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Diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky,
es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de
diámetro) y muy bajas tensiones umbral.

El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera

Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por
los diodos normales.

Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "R





 ". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N,
solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en
la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo
N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del
dispositivo será mucho más rápida.

A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral Ȅvalor de
la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduceȄ de 0,7 V, los diodos Schottky tienen
una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como
protección de descarga de células solares con baterías de plomo ácido.

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy
pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes
de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de
diodos de recuperación rápida (Fastrecovery) o de portadores calientes.

La principal aplicación de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensión, en las
cuales las caídas en los rectificadores son significativas.

    
 
 


  

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Son diodos de silicio perfeccionados para operar con capacitancia variable, que se utilizan
como sintonizadores en sistemas de comunicaciones, especialmente en FM.

A máxima capacitancia del varactor se presenta con voltajes de polarización cero, cuando la
capa de agotamiento es más delgada. Cuanto más alto es el voltaje inverso aplicado, más
estrecha es la capa de agotamiento y por lo tanto, la capacitancia disminuye. Estos diodos
también reciben el nombre de diodos Varicap (›
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Cuando un voltaje inverso es aplicado a la junción PN, los agujeros en la región P se atraen a la
terminal del ánodo y los electrones en la región N se atraen a la terminal del cátodo, creando
una región de poca corriente. Esta es la región de agotamiento, son esencialmente
desprovistos de portadores y se comportan como el dieléctrico de un condensador.

La región de agotamiento aumenta mientras que el voltaje inverso aplicado a él aumenta; y

puesto que la capacitancia varía inversamente con el espesor dieléctrico, la capacitancia de la
juntura disminuirá cuando el voltaje aplicado a la juntura PN aumenta. En la gráfica, se
observa la variación de la capacidad con respecto al voltaje.

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 R


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+ Valor de la capacitancia.
+ Voltaje.
+ Variación en capacitancia En la gráfica se puede observar el aumento no lineal en la
capacitancia cuando se disminuye el voltaje inverso. Esta no linealidad, permite que el
varactor sea utilizado también como generador armónico.
Con voltaje. + Corriente de la salida
+ Voltaje de funcionamiento máximo.

    
   M

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La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina mediante:

Donde:
E: Es la permitibilidad de los materiales semiconductores.
A: Es el área de la unión P-N.
Wd: El ancho de la región de agotamiento.

Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la región

de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico inicial declina en
CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap
se limita aproximadamente 20V. En términos de la polarización inversa aplicada, la
capacitancia de transición se determina en forma aproximada mediante:

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Donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de construcción.
VT = potencial en la curva según se definió en la sección.
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado.
n = ½ para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión.

    
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„no de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control
es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de
fugas.

El diodo responde a la ecuación:

La curva característica será la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensión inversa máxima
VD: tensión de codo.

    
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Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rápidamente al observar
su curva característica, la cual se ve en el gráfico.

En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente,

pero en el sentido de paso ofrece unas variantes según la tensión que se le somete.

La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensión
hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensión, se produce una pérdida de
intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la
tensión.

Símbolo del Diodo túnel también se conocen como diodos Esaki.

    
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Son semiconductores construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o
infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de
luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el
cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus

propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de
hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de
cualquier otro material semiconductor.









Silicio 190Ȃ1100

Germanio 800Ȃ1700

Indiogalioarsénico
800Ȃ2600
(InGaAs)

sulfuro de plomo <1000-3500

    
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%m Conmutadores ópticos (p. e. Barreras de luz)

%m Sensores claro-oscuro
%m Transmisión simple de datos de baja velocidad

El fototransistor es un fotodetector de alta ganancia cuyo pico sepresenta en el rango de las

regiones roja e infrarroja, su tiempo derespuesta anda en el rango de 5 microsegundos.
Su aplicación, tanto en biomedicina como industrial, se ha visto limitadapor su inferioridad en
respuesta comparado con el fotodiodo, tal pareceque la combinación del fotodiodo con un
amplificador provee una mejorsolución de sistema de detección de luz que el fototransistor.

