Repblica Bolivariana de Venezuela

Ministerio del Poder Popular para la Educacin Superior

Instituto Universitario Politcnico Santiago Mario
Laboratorio de Electrnica

Integrantes:
Bojko L. Paul M. CI: 23.196.252 Escuela: 43
Colmenares C. Erwin S. CI: 18.467.489 Escuela: 44
Mendoza C. Jhoan R. CI: 21.798.210 Escuela: 44

Caracas, 08 de febrero de 2013

Introduccin:
Los transistores de unin bipolar (desde ahora BJT por sus siglas en ingls)
son componentes electrnicos semiconductores, que estn construidos por la unin de
una capa de material P (positivo) entre dos capas de material N (negativo) o de forma

anloga por una capa N entre dos capas P, de tal forma que el BJT puede ser visto
como la unin de dos diodos donde el nodo es comn para ambos diodos en el
primer caso y ctodo es comn a ambos diodos en el segundo caso.
Los BJT tienen tres terminales llamados: emisor, base y colector, siendo la
base la capa de material P entre las capas de material N o la capa de material N entre
las capas de material P. Para que la corriente pueda circular del colector al emisor es
necesario que exista una corriente entre la base y el emisor de lo contrario el
transistor se encontrara en corte impidiendo el paso de la corriente. Los transistores
pueden ser configurados para que la corriente circule segn la conveniencia del
circuito, estas configuraciones son llamadas colector comn, base comn y emisor
comn, donde la terminal nombrada se encuentra conectada a tierra.
Los BJT tienen una gran variedad de utilidades siendo una de las ms
importantes la amplificacin de una seal recibida en la base, la cual saldr por el
colector, en una configuracin de emisor comn.
Objetivo:
Se busca lograr configurar un transistor 2N2222A (BJT de tipo NPN) para que
consiga entrar en su zona activa amplificando una seal de entrada en la base.
Cumplido este objetivo se realizara una configuracin Darlington con el mismo
transistor para apreciar las ventajas de dicha configuracin en comparacin con la
realizada anteriormente.

.
Marco Terico:
Transistor 2N2222A

Es un transistor bipolar NPN de silicio para aplicaciones de interruptor de alta

velocidad y amplificacin de seales.

Transistor Darlington

Consiste en la elaboracin de un circuito con dos transistores unidos de forma

tal que la ganancia en amplificacin es extremadamente alta comparada con la
ganancia que puede ofrecer cada transistor por separado. En dicha unin un
transistor Q1 recibe una seal en su base, mientras su colector se encuentra
alimentado con un voltaje Vcc y su emisor se une directamente a la base de un
segundo transistor Q2 el cual tiene su emisor a tierra y su colector a la misma
fuente de voltaje Vcc.

Limitaciones para la prctica:

Debido al deterioro de los instrumentos en el laboratorio de electrnica se
hace imposible la realizacin de la prctica fsicamente, es por ello que la presente
est realizada sobre el software de simulacin Proteus 7, en su mdulo Isis.
Herramientas:

Computadora con software Proteus 7.

Datasheet del BJT 2N2222A

Formulas:

Las formulas a utilizar durante la prctica sern las siguientes:

Ibase = Icolector /
Vce = Vcc / 2
Beta de Darlington: Darlington= 1* 2+ 1+ 2

Clculos Tericos:
Ejercicio 1: Amplificacin de seal usando un BJT 2N2222A.

Se busca hallar valores para las resistencias R 1 y R2 de forma tal que Q1 entre
en la regin activa mostrando una versin amplificada de la seal sen(60t) en V0.
Del Datasheet sabemos que el valor para que el BJT puedo tener una corriente
de colector de 9mA con un = 100 sin entrar en corte ni en saturacin.
Entonces:
Ib = Ic / = 9mA / 100 = 90A
Vin,max= 1V.
1V= R1*Ib + Vbe R1= (1V-Vbe) / Ib= (1V-0.7V)/9mA= 3333.33 = 3.33K.
7V= R2.Ic + Vce R2 = (7V-Vce) / Ic = (7V 3.5V) / 90A = 388.

Ejercicio 2: Amplificacin de seal usando una configuracin Darlington con dos

BJT 2N2222A.

Se busca hallar valores para las resistencias R 1, R2, R3 de forma tal que Q1 y
Q2 entre en la regin activa mostrando una versin amplificada de la seal 4sen(60t)
en V0.
Del Datasheet sabemos que el valor para que el BJT puedo tener una corriente
de colector de 18mA con un = 100 sin entrar en corte ni en saturacin.
Se eligi el valor a R3 de 220 para mayor facilidad de los clculos en
resultados.
Entonces:
Darlington= Q1* Q2+ Q1 + Q2

Q1, Q2 = 10

Darlington 100
Ib = Ic/ Darlington = 18mA/100 = 18 A
Ie = Ib* Ic = 18mA
24V= Ic* Rc - Ie*Re +12V
Rc = 24V-12V+( Ie * Re )/Ic = 12V + (18mA*220) / 18mA = 886,88
4V = Ib * Rb +Ie * Re +1,4V
Rb= 4V-1,4V + ( Ie * Re )/Ib =3,6V + (18mA*220) / 18A = 364664 o 364,66k

Procedimiento:
Ejercicio 1: Amplificacin de seal usando un BJT 2N2222A.

Colocar los siguientes componentes en el mdulo Isis de Proteus formando el

circuito que dio como resultado de los clculos tericos.
Componente o herramienta
Generador de Seal

R1
R2
Vcc
2N2222A

Valor
60
( t)
sen
3.3k 3300
388,89
7VDC
N/A

Colocar un osciloscopio con una fase a la entrada sen(60t) y otra fase a la

salida V0.

Activar el modo simulacin.

Comprobar que el BJT se encuentra amplificando.
Anotar los resultados.

Ejercicio 2: Amplificacin de seal usando una configuracin Darlington con dos

BJT 2N2222A.

Colocar los siguientes componentes en el mdulo Isis de Proteus formando el

circuito que dio como resultado de los clculos tericos.
Componente o herramienta
Generador de Seal

R1
R2
R3
Vcc
2N2222A

Valor
60
(t)
4 sen
364,66k o 364660
886,88
220
24VDC
N/A

Colocar un osciloscopio con una fase a la entrada sen(60t) y otra fase a la

salida V0.
Activar el modo simulacin.
Comprobar que el BJT se encuentra amplificando.
Anotar los resultados.

Tabla de Resultados:
Ejercicio 1: Amplificacin de seal usando un BJT 2N2222A.

Ejercicio 2: Amplificacin de seal usando una configuracin Darlington con dos

BJT 2N2222A.

Concluciones:
Los transistores BJT o transistores de unin bipolar, nos permite con mayor
facilidad la amplitud de una onda tal es el caso como el transistor 2N2222A, en este
caso se puede ver con mayor facilidad que un transistor afirma mejor amplitud
dependiendo el tipo de configuracin sea tipo Darlington.
Esta prctica nos da mayor apreciacin de cmo es una onda amplificada y de
los complementos que se pueden usar para dar una onda amplificada. De tal manera
nos rectifica los conceptos bsicos de la electrnica.