Tema 3 Estadistica Fuera Del Equilibrio

Tema 3.
Estadstica de portadores fuera del

equilibrio
1. Procesos de Generacin y Recombinacin
2. Pseudo niveles de Fermi
3. Mecanismos de recombinacin
3.1. Recombinacin intrnseca
3.2. Recombinacin extrnseca
4. Niveles de demarcacin
Electrnica Fsica. Tema 2
Prof. Ignacio Mrtil
1/51
1. Procesos de generacin y recombinacin

1. Hasta ahora, hemos supuesto equilibrio trmico, situacin en la que se
cumple la ley de accin de masas, no.po=ni2
2. Vamos a estudiar qu ocurre cuando se modifican las concentraciones de
equilibrio
3. Posibles mecanismos de desequilibrio:
i) Inyeccin de portadores (n.p > ni2): iluminacin,
polarizacin en directa
ii) Extraccin de portadores (n.p < ni2): polarizacin inversa
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4. Una vez desaparece la causa del desequilibrio, el semiconductor tiende
a volver al equilibrio
En los procesos de Extraccin de portadores, la vuelta sucede
mediante procesos de generacin de portadores
En los procesos de Inyeccin de portadores, dicha vuelta ocurre
mediante procesos de recombinacin de portadores
5. Ambos procesos son dinmicos: en equilibrio, se compensan
G0=GTER=R0
R0=rn0p0
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I. Estudio del proceso de Recombinacin/Generacin
exceso/defecto
de portadores en
1. Estudiamos procesos de generacin /recombinacin banda-banda, es decir n = p

2. En presencia de un agente que genera portadores, durante el transitorio
U generacin interna
dp
G R Gext Gter R
U recombinacin neta
dt
U
3. En el estacionario de la situacin de no equilibrio:
Gter Gext R
4. En no equilibrio, las poblaciones de electrones y huecos se incrementan:
n n0 n ; p p0 p ; n p
np n0 n p0 p ni
5. Cuando cesa el proceso de excitacin,
Gext 0 R G0
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n n0 n(t )
II. Visualizacin grfica del proceso de desequilibrio
Gter Gext R
n0 n
Gext 0 R G0
dp
Gext Gter R
dt
dn
dp
R G0
dt
dt
n0
t0
Comienza el proceso de
desequilibrio, con una
velocidad de generacin
Gext
t1
t2
Se alcanza el Cesa el agente externo, Gext = 0

estacionario de y comienza el proceso de vuelta al
la situacin de equilibrio
desequilibrio
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1. Cmo describir la poblacin de cada banda en desequilibrio?
En equilibrio, hemos visto que la posicin de EF determina
simultneamente n0 y p0
EC EF
kBT
n0 NC e
2. Fuera del equilibrio
; p0 NV e
n n0 n ;
EF EV
kBT
p p0 p
Un nico EF no puede describir n y p simultneamente

3. Definimos pseudo niveles de Fermi, Fn y Fp de manera que describimos con ellos las
poblaciones de desequilibrio en cada banda:
n n0 n NC e
EC Fn
kBT
Fn EF
kBT
n0 e
; p p0 p NV e
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Fp EV
kBT
EF Fp
p0 e
kBT
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4. Ejemplo numrico
(a) Posicin de EF para Si con ND = 1015 cm-3 en equilibrio

(b) Posicin de Fn y Fp para una inyeccin n = p = 1013 cm-3
n n0 n n0 Fn EF
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1. Posibles mecanismos de recombinacin volumtrica en semiconductores
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2. Posibles vas de transformacin de la energa perdida en un proceso de
recombinacin
Recombinaciones radiativas
Recombinaciones no radiativas
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1. Estudiamos el proceso de vuelta al equilibrio, es decir, el proceso de
recombinacin banda-banda
dn
dp
R G0 r np n0 p0
dt
dt
Gext 0 R G0
nt n0 nt ; pt p0 pt
dn
dp
r n0 p0 n n
dt
dt
2. En situacin de baja inyeccin (n<<n0+p0), la solucin de la ecuacin es:
nt n0 e t /
dn
1
n n0 p0
r n0 p0 n
dt
r n0 p0
3. El tiempo de vida depende fuertemente de la tecnologa de fabricacin
del semiconductor
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4. Dependencia del tiempo de vida intrnseco con el dopado o con el nivel de
inyeccin.
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5. Definimos de otra forma tiempo de vida:
nt n0et /
1
n
dn
n n0 p0 r n0 p0 n
n
p
d n
dt
r 0
0
dt
6. En semiconductores tipo n: p
7. En semiconductores tipo p: n
Semiconductor tipo n:
Semiconductor tipo
d p
pt
1
r n0 pt
; Rp
dt
r n0
p0
d n
nt
1
r p0 nt
; Rn
dt
r p0
n0
Rp Rn
pt
p0
pn pn0
p0
nt np np0
p: Rn Rp
n0
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Nomenclatura
de dispositivos
n0
12/51
8. El mecanismo de recombinacin intrnseco no da cuenta de los resultados
experimentales observados en casi todos los semiconductores conocidos,
debido a que existen otros mecanismos de recombinacin que determinan
i) Centros profundos en el gap
ii) Recombinacin Auger
iii) Recombinacin en superficie
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I. Descripcin cualitativa de los procesos de Recombinacin/Generacin
intrnseco y extrnsecos, es decir, a travs de centros situados en el gap
del semiconductor
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II. Caracterizacin de los centros de Recombinacin/Generacin
-
en
EC
cn
ET
ep
cp
EV
NT = Concentracin de estados de trampa

