se
encuentra conectado al lado p y el terminal positivo lo est al lado n. Esta conexin se
denomina polarizacin inversa.

Ensanchamiento de la zona de deplexin

El terminal negativo de la batera atrae los huecos y el terminal positivo los electrones
libres; por ello, los huecos y electrones libres se alejan de la unin; como resultado, la zona
de deplexin se ensancha.

Cunto aumenta la anchura de la zona de deplexin en la Figura 2-16a? Cuando los

huecos y los electrones se alejan de la unin, los iones recin creados hacen que aumente la
diferencia de potencial a travs de la zona de deplexin. A mayor anchura de dicha zona
corresponde mayor diferencia de potencial. La zona de deplexin deja de aumentar en el
momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada. Cuando
esto sucede los electrones y los huecos no se alejan de la unin.
En ocasiones, la zona de deplexin se muestra como una zona sombreada como la de la
Figura 2-16. La anchura de esta zona sombreada es proporcional a la tensin inversa. A
medida que la tensin inversa crece, aumenta tambin la zona de deplexin.

Corriente de portadores minoritarios

Existe alguna corriente despus de haberse estabilizado la zona de deplexin? S. Incluso
con polarizacin inversa hay una pequea comente. Recurdese que la energa trmica crea
continuamente pares de electrones libres y huecos, lo que significa que a ambos lados de la
unin existen pequeas concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de
stos se recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hallan dentro de la
zona de deplexin pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin. Cuando esto sucede, por
el circuito externo circula una pequea corriente.

En la Figura 2-17 se ilustra esta idea. Supngase que la energa trmica ha creado un
electrn libre y un hueco cerca de la unin. La zona de deplexin empuja al electrn libre
hacia la derecha, provocando que un electrn deje el extremo derecho del cristal. El hueco
en la zona de deplexin es empujado hacia la izquierda. Este hueco extra en el lado p
ocasiona que un electrn entre por el extremo izquierdo del cristal y se recombine con un
hueco. Como la energa trmica est creando constantemente pares electrn-hueco dentro
de la zona de deplexin, se producir continuamente una pequea corriente en el circuito
externo.
La corriente inversa originada por los portadores minoritarios producidos trmicamente
se llama corriente inversa de saturacin. En las ecuaciones esta corriente se simboliza por
Is. El nombre representa el hecho de que no se puede obtener una corriente de portadores
minoritarios mayor que la producida por energa trmica; es decir, aumentar la tensin
inversa no har que crezca el nmero de portadores minoritarios creados trmicamente.

Corriente superficial de fugas

Adems de la corriente de portadores minoritarios producidos trmicamente, existe
alguna otra corriente en el diodo polarizado en inversa? S, una pequea corriente circula
sobre la superficie del cristal. Esta corriente se denomina corriente superficial de fugas,
que es causada por impurezas en la superficie del cristal e imperfecciones en su estructura
interna.

Recordatorio
La corriente inversa total en un diodo es una corriente de portadores minoritarios muy
pequea y dependiente de la temperatura y una corriente de fugas superficial muy pequea
y directamente proporcional a la tensin aplicada. En muchas aplicaciones la corriente
inversa de un diodo de silicio es tan pequea que pasa inadvertida. La principal idea a
recordar es que la corriente es aproximadamente cero en un diodo de silicio polarizado en
inversa.

Disrupcin
Existe un lmite para la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin
correr el riesgo de destruirlo; esta tensin se denomina tensin de disrupcin, generalmente
la tensin de disrupcin es de 50v.
Una vez alcanzada la tensin de disrupcin, en la zona de deplexin aparece de repente una
gran cantidad de portadores minoritarios y el diodo conduce fuertemente. Esta cantidad se
produce por el efecto avalancha.
Exceder la tensin de disrupcin de un diodo no necesariamente significa que se destruya el
diodo. Mientras que el producto de la tensin inversa por la corriente inversa no exceda la
potencia mxima del diodo, ste podr recuperarse.

