Eletrnica I

Prof. Paulo Leite

Janeiro de 2013

1 Introduo
1.1 Fonte de Tenso
a) Fonte de tenso ideal

V
RL

Para: R L 2K

I 6mA

R L 1K
I 12mA
R L 1
I 12A
R L 0,1 I 120A
R L 0
I inf inito

b) Real
O que ocorre na prtica que a fonte tem uma Rs de forma que se diminuirmos muito Rl,
Rs comea a limitar a corrente diminuindo a tenso na sada da fonte. Ex: Pilha Rs = 1r,
bateria de carro Rs = 0,1, Fonte de tenso eletrnica Rs = 0,01.

V
RS R L

IL
20A
10A
0,6

RL

IL
Vs
Vs
2
Rs

100 Rs

RL

RL
2K
1K
100
10
1
0,1
0

I
6 mA
12 mA
119,3 mA
1,13 A
7,5 A
17,14 A
20 A

VL
12
12
11,93
11,32
7,5
1,7
0

1.2 Fonte de Corrente

Uma fonte de tenso tem uma resistncia interna muito pequena. Uma fonte de
corrente, ao contrrio, possui uma resistncia interna muito grande.
Uma fonte de corrente produz uma corrente na sada independente da carga. O que
carga?

Ex:

V
V

R RS R L

A corrente no varia desde RL = 0 100 K

RL
I

0
1,2 A

1K
1,1999

IL

10 K
1,1988

100 K
1,1881

Ponto 99%

1,2
estvel
Rs/100

RL

(100K)

2 Teoria dos Semicondutores

2.1 Teoria do Semicondutor
At os anos 50 toda eletrnica, incluindo computadores, era baseada em vlvulas. O
desenvolvimento da fsica permitiu o desenvolvimento de diodos e transistores de silcio e
germnio.
O tomo de silcio possui 14 prtons, sendo sua valncia (ou eltrons da ltima
camada) igual a 4.

Os tomos de cobre possuem um eltron livre na rbita mais externa, chamada

banda de conduo, de forma que o eltron mal pode sentir a atrao do ncleo. Estes
eltrons livres so capazes de produzir altas correntes eltricas.
Ao se aquecer um tomo de silcio, alguns eltrons da camada de valncia
deslocam-se para camada de conduo, criando uma lacuna na camada de valncia.
As lacunas em um semicondutor tambm produzem corrente.
Em um cristal 5 tomos se ligam da seguinte forma:

O semicondutor tipo n recebe impurezas penta valentes de forma a ter mais eltrons
livres.
O semicondutor tipo p recebe impurezas trivalente criando lacunas livres.
O Diodo No Polarizado

possvel produzir um cristal metade tipo p e metade tipo n. Este cristal

comumente chamado de diodo.
Quando um eltron livre sai da camada n e vai para a camada p, ele cria um tomo
carregado (on positivo) na regio n. Ao preencher uma lacuna na regio p, ele cria um
novo tomo carregado. Esta regio chama-se camada de depleo.
A camada de depleo age como uma barreira, impedindo a continuao da difuso
de eltrons livres atravs da juno.
A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada barreira de
potencial, sendo, 25C, aproximadamente 0,7 V.
Polarizao Direta

A polarizao produz uma corrente eltrica alta da seguinte forma (considere um

eltron):
1. saindo da fonte entra pela extremidade da direita;
2. percorre a regio n como eltron livre;
3. prximo juno recombina-se e torna-se um eltron de valncia;
4. passa pela regio P como um eltron de valncia;
5. depois de sair pela extremidade esquerda do cristal ele segue para o terminal positivo.
Polarizao Reversa

A polarizao reversa fora os eltrons livres na

regio n a se afastarem da juno. As lacunas da regio
p tambm se deslocam para o terminal negativo.
Quanto maior a polarizao reversa, maior a
camada de depleo.
A energia trmica cria um nmero de eltrons
livres produzindo uma pequena corrente reversa
chamada de corrente de saturao Is.
O valor de Is dobra a cada aumento de 10C na temperatura.
Corrente de Fuga Superficial
Ifs produzida por impurezas no cristal e tambm muito pequena.
Corrente Reversa IR IS IFS
Tenso de Ruptura
Aumentando-se a tenso reversa possvel chegar a um limite onde o diodo conduz
reversamente e devido a alta corrente ocorre a queima de componente. Esta tenso
chamada tenso de ruptura. VRM tenso reversa mxima.
2.2 Grfico do Diodo

VS V
RS

Ex: VS 12 V
I

R S 100

12 0,7
113 mA
100

para calcularmos a tenso exata na resistncia temos que entrar na curva do diodo.