ET = Energa del nivel de trampas
fT = Grado de ocupacin de las trampas
fT
1 e
ET E F
k BT
nT = NT fT = Estados de trampa ocupados

pT = NT (1 fT ) = Estados no ocupados
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III. Estudio cuantitativo de los procesos de Recombinacin/Generacin
extrnsecos (teora de Shockley Read - Hall)
III.1. Procesos de interaccin con la B. C.
1. Definimos velocidad de captura de electrones desde la B.C a un centro
n
de recombinacin, R cap :
n
cn.n.NT .(1 fT )
Rcap
2. Definimos velocidad de reemisin de electrones desde el centro de

n
recombinacin a la B.C, Remis:
n
en.NT . fT
Remis
3. La velocidad NETA de captura de electrones por parte del centro

ser:
dn
cn.n.NT .(1 fT ) en.NT . fT
dt
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4. En equilibrio, dn/dt = 0 y por consiguiente:
cn .n.NT .(1 fT ) en .NT . fT

cn .n. pT en .nT
en
cn npT
nT
5. Si la estadstica de impurezas se puede simplificar a la de MaxwellBoltzmann:

E E
pT 1 fT NT
e
nT
fT NT
kBT
6. Introduciendo la cantidad n1, definida como el nmero de electrones

que habra en la B.C. si el nivel de Fermi estuviera en la trampa (EF = ET):
n1 NC e
ET EC
kBT
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7. Escribimos la relacin entre los coeficientes en y cn en funcin de n1:
en c n n1
8. Ahora reescribimos la velocidad NETA de captura de electrones por
parte del centro de recombinacin:
dn
cn .NT .(1 fT ).n n1. fT
dt
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III.2. Procesos de interaccin con la B. V.
1.Si definimos de manera anloga velocidades de captura y emisin de
huecos por parte del centro de recombinacin y expresamos la velocidad
NETA de captura de huecos por dicho centro, obtenemos :
dp
c p . p.NT . fT e p .NT .(1 fT )
dt
p
Rcap
p
Remis
2. Como en el caso anterior, en equilibrio, dp/dt = 0 y por consiguiente,

operando un modo completamente anlogo se obtiene:
ep
c p pnT
pT
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3. Introduciendo la cantidad p1, definida como el nmero de huecos que
habra en la B.V. si el nivel de Fermi estuviera situado en el centro
(EF = ET):
EV ET
k BT
1
V
p N e
4. Escribimos la relacin entre los coeficientes ep y cp en funcin de p1:
e p c p p1
5. Como en el caso de los electrones, reescribimos la velocidad NETA de

captura de huecos por parte del centro de recombinacin :
dp
c p .NT . p. fT p1 (1 fT )
dt
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20/51
6. En situacin estacionaria, las velocidades de captura de electrones y
huecos deben ser iguales pues, de otro modo, el centro actuara como
centro de captura de un tipo de portador, pero no como centro de
recombinacin. Por consiguiente:
dn dp
dt dt
fT
cn n c p p1
cn n1 n c p p1 p
7.Haciendo uso de la expresin anterior para fT, escribimos finalmente la

expresin para la velocidad de recombinacin de electrones (y por
consiguiente, de huecos) por parte del centro de recombinacin
caracterizado por los parmetros ET y NT:
dn cn .c p .N T (n. p n1. p1 )
dt cn n1 n c p p1 p
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8. Definimos tiempo de vida para el proceso de recombinacin extrnseco:
(n n1 ) po ( p p1 ) no
n
n
(n. p ni2 )
dn

