ESPE

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

EXTENSIN - LATACUNGA

INGENIERA ELECTRNICA
CONTROL ELECTRNICO DE POTENCIA

ALUMNOS:
FABRICIO BORJA
ALEX VEGA
DOCENTE:
ING. FRANKLIN SILVA
PERIODO:
OCTUBRE 2015- FEBRERO 2016

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
Contenido
1.

TEMA ....................................................................................................................................... 3

2.

OBJETIVOS ............................................................................................................................... 3
2.1 GENERAL.................................................................................................................................... 3
2.2 ESPECFICOS .............................................................................................................................. 3

3.

RESUMEN ................................................................................................................................ 3

4.

ABSTRACT ................................................................................................................................ 3

5.

MARCO TERICO ..................................................................................................................... 4

6.

CONCLUSIONES ..................................................................................................................... 15

7.

RECOMENDACIONES ............................................................................................................. 15

8.

BIBLIOGRAFA ........................................................................................................................ 15

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
1.

TEMA

Tipos de Semiconductores.

2.

OBJETIVOS

2.1 GENERAL

Investigar sobre los semiconductores.

2.2 ESPECFICOS

3.

Investigar los tipos de semiconductores de potencia.

Determinar las caractersticas de los semiconductores de potencia

RESUMEN

Segn el paso del tiempo la tecnologa de los dispositivos semiconductores tiene un rpido avance
convirtindolos en dispositivos eficientes, fiables y ms econmicos. Su presencia se la encuentra
en todos lados, ya sea en industria, comercio, o cualquier elemento de nuevas tecnologas. Dentro
de los dispositivos electrnicos de potencia ms conocidos podemos mencionar los diodos y
transistores de potencia, el tiristor as como otros elementos derivados de estos como pueden ser
triac, diac, conmutador unilateral, transistor unin , el transistor unin programable y el diodo
Shockley.

4.

ABSTRACT

As time passes technology of semiconductor devices is proceeding fast making them efficient,
reliable and cheaper devices. His presence is found everywhere, whether in industry, commerce,
or any item of new technologies. Within the electronic devices most popular power we can
mention the diodes and power transistors, the thyristor and other elements derived from these as
they can be triac, diac, unilateral switch, transistor junction, the transistor programmable union
and Shockley diode.

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
5.

MARCO TERICO
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden clasificar en tres

grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de
conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de potencia. Por tanto,
estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control externo.
DIODO

El diodo es un interruptor unidireccional, sus principales caractersticas son:

Tiene un estructura P-N; con un rea mayor para soportar mayores corrientes en
conduccin (en el orden de los KA) y tensiones inversas (en el orden de los KA). El mayor
tamao se debe al aumento de una regin intermedia n de bajo dopaje que lo diferencia
de los diodos de seal.
La tensin de cada aumenta a 1 o 2 V siento esta nueva regin es la causante de este
fenmeno.
Tiene dos estados de recuperacin:
Recuperacin inversa (on-off)
Recuperacin directa (off-on)
Los tipos de diodos de potencia son:
Diodos Schotky
Diodos de recuperacin rpida
Diodos rectificadores o de frecuencia de lnea

2. Dispositivos semicontrolados : En este grupo se encuentran, dentro de la familia de los

Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of Alternating Current). En
ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON) se debe a una seal de control externa que
se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado,
su bloqueo (paso de ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene
control externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores bipolares BJT
(Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores bipolares de puerta aislada IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros.

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE

DISPOSITIVOS NO
CONTROLADOS
DIODO DE POTENCIA
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus lmites de
tensin y corriente, permite la circulacin de corriente en un nico sentido.
Detalles de funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de
seal, pueden ser significativos para componentes de mayor potencia,
caracterizados por un rea mayor (para permitir mayores corrientes) y mayor
longitud (para soportar tensiones inversas ms elevadas). La figura1 muestra la
estructura interna de un diodo de potencia.

Figura 1. Estructura
interna de un diodo de
potencia

Como se puede observar en la figura anterior, el diodo est formado por una
sola unin P-N, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente
a la de un diodo de seal, puesto que en este caso existe una regin N
intermediaria con un bajo dopaje. El papel de esta regin es permitir al
componente soportar tensiones inversas ms elevadas. Esta regin de pequea
densidad de dopaje dar al diodo una significativa caracterstica resistiva en
polarizacin directa, la cual se vuelve ms significativa cuanto mayor sea la
tensin que ha de soportar el componente. Las capas que hacen los contactos
externos son altamente dopadas, para obtener un contacto con caractersticas
hmicas y no del tipo semiconductor.
Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica corrientetensin de un diodo de potencia.