VS V
RS
V VS
I

RS RS
V
V = 0 I S 120 mA
R
I = 0 V VS 12 V
12 0,75
I
112,5 mA
100
I

Aproximaes do diodo
Para grandes tenses e correntes: conduz quando polarizado direto; no conduz quando
polarizao reversa.
Para pequenos sinais: conduz com queda de 0,7V direto; pequena corrente de fuga;
polarizao reversa.

Equivalente Thevenin
Tenso = tenso se no tivesse duas cargas.
Resistncia = Resistncia que se olha do terminal da
carga quando zera todas fontes de tenso e abre as
fontes de corrente.
4 0,7
I
1,1 mA
2K K

3 Circuitos Retificadores
So circuitos que transformam tenso alternada em tenso contnua.
Nesta cadeira veremos apenas os circuitos monofsicos de meia onda e onda completa.
3.1 Valor de pico, RMS e Mdio

V VP sen wt VP sen
0V0
V
30 V P
2
90 V VP
Valor do pico = Vp

Valor pico a pico = Vmax-Vmin=2VP (para senide)

1

1 T
2
V
2
Valor eficaz ou RMS VRMS VP sen wr dt para senide P 0,707VP
2
T 0

definido como a tenso que produz a mesma quantidade de potncia que uma onda
senoidal.
T

Valor mdio - VMDIO

1
VP sen wtdt
T0

Valor mdio senide (2) = 0

2v P
Valor mdio (180) =
0,6366VP Para retificador de onda completa.

3.2 Retificador de meia onda

Vin
RL
Desprezando R da fonte e R do diodo.

Vin VP sen

VL VP sen
Tenso na carga :
VL 0

0
2

1
1
VMDIO
Vt d VP sen d VP sen d

2 0
2 0

V
V

VMDIO P sen d P cos 0

2 0
2
V
2V
V
VMDIO P 1 1 P P VMDIO
2
2

V
V
I
I MDIO MDIO
I MDIO P P
RL
R L

1
VP 2 sen 2 d

2 0

VRMS

sen

1
V
V2P P
2
2
2
V
V
RMS P
RL
2R L

VP
2
V
P
2R L

VRMS

VRMS

I RMS

I RMS

Especificao do diodo
Tenso de pico inversa;
Quando a tenso est no semi ciclo negativo a corrente zero, logo toda tenso est sobre o
diodo. VPI VP

Potncia;

P V I 0,7 I
3.3 Retificador de onda completa

No semiciclo positivo, D1 conduz; no semiciclo negativo , D2 conduz.

Valor Mdio

1
VP
cos0 VP 1 1
VP sen d

2V
2I
V
2VP
P
IMDIO P
IMDIO

R L R L

VMDIO
VMDIO

Valor eficaz

VRMS

IRMS

1
V
VP sen 2 d P

0
2

IP
2

ou

VP
2R L

Tenso de pico inversa igual a duas vezes o valor do pico.

VD 2 VA VB
VD2 VP VP
VD2 2VP

Retificador em Ponte

Utiliza 4 diodos e o trafo no precisa de tap central. Os valores mdios e eficazes so os

mesmos.
Tenso de pico inversa = VPICO

Num-diodo
Tenso pico de sada

Resumo Retificadores
Meia onda
Onda completa
1
2
VP
0,5 VP

Ponte
4
VP

Tenso CC sada
Corrente CC do diodo
Tenso pico inversa
Freq. Ondulao
Tenso CC sada

0,318 VP
IC
VP
fENT
0,45 VRMS

0,636 VP
0,5 IC
VP
2 fENT
0,45 VRMS

0,636 VP
0,5 IC
VP
2 fENT
0,9 VRMS

Ex1 Para um retificador de meia onda, desenhe as formas de onda Vin, VD,VL e IL.
Considerando Vin = 12 VRMS e RL = 100 , calcule: VMDIO na carga, IMDIO na carga, Vef
(ou RMS) na carga, Ief na carga.

Ex2 Especifique o diodo IRMS, VPico reverso

Ex3: Repita o exerccio 1 para um

retificador de onda completa.

