Apuntes de Ingeniera de Materiales ESIME Ticomn IPN

Autores: Ing. Antonio Mosqueda Snchez, Ing. Alfonso Espinosa Picazo

UNIDAD 2
2.1 DEFECTOS DE LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Los ordenamientos cristalinos no son perfectos ya que contienen varios tipos de defectos o imperfecciones que afectan a muchas de las
propiedades fsicas y mecnicas, que a su vez afectan a muchas propiedades importantes de materiales para ingeniera como la
conformacin en fro de aleaciones, la conductividad elctrica de semiconductores, la velocidad de migracin de tomos en aleaciones y la
corrosin de metales.
Estas imperfecciones solo representan defectos en, o desviaciones, respecto a los arreglos atmicos perfectos o ideales, en una
estructura cristalina dada. El material no se considera defectuoso desde un punto de vista de la aplicacin. En muchas aplicaciones es til
la presencia de esos defectos. Sin embargo, hay unas pocas aplicaciones en donde se trata de minimizar determinada clase de defecto. Por
ejemplo los defectos llamados dislocaciones son tiles para aumentar la resistencia de los metales y las aleaciones; sin embargo, en el
silicio monocristalino, que se usa para fabricar chips de computadora, no es deseable la presencia de dislocaciones. Con frecuencia, se
pueden crear en forma intencional los defectos para obtener determinado conjunto de propiedades electrnicas, pticas y mecnicas. Por
ejemplo el hierro puro es relativamente suave; sin embargo, cuando se le agrega una pequea cantidad de carbono se crean defectos en el
arreglo cristalino del hierro y se convierte en un acero al carbono, que tiene una resistencia bastante mayor. De igual modo, un cristal de
almina pura (Al2O3) es transparente e incoloro, pero cuando se agrega una pequea cantidad de cromo se crea un defecto especial que
produce un bello cristal de rub rojo.
En el procesamiento de los cristales de silicio para microelectrnica, se agregan concentraciones muy pequeas de tomos de fsforo o
boro al silicio. Estas adiciones producen defectos en el arreglo de los tomos del silicio. Esto, a su vez, nos permite obtener dispositivos
tiles, como los transistores, que son los bloques de construccin bsicos que permitieron la revolucin de las computadoras y la tecnologa
de la informacin.
Casi siempre, pequeas concentraciones de elementos elementos en un metal, por lo dems puro, bajan su conductividad elctrica. Cuando
se desea usar cobre como conductor en microelectrnica, se usa la mxima pureza posible. Esto se debe a que an cantidades pequeas
de impurezas causan un aumento de varios ordenes de magnitud en la resistividad del cobre, por consiguiente, el efecto de los defectos
puntuales no siempre es deseable.
La presencia de lmites de grano ayuda en realidad a endurecer los materiales metlicos.
Las imperfecciones en la red cristalina se clasifican segn su forma y geometra: 1) defectos puntuales, 2) defectos de lnea, 3) defectos de
superficie y 4) defectos de volumen.
2.2 DEFECTOS PUNTUALES (VACANCIAS E INTERSTICIOS)
El defecto puntual ms sencillo es la vacancia, que es un sitio atmico en el que ha desaparecido el tomo que lo ocupaba ( ver figura). Las
vacancias pueden producirse durante la solidificacin como resultado de perturbaciones locales durante el crecimiento de cristales, o
pueden ser debidas a reordenamientos atmicos en un cristal ya existente debido a la movilidad de los tomos. En los metales se pueden
introducir vacancias durante la deformacin plstica, por enfriamiento rpido desde elevadas a bajas temperaturas y por bombardeo con
partculas energticas como son los neutrones. Las vacancias pueden moverse cambiando su posicin con sus vecinas. Este proceso es
importante en la migracin o difusin de los tomos en estado slido, particularmente a temperaturas elevadas donde la movilidad de los
tomos es mayor.
Otro defecto puntual son los tomos intersticiales, que ocurre cuando un tomo se introduce en un hueco o intersticio de una celda
unitaria, estos defectos se pueden introducir en la estructura por irradiacin.
Los tomos impurezas de tipo sustitucional o intersticial son tambin defectos de punto y se presentan en cristales con enlaces
metlicos o covalentes. Por ejemplo, cantidades muy pequeas de impurezas atmicas sustitucionales en silicio puro pueden afectar mucho
su conductividad elctrica para su uso en dispositivos electrnicos.
En cristales inicos los defectos puntuales son ms complejos debido a la necesidad de mantener la neutralidad elctrica. Cuando dos iones
de carga opuesta faltan en un cristal inico, se crea una divacante aninica- catinica que se conoce como defecto de Schottky. Ahora, si
un catin se mueve a un hueco intersticial del cristal inico, se crea una vacante catinica en la posicin inicial del catin. Este par de
defectos vacante-intersticio se llama defecto de Frenkel. La presencia de estos defectos en cristales inicos aumenta su conductividad
elctrica.

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Fig. 2.1 Defectos puntuales ms comunes que se presentan en los ordenamientos

cristalinos.

2.3 DEFECTOS LINEALES (DISLOCACIONES)

Los defectos lineales o dislocaciones en slidos cristalinos, son defectos que provocan una distorsin de la red centrada en torno a una
lnea. Las dislocaciones se crean durante la solidificacin de los slidos cristalinos. Tambin se pueden formar en la deformacin plstica o
permanente de slidos cristalinos, por condensacin de vacantes y por desajuste atmico en las disoluciones slidas.

Fig. 2.2 Defectos de lnea: a) dislocaciones de borde, b) dislocaciones de tornillo y c) dislocaciones mixtas.

Los dos principales tipos de dislocaciones son las de tipo de arista (o de borde) y las de tipo helicoidal (tornillo). Una combinacin de las
dos da dislocaciones mixtas. Una dislocacin de arista se crea por la interseccin de un semiplano extra de tomos (fig. 2.2 a). La distancia
de desplazamiento de los tomos alrededor de la dislocacin se llama deslizamiento o vector de Burgers b y es perpendicular a la lnea de
dislocacin de arista. Las dislocaciones no son defectos de equilibrio y almacenan energa en la regin distorsionada de la red cristalina
alrededor de la dislocacin. La dislocacin de arista presenta una regin de tensin a compresin donde se encuentra el semiplano extra, y
una regin de tensin a traccin debajo del semiplano extra de tomos.
La dislocacin helicoidal (o de tornillo) puede formarse en un cristal perfecto aplicando tensiones de cizalladura en las regiones del cristal
perfecto que han sido separadas por un plano cortante, (fig. 2.2 b). Las tensiones de cizalladura introducen en la estructura cristalina una
regin de distorsin en forma de una rampa en espiral de tomos distorsionados o dislocacin helicoidal. El deslizamiento o vector de
Burgers de la dislocacin helicoidal es paralelo a la lnea de dislocacin. La mayor parte de las dislocaciones en cristales son de tipo mixto,
teniendo componentes de arista y helicoidales (fig. 2.2 c).

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2.4 DEFECTOS SUPERFICIALES (FRONTERAS DE GRANO, FALLAS APILADAS)

Los defectos de superficie son los lmites de grano y las maclas. Los lmites de grano son defectos de superficie en materiales policristalinos
que separan granos (cristales) de diferentes orientaciones. En metales los lmites de grano se originan durante la solidificacin cuando los
cristales formados a partir de diferentes ncleos crecen simultneamente juntndose unos con otros (fig. 2.3a). La forma de los lmites de
grano viene determinada por la restriccin impuesta por el crecimiento de los granos vecinos. El lmite de grano es una regin de tomos no
alineados entre dos granos (cristales) adyacentes. Los lmites de grano en los materiales metlicos o cermicos pueden identificarse en una
muestra preparada metalograficamente, como lneas oscuras al observarse en el microscopio. La mayor energa en el lmite de grano y su
estructura ms abierta hacen la regin ms favorable para la nucleacin y crecimiento de precipitados. El menor empaquetamiento atmico
en los lmites de grano tambin permite una difusin atmica ms rpida en estas regiones. Tambin disminuyen la plasticidad dificultando
el movimiento de dislocaciones en la regin de lmite de grano.

Fig. 2.3

Lmites de grano y maclas son defectos de superficie.

Una macla o borde de macla (falla apilada), es un plano que separa dos partes de un grano que tienen una pequea diferencia en la
orientacin cristalogrfica. Estas partes de la red parecen formar una imagen especular en el plano del borde de macla. (fig. 2.3b). Las
maclas se producen cuando una fuerza de corte hace que los tomos cambien de posicin. Las maclas ocurren durante la deformacin o el
tratamiento trmico de ciertos metales. Los bordes de macla interfieren con el proceso de deslizamiento incrementando la resistencia del
metal y tambin pueden hacer que el metal se deforme.
Tamao de grano
El tamao de grano de metales policristalinos es importante dado que la cantidad de superficie de los lmites de grano tiene un efecto
significativo en muchas propiedades de los metales, especialmente en la resistencia mecnica. A bajas temperaturas los lmites de grano
refuerzan los metales por restriccin del movimiento de dislocaciones bajo tensin. A temperaturas elevadas los lmites de grano pueden
deslizarse y se convierten en regiones de debilidad en metales policristalinos. Un mtodo para medir el tamao de grano es el mtodo
ASTM, en el que el nmero de tamao de grano n se define por:
N = 2 n-1
Donde N es el nmero de granos por pulgada cuadrada en una superficie pulida y atacada de un material a unos aumentos de 100x y n es
un entero arbitrado como el nmero de tamao de grano ASTM.

Fig. 2.4 A mayor nmero de tamao de grano corresponde un mayor nmero de granos
por pulgada cuadrada.

Fig. 2.5 La resistencia de un material se incrementa cuando el tamao de

grano ASTM se incrementa, es decir, cuando el grano es ms pequeo.

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La ecuacin de Hall-Petch.
Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlando el tamao de los granos. Reduciendo el tamao de estos se
incrementa su nmero y, por tanto, aumenta la cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocacin se mover solamente una distancia
corta antes de encontrar una frontera de grano, incrementando as la resistencia del metal. La ecuacin de Hall-Petch relaciona el tamao
de grano con el esfuerzo de cedencia del material.

y = 0 + K d -1/2
donde y es el esfuerzo de cedencia, d es el dimetro promedio de los granos y 0 y K son constantes del metal.
2.5 DEFECTOS DE VOLUMEN
Los defectos de volumen son precipitados o fases que aparecen en la matriz de la aleacin, estos precipitados pueden tener un
ordenamiento cristalino que puede ser coherente (empatar perfectamente con el ordenamiento cristalino de la matriz) o puede ser
incoherente, es decir, con ordenamiento cristalino muy distinto al de la matriz que lo aloja.

Fig. 2.6

Las fases precipitadas en la matriz son llamados defectos de volumen, pueden ser coherentes e incoherentes.

2.6 EFECTO EN LAS PROPIEDADES MECNICAS

Defectos

Tipo
Vacancias

1.- Puntuales

Concentracin o
dimensin caracterstica
~ 10-4 a
~ 10-15 a

Influencia
Difusin en el estado slido

tomos intersticiales
tomos extraos

~ 10-10 a
~ 10-30 a

Propiedades mecnicas, conductividad

elctrica
de
aislantes
y
de
semiconductores

Defectos de Frenkel y de Schottky

~ 10-15 a
Densidad (metales):
~ 106 a 1012 cm/cm3

Conductividad elctrica de cristales inicos

Dislocaciones

Densidad
(cristales
inicos):
~ 104 cm/cm3
Tamao de los granos:

2.- De lnea

3.-De superficie

Maclas;
Lmites de garno

4.- De volumen

Precipitados

De 1 m a 1 cm
Dimensiones:
De 5 nm a 0.10 mm

Propiedades
tenacidad

mecnicas,

ductilidad,

Propiedades mecnicas, ductilidad.

Propiedades mecnicas, tratamientos
trmicos, propiedades magnticas.

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