INSTITUTO TECNOLOGICO DE

ACAPULCO

LENGUAJES DE INTERFAZ
PROF.: ING. DAGOBERTO URZUA OSORIO
08:00 - 09:00 HRS.

ERICK JERZAIN CARRILLO CALLEJA

Erick Jerzain Carrillo Calleja

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AGOSTO - DICIEMBRE 2014

TIPOS DE MEMORIA
La memoria es un bloque fundamental del computador, cuya misin consiste en almacenar
los datos y las instrucciones.

La memoria principal, es el rgano que almacena los datos e instrucciones de los programas
en ejecucin. A veces la memoria principal no tiene la suficiente capacidad para contener
todos los datos e instrucciones, en cuyo caso se precisan otras memorias auxiliares o
secundarias, que funcionan como perifricos del sistema y cuya informacin se traspasa a la
memoria principal cuando se necesita.

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La memoria solo puede realizar dos operaciones bsicas: lectura y escritura. En la lectura, el
dispositivo de memoria debe recibir una direccin de la posicin de la que se quiere extraer
la informacin depositada previamente. En la escritura, adems de la direccin, se debe

suministrar la informacin que se desea grabar.

Memorias de Acceso Aleatorio RAM

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en ingls
Random Access Memory.
Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables
de direccin que permiten seleccionar cualquier direccin de memoria de forma directa e
independiente de la posicin en la que se encuentre.

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Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no hay energa y
se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM dinmica.

Memoria RAM esttica

Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se
compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores
MOSFET, aunque tambin existen algunas memorias pequeas construidas con transistores
bipolares.

La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a travs
de las lneas laterales.

Memoria RAM dinmica

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Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory), a
diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a
las celdas a

base

de

transistores, lo

cual

construir

memorias

gran

capacidad.

permite
de

La operacin de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se

encuentra en alto, el transistor entra en saturacin y el dato presente en el bus interno de la
memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operacin de escritura y se
extrae en una operacin de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias
consiste en que hay que recargar la informacin almacenada en las celdas, por lo cual estas
celdas requieren de circuitera adicional para cumplir esta funcin. A este funcin especial se
llama de refresco

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Ventajas y Desventajas de estos sistemas de memoria

MEMORRIA

VENTAJAS

DESVENTAJAS

La velocidad de acceso es Menor capacidad, debido a

alta.

que

cada

celda

almacenamiento

de

requiere

Para retener los datos solo mas transistores.

SRAM

necesita estar energizada.

Mayor costo por bit.
Son mas fciles de disear.
Mayor

consumo

de

Potencia.
Mayor

DRAM

densidad

capacidad.

baja.

Menor costo por bit.

Necesita
informacin.

Menor

consumo

potencia.

Parmetros de las memorias

El parmetro bsico de una memoria es su
capacidad, la cual corresponde al total de
unidades que puede almacenar.
En la actualidad se consiguen memorias en
tamaos del orden de megabytes.
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y La velocidad de acceso es

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recarga

de

la

almacenada

de para retenerla (refresco).

Diseo complejo.

El tiempo de acceso es otro parmetro importante en las memorias.

Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en acceder a la informacin almacenada
en una direccin.

Un chip de memoria de Lecto/Escritura tpico de 1 k (RAM)

Una memoria requiere lneas de direccin

para identificar un registro de memoria, una
seal de chip select (CS) para habilitar el
chip y seales de control para leer de o para
escribir en los registros de la memoria

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Arquitectura interna de una Memoria

En la figura se observa la estructura bsica de una memoria de 1K de 4 bits, en la cual se
indican sus partes bsicas.

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Configuracin de terminales y smbolo lgico de la memoria esttica

R/W CMOS 6116

SRAM MCM6264C
Caractersticas Tcnicas
Referencia
Tiempos de Acceso
MCM6264C
12/15/20/25/35 ns
Tipo
Encapsulado

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DIL-28

SRAM
Capacidad (bits)
8192 X 8
Tipo de salida
5V

Memorias de Solo Lectura

Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (del ingls Read Only
Memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no
voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva sin necesidad de energa.
Este tipo de memoria se emplea para almacenar informacin de forma permanente o
informacin que no cambie con mucha frecuencia.

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Memoria ROM de Mscara

Este tipo de ROM se caracteriza porque la informacin contenida en su interior se almacena
durante su fabricacin y no se puede alterar.
El proceso de fabricacin es muy caro, pero se hacen econmicas con la produccin de
grandes cantidades.
La programacin se realiza mediante el diseo de un negativo fotogrfico llamado mscara
donde se especifican las conexiones internas de la memoria. Son ideales para almacenar
microprogramas,

sistemas

operativos, tablas

de

conversin

caracteres.

Celda de memoria de una M-ROM , con tecnologas TTL y MOS.

Memoria PROM
ROM programable del ingls Programmable Read Only Memory.
Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de
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fabricacin, sino que la efecta el usuario y se puede realizar una sola vez, despus de la
cual no se puede borrar o volver a almacenar otra informacin.
Para almacenar la informacin se emplean dos tcnicas: por destruccin de fusible o por
destruccin de unin. Comnmente la informacin se programa o quema en las diferentes
celdas de memoria aplicando la direccin en el bus de direcciones, los datos en los buffers
de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada para fundir los fusibles
correspondientes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la celda, se almacena un 0
lgico, de lo contrario se almacena un 1 lgico (estado por defecto), quedando de esta forma
la

informacin

almacenada

de

forma

permanente.