3.4 - Vantagens e desvantagens dos retificadores

1 - Com relao ao ripple
Fator de Ripple () =

VAC
100
VCC

Valor eficaz da ondulao 100

Valor contnuo mdio (Vdc )

VAC Vef2 - Vdc 2 (Pef = PCC + PAC)

Vef

V
V
CC AC
R
R
R

a)Retificador de meia onda

VAC VMX

0,1487

VAC 0,3856 VP

VAC
0,3856 VP
100
100 120%
VP
VCDC

b)Onda completa

VP 2 VP

2
2

VAC

VP

1 4

100
2 2
= 48 %
2 VP

2- Com relao capacidade do transformador

a)Meia onda

Capacidade do trafo = Vef . Ief =

Na carga Pdc = Vdc . Idc =

Pdc

VP IP

2 2

VP I P

VP IP
2

2
2
VP IP =
Pdc 2
4
4
Cap. Trafo = 3,49 Pdc

Cap. Trafo =

2 VP IP
4

b)Onda completa

Vef =

VP
2

Cap. De 1/2 secundrio =

Capacidade total =

VP I P
2 2

VP I P
2

Na carga = Pdc = VP . IP =
Capacidade =

2VP 2IP
4VP IP
=
= 0,4 VP IP

Pdc
1,75 Pdc
0,4 2

c)Retificador em ponte - onda completa

Vef =
Ief =

VP
2

IP
2

Capacidade =

VP I P
2

2VP 2IP

Pdc = 0,4 VPIP

Na carga Pdc =

Capacidade =

Pdc
= 1,23 Pdc
2 0,4

Resumo:

Tenso mdia carga Vdc

Tenso eficaz Vef

1/2 onda

Center tape-onda comp.

Ponte onda completa

VP

VP
2

2VP

VP

2VP

VP

48%
1,75 Pdc
(1,23 Pdc Primrio)

48%
1,23 Pdc

Fator ripple
120%
Transformador Capacidade de 3,49 Pdc
armazenamento de energia
em relao a Pdc

Ex4 - Em um retificador de meia onda est ligado uma carga de 80 sobre a qual h uma
passagem de 5A de corrente de pico. Qual a tenso reversa sobre o diodo e a capacidade
de armazenamento do transformador?

Ex5 - Calcule a tenso reversa sobre os diodos de um retificador de onda completa em

ponte onde a capacidade do transformador de 123W e a carga de 6,25.

4- Filtros Retificadores
4.1- Retificador de 1/2 onda

A sada de um retificador uma tenso em um nico sentido porm pulsante, sem aplicao
prtica em eletrnica. Para reduzir o ripple devemos colocar um capacitor que se carrega
durante um pequeno espao de tempo. Logo aps o pico positivo o diodo para de conduzir
e o capacitor se descarrega atravs da resistncia de carga. Quanto maior o produto RLC,
menor o ripple.
(figura 51 pg. 74 Cipelli)
Durante a descarga Vcap VRL VPe

RLC

4.2 - Retificador de onda completa

O tempo para descarga do capacitor a

metade do tempo do retificador de 1/2
onda. Logo precisamos menos o
capacitor. A freqncia de 120Hz e no
de 60Hz como no de 1/2 onda.

Conseqncias do capacitor no diodo

1 - A tenso reversa que era igual a VP se torna 2VP.

2 - A corrente que flua pelo diodo em todo o semiciclo agora fica concentrada em um
perodo menor que 1/2 semiciclo. Quanto maior o capacitor menor o tempo de carga e
maior o pico de corrente no diodo.

5- Retificadores Multiplicadores
Dobrador de tenso de onda completa.

Outra aplicao dos diodos so os circuitos multiplicadores de tenso.

Quando a tenso de entrada for positiva, D1 conduz e carrega C1 com VP em relao
terra. Desta forma C1 fica com a polaridade da figura acima. D2 permanece cortado.
Quando a tenso de entrada for negativa, D2 conduz , carregando C2 com VP em relao
terra.
Desta forma teremos C1 com +VP e C2 com -VP, totalizando 2VP na carga RL.

Dobrador de meia onda

No ciclo negativo D1 conduz e D2 est cortado carregando C1 com VP. No semiciclo

seguinte (positivo), D2 conduz e D1 est cortado. A tenso atravs de C1 se soma com a
tenso de entrada levando C2 a se descarregar com 2VP.
O raciocnio o mesmo para o triplicador e o quadriplicador abaixo.