    
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Los optoaisladores o también conocidos como opto acopladores, son componentes

electrónicos que transfieren una señal eléctrica o voltaje de un circuito a otro, en tanto que
mantiene el aislamiento eléctrico entre ambos. ¿Cómo es posible esto? Por el acoplamiento
óptico, un opto acoplador es un dispositivo que por medio de la luz liga las señales eléctricas
de ambos circuitos. Se conoce como opto aislador porque este es uno de sus propósitos
fundamentales, una característica que lo diferencia de otros sistemas de acoplamiento óptico
es que tanto el emisor de luz como el detector de luz comparten un mismo paquete
(empaquetado común).
Típicamente consiste de un led infrarrojo, el cual está alineado con un detector de luz
semiconductor. Este detector puede ser un Foto diodo, Foto transistor, Foto Darlington, foto
SCR, etcétera.

F„NCIONES
Algunos de los objetivos o funciones del opto acoplador son:
Aislar un circuito eléctrico de otro, sobre todo cuando tienen diferentes niveles de voltaje.
Prevenir el acoplamiento de ruido eléctrico o transitorio de voltaje.

La sección de entrada de un opto acoplador es un LED infrarrojo, está separado del diodo de
salida por una delgada y transparente capa de mylar embebida en silicio transparente (un
derivado del silicio). El ensamble está sellado en un paquete marcado para designar al pin # 1.
El paquete más comúnmente utilizado para los opto acopladores es el DIP (Dual In line
Package).

Sección transversal y símbolo de un opto acoplador.

    
  

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Las celdas fotoconductivas o fotoresistivas están formadas por una delgada película de
materiales como selenio, germanio, silicio o sulfatos metálicos. Cuando son expuestos a cierto
tipo de energía radiante, exhiben un fenómeno fotoconductivo, decrecimiento es su
resistencia. El cambio en resistencia es significativo, de muchos megaohms en la oscuridad a
pocos cientos de ohm en plena iluminación.
En la mayoría de las celdas fotoconductivas, el incremento en nivel de iluminación es
aproximadamente lineal con la conductancia, lo cual es una relación inversa de la resistencia.
Estos detectores son extremadamente sensibles y son empleados frecuentemente como
interruptores activados por luz o en aplicaciones de colorimetría.










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Algunas celdas fotoconductivas son muy sensibles
al rango de radiación infrarroja lo que ha hecho que
se apliquen en espectroscopia y en misiles dirigidos
por rayos u objetivos que emiten este tipo de
radiación.
El tiempo de respuesta de los transductores
fotoconductivas varía con la intensidad de la luz,
pero anda en un rango de 0.1 a 30 milisegundos.

    
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Para hacer una breve descripción de lo que es una radiación infrarroja, imagínate la luz del
sol, pues esta contiene todas las bandas de colores con las cuales se compone la luz blanca
(conocido como espectro de emisión de luz), ahora, en los extremos del espectro se encuentra
la radiación infrarroja (IR) y la ultravioleta („V), ambas son imposibles de ver.

Existen encapsulados que traen incorporado en su interior tanto al emisor como receptor, de
todos ellos, el más conocido es el CNY70, que cuenta con 4 pines, dos para el Diodo IR y dos
para el fototransistor.

Los infrarrojos no sólo producen el calor más rápido, sino también el calor más apropiado
para aplicaciones concretas. Los emisores IR permiten resultados individualizados y
variados para tareas de calentamiento y secado de cualquier tipo de material. Digamos que el
uso de IR nos permite tener un "calor a la medida" cosa que a su vez nos asegura una
productividad sencilla, segura, y mucho más económica debido a su eficiencia. „n ejemplo
especialmente exigente son los procesos en los que se tiene que trabajar al vacío o con altas
condiciones de pureza. Otra ventaja fundamental del trabajo con IR es que no requiere ni agua
ni aire para poder actuar sobre la superficie a calentar. Además, el calor IR esta libre de
fracciones de radiación algo más nocivas tales como los „V o los rayos X.