Figura 2. Smbolo y caracterstica esttica corrientetensin de un diodo de potencia

La tensin VF que se indica en la curva esttica corriente-tensin se refiere a la

cada de tensin cuando el diodo est conduciendo (polarizacin directa). Para
diodos de potencia, sta tensin de cada en conduccin directa oscila
aproximadamente entre 1 y 2 Volts. Adems, esta cada depende de la
corriente que circule, tenindose una caracterstica corriente - tensin
bastante lineal en la zona de conduccin. Esta relacin se conoce como la
resistencia en conduccin del diodo, abreviada por Ron y que se puede obtener
como el inverso de la pendiente de la asntota de la curva esttica en la zona de
polarizacin directa. La tensin VR representa la tensin de ruptura del
dispositivo (Breakdown Voltage) o, lo que es lo mismo, la mxima tensin
inversa que puede soportar el diodo cuando ste est bloqueado (polarizacin
inversa). Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si
se supera el valor de tensin de ruptura especificado por el fabricante, el diodo
puede llegar a destruirse por excesiva circulacin de corriente inversa y en
definitiva, por excesiva disipacin de potencia. Los diodos de potencia pueden
llegar a soportar tensiones de ruptura de kiloVolts (kV), y pueden conducir
corrientes de kiloAmperes (kA). Evidentemente, el tamao del diodo condiciona
sus caractersticas elctricas, llegndose a tener diodos con tamaos del orden
de varios cm2.

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
Los diodos son interruptores unidireccionales en los cuales no puede circular
corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de
control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no disponiendo de ningn
terminal de control. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos:

1) Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta

instantneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarizacin
directa, la zona central de la unin est saturada de portadores mayoritarios,
y aunque un circuito externo fuerce la anulacin de la corriente
aplicndole una tensin inversa, cuando la corriente pasa por cero an
existe una cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten la conduccin de una corriente inversa durante un tiempo,
denominado tiempo de recuperacin inverso. Los parmetros definidos en el
proceso de bloqueo dependen de la corriente directa, de la derivada de la
corriente (di/dt) y de la tensin inversa aplicada. El tiempo de recuperacin de
un diodo normal es del orden de 10 s, siendo el de los diodos rpidos del orden
de algunos nanosegundos.

2) Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia

que el anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccin. En el proceso
de puesta en conduccin, la respuesta del diodo es inicialmente de bloqueo a la
corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensin Vfp,
ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo durante la
inyeccin de portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a una resistencia
donde su valor decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente est
relacionada con la concentracin de portadores minoritarios inyectados. Por
tanto Vfp depende de la anchura y resistividad de la zona central del diodo.

DIODOS SCHOTTKY
Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea (0,3 V
tpicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan tensiones
inversas superiores a 50 100V.

DIODOS DE RECUPERACIN RPIDA

Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin con
interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin
pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios
Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperacin inversas
(trr) de pocos nanosegundos.

DIODOS RECTIFICADORES O DE FRECUENCIA DE LNEA

La tensin en el estado de conduccin (ON) de estos diodos es la ms pequea
posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es nicamente
aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos diodos son capaces
de bloquear varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Se pueden
conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensin o de
corriente.
DESPOSITIVOS SEMICONTROLADOS
TIRISTORES
El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan
en
conmutacin, teniendo en comn una estructura de cuatro capas
semiconductoras en una secuencia P-N-P-N, la cual presenta un funcionamiento
biestable (dos estados estables).
La conmutacin desde el estado de bloqueo (OFF) al estado de conduccin
(ON) se realiza normalmente por una seal de control externa. La
conmutacin desde el estado ON al estado OFF se produce cuando la
corriente por el tiristor es ms pequea que un determinado valor,
denominada corriente de mantenimiento, (holding current), especfica para cada
tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores unidireccionales) y
TRIACs (tiristores bidireccionales).
SCR
El SCR es uno de los dispositivos ms antiguos que se conocen dentro de
la Electrnica de Potencia. Adems, continua siendo el dispositivo que
tiene mayor capacidad para controlar potencia (es el dispositivo que
permite soportar mayores tensiones inversas entre sus terminales y
mayor circulacin de corriente). Su estructura y simbologia se encuentra
en la figura 3.

Es el dispositivo que controla mayor potencia.

Soporta mayor tensin inversa entre sus terminales.

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE

La corriente establece en el sentido nodo-ctodo.

Nuevos parmetros en su recta de funcionamiento.