6 - Outros circuitos com diodos

6.1 - Circuito Clippine ou Recortador
um circuito que mantm um nvel de mnimo na sada.

Funcionamento I : Quando VPsenwt < VR Vo=VR porque o diodo conduz.

Quando VPsenwt >VR Vo=VPsenwt com o diodo cortado.
Funcionamento II: VPsenwt > VR Vo=VPsenwt diodo conduzindo.
VPsenwt < VR Vo=VR diodo cortado.

6.2 - Circuito Limitador ou Ceifador

6.2.1 - Limitador positivo

Funcionamento : VPsenwt < VR diodo cortado e Vo=VPsenwt

VPsenwt > VR diodo conduz limitando a sada em VR.

Funcionamento VPsenwt < VR Vo=VPsenwt diodo

conduzindo.
VPsenwt > VR diodo corta Vo=VR

6.2.2 - Limitador Negativo

Funcionamento: igual ao positivo.

6.2.3 - Duplo limitador

6.3 - Circuitos lgicos

Lgica binria:
a
0
0
1
1

b
0
1
0
1

ou
0
1
1
1

e
0
0
0
1

7 - Diodo Zener
O diodo Zener quando polarizado diretamente funciona como um diodo comum. Porm
devido a artifcios em sua fabricao, o diodo Zener capaz de operar reversamente em sua
tenso de ruptura sem se danificar.
Para V positivo a curva igual a um diodo
comum. Para V negativo existe uma tenso
VZ (entre 2 e 200V), que mesmo variando a
corrente a tenso no muda.
Os fabricantes fornecem valores de VZ e
PMAX onde PMAX = VZ IMAX
O projeto deve ser realizado para que a
corrente no Zener esteja entre IMIN e IMAX. No
caso de no ser especificado IMIN utilizar
IMAX/10.

7.1 - Regulao de tenso

Funcionamento: R deve ser calculado de forma que o Zener fique trabalhando na regio de
avalanche controlada (ou ruptura), logo podemos considerar VZ como constante.
Se Vin ou RL variar, dentro de certos limites, VL permanece constante.
Vin VZ
cons tan te IL I Z
R
Se RL diminuir, IL aumenta e IZ diminui
Se RL aumentar, IL diminui e IZ aumenta.
I

A variao de IZ deve ficar entre IMAX e IMIN VZ = constante e VL = constante.

Ex1: VZ = 12V ; PMAX = 400mW ; VS = 20V. Calcular IMAX e a faixa de variao de
RL.

7.2 - Dimensionamento do Zener

Em fontes comuns alm da variao da carga (RL) Vin tambm varia.
a) Para Vin mnimo
VIN min R I L max I Z min VZ
I L max I Z min

VIN min VZ
R

b) Para Vin mximo.

VIN max RI L min I Z max VZ

O pior caso ser para RL = quando ILmin = 0, toda corrente vai passar pelo Zener.
VIN max RI Z max VZ
I Zma x

VIN max VZ
R

Ex2:

Vin 30V 10V

Calcule Izmax e Izmin para RL =

Ex3: Determine IZ dados RS = 820 ; RL = 2 ; Vin = 40V ; VZ = 10V

Ex4 - Projeto de um regulador Zener. VL 10V

Vin 13,5 16,5V

ILmax 20mA

Vin 15V 10%

Ex5: Determine VL, VR, IZ e PZ no circuito abaixo. Supondo a)RL = 1K2 b) RL = 3K.

Calcule um regulador Zener para uma carga de 1K 2K.

PMAX 1,3W

VZ 12V

VPP

Imdia
fC

O valor do capacitor atende?

V sec 12,7V

VP 12,7V 2 17,96

8 - Transistores Bipolares
8.1 - Introduo
Entre 1904 e 1947 a vlvula foi o dispositivo eletrnico utilizado para amplificao e
chaveamento de sinais.
Nos anos 50, entretanto, foi desenvolvido nod laboratrios da Bell Telephone, o transistor
Bipolar. O transistor tem capacidade de amplificar e comutar sem as desvantagens da
vlvula : pequeno, no precisa esquentar, mais leve, mais robusto e mais eficiente.
O transistor um dos componentes bsicos mais importantes da eletrnica. Ele foi
desenvolvido em 1951 e a base de todos C.Integrados.
At ento todos equipamentos eletrnicos eram baseados em vlvulas, sendo que um
computador de baixa capacidade ocupava uma sala de 200m , tinha um consumo de KW e
custava milhes de dlares.
Fabricado com semicondutores, existem transistores de microwatts a dezenas de watts,
operando de CC at Gigahertz.
Existem 2 tipos de transistores bipolares:

O emissor densamente dopado. Sua funo de emitir eltrons na base. A base

levemente dopada e muito fina. Permite que a maioria dos eltrons injetados pelo emissor
passem para o coletor. O coletor coleta os eltrons que vem da base.