dt
donde los diferentes elementos de la ecuacin se definen as:
po
c p .N T
n no n
;
;
1
no
cn .NT
p po p
n1. p1 ni2
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IV. Procesos de recombinacin extrnseca en condiciones de baja inyeccin
1.Supondremos que se cumplen las siguientes condiciones :
n no n1 ; p po p1
(n. p ni2 ) (no n).( po p) ni2 (no po )n
2. Sustituyendo las anteriores simplificaciones en la expresin general para
el tiempo de vida, obtenemos:
b.i. po
(no n1 )
( po p1 )
no
(no po )
(no po )
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V. Influencia del dopado en el tiempo de vida extrnseco en condiciones baja
inyeccin
1.Supondremos que se cumplen las siguientes condiciones, que son las habituales en
muestras reales :
i ) no po
ii ) EV ET EFi
2. Segn est situado el nivel de Fermi, se verifican las siguientes desigualdades
entre las diferentes concentraciones de portadores, no, po, n1 y p1:
a ) ET EF
po p1 ; n1 no
b) ET EF
p1 po ; no n1
c) E F EFi
no po
d ) EF E Fi
po no
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A) Semiconductor tipo n, muy dopado
EC
EF
EFi
ET
i) n0 > p0
ii) n0 >> n1
iii) n0 >> p1
iv) p1 >> p0
EV
b.i. po no
p1
po
no
La concentracin de electrones es tan elevada que las trampas tiene un

alto grado de ocupacin, por lo que el tiempo de vida slo depende de la
velocidad de captura de los huecos
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25/51
B) Semiconductor tipo n, poco dopado
EC
i) n0 > p0
EF
EFi
ET
ii) n0 > n1
iii) Sin relacin clara entre n0 y p1
iv) p1 > p0
EV
b .i . po no
NV
p1
p1
no
no
e
no
no
NC
( E G ET E F )
k BT
A medida que EF se desplaza hacia EFi, el tiempo de vida crece de forma

exponencial, al disminuir en la misma medida la concentracin de
electrones, no
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C) Semiconductor tipo p, poco dopado
EC
i) p0 > n0
EFi
EF
ET
ii) p1 y p0 similares
iii) n0 > n1
iv) p1 > n0
EV
( EV ET )
kBT
no
p1
p1
e
b.i. po no no no (EV EF ) noe
po
po
po
e kBT
( EF ET )
kBT
A medida que EF se acerca a ET (y por lo tanto, a EV), po aumenta y el

tiempo de vida se reduce significativamente
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D) Semiconductor tipo p, muy dopado
EC
i) p0 >> n0
EFi
ET
EF
EV
b.i. po
ii) p0 >> p1
iii) n1 > n0
iv) p0 > n1
n1
no no
po
La concentracin de huecos es tan elevada que el tiempo de vida slo

depende de la velocidad de captura de los huecos
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28/51
3. Prediccin de la teora S.R.H. para el tiempo de vida extrnseco en
condiciones de baja inyeccin
no
( po p1 )
(no po )
po
(no n1 )
(no po )
b.i.
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4. Comparacin de teora S.R.H. con datos experimentales
: Muestras de Ge con centros

residuales (baja concentracin)
: Muestras de Ge con centros de Ni
introducidos intencionadamente
NT ( ) > N T ( )
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30/51
VI. Influencia de la temperatura en el tiempo de vida extrnseco en
condiciones baja inyeccin
1. Supondremos que se dan las siguientes
condiciones en la muestra analizada:
i) ET > EFi
ii) ED > ET
2. Analizaremos el tiempo de vida
distinguiendo diferentes zonas en funcin
de la temperatura de la muestra:
i) Zona A: Regin extrnseca
ii) Zona B: Regin exhaustiva
iii) Zona C: Regin intrnseca
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31/51
3. ZONA A. Ionizacin parcial de impurezas
i) no >> po ; ii) no >> n1 ; iii) no >> p1
b.i. po
Regin 1
4. ZONA B. Ionizacin total de impurezas, con EF > ET