POLARIZACIN DIRECTA:

POLARIZACION INVERSA:

NIVELES DE ENERGA:
Una buena manera de relacionar la energa total de un electrn es con el tamao de su
orbital. Entonces podemos pensar en cada uno de sus radios.

Como el equivalente a cada uno de los niveles de energa mostrados:

Dado que el electrn

es atrado por el
ncleo, se requiere
energa adicional para
llevarlo a un orbital
de mayor energa.
Cuando un electrn
salta del primer
orbital al segundo,
gana energa
potencial con respecto
al ncleo. Algunos
agentes que pueden
hacer que un electrn
pase a niveles de
mayor energa son: el
calor, la luz y la
tensin.
Luego que un electrn se encuentra en un orbital superior, puede volver a caer en un nivel
de energa inferior, si esto ocurre entonces el electrn perder energa que podr ser
liberada en forma de calor, luz u otras radiaciones.
BANDAS DE ENERGA: cuando un tomo de silicio est aislado, el orbital de un electrn
solo est influenciado por las cargas de dicho tomo aislado. Sin embargo cuando los
tomos de silicio se encuentran en un cristal, el orbital de cada electrn es influenciado por
las cargas de los otros tomos. Debido a esto el orbital de cada electrn es distinto, entonces
el nivel de energa de cada electrn es distinto.
Adems se ha dicho que la energa trmica produce unos pocos electrones libres y huecos.
Los huecos permanecen en la banda de valencia, pero los electrones libres saltan de la
banda de energa inmediatamente superior denominada banda de conduccin.
Banda de energa de tipo n: En esta banda los portadores mayoritarios son los electrones libres de
la banda de conduccin y los portadores minoritarios son los huecos en la banda de valencia.
Banda de energa de tipo p: Esta banda se puede entender como lo contrario a la otra, es

decir; los portadores mayoritarios son los huecos en la banda de valencia y los portadores
minoritarios los electrones libres de la banda de conduccin.

EL DIODO
Ideas Bsicas:
Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal porque la grfica de su corriente en
funcin de su tensin es una lnea recta. Un diodo es diferente.
Es un dispositivo no lineal porque la grfica de la corriente en funcin de la tensin no es
una lnea recta. La razn es la barrera de potencial: cuando la tensin del diodo es menor
que la barrera de potencial, la corriente del diodo es pequea; si la tensin del diodo supera
esta barrera de potencial, la corriente del diodo se incrementa rpidamente.

El smbolo elctrico
La Figura 3-la representa el smbolo elctrico de un diodo. El lado p se llama nodo y el
lado n es el ctodo. El smbolo del diodo es una flecha que apunta del lado p al lado n, es
decir, del nodo al ctodo

En la Figura 3-1 b se muestra un circuito con un diodo. En este circuito

el diodo est polarizado en directa. Cmo lo sabemos? Porque el
terminal positivo de la batera est conectado al lado p del diodo a travs
de una resistencia, y el terminal negativo est conectado al lado n. Con
esta conexin, el circuito est tratando de empujar huecos y electrones
libres hacia la unin.
En circuitos ms complicados puede ser ms difcil decir si el diodo
est o no polarizado en directa. Para hacerlo nos podemos servir de la
siguiente regla; preguntmonos lo siguiente: est el circuito externo
tratando de empujar los electrones libres en la direccin de circulacin
sencilla? En caso afirmativo, el diodo est polarizado en directa.
Cul es la direccin de circulacin sencilla? Si se est usando
corriente convencional, la direccin sencilla es la misma que indica la
flecha del diodo. Si se prefiere el flujo de electrones, la direccin
sencilla es en el otro sentido.