8.2 - Polarizao

a)

Base emissor e base coletor direto. Alta corrente nas duas

junes.

b)
Base emissor e base coletor polarizado inversamente. Somente
corrente de fuga.

c)

Base emissor direta e base coletor inversa. Alta corrente base

emissor e curiosamente corrente maior ainda entre coletor e emissor.

Praticamente o transistor s utilizado como no item C.

Funcionamento: Como VBE 0,7V , muitos eltrons do emissor penetram na base. Como a
base fina e fracamente dopada, a corrente da base pequena e a maioria dos eltrons
passam pela base e chegam ao coletor atrados pelo terminal positivo.
Na maioria dos transistores, mais de 95% dos eltrons emitidos pelo emissor chegam ao
coletor. Menos de 5% preenchem as lacunas da base formando corrente de base.
CC

IC
0,95 CC 1
Ie

Ex1:

8.3 - Ligao Emissor Comum (E.C.)

o emissor e as duas fontes ligam-se no ponto comum.

Funcionamento: como descrito no item anterior, para que o transistor comece a conduzir
necessrio uma tenso VBE 1,7 V .

CC

IC
IB

= ganho de cc de emissor comum.

Tipicamente o varia de 20 300.

Caso IC = SmA e IB = 0,05 m
Ie = IC + IB

IC

5
100
0,05

( normal)

I
Ie
1 B
IC
IC
CC

1
1
1
CC
CC

CC
1 - CC

8.4 - Regio Ativa

Condies necessrias para um diodo funcionar num circuito linear:
1- Diodo emissor deve estar polarizado diretamente;
2- Diodo coletor polarizado reversamente;
3- Tenso do diodo coletor menor que tenso de ruptura.
Nestas condies o transistor um componente ativo capaz de amplificar um sinal de
entrada.

8.5 - Configuraes Bsicas

8.6 - Caractersticas do Transistor

Os fabricantes fornecem, alm de valores numricos, grficos sobre o comportamento do
transistor normalmente extrados da configurao emissor comum.
Ex: B135 / 137 / 139

(transparncia)

Coletor - Emissor Voltage - VCEO - 45 - Vdc

Coletor - Base Voltage - VCBO - 45 - Vdc
Emissor - Base Voltage - VEBO - 5 - Vdc
Coletor Current - IC - 1,5 - Adc
Emissor Current - IB - 0,5 - Adc
Total Device Dissipation - TA = 25 - PD - 1,25 - Watts
Total Device Dissipation - TC = 25 - PD - 12,5 - Watts
Operating temp. range - TJ - -55 to +150 - C
Thermal Resistence Juno/Case - JC - 10 - C/W
Thermal Resistence Juno/Amb - JA - 100 - C/W

Coletor Cutoff current - ICBO - 0,1 - Adc

Emitter Cutoff current - IEBO - 10 - Adc
DC current gain - hFE - 40
Volletor - Emitter Saturation
Voltage - VCE set - 0,5 - Vdc
Base- Emitter On Voltage - VBE on - 1 - Vdc

IB

VBB VBE
RB

Variando VBB e VCC obtemos o grfico acima.

Prximo ao joelho o diodo coletor no est reversamente polarizado;

Para VCE acima de 0,7 V o valor de VCE no importante, ficando a corrente do coletor
constante;
Se VCE for maior que VCEO o diodo coletor atingir a ruptura queima.

8.7 - Interpretao dos dados do transistor P/ 2N3904

VCEO = 40V

VCBO = 60V

VEBO = 6V

so valores mximos de tenso para cada par de pinos do transistor. Acima destes valores
queima.
Ideal trabalhar prximo a metade dos valores mximos.
mxima corrente admissvel
TA= 60C
TA= 25C
(PD = VCE . ID)
TA= 60C

IC = 200 mAdc
PD = 250 mW
PD = 350 mW
PD = 1 W

Para TA maior (60C), dissipao piora PD diminui.