Dada la situacin de EF respecto de ET, se repite la situacin de la zona A
b.i. po
Regin 1
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32/51
5. ZONA B. Ionizacin total de impurezas, con EF < ET
i) no >> po ; ii) ni > no ; iii) po >> p1
b.i. po
po
n1
n1
no
po
po e
no
no
no
( ET E F )
k BT
Regin 2
Esta situacin se mantiene hasta alcanzar la zona intrnseca
6. ZONA C. Regin intrnseca. EF = Efi

no = po = ni
b .i . po
ni n1
ni p1
no
2 ni
2 ni
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33/51
Haciendo uso de las expresiones para ni, n1 y p1, podemos escribir el tiempo de vida
de la siguiente forma:
po N C
b.i.
1
2 NV
1/ 2
EG
2 ( EC ET )
k BT
no
NV
1
NC
1/ 2
EG
EC ET 2
k BT
La expresin anterior presenta dos regiones claramente diferenciadas:
EG
1)
(EC ET ) kBT
2
Que corresponde a la regin de baja temperatura de la

zona intrnseca
po NC
1/ 2
b.i.
e
2 NV
EG
E
E
(
)
C
T
2
k BT
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Regin 3
34/51
EG
2)
(EC ET ) kBT
2
Que corresponde a la regin de alta temperatura de la

zona intrnseca
po
NC no
NV
1
b.i. 1
2
NV 2
NC
Regin 4
Para el caso particular del Si, en el que NC NV, la expresin anterior se

simplifica:
b.i. po no
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35/51
VII. Procesos de recombinacin extrnseca en condiciones de alta inyeccin
1. Las condiciones que se cumplen ahora son las siguientes:
n no ; n1 ; p po ; p1
(n. p ni2 ) (no po n)n n 2
2. Sustituyendo las anteriores simplificaciones en la expresin general para
el tiempo de vida, obtenemos:
a.i. n
n. po n. no
n
Prof. Ignacio Mrtil
po no
36/51
VIII. Tiempos de vida contabilizando todos los procesos de recombinacin
1.En semiconductores reales estn presentes simultneamente todos los
procesos de recombinacin, por lo que el ritmo de recombinacin vendr
determinado por la accin de todos los procesos a la vez :
n
n
dn

dt
i
i
2. Por lo tanto, podemos definir un tiempo de vida efectivo, que es el que
se determina experimentalmente, mediante la regla de Mathiessen:
eff
int
SRH
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Auger
...
37/51
IX. Proceso de recombinacin Auger
1. Un electron se recombina con un
hueco y la energa perdida es
transferida a otro electron de la
BC. Tras la transferencia de
energa,
en
electrn
se
termaliza dentro de la BC
2. Es
un
mecanismo
de
recombinacin
propio
del
material y dominante a altos
niveles de dopado y/o inyeccin
y por lo tanto, no puede
evitarse, al contrario de lo que
sucede con el proceso extrnseco
SRH, que es dependiente del
tipo y concentracin de defectos
Auger
Cn n 2
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Auger
Cp p2
38/51
3. Visualizacin de un proceso de termalizacin
Prof. Ignacio Mrtil
39/51
X. Tiempos de vida en Si. Resultados experimentales
1. Influencia de los diferentes procesos
de recombinacin
Auger
1
Cp p2
1
Bp
(no n1 )
(no po )
int emitter
SRH po
1
bulk
int
SRH
Auger
http://www.pveducation.org/pvcdrom/characterisation/bulk-lifetime
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40/51
X. Tiempos de vida en Si. Resultados experimentales
2. El proceso de recombinacin SRH es muy dependiente del tipo de cristal, de su

nivel de defectos, etc., por lo que la dependencia del tiempo de vida con el dopado
o con el nivel de inyeccin puede dar lugar a dependencias muy diferentes de un
cristal a otro
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41/51
XI. Resultados experimentales: n-GaAs
1. Mucho ms difcil de determinar que en el caso del Si
2. Recombinacin va centros en el gap y Auger
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42/51
1. Supuesto el estado de carga adecuado, dependiendo de la localizacin en el gap
del semiconductor, un centro puede actuar como trampa de electrones, centro de
recombinacin o trampa de huecos
2. Estudiaremos las localizaciones energticas que delimitan el comportamiento de los
centros. Para ello, definiremos los NIVELES de DEMARCACIN
EDN: Nivel de demarcacin para trampas de electrones
EDP: Nivel de demarcacin para trampas de huecos
EC
Trampas de electrones
EDN
Centros de recombinacin
EDP
EV
Trampas de huecos
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43/51
I. Determinacin de EDN
EC
n
R cap
ET
EC
n
R emis
ET
p
R cap
EV
EV
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44/51
1. Definimos el coeficiente Kn de la siguiente forma:
kn
p
Rcap
n
emis
i) Si Kn > 1, el centro actuar como centro de recombinacin

ii) Si kn < 1, el centro ser una trampa de electrones
2. Un centro que est situado en el nivel de demarcacin, EDN, deber

cumplir kn = 1
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45/51
3. Determinamos analticamente la posicin en el gap de EDN:
kn
p
R cap
n
emis
c p .N T . f T . p
en . N T . f T
c p .N T . f T . p
cn .n1 .N T . f T
cp.p
cn .n 1
4. En EDN, kn = 1:
c p . p cn .n 1
c p .N V .e
( EV ET )
k BT
cn .N C .e
( E DN EC )
k BT
5. Operando:
EC EDN (Fp EV ) kBT ln