La zona directa

La Figura 3-Ib es un circuito que puede montarse en el

laboratorio. Tras conectarlo,-es posible medir la tensin
en el diodo y la corriente que lo atraviesa. Tambin se
puede invertir la polaridad de la fuente de tensin
continua y medir la corriente y la tensin del diodo
polarizado en inversa. Si se representa la corriente a
travs del diodo en funcin de la tensin del diodo, se
obtendr una grfica parecida a la de la Figura 3-2.
ste es un resumen visual de las ideas expuestas en
el captulo anterior. Por ejemplo, cuando el diodo est
polarizado en directa no hay una corriente significativa
hasta que la tensin en el diodo sea superior a la barrera
de potencial. Por otro lado, cuando el diodo est
polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa
hasta que la tensin del diodo alcanza la tensin de
ruptura. Entonces, la avalancha produce una gran
tensin inversa, destruyendo el diodo.
Tensin

umbral

En la zona directa la tensin a partir de la cual la corriente empieza a incrementarse

rpidamente se denomina tensin umbral del diodo, que es igual a la barrera de potencial.
Los anlisis de circuitos con diodos se dirigen normalmente a determinar si la tensin del
diodo es mayor o menor que la tensin umbral. Si es mayor, el diodo conduce fcilmente;
si es menor, lo hace con pobreza. Definimos la tensin umbral de un diodo de silicio de la
siguiente forma:

Aunque los diodos de germanio raramente son utilizados en diseos nuevos, se pueden
encontrar todava diodos de este elemento en circuitos especiales o en equipos ms
antiguos. Por esta razn, conviene recordar que la tensin umbral de un diodo de germanio
es aproximadamente 0,3 V. Esta tensin umbral ms pequea es una ventaja y obliga a
considerar el uso de un diodo de estas caractersticas en ciertas aplicaciones.

Resistencia interna
Para tensiones mayores que la tensin umbral, la corriente del diodo crece rpidamente, lo
que quiere decir que aumentos pequeos en la tensin del diodo originarn grandes
incrementos en su corriente. La causa es la siguiente: despus de superada la barrera de
potencial, lo nico que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n. En otras
palabras, si las zonas p y n fueran dos piezas separadas de semiconductor, cada una tendra
una resistencia que se podra medir con un hmetro, igual que una resistencia ordinaria.
A la suma de estas resistencias hmicas se le llama resistencia interna del diodo, y se
define mediante la siguiente frmula:

El valor de la resistencia interna es funcin del nivel de dopado y del tamao de las zonas p
y n. Normalmente, la resistencia interna de los diodos es menor que 1 Q.

Mxima corriente continua con polarizacin directa

Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor excesivo destruir el diodo; por
esta razn, la hoja de caractersticas que proporcionan los fabricantes especifica la
corriente mxima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar sus
propiedades.
La corriente mxima con polarizacin directa es una de las limitaciones dadas en una hoja
de caractersticas. Esta corriente puede aparecer como h(mx). Amx). /o, etc., dependiendo
del fabricante. Por ejemplo, n 1N456 tiene una corriente mxima de 135 mA. Este dato
significa que puede conducir con seguridad una corriente continua con polarizacin directa
igual a 135 mA.
Disipacin

de potencia

Se puede calcular la disipacin de potencia de un diodo de la misma forma que se hace

para una resistencia. Es igual al producto de la tensin del diodo y la
corriente. Expresndolo matemticamente:
La limitacin de potencia indica cunta potencia puede disipar el diodo sin peligro de
acortar su vida ni degradar sus propiedades. Expresada mediante
una frmula, la definicin es:
donde Vmx es la tensin correspondiente a 7mx. Por ejemplo, si un diodo tiene una tensin
y corriente mximas de 1 V y 2 A, su limitacin de potencia es 2 W.

El Diodo Ideal:
Dependiendo del dopaje y del tamao fsico del diodo, se obtendrn diodos con
diferentes valores (Corriente, potencia, etc.. )
.La mayora de veces no es necesaria la solucin exacta, por eso es necesario hacer
aproximaciones.
A menudo se da la analoga con un interruptor metlico.

Funcionamiento del diodo ideal:

Conduce bien en polarizacin directa.

Conduce mal en polarizacin inversa.

Diferencias en la curva del diodo ideal vs el diodo real:

Ejercicio
Hallar la corriente que pasa por la fuente de voltaje.
Resolver, analizando como diodo ideal.