PD = 1W (TC = 60C) significa que se voc mantiver o encapsulamento em 60C a potncia
pode chegar a 1W.

Ganho de Corrente
CC = hFE
IC
0,1
1
10
50

Min hFE
40
70
100
60

Mx hFE

300

O 2N3904 funciona melhor, com maior ganho, prximo a 10 mA. Em projetos, usando IC =
10mA deve-se utilizar hFE min = 100.
8.8 A Reta de Carga
Uma reta de carga uma linha que corta as curvas caractersticas do coletor mostrando
cada um dos possveis pontos de operao do transistor.

VCE x
IC y

VCC I C R C VCE

Equao de uma reta:

V
V
IC CC CE
RC
RC
Basta determinar dois pontos:
IC 0

VCE VCC
VCE 0

IC

VCC
RC

Pontos de Operao
na Saturao IB I B SAT
IC = Mxima
I
IB C

IC

IC I C MX

VCC
RC

VCE 0

VCE = Mnima

15V
5mA
3K
5mA
IB
IB 50A
100
15 1
=
50

no ex. acima, IC SAT

Supondo = 100

RB

VBB - VBE
IB

no Corte o transistor est OFF desligado.

IB 0

IC 0

VCE CORTE VCC

como no h corrente de coletor, no h queda de tenso em RB. Logo toda tenso est
sobre VCE.
na Regio Ativa o transistor usado como amplificador devendo o ponto de operao
V
ficar prximo a CC VCE .
2

15
30A
500K
considerando

=
100
I C 100 30A I C 3mA

Supondo IB

VCE 15V - 3mA 3K 6V

Q de ponto quiescente estvel repouso

Se voc variar Rb ou varia sobre a reta de carga.

Ex:

Considerando VBE = 0,7V

= 50

calcule o ponto de operao IB, IC, VCE, VB, VC

8.9 O transistor com chave

Nos Circuitos Digitais o transistor opera no corte e saturao como se fosse uma chave.

Ex:
Com a chave aberta, Vb = 0

Ib = 0

Ic = 0 VOUT = 10V

Com a chave fechada, condio de saturao que Ib

10V
10 mA
1K
10 0,7
IB
1 mA
10K

Ic

IC SAT

1>

VCE = 10-1K . 10 mA = 0V
ou seja:
VBB = 0
VBB = 10V

10
0,2 saturado
50

VCE = 0V

transistor chave
transistor chave fechada

8.10 Polarizao do emissor

Na utilizao do transistor como amplificador precisamos de circuitos cujos pontos Q sejam
imunes s variaes do ganho de corrente.

O ponto Q no muda se variar de 50 150.

VCC IC RC VCE IE RE
VCC VCE IC (RC RE )

Malha coletor:

Malha base:

IC 0

V CE VCC

VCE 0 I C

VCC
RC RE

VBB VBE VRE

VBB VBE IE RE

IC

VBB VBE
RE

Logo Ic no depende de .
Seqncia de clculo para circuito com Re.
1 Calcule Ve;
2 Calcule Ie;
3 Calcule Vc;
4 Calcule Vcc.

Fazendo Ie Ic

(I E I C )

 = 100

Ex:
Ve 5V 0,7V 4,3V

Ie

4,3
2,2K

Ie 1,95mA

Vc = 15V (1,95 1K) = 13,1V

Vce = 13,1 4,3 = 8,8V
Q Ic = 1,95mA

Vce = 8,8V

No utilizamos .
9 Circuitos polarizados do transistor
9.1 Polarizao de base.
Malha coletor:
Vcc = Vrc + Vce
Vcc = RcIc+Vce
Vcc Vbe
Ic
Rb
Malha base :
Vcc = Vrb Vbe
Vcc = RbIb + Vbc

Ib

Vcc Vbe
Rb

Este o pior circuito de polarizao. A corrente do coletor muito sensvel ao

variaes Ic e Vce.
varia com a temperatura
Ex1: Calcule Rb e Rc para:

Vbe = 0,7V ; = 100 ; Vcc = 10V ; Vce

Ic = 10mA

Ex2: Recalcule Ic e Vce para = 50.

Vcc
;
2

9.2 - Polarizao por realimentao do emissor.

