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Marco
Terico
Definicin General del Transistor
Es un componente electrnico formado por materiales semiconductores, de uso muy
habitual, pues lo encontramos presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano
como
las
radios,
alarmas,
automviles,
ordenadores,
etc.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias
a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados
comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos,
televisores en color, etc. Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas
tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en
empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas debido al gran consumo
que tenan.
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de
circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control.
En la imagen siguiente vemos un transistor real y a su derecha el smbolo usado en los
circuitos electrnicos. Vale la pena destacar que siempre tienen 3 patillas y se llaman
emisor, base y colector. Es muy importante saber identificar bien las 3 patillas a la hora
de conectarlo. En el caso de la figura, la 1 sera el emisor, la 2 el colector y la 3 la base.

Un transistor es un componente que tiene, bsicamente, dos funciones:

1) Deja pasar o corta seales elctricas a partir de una PEQUEA seal de

mando. Como Interruptor. Abre o cierra para cortar o dejar pasar la corriente
por
el
circuito.
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2) Funciona como un elemento Amplificador de seales. Le llega una seal
pequea que se convierte en una grande.
Pero el Transistor tambin puede cumplir funciones de amplificador, oscilador,
conmutador
o
rectificador.

Funcionamiento General del Transistor

Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo dentro de un circuito:
1) En
2) En
3) En

activa:
corte:
saturacin:

Deja

pasar

No
Deja

ms

deja
pasar

o
pasar
toda

menos

corriente.

la

corriente.

la

corriente.

Para comprender estos 3 estados lo vamos hacer mediante un smil hidrulico que es
ms
fcil
de
entender.
Lo primero imaginemos que el transistor es una llave de agua como la de la figura.
Hablaremos de agua para entender el funcionamiento, pero solo tienes que cambiar el
agua por corriente elctrica, y la llave de agua por el transistor y ya estara entendido.
Empecemos:

En la figura vemos la llave de agua en 3 estados diferentes. Para que la llave suba y
pueda pasar agua desde la tubera E hacia la tubera C, es necesario que entre algo de

agua por la pequea tubera B y empuje la llave hacia arriba (que el cuadrado de lneas
suba y permita el paso de agua). En el smil tenemos:
a) B = base.
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b) E = Emisor.
c) C = Colector.
Funcionamiento en corte: Si no hay presin de agua en B (no pasa agua por su
tubera), la vlvula est cerrada, no se abre la vlvula y no se produce un paso de
fluido desde E (emisor) hacia C (colector). La vlvula est en reposo y no hace
nada.

Funcionamiento en activa: Si llega (metemos) algo de presin de agua por la

base B, se abrir la vlvula en funcin de la presin que llegue, comenzando a
pasar agua desde E hacia C.

Funcionamiento en saturacin: Si llega suficiente presin por B se abrir

totalmente la vlvula y toda el agua podr pasar desde el emisor E hasta el
colector C (la mxima cantidad posible). Por mucho que metamos ms presin
de agua por B la cantidad de agua que pasa de E hacia C es siempre la misma, la
mxima posible que permita la tubera. Si metiramos demasiada presin por B
podramos
incluso
estropear
la
vlvula.
Como se pudo notar en la figura anterior, una pequea cantidad de agua por B
permite el paso de mucho ms agua entre E y C (amplificador).
Ahora el funcionamiento del transistor es igual, pero el agua la cambiamos por
corriente elctrica y la llave de agua ser el transistor.
En un transistor cuando no le llega nada de corriente a la base, no hay paso de
corriente entre el emisor y el colector (en corte), funciona como un interruptor
abierto entre el emisor y el colector, y cuando tiene la corriente de la base
mxima (en saturacin) su funcionamiento es como un interruptor cerrado
dejando pasar la corriente, entre el emisor y el colector. Adems pasa la mxima
corriente
permitida
por
el
transistor
entre
E
y
C.
El tercer caso es que a la base del transistor le llegue una corriente ms
pequea de la corriente de base mxima para que se abra el transistor, entonces
entre Emisor y Colector pasar una corriente intermedia que no llegar a la
mxima.
Como se puede notar en la siguiente figura, el funcionamiento del transistor se
puede considerar como un interruptor que se acciona elctricamente, por medio

de corriente en B, en lugar de manualmente como son los normales. Pero

tambin se puede considerar un amplificador de corriente porque con una
pequea corriente en la base conseguimos una corriente mayor entre el emisor y
el colector.
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Las corrientes en un transistor son 3, corriente de base Ib, corriente de emisor Ie y

corriente del colector Ic. En la imagen vemos las corrientes de un transistor tipo NPN.