    
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Construcción de las lámparas IR, Las lámparas de infrarrojo se construyen con cuarzo fundido
transparente el cual no únicamente soporta altas temperaturas sino que además permite el
paso de altos niveles de transmisión de infrarrojos. El sello hermético de la lámpara esta
formado por una lámina de molibdeno dentro del pellizco de cuarzo. Los filamentos se
construyen usando tungsteno impurificado con AKS (aluminio, potasio y silicio) para impedir
la formación de granos a largo plazo y la consiguiente fragilización de la lámpara. Los hilos
sobre-bobinados están inter-bobinados a su vez con el filamento diseñados para permitir una
estricta tolerancia operativa dentro de la envuelta a fin de reducir los esfuerzos impuestos
por la vibración o la caída de la bobina. Las colas se fabrican con un material que tiene
grandes áreas transversales para reducir el calentamiento interno y aumentar la capacidad
de corriente de la región de soldadura. Por último, el reflector de oro de la lámpara
incrementa el rendimiento de la radiación y mejora la direccionabilidad.

El secado mediante IR, Para que el secado mediante IR sea realmente eficaz- y por tanto
justificable el hecho de emplear IR- lo más importante es que el espectro de emisión de la
lámpara sea el adecuado para el tipo de secado y el material a secar. En la técnica IR esto exige
que ambas partes establezcan contacto a la misma longitud de onda: el comportamiento de
emisión del radiador IR ha de ajustarse de la forma más exacta posible al comportamiento de
absorción del producto a calentar. Cuanto más individual sea el ajuste, más racional y de
mayor calidad será el resultado. Es por este motivo que no debemos olvidar que el emisor se
puede ajustar en la mediada exacta a las características de radiación necesarias. Los
radiadores pueden estar exactamente adaptados, no sólo a un determinado grupo de
materiales, sino a un material particular.

En el uso habitual del calor se distinguen dos aspectos básicos. El primero es el calor obtenido
por convección, donde el aire es calentado para luego desplazar el aire frío y así secar. Y el
segundo es el calor obtenido por conducción, donde la transmisión del calor tiene lugar por
contacto directo con un medio caliente tal y como ocurre, por ejemplo, con una plancha. La
técnica de los infrarrojos es la única que no requiere el contacto directo ni ningún medio de
transmisión como el aire o el agua. El calor IR es transmitido directamente en forma de
radiaciones electromagnéticas con un velocidad aproximada 300.000 km/s, es decir, a la
misma velocidad que viaja la luz.

Estas características de las lámparas IR las convierte en herramientas muy útiles no solo para
técnicas de secado, sino también en procesos de deshidratación, calentamiento, plastificado,
fusión, soldadura, maleabilización, estiramiento, estampación, cocción, etc. La lista de
materiales sobre los cuales se ha trabajado también es muy amplia: lacas, masillas, tintas,
esmaltes, colas, papel, textiles, plásticos, pieles, etc.

    
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Los cristales líquidos fueron descubiertos hace más de cien años (1888) por el botánico
austriaco F. Reinitzer, quien encontró que algunos compuestos orgánicos derivados del
colesterol parecían tener dos puntos de fusión. Más específicamente, observó que al
calentar los cristales de estas sustancias a 145° C, el sólido se transformaba en un líquido
turbio; pero éste a su vez, se convertía en un líquido totalmente claro y transparente
precisamente a 179° C. Reinitzer también realizó el proceso inverso y enfrió el líquido
transparente observando que exactamente a las mismas temperaturas anteriores
ocurrían las transformaciones opuestas. Como además los cambios observados iban
acompañados de absorción o emisión de calor, dependiendo de si la temperatura
aumentaba o disminuía y, asimismo, como el volumen del sistema cambiaba en forma
abrupta, Reinitzer concluyó que la sustancia en realidad exhibía dos cambios o
transiciones de fase sucesivas. Al poco tiempo de estas primeras observaciones (1889), el
cristalógrafo alemán F. Lehmann descubrió que el líquido turbio intermedio entre los
cristales y el líquido transparente poseía propiedades ópticas y una estructura molecular
muy parecida a la de un cristal sólido, y acuñó el nombre de 
& . Aun sin darse
plena cuenta, lo que en realidad habían descubierto era un nuevo estado de la materia:
las fases intermedias o mesofases.