Se

aumenta

temperatura

aumenta.
aumenta Ic aumenta.
Ic aumenta Ie aumenta Ve aumenta
Vrb diminui Ib diminui
Ou seja aumentar Ic faz diminuir Ib. O Re produz uma
queda de tenso que se ope variao do ganho de corrente
REALIMENTAO NEGATIVA.
Este circuito, apesar de melhor que a polarizao da base, na muito utilizado devido
deslocamento ainda grande do Q.

Vcc Vbe
Vc Vcc IcRc
Rb Re( 1)
(Vcc IcRc Vce Ie Re)

Ib

9.3 Polarizao por realimentao do coletor

Outra tentativa de estabilizar o ponto Q.

Se temperatura Ic
Vc Vrb Irb

Ic

Vcc Vbe
Rc Rb
( 1)

Vc Vcc - IcRc

Com = 100
Ic = 4,79mA
Tambm no muito estvel.

Vc = 10,2V

9.4 Polarizao com realimentao coletor e emissor

A idia seria somar a realimentao emissor + coletor
resultado muito ruim.

Vcc Vbe
Rc Re Rb
( 1)
Vc Vcc IcRc

Malvino errado Ic

Ib

Vcc Vbe
Rc Rb ( 1) Re

9.5 Polarizao por divisor de tenso

Este circuito funciona bem e muito usado.

Se Ie Ve
Como Vb fixa (divisor R1R2)
Vbe Ib
E a realimentao funciona.

Corrente divisor :

Id

10
Id 1mA Vb 2V
12,2

Ve 2 0,7 Ve 1,3V Ie 1,3mA

Vc 10 (1,3 3K6) Vc 10 4 Vc 6V
Vb

R2 Vcc
R1 R2

Ie

Vb - Vbe
Re

No aparece na frmula!!!

Ex: Dado Vbe = 0,7 ; = 100 ; Vcc = 10V ; Vce

Ib

Ib

IB2
10

Ic

20 10 3
100

Vcc
Vcc
; Vre
; Ic = 20mA ;
2
10

Ib 200A

IB2 10Ib 10 200 10 6 2mA

Vbe Vre 0,7 1
RB2

RB2 850
IB2
2 10 3
Vcc Vbe Vre 10 0,7 1
RB1

RB1 3,77K
IB1
2,2 10 3
Vcc Vce Vre 10 5 1
Rc

200
Ic
20 10 3
Ie Ib Ic 200 10 6 20 10 3
Ie 20,2mA

Re

Vre
1

Ie 20,2 10 3

Re 49,5

comum se utilizar Vre = 0,1 Vcc

10 Os Transistores PNP

(8.5 malvino)

Agora as lacunas so os portadores majoritrios no emissor. O emissor injeta lacunas na

base, sendo que a maioria delas circula para o coleto.
IE = Ic+IB

CC

Ic
Ib

O circuito para PNP pode ser igual ao do NPN com fonte negativa.

Ex:
polarizao por divisor de tenso
I no divisor resistivo = 0,82 mA
VB = 1,8 V
VRc=-1,8+0,7 = -1,1 V
Vc = Vcc Ic Rc
VCE = VC-VE
1,1
IB =
30,5A
36

Vre = VB-VBE
1,1
Ie 1,1mA
1K
Vc = -10 + 1,13,6K = -6,04 V
VCE = 6,04-1,1 = 4,94 V

11 Os modelos para C.A.

11.1 O capacitor de acoplamento
So usados para acoplar ou transmitir os sinais c.a. de um circuito para o outro.
Xc

1
2fc

quando a freqncia aumenta a impedncia diminui. Em altas

freqncias, o capacitor um curto.

freqncia crtica Xc = R
R = RG + RL

1
1
= R fc =
2fc
2fc

freqncia de quina = 10 fc

ou seja fh aquela em que XC < 10R. A partir de fh, o capacitor de acoplamento

considerado um curto.

Ex1: Calcule IMX, fh, fc

Ex2: Qual a corrente em 3,5 Hz?

