Sumrio

Introduo

Estrutura bsica

Terminais do transistor

Simbologia

Aspecto real dos transistores

Teste de transistores
Teste com o uso do multmetro
Deteco de descontinuidades nas junes
Deteco de curtos nas junes
Deteco de curto-circuito entre coletor e emissor
Apndice

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Questionrio

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Bibliografia

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Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI

Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento
pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.

Srie de Eletrnica

Introduo
O transistor um componente fabricado com cristais semicondutores cuja
descoberta revolucionou a eletrnica. Sua descoberta valeu o prmio Nobel a
trs cientistas da Bell Labs dos EUA.
Sem dvida, nem mesmo os descobridores deste componente poderiam
imaginar que com a descoberta, se iniciava uma nova era no desenvolvimento da
humanidade.
Este fascculo , tambm para o leitor, um marco no estudo da eletrnica.
Nele se inicia o estudo desse importante componente.
O objetivo do fascculo apresentar a estrutura bsica compondo o
transistor e, com base nesse conhecimento, permitir ao leitor a realizao de
testes com o componente usando um multmetro.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das

atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Diodo semicondutor.

Transistor bipolar: estrutura bsica e testes

Estrutura bsica
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo de cristais
semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou como chave eletrnica.
Em qualquer uma das duas funes o transistor encontra uma ampla gama
de aplicaes, como por exemplo:
Amplificador de sinais: Equipamentos de som e imagem e controle industrial.
Chave eletrnica: Controle industrial, calculadoras e computadores eletrnicos.
O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento da
eletrnica, devido a sua versatilidade de aplicao, constituindo-se em elemento
chave em grande parte dos equipamentos eletrnicos.
A estrutura bsica do transistor se compe de duas camadas de material
semicondutor, de mesmo tipo de dopagem, entre as quais inserida uma terceira
camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de dopagem
distinto dos outros dois, formando uma configurao semelhante de um
sanduche, conforme ilustrado na Fig.1.

Fig.1 Estrutura bsica de um transistor.

Srie de Eletrnica

Como mostrado na Fig.2, a configurao da estrutura, em forma de

sanduche, permite que se obtenham dois tipos distintos de transistor:

Um com as camadas externas de material tipo p e com a camada central

formada de um material tipo n. Esse tipo de transistor denominado de
transistor bipolar pnp.

Outro com as camadas externas de material tipo n e com a camada central

formada com um material tipo p. Esse tipo de transistor denominado de
transistor bipolar npn.

Fig.2 Estruturas dos transistores pnp e npn.

Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funes diferindo
apenas na forma como as fontes de alimentao so conectadas aos terminais do
componente.

O transistor bipolar pode se apresentar em duas configuraes:

pnp e npn.

TERMINAIS DO TRANSISTOR
Como mostrado na Fig.3, cada
uma das camadas que formam o
transistor conectada a um terminal
que permite a interligao da
estrutura do componente aos
circuitos eletrnicos.

Fig.3 Estrutura bsica de um transistor

de trs terminais.

Transistor bipolar: estrutura bsica e testes

Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma

das camadas:

A camada central denominada de base, sendo representada pela letra B.

Uma das camadas externas denominada de coletor, sendo representada pela

letra C.

A outra camada externa denominada de emissor, sendo representada pela

letra E.

A Fig.4 mostra os dois tipos de transistor, com a identificao dos

terminais.

Fig.4 Transistores pnp e npn com a identificao dos terminais.

O transistor possui trs terminais: coletor, base e emissor.

Embora as camadas referentes ao coletor e ao emissor de um transistor
tenham o mesmo tipo de dopagem, elas diferem em dimenso geomtrica e no
grau de dopagem, realizando portanto funes distintas quando o componente
conectado a um circuito eletrnico.

SIMBOLOGIA
A Fig.5 apresenta os smbolos
utilizados na representao de circuito
dos transistores npn e pnp. Como pode
ser a observado, os dois smbolos
diferem apenas no sentido da seta entre
os terminais da base e do emissor.
Fig.5 Representao de circuito dos
transistores npn e pnp.
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Srie de Eletrnica

Alguns transistores so dotados de

blindagem. Essa blindagem consiste de
um encapsulamento metlico envolvendo
a estrutura semicondutora, com o fim de
evitar que o funcionamento do
componente seja afetado por campos
eletromagnticos no ambiente. Esses
transistores apresentam um quarto
terminal, ligado blindagem para que
esta possa ser conectada ao terra do
circuito eletrnico. A representao de
circuito desses transistores est ilustrada Fig.6 Representao de circuito de
um transistor blindado.
na Fig.6.

ASPECTO REAL DOS TRANSISTORES

Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que
variam em funo do fabricante, do tipo de aplicao e da capacidade de dissipar
calor. A Fig.7 ilustra os aspectos de alguns encapsulamentos.

Fig.7 Encapsulamentos tpicos de um transistor.

Devido variedade de configuraes, a identificao dos terminais de um
transistor deve sempre ser feita com auxlio do folheto de especificaes
tcnicas do componente.

