Semiconductores

Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de

diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores
de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta.

Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una
estructura tetradrica similar a la del carbono mediante enlaces
covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la
energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda
de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el
silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el
estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia
liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la
concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Siendo "n" la concentracin de
electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la temperatura y del tipo de
elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de
portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones
libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda
de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4
capas ideales y en la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a
la de la banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, es
decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que
est dopado. Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de una
parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.

Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo
de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en
este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos
del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da
algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.
Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del silicio (Si). Los
tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace

covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de
valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como
resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera ampliamente
el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
son losportadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia
tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el
semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N
generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo
de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del
semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido comomaterial aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo
tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con tres electrones de
valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red

cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un
hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un
protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como
una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores

mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales
tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo un
semiconductor tipo P que se produce de manera natural.
Los materiales semiconductores son una ramificacion de los conductores y estos son todos
aquellos aparatos que utilizamos en la vida cotidiana.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Ejemplos:
Cada tomo de silicio tiene cuatro electrones de valencia. Se requieren dos para formar el enlace
covalente. En el silicio tipo n, un tomo como el del fsforo (P), con cinco electrones de valencia,
reemplaza al silicio y proporciona electrones adicionales. En el silicio tipo p, los tomos de tres
electrones de valencia como el aluminio (Al) provocan una deficiencia de electrones o huecos que se
comportan como electrones positivos. Los electrones o los huecos pueden conducir la electricidad.
Cuando ciertas capas de semiconductores tipo p y tipo n son adyacentes, forman un diodo de
semiconductor, y la regin de contacto se llama unin pn. Un diodo es un dispositivo de dos terminales
que tiene una gran resistencia al paso de la corriente elctrica en una direccin y una baja resistencia en
la otra.
Las propiedades de conductividad de la unin pn dependen de la direccin del voltaje, que puede a su
vez utilizarse para controlar la naturaleza elctrica del dispositivo
Algunas series de estas uniones se usan para hacer transistores y otros dispositivos semiconductores
como clulas solares, lseres de unin pn y rectificadores.
Los dispositivos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la ingeniera elctrica. Los ltimos
avances de la ingeniera han producido pequeos chips semiconductores que contienen cientos de
miles de transistores. Estos chips han hecho posible un enorme grado de miniaturizacin en los
dispositivos electrnicos.