    
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La forma más común de las celdas solares se basa en el efecto

fotovoltaico, en el cual la luz que incide sobre un dispositivo
semiconductor de dos capas produce una diferencia del fotovoltaje o
del potencial entre las capas. Este voltaje es capaz de conducir una
corriente a través de un circuito externo de modo de producir
trabajo útil.

Orígenes De Las Celdas Solares

El efecto fue observado primero en un material sólido (el metal selenio) en 1877. Este
material fue utilizado durante muchos años para los fotómetros, que requerían de cantidades
muy pequeñas de energía. „na comprensión más profunda de los principios científicos, fue
provista por Albert Einstein en 1905 y Schottky en 1930, la cual fue necesaria antes de que
celdas solares eficientes pudieran ser confeccionadas. „na célula solar de silicio que convertía
el 6% de la luz solar que incidía sobre ella en electricidad fue desarrollada por Chapín,
Pearson y Fuller en 1954, y esta es la clase de célula que fue utilizada en usos especializados
tales como satélites orbitales a partir de 1958.

Cómo Funcionan Las Celdas Solares

Las celdas solares están formadas por dos tipos de material, generalmente silicio tipo p y
silicio tipo n. La luz de ciertas longitudes de onda puede ionizar los átomos en el silicio y el
campo interno producido por la unión que separa algunas de las cargas positivas ("agujeros")
de las cargas negativas (electrones) dentro del dispositivo fotovoltaico. Los agujeros se
mueven hacia la capa positiva o capa de tipo p y los electrones hacia la negativa o capa tipo n.
Aunque estas cargas opuestas se atraen mutuamente, la mayoría de ellas solamente se pueden
recombinar pasando a través de un circuito externo fuera del material debido a la barrera de
energía potencial interno. Por lo tanto si se hace un circuito se puede producir una corriente a
partir de las celdas iluminadas, puesto que los electrones libres tienen que pasar a través del
circuito para recombinarse con los agujeros positivos.

    
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La cantidad de energía que entrega un dispositivo fotovoltaico está determinado por:

%m El tipo y el área del material

%m La intensidad de la luz del sol
%m La longitud de onda de la luz del sol

Por ejemplo, las celdas solares de silicio monocristalino actualmente no pueden convertir más
el de 25% de la energía solar en electricidad, porque la radiación en la región infrarroja del
espectro electromagnético no tiene suficiente energía como para separar las cargas positivas
y negativas en el material.

Las celdas solares de silicio policristalino en la actualidad tienen una eficiencia de menos del
20% y las celdas amorfas de silicio tienen actualmente una eficiencia cerca del 10%, debido a
pérdidas de energía internas más altas que las del silicio monocristalino.

„na típica célula fotovoltaica de silicio monocristalino de 100 cm2 producirá cerca de 1.5
vatios de energía a 0.5 voltios de Corriente Continua y 3 amperios bajo la luz del sol en pleno
verano (el 1000Wm-2). La energía de salida de la célula es casi directamente proporcional a la
intensidad de la luz del sol. (Por ejemplo, si la intensidad de la luz del sol se divide por la
mitad la energía de salida también será disminuida a la mitad).

    
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„n # es un semiconductor que varía el valor de su resistencia eléctrica en función de

la temperatura, su nombre proviene de .allysensitive res# (Resistor sensible a la
temperatura en inglés). Existen dos clases de termistores: NTC y PTC.

Los termistores, o resistores térmicos, son dispositivos

semiconductores que se comportan como resistencias con
un coeficiente de temperatura de resistencia alto y,
generalmente negativo. En algunos casos, la resistencia de
un termistor a temperatura ambiente puede disminuir hasta
un 6% por cada 1ºC que se eleve la temperatura. Dada esta
alta sensibilidad al cambio de temperatura hacen al
termistor muy conveniente para mediciones, control y
compensar con precisión la temperatura. El uso de
termistores está muy difundido en tales aplicaciones, en
especial en el rango más bajo de temperatura de -100ºC a
300ºC.