Transistor bipolar: estrutura bsica e testes

Teste de transistores
Existem instrumentos sofisticados destinados especificamente ao teste das
condies de operao de um transistor. No entanto, o uso de um multmetro
tambm permite detectar possveis defeitos no componente.
Como no teste de diodos com o uso de um multmetro, o teste de
transistores pode no fornecer um resultado definitivo, e o uso do multmetro
serve apenas para detectar os defeitos mais comuns nos transistores e diodos.
No caso do diodo, so os seguintes os defeitos de deteco imediata com
o uso de um multmetro:

Juno pn em curto.

Juno pn em aberto.

Como descrito em fascculos anteriores, o teste de qualquer juno pn

com o uso de um multmetro feito em duas etapas:
Etapa 1: Realiza-se inicialmente a identificao da polaridade real das pontas
de prova do multmetro.
Etapa 2: Aps a identificao de polaridade, realiza-se o teste do diodo, que
consiste em detectar a existncia de baixa e alta resistncias ao se
intercambiarem os dois contatos entre as pontas de prova e os terminais da
juno pn.
Conforme ilustrado na Fig.8, a estrutura de um transistor consiste em uma
juno pn entre a base e o coletor e de uma segunda juno pn entre a base e o
emissor.

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Srie de Eletrnica

Fig.8 Junes pn do transistor npn em (a) e do transistor pnp em (b).

Portanto, para a deteco de defeitos, o transistor pode ser considerado
como composto de dois diodos conectados nas formas ilustradas na Fig.9.

Fig.9 Representao de transistores npn e pnp por diodos equivalentes.

A deteco de defeitos no transistor consiste em verificar a existncia de
curto ou de circuito aberto entre os pares de terminais BC, BE e CE.

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Transistor bipolar: estrutura bsica e testes

TESTE COM O USO DO MULTMETRO

O procedimento de teste das junes base-coletor e base-emissor
descrito a seguir tomando como exemplo o caso de um transistor npn.

DETECO DE DESCONTINUIDADES NAS JUNES

Com o potencial positivo da ponta de prova aplicado base do transistor e
o potencial negativo aplicado ao coletor ou ao emissor, como ilustrado na
Fig.10, as junes correspondentes ficam polarizadas diretamente.
Na ausncia de defeitos, o instrumento dever indicar baixa resistncia
das junes BC e BE. Se houver uma juno em aberto, o instrumento fornecer
a indicao de uma resistncia altssima quando essa juno estiver sendo
testada.

Fig.10 Deteco de descontinuidades nas junes BC e BE de um transistor npn.

DETECO DE CURTOS NAS JUNES

Para este teste as pontas de prova devem ser conectadas conforme
mostrado na Fig.11.
Com a ponta de prova negativa conectada base, a segunda ponta de
prova polariza inversamente a juno BC ou BE. Na ausncia de defeitos, o
multmetro dever fornecer a indicao de altas resistncias nas junes. Se
houver uma juno em curto o instrumento indicar uma baixa resistncia
naquela juno.
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Srie de Eletrnica

Fig.11 Teste para deteco de curtos nas junes BC e BE de um transistor npn.

DETECO DE CURTO-CIRCUITO ENTRE COLETOR E

EMISSOR
Para completar os testes deve-se ainda verificar a condio eltrica entre
os terminais do coletor e do emissor.
Com o terminal da base em aberto, o circuito equivalente entre os
terminais B e C corresponde a dois diodos em srie conectados inversamente.
Dessa forma o multmetro dever fornecer uma indicao de altssima
resistncia para as duas possibilidades de conexo das pontas de prova
mostradas na Fig.12.

Fig.12 Teste para deteco de curto-circuito entre os terminais C e E

de um transistor npn.
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Transistor bipolar: estrutura bsica e testes

Para o caso de um transistor pnp os testes podem ser conduzidos seguindo

o procedimento descrito anteriormente, exceto que as pontas de prova devem ser
invertidas com relao s configuraes ilustradas nas Figs.10 a 12.

Todos os testes devem ser realizados com o seletor do

multmetro posicionado na escala R 10 ou R 100 e com o
transistor desconectado de qualquer circuito externo.

Os testes realizados com multmetro no permitem detectar

alteraes nas caractersticas do transistor. Mesmo que o multmetro
no detecte defeitos, existe ainda a possibilidade de que existam
alteraes nas caractersticas do transistor que o tornem imprprio
para uso em circuitos.

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Srie de Eletrnica

Apndice
QUESTIONRIO
1. Qual a estrutura bsica de um transistor bipolar?
2. Quais so as configuraes de um transistor?
3. Desenhe os smbolos possveis de um transistor e identifique os seus
terminais.
4. Quais defeitos podem ser identificados em um transistor com o uso de um
multmetro?
5. Descreva os procedimentos de execuo dos testes identificados na questo
anterior.

BIBLIOGRAFIA
ARNOLD, Robert & BRANT, Hans. Transistores, segunda parte. So Paulo,
EPU, 1975. il. (Eletrnica Industrial, 2).
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Valdir Joo. Teoria do
desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos . 7.ed. So Paulo, rica,
1983. 580p.
SENAI/ Departamento Nacional. Reparador de circuitos eletrnicos; eletrnica
bsica II. Rio de Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento, c 1979. (Coleo
Bsica Senai, Mdulo 1).
TUCCI, Wilson Jos. Introduo Eletrnica. 7.ed. So Paulo, Nobel, 1983.
349p.

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