Los transistores estn formados por la unin de tres cristales semiconductores, dos
del tipo P uno del tipo N (transistores PNP), o bien dos del tipo N y uno del P
(transistores NPN). Segn esto podemos tener 2 tipos de transistores diferentes: PNP o
NPN.

Definicin y Principio de Operacin General del Transistor

de Efecto de Campo (FET)
El FET consiste de un semiconductor dopado (canal) con dos terminales en los
extremos llamados Source y Drain. La corriente en el canal (entre Drain y Source) es
controlada por el voltaje en un tercer terminal llamado Gate. Al igual que los BJT, los
FETs operan como amplificadores pero se distinguen de stos porque la corriente de
salida est controlada por voltaje y no por corriente.
El Transistor de efecto de campo (FET) es un ejemplo de un transistor unipolar. El
FET tiene ms similitudes con un Transistor Bipolar que diferencias. Debido a esto casi
todos los tipos de polarizacin acerca de los Transistores Bipolares se aplican a los FET.

Diferencias Entre el BJT y el FET

El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente.

El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa y saturacin.

Los FET son la siguiente generacin de transistores despus de los BJT.

El flujo de corriente del FET depende slo de los portadores mayoritarios

(Unipolares).

La corriente de salida es controlada por un campo elctrico (fuente de tensin).

El apagado y encendido por tensin es ms fcil que por corriente.

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy
elevada
(107
a
1012
ohmios).
2) Los

FET

generan

3) Los

FET

son

ms

un

nivel

estables

de
con

ruido
la

menor

temperatura

que

los

BJT.

que

los

BJT.

4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten
integrar
ms
dispositivos
en
un
CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores
pequeos
de
tensin
drenaje-fuente.
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6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.

Desventajas que Limitan la Utilizacin de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad
de
entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales
que
los
BJT.
3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.
En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos
dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.

Simbologas y Curva Caracterstica General del Transistor

FET Canal (N-P)

Tipos de Transistores de Efecto de Campo (FET)

1) JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol Transistor de Efecto de

Campo de Juntura o Unin): Es un dispositivo electrnico, que, segn unos
valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida.

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En el caso de los JFET, al ser Transistores de Efecto de Campo Elctrico, estos
valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los
terminales S.

2) (fuente) y G (puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar
una curva caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con
ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta
y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones
(corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta VGS sobrepasa
un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto que el paso de
electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de
VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las V GS y
Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores que Vp.

As, segn el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones
negativas mayores que Vp (puesto que Vp es tambin negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en funcin de la VGS vienen
dados por una grfica o ecuacin denominada ecuacin de entrada.

En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dar una salida en el

circuito que viene definida por la propia ID y la tensin entre el drenador y la fuente VDS.
A la grfica o ecuacin que relaciona ests dos variables se le denomina ecuacin de
salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa:
hmica y saturacin.

El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores analgicos,

multiplexores, control automtico de ganancia "CAG" en receptores de radio,
amplificadores de pequea seal en receptores de radio y TV, troceadores o choppers,
etc.
Si a este circuito se le aplica una tensin VGS=0, el transistor entrar en saturacin y
se comportar como un interruptor cerrado. Por otro lado, si la tensin aplicada es
VGS=VGS (apagado), el transistor se pondr en corte y actuar como un interruptor
abierto.

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Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar nicamente en dos
estados, corte y saturacin.