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cp.NV
cn.NC
46/51
6. Qu sucede si la concentracin de huecos crece?:
Fp se acerca a EV
EC
EC
EDN
EDN
P crece
EV
EV
Estados que pasan a ser centros de
recombinacin desde trampas de electrones
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47/51
7. Qu sucede si la temperatura crece?:
i) Si NV > NC (GaAs, InSb), EDN se acerca a EC, con lo que es equivalente al
aumento de la concentracin de huecos
ii) Si NV > NC (Ge, Si), si T crece, EDN se aleja de EC
EC
EDN
EC
EDN
T crece
EV
EV
Estados que pasan a ser trampas de
electrones desde centros de recombinacin
Prof. Ignacio Mrtil
48/51
II. Determinacin de EDP
EC
EC
n
R cap
ET
p
cap
EV
ET
p
R emis
EV
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49/51
1. Definimos el coeficiente Kp de la siguiente forma:
kp
n
Rcap
p
emis
i) Si Kp > 1, el centro actuar como centro de recombinacin

ii) Si kp < 1, el centro ser una trampa de huecos
2. Un centro que est situado en el nivel de demarcacin, EDP, deber

cumplir kp = 1
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50/51
3. Determinamos analticamente la posicin en el gap de EDP:
kn
n
R cap
p
R emis
cn .NT .(1 fT ).n cn .NT .(1 fT ).n

cn .n
e p .NT .(1 fT ) c p . p1.NT .(1 fT ) c p . p 1
4. En EDP, kp = 1. Operando un poco:
cn.NC
EDP EV (EC Fn ) kBT ln
cp.NV
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51/51

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Estadstica de portadores fuera del

Electrnica Fsica. Tema 2

Prof. Ignacio Mrtil

1. Procesos de generacin y recombinacin

Electrnica Fsica. Tema 3

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1. Procesos de generacin y recombinacin

Prof. Ignacio Mrtil

1. Procesos de generacin y recombinacin

1. Estudiamos procesos de generacin /recombinacin banda-banda, es decir n = p

4. En no equilibrio, las poblaciones de electrones y huecos se incrementan:

5. Cuando cesa el proceso de excitacin,

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1. Procesos de generacin y recombinacin

II. Visualizacin grfica del proceso de desequilibrio

Se alcanza el Cesa el agente externo, Gext = 0

Electrnica Fsica. Tema 3

Prof. Ignacio Mrtil

2. Pseudo niveles de Fermi

2. Fuera del equilibrio

Un nico EF no puede describir n y p simultneamente

Electrnica Fsica. Tema 3

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2. Pseudo niveles de Fermi

(a) Posicin de EF para Si con ND = 1015 cm-3 en equilibrio

Electrnica Fsica. Tema 3

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Electrnica Fsica. Tema 3

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Electrnica Fsica. Tema 3

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Electrnica Fsica. Tema 3

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Electrnica Fsica. Tema 3

NT = Concentracin de estados de trampa

nT = NT fT = Estados de trampa ocupados

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2. Definimos velocidad de reemisin de electrones desde el centro de

3. La velocidad NETA de captura de electrones por parte del centro

Electrnica Fsica. Tema 3

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cn .n.NT .(1 fT ) en .NT . fT

5. Si la estadstica de impurezas se puede simplificar a la de MaxwellBoltzmann:

6. Introduciendo la cantidad n1, definida como el nmero de electrones

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Electrnica Fsica. Tema 3

Prof. Ignacio Mrtil

c p . p.NT . fT e p .NT .(1 fT )

2. Como en el caso anterior, en equilibrio, dp/dt = 0 y por consiguiente,

4. Escribimos la relacin entre los coeficientes ep y cp en funcin de p1:

5. Como en el caso de los electrones, reescribimos la velocidad NETA de

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7.Haciendo uso de la expresin anterior para fT, escribimos finalmente la

Prof. Ignacio Mrtil

Electrnica Fsica. Tema 3

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Electrnica Fsica. Tema 3