Celda de Memoria de una PROM

Memoria EPROM
Del ingls Erasable Read Only Memory.
Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia
que la informacin se puede borrar y volver a grabar varias
veces. La programacin se efecta aplicando a un pin
especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios
durante aproximadamente 50 ms, segn el dispositivo, al
mismo tiempo se direcciona la posicin de memoria y se
pone la informacin a las entradas de datos. Este proceso
puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de
memoria.

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La memoria EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de

compuerta aislada.

EPROM 27C16B
Caractersticas Tcnicas
Referencia
27C16B
Tipo
EPROM CMOS
Capacidad (bits)
2048 X 8
Tipo de salida
(5V) (Vp=12.75V)
Tiempos de Acceso
150/250 ns
Encapsulado
DIL-24

Configuracin de terminales y smbolo lgico de la memoria EPROM

2764

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Memoria EEPROM
La memoria EEPROM es programable y borrable elctricamente del ingls Electrical
Erasable Programmable Read Only Memory.
Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnologa MOS (Metal Oxide
Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).
Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia
bsica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es
ms delgada y no es fotosensible.

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La programacin de estas memorias es similar a la programacin de la EPROM, la cual se

realiza por aplicacin de una tensin de 21 Voltios a la compuerta aislada MOSFET de cada
transistor, dejando de esta forma una carga elctrica, que es suficiente para encender los
transistores y almacenar la informacin.
El borrado de la memoria se efecta aplicando tensiones negativas sobre las compuertas
para liberar la carga elctrica almacenada en ellas.

Ventajas de la EEPROM con respecto a las EPROM

Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual.
Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Las memorias EEPROM no requieren programador.
Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen
problemas para almacenar la informacin.
El tiempo de almacenamiento de la informacin es similar al de las EPROM, es decir
aproximadamente 10 aos.

Memoria EEPROM 28C64A

Caractersticas Tcnicas
Referencia

Tipo de salida

28C64A

5V

Tipo

Tiempos de Acceso

EEPROM CMOS

120/150/200 ns

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Capacidad (bits)

Encapsulado

8192 X 8

DIL-28 y PLCC-32

Memoria FLASH
La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar
elctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar informacin y es de
fabricacin sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM
a menor costo que las EEPROM.
Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor MOS de puerta apilada,
el cual se forma con una puerta de control y una puerta aislada.
La compuerta aislada almacena carga elctrica cuando se aplica una tensin lo
suficientemente alta en la puerta de control. De la misma manera que la memoria EPROM,
cuando hay carga elctrica en la compuerta aislada, se almacena un 0, de lo contrario se
almacena un 1.
Las operaciones bsicas de una memoria Flash son la programacin, la lectura y borrado.
La programacin se efecta con la aplicacin de una tensin (generalmente de 12V o 12.75
V) a cada una de las compuertas de control, correspondiente a las celdas en las que se
desean almacenar 0s. Para almacenar 1s no es necesario aplicar tensin a las compuertas
debido a que el estado por defecto de las celdas de memoria es 1.
La lectura se efecta aplicando una tensin positiva a la compuerta de control de la celda de
memoria, en cuyo caso el estado lgico almacenado se deduce con base en el cambio de
estado del transistor:
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Si hay un 1 almacenado, la tensin aplicada ser lo suficiente para encender el

transistor y hacer circular corriente del drenador hacia la fuente.
Si hay un 0 almacenado, la tensin aplicada no encender el transistor debido a
que la carga elctrica almacenada en la compuerta aislada.
Para determinar si el dato almacenado en la celda es un 1 un 0, se detecta la
corriente circulando por el transistor en el momento que se aplica la tensin en la
compuerta de control.
El borrado consiste en la liberacin de las cargas elctricas almacenadas en las compuertas
aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la aplicacin de una tensin lo
suficientemente negativa que desplaza las cargas.

Memoria FLASH 27F256

Caractersticas Tcnicas
Referencia
28F256
Tipo
FLASH EEPROM
Capacidad (bits)
32768 X 8
Tipo de salida
(5V) (Vp=12.5V)
Tiempos de Acceso
90/100/120/150 ns
Encapsulado
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DIL-28

TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS

TIPO

CATGORIA

BORRADO

ALTERABLE
POR BYTE

VOLATIL

APLCACION
TIPICA

SRAM

Lectura/Escritur
a

Elctrico

Cach

DRAM

Lectura/Escritur
a

Elctrico

Memoria
principal

No

Equipos
(Volumen de
produccin
grande)

No

Equipos
(Volumen de
produccin
pequea)

ROM

PROM

Slo lectura

Slo lectura

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Imposible

Imposible

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No

No

TIPO

CATGORIA

BORRADO

ALTERABLE
POR BYTE

VOLATIL

APLCACION
TIPICA

EPROM

Principalmente
lectura

Luz UV

No

No

Prototipos

EEPROM

Principalmente
lectura

Elctrico

No

Prototipos

FLASH

Lectura/Escritur
a

Elctrico

No

No

Cmara digital

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