1 sti2d : COURS D' LECTRONIQUE

LA COMMANDE DE PUISSANCE : TRANSISTOR EN COMMUTATION

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V FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION

A TRANSISTOR BIPOLAIRE
I PRSENTATION

Le transistor se comporte comme

Le transistor est un semi-conducteur contrlable qui permet deux types de fonctionnement :

- Fonctionnement en rgime linaire (amplificateur de courant).
- Fonctionnement en rgime de commutation (bloqu / satur).
Il existe deux types de transistors bipolaires : les NPN et les PNP. Le transistor est dot de
trois broches repres B, C et E et appeles respectivement : Base, Collecteur et Emetteur.

(entre C et E) command par la base.

2.1- Transistor bloqu :

Le transistor est bloqu si :

Ic =

II SYMBOLE
Le transistor est quivalent :

PNP

NPN

Ie

Ic

Vbe

C
Vce
E
Ie

B
Ib

Ib =

Veb
Ib B

Ic =
B

E
Vec

C
Ic

2.2- Transistor satur :

III DFINITION DES GRANDEURS CARACTRISTIQUES

Le transistor est satur si :
- Ib : courant de base.
- Ic : courant de collecteur.
- Ie : courant d'emetteur.
- VCE : tension Collecteur Emetteur (VEC pour le transistor PNP).
- VBE : tension Base Emetteur (VEB pour le transistor PNP).
Les tensions et courants reprs sont positifs pour les deux types de transistor.

IV FONCTIONNEMENT EN RGIME LINAIRE

Le transistor ralise une amplification du courant d'entre Ib :

Le transistor est quivalent :

Ib >

Ic
C

Ib

B
VCE

VCE =
VBE

Ic =

La valeur minimale de Ib qui garantit la saturation est appele Ibsat min.

O dsigne l' amplification en courant du transistor (aussi appele h21 ou hFE).
Aucun transistor ne dispose du mme , il se situe dans une plage garantie par le constructeur
et est compris entre deux valeurs limites : min. max.

Pour obtenir la meilleure saturation possible du transistor, c'est--dire pour obtenir une
tension VCEsat qui soit la plus proche de 0, on choisit gnralement pour Ib une valeur telle que :
Ib = K . Ibsat min

avec K : coef. de sursaturation (habituellement choisi entre 2 et 5).

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LA COMMANDE DE PUISSANCE : TRANSISTOR EN COMMUTATION

B TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP : FET (FIELD EFFECT

TRANSISTOR)
I PRSENTATION
Les transistors effet de champ sont dots de trois broches appeles : Grille (G), Drain (D) et
Source (S). ils sont capables de fonctionner en rgime linaire ou en commutation.
Les transistors FET diffrent des transistors bipolaires par leur commande : dans un FET la
conduction est commande par un champ lectrique produit par une tension applique sur la grille.
L'avantage est que cette entre ne consomme aucun courant.

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IV FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN COMMUTATION

1 TRANSISTOR MOS CANAL N
Le transistor se comporte comme
tension VGS positive ou nulle :
Le transistor est bloqu si :

(entre D et S) command par la

ID =
ID =

En gnral, on prendra VGS =

On distingue plusieurs types de transistors FET :

- Les J-FET (utiliss en fonctionnement linaire).
- Les MOSFET (aussi appels MOS) surtout utiliss en commutation de puissance
(quivalents des interrupteurs).

G
S

Seuls sont abords dans la suite du cours les transistors MOSFET enrichissement
(enhancement) qui sont d'usage le plus courant.
Le transistor est satur si :

II SYMBOLE DES TRANSISTORS MOSFET A ENRICHISSEMENT

O gm dsigne la transconductance; exprime en Siemens (S).

CANAL P

CANAL N

VGS

En gnral, on prendra VGS =

ID =

ID

VDS

VDS
ID

VGS

VGS et VDS

VGS et VDS

VDS =
ID

2 TRANSISTOR MOS CANAL P

La tension de commande VGS est ngative ou nulle.

III DFINITION DES GRANDEURS CARACTRISTIQUES

Le transistor est bloqu si :
Les transistors sont dots d'un canal N ou P par lequel est assur le passage du courant entre
Drain et Source.
La commande du transistor est ralise par la tension VGS. La valeur de la tension VGS
qui assure le blocage du transistor est appele VGSth ou VT.
A l'tat satur, le transistor se comporte comme une rsistance entre Drain et Source. Cette
rsistance est nomme RDSon et prsente gnralement une trs faible valeur.

Le transistor est satur si :

VDS

on prendra VGS =

on prendra VGS =