Resolucion

Tomar a los diodos como interruptores mecnicos.

Como vemos R3 y R4 estarn en paralelo, dando como equivalente 70, lego esta
equivalencia estar en serie con R2, lo cual equivale a 180 y finalmente, este resultado
estar en paralelo con R1, dando como equivalencia final 90. Y por ley de Ohm tenemos:
I=

15
90

I = 166mA

Segunda aproximacin:
La aproximacin ideal es siempre correcta o cierta en la mayora de las situaciones de
deteccin de averas, pero no siempre estamos detectando averas. Algunas veces queremos
un valor ms exacto para la corriente y la tensin en la carga. Es entonces cuando tiene
sentido la segunda aproximacin.
Para que un diodo de silicio conduzca realmente bien es necesario que haya por lo menos
0.7 V. Cuando la fuente de voltaje es grande, 0.7 V es una cantidad muy pequea como para
tener algn efecto. Pero si la fuente de voltaje no es tan grande, entonces hay que tomar en
cuenta los 0.7 V.
La Figura a) presenta el grfico de la corriente en funcin de la
tensin para la segunda aproximacin. El dibujo indica que no
hay corriente hasta que aparecen 0,7V en el diodo. En este
punto el diodo se activa. De ah en adelante slo aparecern
0,7V en el diodo, independientemente del valor de la corriente.
La Figura b) muestra el circuito equivalente para la segunda
aproximacin de un diodo de silicio. El diodo se asemeja a un interruptor en serie con una
barrera de potencial de 0,7V. Si la tensin de Thvenin de la fuente es, por lo menos, de
0,7V, el interruptor se cerrar. Cuando conduce, la tensin en el dispositivo ser de 0,7V
para cualquier corriente directa. Por otro lado, cuando la tensin de Thvenin es menor que
0,7V, el interruptor se abrir. En este caso, no hay corriente a travs del diodo.

Ejemplos:
1.- Calcular la potencia que disipa el diodo de la figura, sabiendo
que se trata de un diodo de silicio.

NOTA: use la segunda aproximacin.

Resolucin:

Calculamos el equivalente de Thevenin.

Aplicamos la 2da Ley de Kirchhoff:

2.- Hallar la corriente que pasa por el cable MN usando la segunda aproximacin.
Nota: -D1 es un diodo de silicio.
-D2 es un diodo de germanio.

Resolucin:
Utilizamos en este caso el mtodo de las mallas.

320i1-220i2-100i3+0i4= 15v
-220i1+370i2+0i3+0i4= - 0.7v
-100i1+0i2+280i3-180i4= - 0.3v
0i1+0i2-180i3+227i4= 0v
________________________
i1=123,4mA.
i2=71,5mA.
i3=87,7mA.
i4=69,5mA.
iMN=i2-i4=71,5-69,5=2mA.

Tercera Aproximacin:
En esta aproximacin se incluye la resistencia interna del diodo que la
denominaremos RB. La siguiente figura muestra el efecto que tiene esta
resistencia sobre la curva del diodo.

El circuito equivalente para la tercera aproximacin es un interruptor en serie

con una barrera de potencial de 0,7 V y una resistencia R B. Cuando la tencin
aplicada es mayor a 0,7 V, el diodo conduce, entonces una forma matemtica
sera:

V D =0.7 V + I D R B
Generalmente, la resistencia interna es menor que 1, por lo que podemos
ignorarla en los clculos; podramos guiarnos de la siguiente regla:
Ignorar la resistencia interna cuando: RB<0,001RTh.

Ejercicios:
1.-El diodo 1N4007 tiene una resistencia interna de 0,23. Cul es la tensin y
la corriente en la carga y la potencia del diodo?

2.-si en la siguiente figura se invierte la polaridad del diodo, Cul ser la

corriente por el diodo? Y la tensin del diodo?

Ambos ejercicios sern explicados en la exposicin.

Data sheet de un diodo: