Prctica 1

MICROWIND

ALUMNO: TIBERIUS DANIEL TIMOFTE

DNI: X8989399X

El Transistor NMOS

CARACTERSTICAS ESTTICAS DEL CANAL

Vamos a estudiar las caractersticas estticas de varios transistores NMOS y a
compararlas segn su anchura y longitud de canal.
Para ello, el primer transistor lo vamos a crear con unos valores escogidos de W
y L, y los dems tendrn unos valores proporcionales a stos primeros. Los valores
escogidos de W y L son:
W = 0,9 m
L = 0,3 m

Antes de realizar las simulaciones creamos los seis transistores con la siguiente
relacin de proporcionalidad.

Transistor NMOS 1
Transistor NMOS 2
Transistor NMOS 3
Transistor NMOS 4
Transistor NMOS 5
Transistor NMOS 6

Parmetros del Canal

Anchura (m)Longitud (m)
W 0.9L 0.3
W 0.92L 0.6
2W 1.8L 0.3
10W 910L 3
W 0.910L 3
10W 9L 0.3

Ahora vamos a realizar las simulaciones para todos los transistores:

Manuel Rico Beltrn

Transistor NMOS 1 [W,L]

Transistor NMOS 2 [W,2L]

MICROELECTRNICA

Manuel Rico Beltrn

Transistor NMOS 3 [2W,L]

Transistor NMOS 4 [10W, 10L]

MICROELECTRNICA

Manuel Rico Beltrn

Transistor NMOS 5 [W, 10L]

Transistor NMOS 6 [10W,L]

MICROELECTRNICA

Cuestiones
o Cundo el canal es ms ancho, la corriente que es capaz de
manejar el FET aumenta o disminuye?

Para ver si aumenta o disminuye la corriente al aumentar la anchura del

canal, vamos a observar las grficas para distintos valores de anchura
manteniendo constante la longitud del canal.

Transistor
WL
2W L
10W L

Intensidad Mxima
0.6 / 0.65 mA
1.25 / 1.3 mA
6 / 6.5 mA

Como podemos ver en los resultados obtenidos observando la grfica,

cuando aumentamos la anchura del canal, AUMENTA la corriente que pasa por
el FET.

o Cundo aumenta la longitud del canal, la corriente que es

capaz de manejar el FET aumenta o disminuye?
Para ver si aumenta o disminuye la corriente al aumentar la longitud del
canal, vamos a observar las grficas para distintos valores de longitud
manteniendo constante la anchura del canal.

Transistor
WL
W 2L
W 10L

Intensidad Mxima
0.6 / 0.65 mA
0.35 / 0.4 mA
0.08 / 0.085 mA

Como podemos ver en los resultados obtenidos observando la grfica,

cuando aumentamos la longitud del canal, DISMINUYE la corriente que pasa
por el FET.

COMPORTAMIENTO DINMICO DEL MOS

Vamos a realizar la simulacin del comportamiento dinmico de los seis
transistores que hemos creado en el apartado anterior, para ver las grficas de voltaje
y tiempo y poderlos comparar.

Transistor NMOS 1 [W,L]

Transistor NMOS 2 [W,2L]

Transistor NMOS 3 [2W,L]

Transistor NMOS 4 [10W, 10L]

Transistor NMOS 5 [W, 10L]

Transistor NMOS 6 [10W,L]

Cuestiones
o Qu transistor tiene mejor respuesta, atendiendo al
retardo, medido entre la seal aplicada en el drenador y la
obtenida en la fuente?

Para ver qu transistor tiene mejor respuesta, vamos a hacer una tabla
observando las grficas y buscaremos el transistor con el menor tiempo de
respuesta.

Transistor NMOS 1
Transistor NMOS 2
Transistor NMOS 3
Transistor NMOS 4
Transistor NMOS 5
Transistor NMOS 6

Tiempo de Respuesta
1076 ps
1078 ps
1076 ps
1096 ps
1098 ps
1075 ps

Parmetros Transistor
WL
W 2L
2W L
10W 10L
W 10L
10W L

Como podemos observar en la tabla, el parmetro que hace aumentar el

tiempo de respuesta, es la longitud del canal (L), mientras que cuando
aumentamos la anchura del canal (W), sin modificar la longitud, el tiempo de
respuesta disminuye. Por lo tanto, el transistor con mejor respuesta es el
transistor NMOS 6, con una anchura W = 9 m, y una longitud de canal L = 0.3
m.