Los termistores se componen de una mezcla sintética de óxidos de metales, como manganeso,
níquel, cobalto, cobre, hierro y uranio. Su rango de resistencia va de 0.5 ohms. a 75 ohms y
están disponibles en una amplia gama de formas y tamaños. Los más pequeños son cuentas
con un diámetro de 0.15 mm a 1.25 mm. Las cuentas se pueden colocar dentro de una barra
de vidrio para formar sondas que son más fáciles demontar que las cuentas. Se hacen disco y
arandelas presionando el material termistor en condiciones de alta presión en formas
cilíndrica y plana con diámetros de 2.5 mm a 25 mm. Las arandelas se pueden apilar y
conectar en serie o paralelo con el fin de incrementar la disipación de potencia.

Tres características importantes del termistor lo hacen extremadamente útil en aplicaciones

de medición y control:

1.- Resistencia-temperatura
Las características resistencia--temperatura de la figura muestra que un termistor tiene
coeficiente de temperatura de resistencia muy elevado y negativo, lo cual lo convierte en un
TRANSD„CTOR DE TEMPERAT„RA IDEAL.

2.- Voltaje-corriente
En la característica voltaje-corriente de la figura se observa que la caída de voltaje a través de
un termistor aumenta con el incremento de corriente hasta que alcanza un valor pico, más allá
del cual la caída de voltaje decrece con el incremento de corriente.

3.- Corriente-tiempo
El Constantino es una aleación de 55% de cobre y 45% de níquel.
Cromel= Aleación de Cromo y Níquel.
Alumel =Aleación de aluminio, manganeso y níquel.

    
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(egativaemperaturaoeficiente) es una resistencia variable cuyo valor va decreciendo a

medida que aumenta la temperatura, es decir se calienta extremadamente. Son resistencias de
coeficiente de temperatura negativa, constituidas por un cuerpo semiconductor.Se emplean
en su fabricación óxidos semiconductores de níquel, zinc, cobalto, etc.
La relación entre la resistencia y la temperatura no es lineal sino exponencial:

A y B son constantes que dependen del termistor.

La característica tensión-intensidad (V/I) de un termistor NTC presenta un carácter peculiar

ya que, cuando las corrientes que lo atraviesan son pequeñas, el consumo de potencia (© * 2)
será demasiado pequeño para registrar incrementos apreciables de temperatura, o lo que es
igual, descensos en su resistencia óhmica; en esta parte de la característica, la relación
tensión-intensidad será prácticamente lineal y en consecuencia cumplirá la ley de Ohm.

Si seguimos aumentando la tensión aplicada al termistor, se llegará a un valor de intensidad

en que la potencia consumida provocará aumentos de temperatura suficientemente grandes
como para que la resistencia del termistor NTC disminuya apreciablemente, incrementándose
la intensidad hasta que se establezca el equilibrio térmico. Ahora nos encontramos, pues, en
una zona de resistencia negativa en la que disminuciones de tensión corresponden aumentos
de intensidad.

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(ositivaemperaturaoeficiente) es una resistencia variable cuyo valor va aumentando a

medida que se incrementa la temperatura.

Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones: limitación de corriente,
sensor de temperatura, desmagnetización y para la protección contra el recalentamiento de
equipos tales como motores eléctricos. También se utilizan en indicadores de nivel, para
provocar retardos en circuitos, como termostatos, y como resistores de compensación.

El termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma
similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta.

Las aplicaciones de un termistor PTC están, por lo tanto, restringidas a un determinado

margen de temperaturas.

Hasta un determinado valor de voltaje, la característica I/V sigue la ley de Ohm, pero la
resistencia aumenta cuando la corriente que pasa por el termistor PTC provoca un
calentamiento y se alcanza la temperatura de conmutación. La característica I/V depende de
la temperatura ambiente y del coeficiente de transferencia de calor con respecto a dicha
temperatura ambiente.

    
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