Simbologas, Estructura Interna, Esquema Circuital y Curva

Caracterstica (Entrada-Salida) del Transistor JFET Canal
(N-P)

Esquema Circuital del Transistor JFET Canal (N-P)

Canal N

Canal P

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Curva Caracterstica (Entrada-Salida) del JFET Canal N

Curva Caracterstica (Entrada-Salida) del JFET Canal P

2) El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):

Los transistores MOSFET o
Metal-xido-Semiconductor
(MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo
elctrico para crear una canal de conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.

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Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o
NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de
acumulacin (enhancement) o deplexin (impoverishment).
En la actualidad los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern
descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como MOS de enriquecimiento o
enhancement.
La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir los
transistores MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus

cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se
encuentra conectado a la fuente.

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Un MOSFET es un dispositivo semiconductor de tres terminales

denominados fuente (source), compuerta (gate) y drenador (drain) c. La representacin
de la figura 2.5 muestra la conformacin general de un ejemplar canal N, el cual se
construye sobre un sustrato semiconductor con dopaje tipo P, en que se crean, mediante
difusin, dos zonas con dopaje n+. Sobre la regin que se encuentra entre ellas se ubica
la compuerta, un contacto elctrico aislado del semiconductor por medio de una capa de
xido de silicio. Tpicamente, el sustrato se cortocircuita a la fuente.

La puerta, cuya dimensin es WL, est separado del substrato por un dielctrico
(Si02) formando una estructura similar a las placas de un condensador.
Al aplicar una tensin positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de
inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los
terminales drenador y fuente.
La tensin mnima para crear esa capa de inversin se denomina tensin umbral o
tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT,
la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a
3 V.
Los transistores MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) son
utilizados masivamente como conmutadores gracias a sus caractersticas de tamao,
facilidad de uso y bajo consumo de energa, lo cual los convierte en el ladrillo
constructor de los circuitos integrados digitales de hoy en da, estando presentes en
prcticamente todos los dispositivos electrnicos. Dichas caractersticas tambin los
hacen idneos para aplicaciones de potencia, en que se requiere gran capacidad de
corriente y conmutaciones veloces.

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Esquema Circuital Del Transistor MOSFET Canal (P-N)

Estructura Interna y Curva Caracterstica (Entrada-Salida)

Del Transistor MOSFET de Enriquecimiento Canal N

Curva Caracterstica (Entrada-Salida)

Del Transistor MOSFET de Enriquecimiento Canal N

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Curva Caracterstica (Entrada-Salida)

Del Transistor MOSFET de Enriquecimiento Canal P y su
Estructura Interna

3) El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor): Es el

transistor de efecto campo basado en materiales compuestos. El MESFET de
arseniuro de galio (GaAs), consta de un sustrato semiaislante o ligeramente
dopado tipo P. Encima de este semiconductor hay otra capa conductora tipo N
(canal) en la que se conectan tres terminales: los contactos hmicos de fuente y
drenador y un contacto Schottky que acta como puerta. Se pueden encontrar
tambin canales tipo P, sin embargo, son menos frecuentes puesto que la
movilidad de los huecos es inferior a la de los electrones. Entre fuente y
drenador se har circular una corriente mediante una tensin aplicada entre
estos terminales. Esta corriente se puede controlar a su vez mediante una
tensin aplicada al terminal de puerta. El control de esta corriente se realiza
gracias a la variacin de la zona de carga espacial que aparece en el canal
debajo de la puerta. Esta regin de vaciamiento aumenta con el incremento de
la tensin aplicada entre puerta y fuente, VGS.
Se utiliza comnmente en la parte militar (comunicaciones de frecuencia,
comunicaciones de microondas, comunicacin satelital, radares) etc.

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Simbologas, Esquema Circuital y Curva Caracterstica

(Entrada-Salida) del Transistor MESFET de Enriquecimiento
(Slo Canal N)
Estructura Interna del Transistor
MESFET de Enriquecimiento (Canal N)

Esquema Circuital y Simbologa del Transistor MESFET de

Enriquecimiento (Canal N)

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Curva Caracterstica (Entrada-Salida) del Transistor

MESFET (Canal N)
Curva Caracterstica de Entrada del Transistor MESFET
(Canal N)

Curva Caracterstica de Salida del Transistor MESFET

(Canal N)

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