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INGENIERA DE TELECOMUNICACIN
Departamento de Electrnica
Universidad de Alcal
PRCTICA 3
Caracterizacin de componentes activos
DIODOS SEMICONDUCTORES
Curso 2009-2010
1. Objetivos
Mediante el desarrollo de esta prctica se pretenden lograr los siguientes objetivos:
Al finalizar la prctica, el alumno deber entregar como memoria los resultados obtenidos, para
lo que se proporcionan unas tablas o figuras para cada apartado. Debern incluirse tambin las
simulaciones resueltas, as como un apartado final de conclusiones, donde se comentarn los
aspectos que el alumno considere ms significativos del desarrollo de la prctica.
Estructura y simbologa
Curva caracterstica I-V de un diodo (idealizaciones)
o Valores lmites
o Tensin umbral
o Tensin Zner
o Intensidad inversa de saturacin
o Resistencia esttica y dinmica
o Circuitos equivalentes en cada tramo
Polarizacin
o Directa
o Inversa
Clculo del punto de trabajo
Comportamiento de un diodo en rgimen dinmico (conmutacin)
o Tiempos de conmutacin
o Capacidades en la unin
o Modelo equivalente
Tipos y aplicaciones de los diodos
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3. Identificacin
3.1. Estructura y simbologa
Un diodo semiconductor de estado slido es un componente electrnico fabricado a partir de un
material base semiconductor sobre el que se difunde una unin P-N.
El terminal correspondiente a la zona P se denomina nodo (A) y el correspondiente a la zona
N, ctodo (K).
En la figura 1 queda reflejada la constitucin de una unin P-N, el smbolo genrico utilizado
para representar un diodo, as como la caracterstica I-V del mismo.
De manera terica, con algunas idealizaciones y aproximaciones, puede obtenerse que:
I = IS(eqV/KT -1)
Con:
I
K
Ge Si
IFM
VRM
IS V
nodo
Ctodo
3.2. Codificacin
En la codificacin de diodos se distinguen tres cdigos fundamentales, que son:
Europeo (PROELECTRN)
Americano (JEDEC)
Japons (JIS)
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Evidentemente estas distintas codificaciones dan lugar a que diodos con cdigos diferentes
puedan ser equivalentes (caractersticas similares).
1N4007
OA90
1N4747
1N4148
BZX55C5V1
TIPO
(Ge/Si )
FABRICANTE
IF ( mA )
VRM ( v )
P ( mW )
Tjmax (C)
IZ max ( mA )
VZ ( v )
T (%)
Cp ( pF)
CPSULA
APLICACIONES
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4. Obtencin de caractersticas
Una vez realizada la identificacin de algunos diodos se procede en este apartado a obtener la
caracterstica I-V y los tiempos de conmutacin de alguno de ellos.
Para ello es necesario utilizar:
Pspice
Trazador de curvas
Osciloscopio
R1
1k
1k
V1
V1
D1
0Vdc
D2
0Vdc
D1N4148
D1N750
1N4148
1N750
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Generador
de
funciones
VE
VD
Diodo
VD
t
ts tt
Figura 2. Tiempos de conmutacin
Para visualizar los tiempos de conmutacin es necesario seleccionar una seal de entrada con
una frecuencia tal que permita visualizarlos correctamente. La figura 3 muestra la seal de
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VE(t)
5v
t
-5v
T=10us
Figura 3. Seal de entrada para visualizar los tiempos de conmutacin.
1K
V1 = -5
V2 = 5
TD = 0
TR = 0
TF = 0
PW = 5u
PER = 10u
V2
D3
D1N4002
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5V
0V
-5V
-10V
0s
5us
10us
15us
20us
Time
Para poder visualizar con mayor precisin los tiempos de conmutacin es necesario ampliar las
zonas de visualizacin (zoom).
0.50V
0.00V
0V
-0.50V
-2.00V
-1.00V
-4.00V
-1.50V
-5.56V
5.00us
6.00us
-2.00V
0s
20ns
40ns
60ns
Time
Ampliacin Tfr
80ns
100ns
7.00us
7.63us
Time
120ns
Ampliacin Trr
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VE(t)
5v
t
-5v
VD(t)
Repita el montaje con el diodo 1N4148. Compare los resultados con los obtenidos con
el 1N4002.
simulacin
montaje prctico
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1N4007
VE(t)
VS (t)
R=1K
VE(t)
5v
t
T=1ms
-5v
VS (t)
Ver la influencia del valor de la capacidad en el resultado considerando dos posibles valores
para el condensador, 100 nF y 10 F. Justifique los resultados tericamente.
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simulacin
montaje prctico
Nota: Cuidado con las masas de los canales del osciloscopio en el montaje prctico.
VE(t)
R=1K
VS (t)
VE(t)
5v
t
T=1ms
-5v
VS (t)
Ver la influencia del valor de la capacidad en el resultado considerando dos posibles valores
para el condensador, 1 F y 10 F. Justifique los resultados tericamente.
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simulacin
montaje prctico
En simulacin debe seleccionarse como eje X la seal Ve y como eje Y la seal Vs.
En el montaje prctico:
o
VE(t)
R=1K
1N750
VS (t)
VE(t)
10v
t
VS (t)
T=1ms
-10v
VS (t)
VE (t)
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simulacin
montaje prctico
En simulacin debe seleccionarse como eje X la seal Ve y como eje Y la seal Vs.
En el montaje prctico:
o
1N4007
1N4007
VS (t)
VE(t)
5V
VE(t)
10v
t
VS (t)
T=1ms
-10v
VS (t)
VE (t)
t
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Modificar el circuito para que la seal se vea recortada para valores inferiores a -3 V.
Utilizando la seal de entrada empleada en el ejercicio, obtener la funcin de
transferencia del circuito y la evolucin temporal de la seal de salida tericamente,
mediante simulacin y de manera experimental.
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