11.2 Capacitor de Desvio ou Bypass

O capacitor de Desvio age como um curto para C.A..

fc

1
2 R C

R a resistncia Thevenin

RT
fh (quinz) = 10 fc =
Ex3: Calcule fc, fh

RG R L
RG R L

10
2 RT C

11.3 Teorema da Superposio

C1 e C2 = acoplamento
C3 = derivao
Para analisar este circuito devemos dividi-lo em duas partes: Anlise C.C. e Anlise C.A..
O teorema da superposio diz que voc pode analisar os efeitos causados por cada fonte
separadamente e depois somar os efeitos individuais.
A Anlise do circuito C.C.
1 Reduza a fonte c.a. para zero;
2 Abra todos os capacitores.
VB

VCC R 2
R1 R 2

VB = 1,8 V
VE = 1,1 V
IE = 1,1 mA
VC = 6,04 V
VCE = 4,94 V

B Anlise C.A.
1 Reduza todas as fontes C.C. zero;
2 Curto-circuite todos os capacitores.

Para clculo de correntes e tenses

1 Somar corrente C.C e a corrente C.A. para obter a corrente total em um ramo;
2 Somar tenso C.C. e a tenso C.A. para obter a tenso total em qualquer n.
C Como funciona
O sinal do gerador C.A. provoca uma variao na tenso de base na mesma freqncia.
Isto produz variao c.a. na corrente de base. Isto produz uma variao c.a. na corrente
de coletor. Isto faz com que a tenso Vc varie igual ao gerador porm amplificada.
D Variao do Ponto de Operao

Para reduzir a distoro sinal c.a. deve ser 10% da corrente c.c..

11.4 Parmetros importantes Zi, Zo, Zv e Ai

Z in

Zi

Ex:

Vi
Ii

Vi

Zi Vs
Zi Rs

Z out

Io =

V Vo
R SENSOR

Zout =

Vo
Io

Av - Ganho de tenso

AVNL =

Vi =

Vo
Vi

RL =

Zi Vs
AVNL
Zi Rs

Ex: Para amplificador a transistor abaixo, calcule Vi, Ii, Zi e Av.

Ai Ganho de Corrente
Io
Ii
Vi
Vo
Ii =
Io =
Zi
RL
Io Vo R L Vo Zi
Ai =

Ii
Vi Zi
Vi R L
Zi
Ou Ai = -Av
RL

Ai =

11.5 Conexo Darlington

uma conexo de dois transistores bipolares operando como um transistor super beta. A
caracterstica principal que os dois transistores atuam como se fosse uma inidade simples
com D = 1 2

se os dois transistores tiverem = 200

D = 200 200 = 40000
VBE normalmente prximo 1,8 V.

Ex: Para o circuito abaixo, calcule: Ib, Ic, Vce, ZiAC, AiAC, ZoAC.

D = 8000
Vbe = 1,6 V
Ri = 5K

11.6 Resistncia CA do diodo emissor

0,7 V
700
1 mA
V BE
1 mV
RCA =
Ex: RCA =
25
40 A
Ie
25 mV
RCA = re'
IE
ou seja, a resistncia do diodo emissor interna ao transistor para corrente alternada em
25 mV
pequenos sinais
.
IE
Rcc =

11.7 O Modelo T

modelo CA

Substituindo o transistor pelo modelo T

Zbase

Vb
ie re'

re'
Ib
ib

11.8 Modelo II

Zentrada Zin R 1 // R 2 // re'

Pouco utilizado.

11.9 Parmetros H

v1 = hie i1 + hre v2
I2 = hfe i1 + hoe v2

equaes hbridas

Impedncia de entrada hie

hie a impedncia de entrada de uma malha quando a sada for curto circuitada para C.A..

v1 = hie i1

hie =

v1
i1

Ganho de corrente hfe

hfe o ganho de corrente de uma malha quando a sada est curto circuitada.
i2 = hfe i1 + hoe v 2

i
hfe = 2
i1

Ganho de tenso reverso hre

hre o ganho de tenso reverso com a entrada aberta.

v1 = hie i1 + hre v2

v2
(com a entrada aberta)
v1
hre muito pequeno 1 10-4
hre =

Admitncia de Sada hoe

hoe a admitncia de sada com a entrada aberta.
I2 = hfe i1 + hoe v2

hoe =

i2
v2

Ex: hoe =

85 A
= 8,5 S
10 V

Relao entre re e parmetros H

hfe =

re =

hie
hfe

Ganho de tenso

Av

Av

v sada
v ent
ic rc
rc

ie re'
re'

v sada = ic . rc
v entrada = ie re
rc
Av =
re'

Ex: Calcule o ganho de tenso AC do circuito abaixo.

Ex: Qual o ganho de tenso se dobrarmos a tenso de alimentao?

1 Calcular novo IE

Ex: Realimentao ca do emissor.