ZONA DE BLOQUEO INVERSO (VAK<0).- Estado de OFF inversa, comportndose

como un diodo.
ZONA DE BLOQUEO DIRECTO (VAK>0 sin disparo).- Comporta como un circuito
abierto hasta alcanzar el voltaje de ruptura.
ZONA DE CONDUCCIN (VAK>0 disparado).- Se comporta como interruptor
cerrado y se mantiene hasta que sea menor a la corriente de mantenimiento.

Figura 3. Estructura simplificada y smbolo del SCR

TRIAC
El TRIAC (Triode of Alternating Current) es un tiristor bidireccional de
tres terminales. Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y
vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos
signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar
los dos sentidos de circulacin de la corriente. Evidentemente, con un
SCR, slo podemos controlar el paso de corriente en un sentido. Por
tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores
han diseado el TRIAC ha sido para evitar este inconveniente.

Puede dispararse con tensiones de puerta de ambos

signos, pero solo tiene un gate en el exterior, es decir
un solo circuito de control

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE

Funciona como dos SCR en antiparalelo.

Mximo 1000v, 15A, 15kW, 50/60 Hz

La figura 4 muestra el smbolo utilizado para representar el TRIAC, as como su estructura interna
en dos dimensiones. Como se ha mencionado, el TRIAC permite la conduccin de corriente de
nodo a ctodo y viceversa, de ah que los terminales no se denominen nodo y ctodo, sino
simplemente nodo 1 (A1) y nodo 2 (A2). En algunos textos dichos terminales se denominan
MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la
puesta en conduccin del dispositivo en ambos sentidos de circulacin. Si bien el TRIAC tiene
varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo ms usual es inyectar
corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en conduccin.

Figura 4. Smbolo y estructura interna de un TRIAC.

GTO
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos
transiciones: paso de bloqueo a conduccin y viceversa. El smbolo utilizado para el GTO se
muestra en la siguiente figura 5, as como su estructura interna en dos dimensiones.

Mximo 5000v, 4000A

El GTO tiene control externo en el paso de conduccin a
bloqueo, de ON a OFF, adems permite controlar
externamente el paso de OFF a ON.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR.
Un GTO al contrario de un SCR puede no tener la
capacidad de bloqueo de tensiones inversas.
Si gate + pasa de estado de ON a OFF
Si gate pasa de estado de OFF a ON

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE

Figura 5. Smbolo y estructura de un GTO.

El GTO tiene una estructura de 4 capas, tpica de los componentes de la familia de los tiristores.
Su caracterstica principal es su capacidad de entrar en conduccin y bloquearse a travs de
seales adecuadas en el terminal de puerta G.

El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que est directamente polarizado,
cuando se le inyecta corriente a la puerta, circula corriente entre puerta y ctodo. Como la capa
de la puerta es suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la
capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atrados por el potencial del
nodo, dando inicio a la corriente andica. Si sta corriente se mantiene por encima de la
corriente de mantenimiento, el dispositivo no necesita de la seal de puerta para mantenerse en
conduccin.

TRANSISTORES
En Electrnica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores. Los
circuitos de excitacin (disparo) de los transistores se disean para que stos trabajen en la zona
de saturacin (conduccin) o en la zona de corte (bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con otras
aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor
trabaja en la zona activa o lineal. Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente
controlados, mientras que, por ejemplo, el SCR o el TRIAC slo dispone de control de la puesta en
conduccin. Los transistores de potencia tambin trabajan en zona de conmutacin, es decir en
ON-OFF.
- Sus ventajas son totalmente controlados.
- Se clasifican en:
BJT (Bipolar Junction Transistor)
MOSFET
IGBT
BJT

Son interruptores de potencia controlados por corriente.

Los de tipo npn son los ms utilizados.
Consumen mayor energa que los SCR.
Se controlan por la base.
Trabaja en 3 zonas principalmente

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
CORTE.- No inyecta corriente a la base (interruptor abierto)
ACTIVA.- Inyecta corriente a la base del transistor. Se da cuando funciona como amplificador ms
no como semiconductor de potencia.
SATURACIN.- Inyecta suficiente corriente a la base. Interruptor ideal.
La figura 6 muestra un recordatorio de los smbolos empleados para representar los transistores
bipolares.

Caractersticas Estticas:
Los transistores bipolares son fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de
control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada de tensin en
saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de
almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.
El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien
diferenciadas, en funcin de la tensin que soporta y la corriente de base inyectada:
Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un interruptor
abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por tanto, en sta zona
de funcionamiento el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para
activarlo teniendo ambas uniones en polarizacin inversa.
Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada tensin entre
colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una
constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente representada por
las siglas F o F h . Por tanto, en la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde
la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje vCE disminuye con la
corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa.
Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la vCE y conseguir que el
transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal. La tensin que soporta entre sus
terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones estn
polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensin colector-emisor en saturacin.

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE

MOSFET
As como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son
transistores controlados por tensin. Ello de debe al aislamiento (xido de Silicio) de la puerta
respecto al resto del dispositivo. Existen dos tipos bsicos de MOSFET, los de canal n y los de canal
p, si bien en Electrnica de Potencia los ms comunes son los primeros, por presentar menores
prdidas y mayor velocidad de conmutacin, debido a la mayor movilidad de los electrones con
relacin a los agujeros. La figura 8 muestra un recordatorio de los smbolos utilizados para estos
dispositivos
Son transistors controlados por tension. Debido al aislamiento de xido de silicio de la
base.
Existen dos tipos dentro de estos transistores de potencia:
De canal n y de canal p
Desventaja.- Maneja reducida potencia porque se calientan mucho.
Ventaja.- Son los transistores ms rpidos que existen.
Trabaja en 3 zonas fundamentalmente:
CORTE.- Vg y Vcc es menor al voltaje de umbral. Interruptor abierto.
HMICA.- Si Vg y Vcc es mayor a Vp y Vcc, se cierra el transistor modelado por una resistencia.
SATURACIN.- Si se cierra el transistor pero con un voltaje en el drain-source elevado.

De forma anloga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien
diferenciadas:
Corte: La tensin entre la puerta y la fuente es ms pequea que una determinada tensin umbral
(VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
hmica: Si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la tensin
entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comporta como un interruptor cerrado,
modelado por una resistencia, denominada RON.
Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
Saturacin: Si el transistor est cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada, ste
se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y
el surtidor. La disipacin de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto
tensin-corriente es alto.

IGBT
Es un dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los apartados
anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeas prdidas
en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del dispositivo, con lo que se tiene un
control por tensin relativamente sencillo. Entre el colector y el emisor se tiene un
comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es muy cercano a lo ideal. La figura 2.24
muestra la simbologa para este tipo de transistores.
Son dispositivos semiconductores hbridos.
Une la velocidad de disparo de un MOSFET con las pequeas prdidas de conduccin de
un BJT.
Velocidad de conmutacin en kHz menor al MOSFET
Maneja hasta decenas de amperios, 1200-2000v
Tiene una entrada de alta impedancia.
No presenta problemas de ruptura secundaria como los BJT
Tambin son activados por tensin.
La figura 10 muestra la simbologa para este tipo de transistores.

La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa P+ que forma
el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 2.25.
Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V y hasta
2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de puerta. La
velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite
trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica

ESPE
6.

CONCLUSIONES

7.

Los dispositivos semiconductores se comportan de acuerdo a la dispersin de sus capas

que los constituyen.
Los diodos, SCR, transistores son de gran aplicacin en potencia.
Los Triac no son de gran aplicacin en potencia debido a que no trabajan a potencias
altas.

RECOMENDACIONES
Al disear un circuito es recomendable no emplear Triac ya que cualquier problema con
este puede producir que siga conduciendo.
Identificar cada uno de los semiconductores de acuerdo a la aplicacin en la cual se desea
utilizar para no tener fallas.

8.

BIBLIOGRAFA

Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan, Undeland y Robbins,

John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
Electrnica de Potencia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil.
Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University, Valparaso Indiana. Prentice
Hall.

http://library.abb.com/global/scot/scot271.nsf/veritydisplay/574a3d67306997a3c125728f
004c0592/$File/62-66%201M715_SPA72dpi.pdf
http://www.monografias.com/trabajos89/semiconductores-potencia/semiconductorespotencia.shtml
http://ocw.uc3m.es/tecnologia-electronica/electronica-de-potencia/material-de-clase1/MC-F-002.pdf
http://www.academia.edu/6683084/CARACTERISTICAS_DE_LOS_SEMICONDUCTORES_DE
_POTENCIA
http://es.slideshare.net/joselo2089/semiconductores-de-potencia
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.Dispositivo
s-Potencia(slides).pdf
https://www.academia.edu/6683084/CARACTER%C3%8DSTICAS_DE_LOS_SEMICONDU
CTORES_DE_POTENCIA
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.Dispositi
vos-Potencia(slides).pdf
http://materias.fi.uba.ar/6625/Clases/Dispositivos%20de%20Potencia.pdf

Control Electrnico de Potencia

Sptimo Electrnica